104統測試題 電機與電子群-專(一)電子學、基本電學

1. 四技二專
圖(一)
統一入學測驗
電機與電子群 專業科目(一)
（本試題答案係統一入學測驗中心 104 年 5 月 4 日公布之答案）
第一部分：電子學
1. 兩電壓 v1(t)＝8cos(20πt＋13)V 及 v2(t)＝4sin(20πt＋45)V，則兩電壓
之相位差為多少度？ (A)58 (B)45 (C)32 (D)13。 概論
2. 下列有關半導體之敘述，何者正確？ (A)當溫度升高時本質半導體
的電阻會變大 (B)P 型半導體內電洞載子濃度約等於受體濃度 (C)外
質半導體中電洞與自由電子的濃度相同 (D)N 型半導體內總電子數
大於總質子數。 二極體
3. 下列敘述何者正確？ (A)紅外線 LED 可發紅色可見光 (B)LED 發
光原理與白熾鎢絲燈泡相同 (C)矽二極體之障壁電壓即為熱當電壓
(thermal voltage) (D)矽二極體於溫度每上升 10C，其逆向飽和電流
約增加一倍。 二極體
4. 如圖(一)所示之理想二極體整流
電路，若 Vo 之平均值為 39.5V，
RL＝10kΩ，Vi＝100sin(100πt)V，
Vo 之漣波電壓峰對峰值為 1V，則
C 值約為多少 μF？ (A)2 (B)40
(C)120 (D)360。 二極體之應用電路
5. 承接上題，若變壓器匝數比 N1/N2＝x，則 x 約為何？ (A)5.5 (B)4.5
(C)3.5 (D)2.5。 二極體之應用電路
6. 單相中間抽頭變壓器型二極體全波整流電路中，其輸出電壓平均值為
50V，負載為純電阻，則每個二極體之逆向峰值電壓(PIV) 約為多少
伏特？ (A)173 (B)157 (C)79 (D)50。 二極體之應用電路
1.(A) 2.(B) 3.(D) 4.(B) 5.(D) 6.(B)
104 年

2. 7. NPN 型 BJT 工作於飽和區時，下列敘述何者正確？ (A)適合作為訊
號放大 (B)集極電流與基極電流成正比 (C)相同集極電流下，BJT
消耗功率比工作於主動區小 (D)基-射極與基-集極間均為逆向偏壓。
雙極性接面電晶體
8. PNP 型 BJT 工作於主動區時，其射極電壓(VE)、基極電壓(VB)及集極
電壓(VC)之大小關係為何？ (A)VE ＞VB ＞VC (B)VB ＞VE ＞VC
(C)VB＞VC＞VE (D)VC＞VB＞VE。 電晶體直流偏壓電路
9. 如圖(二)所示之電路，若 BJT 之 β＝100，基-射極電壓 VBE＝0.7V，則
Vo 約為多少伏特？ (A)3.6 (B)4.5 (C)5.5 (D)6.4。
電晶體直流偏壓電路
10. 承 接 上 題 ， VCE 約 為 多 少 伏 特 ？ (A)2.31 (B)3.37 (C)4.85
(D)5.21。 電晶體直流偏壓電路
11. 如圖(三)所示之放大電路，BJT 之切入電壓 VBE(t)＝0.7V，β＝100，熱
當電壓 VT＝26mV，交流等效輸出電阻 ro＝∞，則 Io/Ii 約為何？
(A)92.34 (B)56.68 (C)48.42 (D)39.27。 電晶體放大電路
圖(二) 圖(三)
12. 承接上題，Vo/Vi 約為何？ (A)－95.3 (B)－57.6 (C)－48.9 (D)
－30.5。 電晶體放大電路
13. 常作為射極隨耦器的電晶體組態為何？ (A)共射極組態 (B)共基極
組態 (C)共集極組態 (D)共閘極組態。 電晶體放大電路
14. 下列有關常見的達靈頓電路(Darlington circuit)之特點，何者錯誤？
(A)高輸出阻抗 (B)高輸入阻抗 (C)高電流增益 (D)低電壓增益。
串級放大電路
7.(C) 8.(A) 9.(D) 10.(B) 11.(D) 12.(C) 13.(C) 14.(A)

