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不不揮発メモリとOS研究にまつわる何か 
産業技術総合研究所 
情報技術研究部⾨門 
⾼高野 了了成 
1 
2014/12/11 ビッグデータ基盤勉強会@NTT武蔵野研究開発センタ
ポジショントーク(1) 
計算機アーキテクチャの進化≒メモリ技術の進化 
Ꮫ᣺165 @ᮾ኱ 
– 仮想記憶: メモリが沢⼭山欲しい 
– キャッシュ:メモリを早くしたい 
– ストレージクラスメモリ 
2 
SCMRequirement 
ExpectedFuture 
SRAM 
NANDFlash 
HDD 
5ns 
50ns 
1ms 
10ms 
DRAM 
SCM 
z SCMismainapplicationtechnologies 
z SCMRequirement 
z Performance 
BetweenDRAMandz Density(bitcost) 
BetweenDRAMandIn2015, 
bits 
4G 
128G 
メモリ階層の深化
ポジショントーク(2) 
• 次世代(不不揮発)メモリは計算機アーキテクチャ、 
特にシステムソフトウェアに変⾰革をもたらすか? 
– 「Yes!!」(と思いたい) 
– 可能性は未知数 
• 特性の異異なるメモリをどう使いこなすかが課題 
– ユニバーサルメモリは幻想? 
• 本研究会への期待 
– ビッグデータ処理理系、アーキテクチャの研究者との 
ディスカッション・コラボレーション 
3
発表の流流れ 
• 産総研IMPULSEプロジェクトの紹介 
• 不不揮発メモリを活⽤用したOS研究(始めました) 
4
5 
Architecture 
Front-End Cluster 
Web 
250 racks 
Ads 30 racks 
Cache (~144TB) 
Multifeed 9 racks 
Other small services 
Five Standard Servers 
Service Cluster Back-End Cluster 
Search Photos Msg Others UDB ADS-DB Tao Leader 
“Flash at Facebook”,  
Flash Summit 2013 
Standard 
Systems 
I 
Web 
III 
Database 
IV 
Hadoop 
V 
Photos 
VI 
Feed 
CPU High 
2xE5*2670 
High 
2xE5*2660 
High 
Low High 
2xE5*2660 2xE5*2660 
Memory Low High 
144GB 
Medium 
64GB Low High 
144GB 
Disk Low HighIOPS 
3.2TBFlash 
High 
15x4TBSATA 
High 
15x4TBSATA Medium 
Services Web,Chat Database Hadoop 
(bigdata) Photos,Video MulPfeed, 
Search,Ads
Open Compute Project 
6 
• コモディティ製品の利利⽤用から、ユーザ主導の設計へ 
• 2011年年4⽉月に⽶米フェイスブックが、同社データセンター 
におけるサーバや設備の仕様をオープンソース化 
• ⼤大規模データセンターの集積度度や省省エネルギー性の向上 
– Industry Standard: 1.9 PUE 
– Open Compute Project: 1.07 PUE 
• サーバ、ストレージ、ラック、ネット 
ワークスイッチ、データセンター設計 
などに関する仕様が公開 
• 製品化の開始:Quanta Rackgo X,  
GIGABYTE DataCenter Solution 
Open Compute Rack v2(右図)
7
HP “The Machine” 
8 
⽤用途特化型コア + 
(SoC) 
ユニバーサル 
フォトニクス + メモリプール 
(+ファブリック)
ここ⼀一年年近くの動向まとめ 
• 皆同じようなことを考えている 
– Open Compute Project (Facebookなど) 
