makalah elektronika dasar 2 , fisika fkip univrsitas tadulako

1. Makalah
TANGGAPAN AMPLITUDO PENGUAT
JFET SATU TAHAP
NAMA KELOMPOK 3
1. NURHALIMAH SARI A 241 11 055
2. WULAN PRATIWI A 241 11 056
3. NI WAYAN YUDANI A 241 11 058
4. ADOLFINA GALA A 241 11 059
PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA
JURUSAN PENDIDIKAN MIPA
FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN
UNIVERSITAS TADULAKO

2. 2013
BAB I
PENDAHULUAN
A. Latar Belakang
Pada kebanyakan penguat sumber daya dengan masukan melalui sebuah
kapsitor penggandeng agar arus panjar pada basis tidak masuk kedalam sumber
isyarat. Jika ini terjadi tegangan panjar transistor akan terganggu. Hal serupa juga
dilakukan pada keluaran, yaitu untuk menghubungkan penguat dengan suatu
beban. Gandengan yang menggunakan kapasitor disebut gandengan RC.
Gandengan RC juga menggunakan gandengan langsung atau gandengan DC, dan
gandengan transformator.
Suatu contoh penguat dengan gandengan RC adalah penguat emitor
ditanahkan. Cjc menyatakan kapasitansi di dalam transistor yang timbul pada
sambungan antara basis dan kolektor, oleh karena adanya daerah pengosongan
pada sambungan p-n ini. Kapasitansi Cje menyatakan kapasitansi yang timbul
pada sambungan p-n antara basis dan emitor.
Oleh pengaruh kapasitansi yang ada di dalam penguat, nilai penguatan
tegangan KV berubah dengan frekuensi. Grafik yang melukiskan bagaimana
penguatan tegangan (biasanya dalam dB) berubah dengan frekuensi (biasanya
dalam skala log) disebut tanggapan amplitudo.
B. Rumusan Masalah
1. Bagaimana tanggapan amplitude penguat JFET pada daerah frekuensi
tengah ?
2. Bagaimana tanggapan amplitude penguat JFET pada daerah frekuensi
rendah ?

3. 3. Bagaimana tanggapan amplitude penguat JFET pada daerah frekuensi
tinggi ?
C. Tujuan
1. Untuk mengetahui tanggapan amplitude penguat JFET pada daerah
frekuensi tengah.
2. Untuk mengetahui tanggapan amplitude penguat JFET pada daerah
frekuensi rendah.
3. Untuk mengetahui tanggapan amplitude penguat JFET pada daerah
frekuensi tinggi.

4. BAB II
PEMBAHASAN
Tanggapan Amplitudo Penguat JFET satu tahap
Rangkaian penguat JFET biasanya dapat digambarkan seperti di bawah
Gambar 1. Rangkaian penguat FET
Kapasitor C1, C2, dan Cs terhubung seri dengan srus isyarat. Ketiga
kapasitor ini berpengaruh pada daerah frekuensi rendah. Seperti halnya transistor
dwikutub, pada transistor FET juga ada kapasitansi yang parallel dengan isyarat,
yaitu kapasitansi antara pintu dan penguras ( 퐶푔푑 ) serta antar pintu dan sumber (
퐶푔푠 ). Kedua kapasitansi ini akan berpengaruh pada daerah frekuensi tinggi.
A. Daerah frekuensi tengah
Untuk daerah frekuensi tinggi reaktansi (푋푐 = 1
휔퐶
) kapasitansi seri
mempunyai nilai amat kecil dibandingkan dengan hambatan yang berhubungan
dengan kapasitansi ini, sehingga dapat dianggap terhubung singkat. Sebaliknya
terjadi dengan kapasitansi parallel seperti 퐶푔푑 dan 퐶푔푠 .

5. Pada frekuensi tengah, reaktansi 푋푐 = 1
휔퐶
masih mempunyai reaktansi
terlalu besar, oleh karena 퐶푔푑 dan 퐶푔푠 mempunyai nilai dalam orde pF.
Akibatnya rangkaian setara penguat pada gambar di atas untuk frekuensi
tengah nampak seperti pada gambar di bawah
Gambar 2. Rangkaian setara penguat FET untuk daerah frekuensi tengah
B. Daerah frekuensi rendah
Untuk daerah frekuensi rendah ada tiga buah kapasitor yang berpengaruh,
yaitu kapasitor gandengan C1 dan C2, dan kapasitor pintas sumber 퐶푠.
Kapasitor penggandeng 퐶1 berhadapan dengan hambatan yang amat tinggi (푅퐺),
dan kapasitor penggandeng 퐶2 berhadapan dengan hambatan yang cukup tinggi,
yaitu
푅푠ℎ = 푅퐷 // 푅퐿 // 푟푑
Akibat kedua kapasitor ini dapat dibuat memberikan frekuensi tanggapan
amplitude pada nilai frekuensi amat rendah. Seperti halnya pada penguat
transistor dwikutub, kapasitor 퐶푠 harus mempunyai nilai besar agar frekuensi
patah pada tanggapan amplitude yang disebabkan oleh 퐶푠 menjadi cukup rendah.
Pengaruh kapasitor 퐶푠 dapat kita selidiki dan kita anggap kapasitor gandengan
퐶1dan 퐶2 terhubung singkat. Pada keadaan ini rangkaian setar penguat menjadi
seperti pada gambar