3. 15. 下列敘述何者正確？ (A)變壓器耦合串級放大電路不易受磁場干擾
(B)直接耦合串級放大電路之低頻響應不佳 (C)直接耦合串級放大電
路前後級阻抗容易匹配 (D)電阻電容耦合串級放大電路偏壓電路獨
立，設計容易。 串級放大電路
16. 某 N 通道增強型 MOSFET 放大電路，MOSFET 之臨界電壓(threshold
voltage)Vt＝2V，參數 K＝0.3mA/V2
，若 MOSFET 工作於夾止區，閘
-源極間電壓 VGS＝4V，則轉移電導 gm 為多少 mA/V？ (A)0.6
(B)1.2 (C)1.8 (D)2.4。 場效電晶體
17. 如圖(四)所示之電路，若 MOSFET 之 ID＝2mA，臨界電壓 Vt＝2V，
則其參數 K 約為多少 mA/V2
？ (A)0.22 (B)0.31 (C)0.42 (D)0.54。
場效電晶體
18. 如圖(五)所示之放大電路，若 MOSFET 工作於夾止區，且轉換電導
gm＝0.5mA/V，不考慮汲極交流等效輸出電阻，則 Vo/Vi 約為何？
(A)－1.6 (B)－2.5 (C)－6.8 (D)－12.3。 場效電晶體放大電路
19. 承接上題，Io/Ii 約為何？ (A)750 (B)55 (C)－55 (D)－750。
場效電晶體放大電路
圖(四) 圖(五)
15.(D) 16.(B) 17.(A) 18.(B) 19.(D)

4. 20. 如圖(六)所示之理想運算放大器電路，R＝1kΩ，若 V1＝1V，V2＝2V，
V3＝3V，V4＝4V，則 Vo 為多少伏特？ (A)－2 (B)－1 (C)4 (D)7。
運算放大器
21. 承接上題，若 V1＝－1V，V2＝2V，V3＝－3V 時，Vo＝0V，則 V4
為多少伏特？ (A)－5 (B)－4 (C)4 (D)5。 運算放大器
22. 如圖(七)所示之電路，若 Vi 為峰值 3V 之對稱三角波，則 Vo 之平均
電壓約為多少伏特？ (A)－7.5 (B)－5 (C)5 (D)7.5。
運算放大器
圖(六) 圖(七)
23. 如圖(八)所示之電路，R2＝2kΩ，VR＝
－2V，若其上臨界電壓為 4V，則 R1
約為多少 kΩ？ (A)1.5 (B)2.8 (C)3.6
(D)4.8。 基本振盪電路
24. 承接上題，若 R1＝R2＝2kΩ 且 VR＝
2V，則其下臨界電壓為多少伏特？
(A)－8 (B)－6 (C)－4 (D)－2。 基本振盪電路
25. 下列有關 555 計時 IC 的控制電壓腳（第 5 腳）之敘述，何者錯誤？
(A)可改變輸出之電壓大小 (B)可改變輸出之振盪頻率 (C)可改變
內部上比較器之參考電位 (D)可改變內部下比較器之參考電位。
基本振盪電路
20.(C) 21.(C) 22.(C) 23.(A) 24.(B) 25.(A)
圖(八)