– Rack Scale Computing (Intel) 
– Extremely Shrinking Computing (IBM) 
– The Machine (HP) 
– FireBox (UCB) 
– CTR Consortium (MIT) 
• 基本アイデアは3つの組み合わせ 
– パワフルなノード(計算機、メモリ、ストレージ) 
– 超広帯域光インターコネクト 
– 光スイッチによるネットワーク 
• ただし、コンセプト先⾏行行で、皆、絵に描いた餅の状態 
9
⾼高電⼒力力効率率率⼤大規模データ処理理イニシアチブ(IMPULSE) 
超省省電⼒力力で超⾼高性能な⾰革新的データ処理理により 
書き換え電⼒力力 1/100 
・・・ 
不不揮発メモリ 
・・・ 
Optical 
Network 
Future data center 
省省電⼒力力ロジック・ 
シミュレーション 
0.4V動作三次元ロジック 
NVRAM 
光ネットワーク 
Logic I/O 
NVRAM 
Logic 
I/O 
NVRAM 
Logic 
I/O 
×
Separated packages 2.5D stacked package 3D stacked package 
データセンター㻻㻿 
データフロープランニング資源モニタリング・管理理 
2014 2020 2030
動作電⼒力力 1/1000 
⼤大規模データ活⽤用技術開発を主導 
10 
アーキテクチャ 
サーバモジュール 
光ネットワーク 
ストレージ
11 
㟁ᅽ㥑ືᆺ୙᥹Ⓨᛶ☢Ẽ䝯䝰䝸 
●電圧による新しい低消費電力スピン制御技術を開発 
●従来の電流駆動型と比較して1/100以下の低消費電力化が可能 
●超低消費電力駆動な不揮発性磁気メモリの実現に貢献 
電子が有する電荷とスピンの2つの自由度を同時に活用する 
新しいエレクトロニクスデバイスの創製 
応用デバイス例 
MgO-MTJ 
MgO磁気トンネル 
接合(MTJ)素子 
MgO-MTJ 
高感度磁気ヘッド 
不揮発性固体磁気メモリ 
現状 
本プロジェクトのターゲット 
スピンの制御に大きな電流が必要 
電圧駆動型へ 
スピントルク型 
1996年 ~ Slonczewski, berger 
電流磁界型 
1820年 ~ Oersted 
20 nm 
スピントロニクスの応⽤用 
電圧駆動型不不揮発性磁気メモリ 
スピンの向きを電圧印加により操作
ḟୡ௦䝕䞊䝍䝉䞁䝍䞊ෆග䝛䝑䝖䝽䞊䜽 
●シリコンフォトニクスによる大規模クラスタースイッチを開発 
●波長多重・多値変調によるエラスティック光インターコネクト実証 
●3-4桁小さなエネルギーで動作するビッグデータ時代の光ネットワークを実現 
䝕䞊䝍䝉䞁䝍䞊䞉䝃䞊䝞䞊䝷䝑䜽 䝅䝸䝁䞁䝣䜷䝖䝙䜽䝇䞉 
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DSP 
Comb Tx Rx 
source 
Memory 
cube 
CPU 
/GPU 
2.5D-CPU䜹䞊䝗 
変調器波長合波器 
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1 1 20 Gbps 
4 8 640 Gbps 
32 8 5.12 Tbps 
波長分波器 
波長バンク 
(非線形光コム) ・・・ 
光ファイバ 
シリコンフォトニクス集積 
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Ø 䜰䝰䝹䝣䜯䝇䝅䝸䝁䞁 
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13 
AISTʼ’s dataflow centric architecture 
DPC 
(GPU+ 
mem) 
Network 
Warehouse scale infrastructure 
DPC 
(Storage 
+ proc) 
DPC 
(Storage 
+ proc) 
DPC 
(Storage ) 
DPC 
(Storage) 
DPC 
(Storage) 
DPC 
(spec. 
HW 
+mem) 
DPC 
(spec. 