6. Gambar 3. Rangkaian setara penguat bila kapasitor 퐶푠 tak tanggap terhubung
singkat.
C. Daerah frekuensi tinggi
Pada daerah frekuensi tinggi, kapasitansi yang berpengaruh adalah
kapasitansi parallel, yaitu kapasitansi antara pintu dan penguras 퐶푔푑 dan antara
pintu dan sumber 퐶푔푠 . Kapasitansi 퐶푔푠 sering juga disebut 퐶푖푠푠 dan kapasitansi
퐶푔푑 disebut 퐶푟푠푠. Rangkaian setara pada frekuensi tinggi menjadi seperti pada
gambar
Gambar 4. Rangkaian setara penguat FET untuk daerah frekuensi tinggi
Dengan menggunakan efek Miller kapsitor 퐶푔푑 yang menghubungkan
masukan dengan keluaran akan tampak sebagai
퐶푒푓 = (1 + 퐾푣)퐶푔푑

7. Bila dilihat dari masukan, dan
퐾푣 = 푔푚 푅푠ℎ = 푔푚 (푟푑//푅퐷 //푅퐿 )
adalah penguatan pada daerah frekuensi tengah. Dari pemikiran di atas,
rangkaiaan setara pada gambar 4 menjadi seperti terlukis pada gambar 5
Gambar 5. Rangkaian setara penguat FET setelah digunakan arus Miller.

8. BAB III
PENUTUP
Kesimpulan
1. Pada daerah frekuensi tengah kapasitansi seri seperti mempunyai reaktansi
cukup kecil sehingga dapat dianggap terhubung singkat sedangkan
kapasitansi-kapasitansi parallel seperti dan mempunyai nilai amat kecil,
menghasilkan reaktansi amat tinggi sehingga dapat dianggap terbuka atau
tidak terpasang. Akibatnya pada daerah frekuensi tengah tidak ada
komponen reaktif, sehingga tanggapan amplitudo menjadi tidak tidak
tergantung pada frekuensi (datar).
2. Pada daerah frekuensi tinggi, yaitu di sekitar dan di atasnya, penguat
berlaku sebagai suatu tapis lolos rendah. Kapasitansi yang berpengaruh
adalah kapasitansi yang paralel, dengan arus isyarat. Pada frekuensi tinggi,
reaksitansi untuk kapasitansi ini mempunyai nilai yang cukup rendah
sehingga harus diperhitungkan peranananya dalam mengurangi arus
isyarat yang masuk ke dalam basis yang akan diperkuat menjadi arus
kolektor. Pada daerah frekuensi tinggi kapasitansi seri boleh dianggap
terhubung singkat.
3. Pada daerah frekuensi rendah penguat berlaku sebagai tapis lolos tinggi
dengan adalah kutub daripada fungsi alih . Di belakang akan ditunjukkan
bahwa kapasitansi yang seri dengan arus isyarat (misalnya ), yaitu yang
ditembus oleh seluruh arus isyarat akan berpengaruh pada frekuensi
rendah. Akibatnya akan ditentukan oleh kapasitor penggandeng dan
kapasitor pintas. Tanggapan amplitudo pada daerah frekuensi rendah
dipengaruhi oleh kapasitansi yang seri dengan arus isyarat, yaitu kapasitor
penggandeng dan serta kapasitor pintas emitor . Pengaruh kapasitor
penggandeng dan berkaiatan dengan pengaruh kapasitor pintas emitor.

9. Daftar Pustaka
http://syamsuriwal.wordpress.com/2009/06/27/penguat-gandengan-rc/
http://dikaberkata.blogspot.com/2011/05/penguat-gandengan-rc.html
http://misshariatyronald0.blogspot.com/2012/05/laporan-penguat-gandengan-
rc.html
http://elektronika-dasar.com/teori-elektronika/fet-sebagai-penguat-sinyal-lemah/
http://alfredbudiono.blogspot.com/2011/06/laporan-penguat-gandengan-rc.html