5. 第二部分：基本電學
1. 在 3 秒內將 10 庫侖的電荷由電位 10V 處移動到 50V 處，再從 50V 處
移動到 30V 處，則總共作功多少焦耳？ (A)200 (B)400 (C)500
(D)600。 電容與靜電
2. 某裝置的電源電池為 1.5V，可使用能量為 5400J。該裝置之工作與待
機模式所需電流分別為 19mA 與 200μA，若設定每小時工作 10 分鐘，
待機 50 分鐘，則該裝置約可使用多少小時？ (A)150 (B)200
(C)300 (D)375。 電學概論
3. 將長度為 100 公尺且電阻為 1Ω 的某金屬導體，在維持體積不變情況
下，均勻拉長後的電阻變為 9Ω，則拉長後該金屬導體長度為多少公
尺？ (A)200 (B)300 (C)600 (D)900。 電阻
4. 將電阻值分別為 2Ω、3Ω 及 4Ω 的三個電阻串聯後，接於 E 伏特的直
流電源，若 2Ω 電阻消耗功率為 18W，則 E 值為何？ (A)18 (B)27
(C)32 (D)36。 串並聯電路
5. 如圖(一)所示之電路，當電壓 V1＝10V 時，則電流 I 約為多少安培？
(A)1 (B)5 (C)8 (D)10。 串並聯電路
6. 如圖(二)所示之電路，若 I2＝0A，則 R 與 I1 分別為何？ (A)R＝3Ω，
I1＝5A (B)R＝3Ω，I1＝4A (C)R＝6Ω，I1＝3A (D)R＝6Ω，I1＝2A。
串並聯電路
圖(一) 圖(二)
7. 如圖(三)所示之電路，由 a、b 兩端往左看入之諾頓等效電流約為多少
安培？ (A)0.8 (B)1.2 (C)2.4 (D)3.2。 直流網路分析
8. 承接上題，若 Vc＝9V，則 RL 約為多少歐姆？ (A)1 (B)2 (C)3
(D)4。 直流網路分析
1.(A) 2.(C) 3.(B) 4.(B) 5.(B) 6.(C) 7.(C) 8.(C)

6. 9. 如圖(四)所示之電路，若 b 為參考節點，則下列節點方程式組何者正
確？ (A)
1 2
1 2
0.7V 0.25V 15
0.25V 0.95V 17



－ ＝
－ ＋ ＝
(B)
1 2
1 2
0.7V 0.25V 15
0.25V 0.95V 17



＋ ＝
＋ ＝
(C)
1 2
1 2
0.25V 0.7V 15
0.95V 0.25V 17



－ ＝
－ ＋ ＝
(D)
1 2
1 2
0.7V 0.25V 17
0.25V 0.95V 15



－ ＝
－ ＋ ＝
。 直流網路分析
圖(三) 圖(四)
10. 電容器 X 的電容值為 60μF，耐壓 250V。若電容器 X 和另一電容器 Y
串聯後，其總電容值為 20μF，總耐壓為 300V，則電容器 Y 的電容值
和耐壓分別為何？ (A)60μF，150V (B)60μF，200V (C)30μF，150V
(D)30μF，200V。 電容與靜電
11. 某電感值為 0.5H 的線圈，若通過 4A 電流可產生 0.01 韋柏(Wb)磁通，
則該線圈的匝數與儲存磁能分別為何？ (A)200 匝，4 焦耳 (B)200
匝，2 焦耳 (C)100 匝，4 焦耳 (D)100 匝，2 焦耳。 電感與電磁
12. 匝數分別為 500 匝和 1000 匝的 X 線圈與 Y 線圈，若 X 線圈通過 5A
電流時，產生 4×10
－4
Wb 磁通量，其中 90％交鏈至 Y 線圈，則 X 線
圈自感 L 及兩線圈互感 M 分別為何？ (A)L＝72mH，M＝40mH
(B)L＝70mH，M＝40mH (C)L＝40mH，M＝70mH (D)L＝40mH，
M＝72mH。 電感與電磁
13. 如圖(五)所示之電路，在 t＝0 秒時將開關 S 閉合，若電容器的電壓 vc
初值為 12V，則 S 閉合瞬間的電容器電流 ic 與充電時間常數分別為
何 ？ (A)7mA ， 0.2 秒 (B)7mA ， 0.25 秒 (C)12mA ， 0.2 秒
(D)20mA，0.4 秒。 直流暫態
9.(A) 10.(D) 11.(A) 12.(D) 13.(A)