HW 
+mem) 
DPC 
(Proce 
ssor) 
DPC 
(Proce 
ssor) 
DFOS 
DPF 
1 
DPF 3 
(Data archive) 
DPF 
2 
DPC: 
Data Processing Component 
DPF: 
Data Processing Function 
DFOS: 
Data Flow Operating System
シンポジウム開催予告 
• 産総研STARシンポジウム「⼤大規模データ処理理を 
実現する超省省電⼒力力ハードウェアの将来像」 
• 開催概要 
– ⽇日時:2015年年1⽉月26⽇日(⽉月)10:00〜~17:30 
– 場所:コクヨホール(品川) 
– 主催:(独)産業技術総合研究所/⽇日本を元気にす 
る産業技術会議 
– 後援:⽇日本経済新聞社 
– 参加費:無料料 
– 定員:300名 
– URL:https://unit.aist.go.jp/raipl/star/impulse/sympo.html 
14
(歴史的)不不揮発メモリ 
15 
A 32 x 32 core memory 
plane storing 1024 bits 
of data [Wikipedia] 
A drum memory of Polish 
ZAM-‐‑‒41 computer [Wikipedia] 
→コアダンプの由来 
→/dev/drum 
(スワップデバイス)の由来
(次世代)不不揮発メモリ 
• 相変化メモリ(PCM) 
– 加熱によって結晶状態(低抵抗状態)と⾮非結晶状態 
(⾼高抵抗状態)を制御 
• 抵抗変化メモリ(ReRAM) 
– 電圧パルスの印加によって電気抵抗を制御 
• 磁気抵抗メモリ(MRAM) 
– 磁化⽅方向の違いを電気抵抗に変換 
• スピン注⼊入メモリ(STT-‐‑‒MRAM) 
– MRAMの⼀一種。スピンにより磁化反転 
16
不不揮発メモリ 
17 
アモルファス 
⾼高抵抗 
PCMSTT-‐‑‒MRAM 
結晶 
低抵抗 
磁化が反平⾏行行 
⾼高抵抗 
磁化が平⾏行行 
低抵抗 
加熱 
ReRAM 
還元 
⾦金金属酸化物セット状態 
酸化 
リセット状態
“RRAM Opportunity for High density memory application”, 
S. Chung@SK hynix, Flash memory summit 2014. 
2013 FMS, RRAM session 
18 
RRAM Potentials 
ƒ Requirements for SCM 
• Non-volatile, byte accessible 
• High capacity + Short latency + Wide B/W @ moderate power 
ƒ ReRAM is a good candidate 
• Smaller power consumption than PRAM (I_reset  1/3) 
• Cross Point Array (XPA) + Multi-Level Stacking (MLS) 
Flash Memory Summit 2014 
Santa Clara, CA 4
“Prospect for New Memory Technology”, 
S. W. Park@SK hynix, Flash memory summit 2012. 
Drop in Replacement 
▶ Compatible Interface with Conventional Memory 
(DDRx / LPDDRx) 
Cost  Power (vs. DRAM) 
▶ Cost Down  No Refresh-Power 
(Scalability  Non-Volatile) 
Reliability  Performance (vs. NAND) 
▶ Implement Native High IOPS 
(Byte Operation, Better than NAND Reliability) 
10 
SCM 
DRAM 
(Cost, Power) 
*) New memory technology should meet at least one of requirements 
Reliability  Performance 
Density 
New Memory : Requirements 
DRAM 
(Cost, Power) 
NAND 
(Reliability) 
19
計算機アーキテクチャと 
不不揮発メモリ 
20 
CPU 
NVRAMDRAM 
CPU 
NVRAM 
DRAM 
CPU 
NVRAM 
(A) Replace disk(B) Shared address space(C) Entirely NVRAM 
※EverspinのSTT-‐‑‒MRAMはDDR3互換 
インタフェースで接続
Storage Class Memory (1) 
Phillip Mills (IBM), “Storage Class Memory – 
the Future of Solid State Storage,” SNIA 2009 
21 
12 
SCMRequirement 
Ꮫ᣺165 @ᮾ኱ 
ExpectedFuture 
SRAM 
NANDFlash 
HDD 
5ns 
50ns 
1ms 
10ms 
DRAM 
SCM 
z SCMismainapplicationforReRAM 
technologies 
z SCMRequirement 
z Performance 
BetweenDRAMandNAND 
z Density(bitcost) 
BetweenDRAMandNAND 
In2015, 
Keyaspectistorealizeatleast16Gbit astheproduct 
bits 
4G 
128G 
Memory positionApplication Usage 
byte 
addressing 
block 
addressing
Storage Class Memory (2) 
※出典 
ストレージインタフェースを採⽤用する限り、 
不不揮発性メモリの⾼高速化のメリットは⼩小 
→ OpenNVM, Linux Persistent Memory 
(DAX, etc) 
22 
12 
SCMRequirement 
Ꮫ᣺165 @ᮾ኱ 
ExpectedFuture 
SRAM 
NANDFlash 
HDD 
5ns 
50ns 
1ms 
10ms 
DRAM 
SCM 
z SCMismainapplicationforReRAM 
technologies 
z SCMRequirement 
z Performance 
BetweenDRAMandNAND 
z Density(bitcost) 
BetweenDRAMandNAND 
In2015, 
Keyaspectistorealizeatleast16Gbit astheproduct 
bits 
4G 
128G 
HardwareFile SystemSystem call 
HDD6900μs 
SSD100μs4μs1μs 
New NVMs5μs 
※筒井(ソニー)”⾼高速ReRAMの応⽤用技術,” 学振165, 2014
不不揮発メモリとOS研究 
• 夢の?単⼀一記憶(ワンレベルストア) 
– メモリ=ストレージ 
– ページキャッシュは不不要 
– ページングも不不要? 保護の仕組みは? 
• 不不揮発ならではの悩み 
– プログラムのライフサイクル管理理(起動、停⽌止、更更 
新)への影響 
– セキュリティを考慮すると、明⽰示的な消去も必要 
23 
K. Bailey, L. Steven, D. Gribble, H. Levy, Operating System 
Implications of Fast, Cheap, Non-‐‑‒Volatile Memory, HotOS11
関連研究 
• ファイルシステム 
– Unioning of the buffer cache and journaling layers 
[FAST13] 
– Byte addressable file system (BPFS) [SOSP09] 
• ストレージ 
– Whole-‐‑‒system persistence [ASPLOS12] 
– NV-‐‑‒Heap [ASPLOSS11] 
– Mnemosyne [ASPLOS11] 
• プロセスの永続化 
– NV-‐‑‒Process [APSys12] 
• Linux kernel 
– Block I/F: NVMeドライバ 
– Memory I/F: PMFS、DAX 
24

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不揮発メモリとOS研究にまつわる何か

  • 1. 不不揮発メモリとOS研究にまつわる何か 産業技術総合研究所 情報技術研究部⾨門 ⾼高野 了了成 1 2014/12/11 ビッグデータ基盤勉強会@NTT武蔵野研究開発センタ
  • 2. ポジショントーク(1) 計算機アーキテクチャの進化≒メモリ技術の進化 Ꮫ᣺165 @ᮾ኱ – 仮想記憶: メモリが沢⼭山欲しい – キャッシュ:メモリを早くしたい – ストレージクラスメモリ 2 SCMRequirement ExpectedFuture SRAM NANDFlash HDD 5ns 50ns 1ms 10ms DRAM SCM z SCMismainapplicationtechnologies z SCMRequirement z Performance BetweenDRAMandz Density(bitcost) BetweenDRAMandIn2015, bits 4G 128G メモリ階層の深化
  • 3. ポジショントーク(2) • 次世代(不不揮発)メモリは計算機アーキテクチャ、 特にシステムソフトウェアに変⾰革をもたらすか? – 「Yes!!」(と思いたい) – 可能性は未知数 • 特性の異異なるメモリをどう使いこなすかが課題 – ユニバーサルメモリは幻想? • 本研究会への期待 – ビッグデータ処理理系、アーキテクチャの研究者との ディスカッション・コラボレーション 3
  • 4. 発表の流流れ • 産総研IMPULSEプロジェクトの紹介 • 不不揮発メモリを活⽤用したOS研究(始めました) 4
  • 5. 5 Architecture Front-End Cluster Web 250 racks Ads 30 racks Cache (~144TB) Multifeed 9 racks Other small services Five Standard Servers Service Cluster Back-End Cluster Search Photos Msg Others UDB ADS-DB Tao Leader “Flash at Facebook”, Flash Summit 2013 Standard Systems I Web III Database IV Hadoop V Photos VI Feed CPU High 2xE5*2670 High 2xE5*2660 High Low High 2xE5*2660 2xE5*2660 Memory Low High 144GB Medium 64GB Low High 144GB Disk Low HighIOPS 3.2TBFlash High 15x4TBSATA High 15x4TBSATA Medium Services Web,Chat Database Hadoop (bigdata) Photos,Video MulPfeed, Search,Ads
  • 6. Open Compute Project 6 • コモディティ製品の利利⽤用から、ユーザ主導の設計へ • 2011年年4⽉月に⽶米フェイスブックが、同社データセンター におけるサーバや設備の仕様をオープンソース化 • ⼤大規模データセンターの集積度度や省省エネルギー性の向上 – Industry Standard: 1.9 PUE – Open Compute Project: 1.07 PUE • サーバ、ストレージ、ラック、ネット ワークスイッチ、データセンター設計 などに関する仕様が公開 • 製品化の開始:Quanta Rackgo X, GIGABYTE DataCenter Solution Open Compute Rack v2(右図)