7. 14. 如圖(六)所示之電路，開關 S 在 t＝0 秒時閉合，若電感器的初始能量
為零，則電路時間常數 τ 與 t＝1 秒時之電感器電流 iL 分別為何？
(A)τ＝1ms，iL＝2.4A (B)τ＝1ms，iL＝1.2A (C)τ＝2ms，iL＝2.4A
(D)τ＝2ms，iL＝1.2A。 直流暫態
圖(五) 圖(六)
15. 若 v(t)＝100 2 sin(157t－30)V，則 v(t)的頻率與有效值分別為何？
(A)50Hz，120V (B)25Hz，120V (C)50Hz，100V (D)25Hz，100V。
交流電
16. 若 i1(t)＝4sin(ωt)A 的相量式為 2 2 0A，則 i(t)＝10cos(ωt－45)A
的相量式為何？ (A) I ＝10－45A (B) I ＝1045A (C) I ＝
5 2 45A (D) I ＝5 2 －45A。 交流電
17. 某 RC 串聯電路的輸入電壓為 4sin(377t)V，若流經電阻的電流為
2 sin(377t＋45)A，則電阻約為多少歐姆？ (A)4 (B)3 (C)2 2
(D)2。 基本交流電路
18. 某 RL 並聯電路的電阻 R＝3Ω，電感抗 XL＝3Ω。若總消耗電流為
8sin(377t)A，則流經電阻的電流為何？ (A) 377t4 2si ( An 45 )＋
(B) 377t4 2si ( An 45 )－ (C)4sin(377t ＋ 45)A (D)4sin(377t －
45)A。 基本交流電路
19. 如 圖 ( 七 ) 所 示 之 電 路 ， 若 vs(t) ＝
100 2 sin(377t)V ，則 v1(t)為何？
(A)25sin(377t－30)V (B)25sin(377t
－ 45)V (C)50sin(377t － 30)V
(D)50sin(377t－45)V。基本交流電路
14.(B) 15.(D) 16.(C) 17.(D) 18.(A) 19.(D)
圖(七)

8. 20. 某負載電壓為 110 2 sin(314t＋60)V，電流為 5 2 sin(314t＋30)A，
則 該 負 載 的 視 在 功 率 約 為 多 少 VA ？ (A)1100 (B)952.63
(C)777.82 (D)550。 交流電功率
21. 某 RL 並聯電路的電阻 R＝4Ω，輸入電壓 sV ＝400V，若總視在功
率大小為 500VA，則電感抗約為多少歐姆？ (A)2.66 (B)5.33
(C)10.66 (D)16。 諧振電路
22. RLC 串聯電路發生諧振時，下列敘述何者正確？ (A)阻抗最小，功
率因數 0.707 (B)阻抗最小，功率因數 1.0 (C)阻抗最大，功率因數
0.707 (D)阻抗最大，功率因數 1.0。 諧振電路
23. 外接電流源 sI ＝40A 的 RLC 並聯電路中，電阻 R＝10Ω，電感 L＝
5mH，電容 C＝10μF。當發生諧振時，該電路平均消耗功率約為多少
瓦特？ (A)80 (B)
160
2
(C)160 (D)160 2 。 諧振電路
24. 如圖(八)所示之 12W 與 13W 供電系統，其中每一配電線路的等效
電阻為 r，單一負載皆為 1kW。若 12W 系統供電之配電線路損失為
P2W，13W 系統供電之配電線路損失為 P3W，則下列敘述何者正確？
(A)P3W＝4P2W (B)P3W＝3P2W (C)P3W＝0.5P2W (D)P3W＝0.25P2W。
交流電源
(a)12W 供電 (b)13W 供電
圖(八)
25. 三相平衡 Y 接電源系統，n 為中性點，若線電壓分別為 abV ＝220 3
0V、 bcV 220 3＝ 120V 及 caV 220 3＝ －120V，下列有關相電
壓 bnV 之 敘 述 ， 何 者 正 確 ？ (A) bnV ＝ 220150V (B) bnV ＝
220 3 150V (C) bnV ＝22090V (D) bnV ＝220 3 90V。交流電源
20.(D) 21.(B) 22.(B) 23.(C) 24.(D) 25.(A)