  • 7. 7
  • 8. HP “The Machine” 8 ⽤用途特化型コア + (SoC) ユニバーサル フォトニクス + メモリプール (+ファブリック)
  • 9. ここ⼀一年年近くの動向まとめ • 皆同じようなことを考えている – Open Compute Project (Facebookなど) – Rack Scale Computing (Intel) – Extremely Shrinking Computing (IBM) – The Machine (HP) – FireBox (UCB) – CTR Consortium (MIT) • 基本アイデアは3つの組み合わせ – パワフルなノード(計算機、メモリ、ストレージ) – 超広帯域光インターコネクト – 光スイッチによるネットワーク • ただし、コンセプト先⾏行行で、皆、絵に描いた餅の状態 9
  • 10. ⾼高電⼒力力効率率率⼤大規模データ処理理イニシアチブ(IMPULSE) 超省省電⼒力力で超⾼高性能な⾰革新的データ処理理により 書き換え電⼒力力 1/100 ・・・ 不不揮発メモリ ・・・ Optical Network Future data center 省省電⼒力力ロジック・ シミュレーション 0.4V動作三次元ロジック NVRAM 光ネットワーク Logic I/O NVRAM Logic I/O NVRAM Logic I/O ×
  • 11. Separated packages 2.5D stacked package 3D stacked package データセンター㻻㻿 データフロープランニング資源モニタリング・管理理 2014 2020 2030
  • 12. 動作電⼒力力 1/1000 ⼤大規模データ活⽤用技術開発を主導 10 アーキテクチャ サーバモジュール 光ネットワーク ストレージ
  • 13. 11 㟁ᅽ㥑ືᆺ୙᥹Ⓨᛶ☢Ẽ䝯䝰䝸 ●電圧による新しい低消費電力スピン制御技術を開発 ●従来の電流駆動型と比較して1/100以下の低消費電力化が可能 ●超低消費電力駆動な不揮発性磁気メモリの実現に貢献 電子が有する電荷とスピンの2つの自由度を同時に活用する 新しいエレクトロニクスデバイスの創製 応用デバイス例 MgO-MTJ MgO磁気トンネル 接合(MTJ)素子 MgO-MTJ 高感度磁気ヘッド 不揮発性固体磁気メモリ 現状 本プロジェクトのターゲット スピンの制御に大きな電流が必要 電圧駆動型へ スピントルク型 1996年 ~ Slonczewski, berger 電流磁界型 1820年 ~ Oersted 20 nm スピントロニクスの応⽤用 電圧駆動型不不揮発性磁気メモリ スピンの向きを電圧印加により操作
  • 14. ḟୡ௦䝕䞊䝍䝉䞁䝍䞊ෆග䝛䝑䝖䝽䞊䜽 ●シリコンフォトニクスによる大規模クラスタースイッチを開発 ●波長多重・多値変調によるエラスティック光インターコネクト実証 ●3-4桁小さなエネルギーで動作するビッグデータ時代の光ネットワークを実現 䝕䞊䝍䝉䞁䝍䞊䞉䝃䞊䝞䞊䝷䝑䜽 䝅䝸䝁䞁䝣䜷䝖䝙䜽䝇䞉 Ἴ㛗ከ㔜䞉ከ್ኚㄪ 䜽䝷䝇䝍䞊䝇䜲䝑䝏 ග䜲䞁䝍䞊䝁䝛䜽䝖 DSP Comb Tx Rx source Memory cube CPU /GPU 2.5D-CPU䜹䞊䝗 変調器波長合波器 ග䝇䜲䝑䝏䞉䝏䝑䝥 ⌧≧㟁Ẽ䝇䜲䝑䝏ᐜ㔞䠖 䡚㻝㻟㻜㼀㼎㼜㼟 䊼 䡚㻡㻜㻜㻼㼎㼜㼟䜈 Ἴ㛗ᩘ ከ್ᗘ ⥲ᖏᇦ 1 1 20 Gbps 4 8 640 Gbps 32 8 5.12 Tbps 波長分波器 波長バンク (非線形光コム) ・・・ 光ファイバ シリコンフォトニクス集積 Ø Ἴ㛗䝞䞁䜽ከ㔜᪉ᘧ䛸ከ್ኚㄪ䛻䜘䜚䚸ᖏᇦ䛜ఙ⦰⮬ᅾ䚷 Ø 䝅䝸䝁䞁䝣䜷䝖䝙䜽䝇䛻䜘䜛㉸ ᑠᆺ໬䞉኱つᶍ㞟✚ Ø 䜰䝰䝹䝣䜯䝇䝅䝸䝁䞁 䠏ḟඖග㓄⥺ Ø 䝃䞊䝞䜰䞊䜻䝔䜽䝏䝱 ⌧≧䛿䚸䝣䜯䜲䝞䛒䛯䜚 㻝㻜㻜㻳㼎㼜㼟 䊼 䡚㻌㻡㻚㻝㻞㼀㼎㼜㼟䜈 㻝㻞 ⌧ᅾ䚸FSᐇ᪋୰
  • 15. 13 AISTʼ’s dataflow centric architecture DPC (GPU+ mem) Network Warehouse scale infrastructure DPC (Storage + proc) DPC (Storage + proc) DPC (Storage ) DPC (Storage) DPC (Storage) DPC (spec. HW +mem) DPC (spec. HW +mem) DPC (Proce ssor) DPC (Proce ssor) DFOS DPF 1 DPF 3 (Data archive) DPF 2 DPC: Data Processing Component DPF: Data Processing Function DFOS: Data Flow Operating System
  • 16. シンポジウム開催予告 • 産総研STARシンポジウム「⼤大規模データ処理理を 実現する超省省電⼒力力ハードウェアの将来像」 • 開催概要 – ⽇日時:2015年年1⽉月26⽇日(⽉月)10:00〜~17:30 – 場所:コクヨホール(品川) – 主催:(独)産業技術総合研究所/⽇日本を元気にす る産業技術会議 – 後援:⽇日本経済新聞社 – 参加費:無料料 – 定員:300名 – URL:https://unit.aist.go.jp/raipl/star/impulse/sympo.html 14
  • 17. (歴史的)不不揮発メモリ 15 A 32 x 32 core memory plane storing 1024 bits of data [Wikipedia] A drum memory of Polish ZAM-‐‑‒41 computer [Wikipedia] →コアダンプの由来 →/dev/drum (スワップデバイス)の由来
  • 18. (次世代)不不揮発メモリ • 相変化メモリ(PCM) – 加熱によって結晶状態(低抵抗状態)と⾮非結晶状態 (⾼高抵抗状態)を制御 • 抵抗変化メモリ(ReRAM) – 電圧パルスの印加によって電気抵抗を制御 • 磁気抵抗メモリ(MRAM) – 磁化⽅方向の違いを電気抵抗に変換 • スピン注⼊入メモリ(STT-‐‑‒MRAM) – MRAMの⼀一種。スピンにより磁化反転 16
  • 19. 不不揮発メモリ 17 アモルファス ⾼高抵抗 PCMSTT-‐‑‒MRAM 結晶 低抵抗 磁化が反平⾏行行 ⾼高抵抗 磁化が平⾏行行 低抵抗 加熱 ReRAM 還元 ⾦金金属酸化物セット状態 酸化 リセット状態
  • 20. “RRAM Opportunity for High density memory application”, S. Chung@SK hynix, Flash memory summit 2014. 2013 FMS, RRAM session 18 RRAM Potentials ƒ Requirements for SCM • Non-volatile, byte accessible • High capacity + Short latency + Wide B/W @ moderate power ƒ ReRAM is a good candidate • Smaller power consumption than PRAM (I_reset 1/3) • Cross Point Array (XPA) + Multi-Level Stacking (MLS) Flash Memory Summit 2014 Santa Clara, CA 4
  • 21. “Prospect for New Memory Technology”, S. W. Park@SK hynix, Flash memory summit 2012. Drop in Replacement ▶ Compatible Interface with Conventional Memory (DDRx / LPDDRx) Cost Power (vs. DRAM) ▶ Cost Down No Refresh-Power (Scalability Non-Volatile) Reliability Performance (vs. NAND) ▶ Implement Native High IOPS (Byte Operation, Better than NAND Reliability) 10 SCM DRAM (Cost, Power) *) New memory technology should meet at least one of requirements Reliability Performance Density New Memory : Requirements DRAM (Cost, Power) NAND (Reliability) 19
  • 22. 計算機アーキテクチャと 不不揮発メモリ 20 CPU NVRAMDRAM CPU NVRAM DRAM CPU NVRAM (A) Replace disk(B) Shared address space(C) Entirely NVRAM ※EverspinのSTT-‐‑‒MRAMはDDR3互換 インタフェースで接続