9. 休息一下！看我一眼，茅塞頓開 析
第一部分：電子學
1. V1(t)＝8cos(20πt＋13°)＝8sin(20πt＋103°)，V2(t)＝4sin(20πt＋45°)
相位差Δθ＝103°－45°＝58°
2. (A)當溫度升高時本質半導體的電阻會變小。
(C)外質半導體中電洞與自由電子的濃度不相同。
(D)N 型半導體內總電子數等於總質子數。
3. (A)紅外線 LED 不可發紅色可見光。
(B)LED 發光原理與白熾鎢絲燈泡不相同。
(C)矽二極體之障壁電壓為 0.6V～0.7V，熱當電壓(thermal voltage)為 26mV。
4. Vr(p－p)＝
dc
L o
V
R C f 
，1V＝
39.5V
10k C (2 50Hz)  
，C≅40μF
5. Vdc＝Vm－
r(p p)V
2

，Vm＝39.5V＋0.5V＝40V，
1
2
N 100V
N 40V
 ＝2.5
6. Vdc＝0.636Vm，Vm＝
50V
0.636
≅78.6V，二極體的 PIV＝2Vm＝157V
7. (A)不適合作為訊號放大。
(B)集極電流與基極電流不會成正比。
(D)基-射極與基-集極間均為順向偏壓。
8. VBE 順向偏壓，VE＞VB，VBC 逆向偏壓，VB＞VC，所以 VE＞VB＞VC
9. IB＝
10V 0.7V 9.3V
209k 101k 310k  
－
＝
＋
＝0.03mA
IC＝βIB＝100×0.03mA＝3mA，Vo＝10V－3mA×1.2kΩ＝6.4V
10. VCE＝10V－ICRC－IERE＝10V－3.6V－3.03V＝3.37V
11. IB＝
2V 0.7V
8k 101k 
－
＋
＝11.9μA
rπ＝
T
B
V 26mV
I 11.9 A
＝ ≅2.18kΩ
40kΩ//10kΩ//2.18kΩ＝1.71kΩ
Ai＝
o b c o
i i b c
I I I I
I I I I
 ＝
8k 4k
100
8k 2.18k 4k 4k
 
 
   
＝
＋ ＋
≅39.27
解

10. 12. Av＝
o b o C L
i i b
V V V 1.71k (R //R )
V V V 1.5k 1.71k r
 
 
 
－
＝ ＝
＋
＝－0.533×
100 2k
2.18k
 

＝－48.9
13. 常作為射極隨耦器的電晶體組態為共集極組態。
14. 達靈頓電路(Darlington circuit)之輸出阻抗低。
15. (A)變壓器耦合串級放大電路易受磁場干擾。
(B)直接耦合串級放大電路之低頻響應佳。
(C)直接耦合串級放大電路前後級阻抗不容易匹配。
16. gm＝2K(VGS－VT)＝2 × 0.3mA/V2
×(4V－2V)＝1.2mA/V
17. VG＝12V×
200k
200k 200k

 ＋
＝6V
VS＝ID×RS＝2mA × 0.5kΩ＝1V，VGS＝VG－VS＝6V－1V＝5V
ID＝K(VGS－VT)2
，K＝
2mA
9
＝0.22mA/V2
18. Av＝－gm(RD//RL)＝－0.5mA/V×(10kΩ//10kΩ)＝－2.5
19. Ai＝
o i
v
i L
I Z
A
I R
＝
＝－2.5×
(6M //6M )
10k
 