  • 23. Storage Class Memory (1) Phillip Mills (IBM), “Storage Class Memory – the Future of Solid State Storage,” SNIA 2009 21 12 SCMRequirement Ꮫ᣺165 @ᮾ኱ ExpectedFuture SRAM NANDFlash HDD 5ns 50ns 1ms 10ms DRAM SCM z SCMismainapplicationforReRAM technologies z SCMRequirement z Performance BetweenDRAMandNAND z Density(bitcost) BetweenDRAMandNAND In2015, Keyaspectistorealizeatleast16Gbit astheproduct bits 4G 128G Memory positionApplication Usage byte addressing block addressing
  • 24. Storage Class Memory (2) ※出典 ストレージインタフェースを採⽤用する限り、 不不揮発性メモリの⾼高速化のメリットは⼩小 → OpenNVM, Linux Persistent Memory (DAX, etc) 22 12 SCMRequirement Ꮫ᣺165 @ᮾ኱ ExpectedFuture SRAM NANDFlash HDD 5ns 50ns 1ms 10ms DRAM SCM z SCMismainapplicationforReRAM technologies z SCMRequirement z Performance BetweenDRAMandNAND z Density(bitcost) BetweenDRAMandNAND In2015, Keyaspectistorealizeatleast16Gbit astheproduct bits 4G 128G HardwareFile SystemSystem call HDD6900μs SSD100μs4μs1μs New NVMs5μs ※筒井(ソニー)”⾼高速ReRAMの応⽤用技術,” 学振165, 2014
  • 25. 不不揮発メモリとOS研究 • 夢の?単⼀一記憶(ワンレベルストア) – メモリ=ストレージ – ページキャッシュは不不要 – ページングも不不要? 保護の仕組みは? • 不不揮発ならではの悩み – プログラムのライフサイクル管理理(起動、停⽌止、更更 新)への影響 – セキュリティを考慮すると、明⽰示的な消去も必要 23 K. Bailey, L. Steven, D. Gribble, H. Levy, Operating System Implications of Fast, Cheap, Non-‐‑‒Volatile Memory, HotOS11
  • 26. 関連研究 • ファイルシステム – Unioning of the buffer cache and journaling layers [FAST13] – Byte addressable file system (BPFS) [SOSP09] • ストレージ – Whole-‐‑‒system persistence [ASPLOS12] – NV-‐‑‒Heap [ASPLOSS11] – Mnemosyne [ASPLOS11] • プロセスの永続化 – NV-‐‑‒Process [APSys12] • Linux kernel – Block I/F: NVMeドライバ – Memory I/F: PMFS、DAX 24
  • 27. OS研究とDB研究 • 70〜~80年年代:UNIX – Ingres(PostreSQLの先祖) • double buffering問題 • “Operating System Support for Database Management,” M. Stonebraker, CACM, Vol.24, No.7, July 1981 • 90年年代:マイクロカーネル – ライブラリOS(e.g., exokernel) – 64ビット単⼀一アドレス空間OS(e.g., Opal) – オブジェクト指向DB • プログラミング⾔言語のオブジェクトの永続化 • データ間のリンクをポインタで表現(Pointer swizzling) • 2010年年代:仮想化、メニーコア化 – ビッグデータ処理理系(e.g., Hadoop) • スケーラビリティ、耐障害性 25
  • 28. DB専⽤用OSの可能性 • ライブラリOSの利利⽤用 – OSはホワイトボックスに – c.f. データセンタ向けに特化した⾼高速I/Oを有する ライブラリOS研究(e.g., Arrakis, IX [OSDI14]) – ⾼高い抽象度度のOS・VM間I/F • OSはファイルシステムもネットワークスタック不不要 What is OSv? Traditional Stack Thin OS Java App App Server Hypervisor Hardware JVM guest OS C++ App guest OS App Server OSv + JVM Your App Hypervisor Hardware Your App OSv 26 OSOSOS Tuple space (dKVS) VMMVMMVMM