＝－750
20. (1)計算 V1，V2 的輸出電壓：（此時 V3，V4 接地）
Vo1＝(－1)×1V＋(－1)×2V＝－3V
(2)計算 V3，V4 的輸出電壓：（此時 V1，V2 接地）
V＋＝
3V 4V 0V
1k 1k 1k
1 1 1
1k 1k 1k
  
  
＋ ＋
＋ ＋
＝
7
V
3
Vo2＝V＋(1＋
1k
1k //1k

 
)＝
7
V 3
3
 ＝7V
(3)輸出電壓 Vo＝Vo1＋Vo2＝－3V＋7V＝4V
21. (1)計算 V1，V2 的輸出電壓：（此時 V3，V4 接地）
Vo1＝(－1)×(－1V)＋(－1)×2V＝－1V
(2)計算 V3，V4 的輸出電壓：（此時 V1，V2 接地）
V＋＝
1k
0.
.5
5k
0 k

 ＋
×（－3V＋V4）
Vo2＝V＋(
1k 1
k
/ k
1
1
/

 
＋ )＝
0.5k
1k 0.5k

 ＋
×(－3V＋V4)×3＝－3V＋V4
(3)Vo＝0V＝Vo1＋Vo2＝－1V＋－3V＋V4，V4＝4V

11. 22. V＋＝Vi×
2k
1k 2k

 ＋
＋3V×
1k
1k 2k

 ＋
＝
2
3
Vi＋1V＝±2V＋1V 的三角波
當 V＋＞0V 時，Vo＝＋10V，當 V＋＜0V 時，Vo＝－10V
1 2
2
T T 4
T 1
＋
＝ ，
1
2
T 3
T 1

Vav＝
1 ( )
8
0V 6 10V 2 ＋－
＝5V
23. VU＝
2
2
1R R( )
R
＋
Vref＋
1
2
R
R
(＋Vsat)
4V＝
1 1(R 2k ) R
( 2V) ( 10V)
2k 2k

 
＋
－ ＋ ＋
R1＝1.5kΩ
24. VD＝
1 2 1
ref sat
2 2
(R R ) R (2k 2k ) 2k
V ( V ) 2V ( 10V)
R R 2k 2k
  
 
＋ ＋
＋ － ＝ ＋ － ＝4V－10V＝－6V
25.
（圖形資料來源：Texas Instruments）
555 計時 IC 的控制電壓腳（第 5 腳）不可改變輸出之電壓大小。
第二部分：基本電學
1. WT＝W1＋W2＝Q(VA－VB)＋Q(VC－VA)
＝10(50－10)＋10(30－50)＝400－200＝＋200J
2. T＝Tu＋Ts＝
T
u s
W
W W＋
＝
5400
1.5 19m 10 60 1.5 200 50 60     ＋
＝300hr
3.
R '
R
＝ 2
N
9
1
 ＝ 2
N N＝3 '＝N ＝1003＝300m

12. 4. I＝
1
1
P
R
＝
18
2
＝3A
E＝IRT＝3(2＋3＋4)＝27V
5. I2＝
1
2
V
R
＝
10
2
＝5A
由 Node A 利用 K.C.L.可得 I1＋I2＝2＋4
I1＝2＋4－I2＝(2＋4)－5＝1A
再利用 K.C.L.可得 7＋I1＋3＋I＝6＋4＋1＋5
∴I＝5A
6. ∵I2＝0A 代表電橋平衡R6＝49R＝6
∴I1＝
T
E
R
＝
30
(4 6) // (6 9) 4＋ ＋ ＋
＝3A
7. 利用密爾門定律可得：
Vc＝ΣIin(c)Rcb＝ETH
＝
1
o 1 o
1
E
( I )(R // R )
R
＋
＝
18
( 3) (6 //3)
6
＋ ＝12V
RN＝RTH＝Rab(oc)|移去電源
＝R2＋ 1 o(R // R )＝3＋(6 //3) ＝5
∴IN＝
TH
TH
E
R
＝
12
5
＝2.4A
8. Vc＝ETH
2 L
2 L
R R
R R R
＋
＋ ＋
分壓律
9＝12
L
L
3 R
2 3 R

＋
＋ ＋
RL＝3 
9. Vo＝E1＝＋60V，利用節點電壓法
1 o
1
V V
R
－
＋
1
3
V 0
R
－
＋
1 2
2
V V
R
－
＝0

1V 60
4
－
＋
1V
5
＋
1 2V V
4
－
＝0
0.7V1－0.25V2＝15
2 o
5
V V
R
－
＋
2 1
2
V V
R
－
＋
2 2
4
V E
R
－
＝0

13. 
2V 60
5
－
＋
2 1V V
4
－
＋
2V 10
2
－
＝0
－0.25V1＋0.95V2＝17……
10. CT＝CX // CY  20 F ＝ Y Y60 // C C 30 F  ＝
QS＝CTVT＝ 20 300 ＝6000 C
VY＝
S
Y
Q
C
＝
6000
30


＝200V
11. WL＝ 21
LI
2
＝ 21
0.5 4
2
  ＝4J
∵L＝
N
I

0.5＝
N 0.01
4

∴N＝200 匝
12. LX＝
X X
X
N
I

＝
4
500 4 10
5
  －
＝0.04H＝40mH
M＝
Y XY
X
N
I

＝
4
1000 4 10 90%
5
  －
＝72mH
13. 利用戴維寧定理化成下圖等效電路
Eo＝E
2
1 2
R
R R＋
＝
6k
60
3k 6k

＋
＝40V
Ro＝R1 // R2＝3k // 6k＝2 k
ic(0)＝
o c
o 3
E v (0)
R R
－
＋
＝
40 12
2k 2k
－
＋
＝7mA
RTH＝R3＋(R1 // R2)＝2k＋(3k // 6k)＝4 k
 ＝RTHC＝ 4k 50 ＝0.2sec
14. RTH＝(6 // 6)＋2＝5 ETH＝E
2
1 2
R
R R＋
＝
6
12
6 6

＋
＝6V
 ＝
TH
L
R
＝
5m
5
＝1ms iL(tm)＝
TH
TH
E
R
＝
6
5
＝1.2A
t＝1sec＝1000  故電感已達儲能穩態
iL(1)＝iL(tm)＝1.2A
15. f＝
2


＝
157
2
＝25Hz
Vrms＝
mV
CF
＝
100 2
2
＝100V

14. 16. I ＝
mI
90 45
CF
  － ＝
10
45
2
 ＝5 2 45 A ＋
17. E ＝
m
e
E
CF
 ＝
4
0
2
 ＝ 2 2 0 V 
I ＝
m
i
I
CF
 ＝
2
45
2
 ＋ ＝1 45 A ＋
Z＝
E
I
＝
2 2 0
1 45
 
 ＋
＝ 2 2 45 －
R＝ Zcos＝ 2 2 cos( 45 )－ ＝2
18. iR＝
L
L
X
i(t)
R X＋
＝
j3
8sin377t
3 j3

＋
＝
j1
8sin377t
2 45

 
＝ 4 2 sin(377t 45 )A＋
19. abZ ＝ L CR // X // X ＝10 // j20 //( j4)－
＝
20 4
10 //( j )
20 4

－
－
＝10 //( j5)－ ＝
10 ( j5) 10 j5
10 j5 10 j5


－ ＋
－ ＋
＝ 2 2
250 j500
10 5
－
＋
＝ 2 j4－
∴ 1v (t)＝
ab
s
o ab
Z
v (t)
R Z＋
＝
(2 j4)
100 2 sin377t
10 (2 j4)

－
＋ －
＝
(2 j4)(12 j4)
100 2 sin377t
(12 j4)(12 j4)

－ ＋
－ ＋
＝ 2 2
(24 16) j(8 48)
100 2sin377t
12 4

＋ ＋ －
＋
＝
40 j40
100 2 sin377t
160

－
＝50sin(377t 45 )V－
20. S＝EI＝1105＝550VA
21. IR＝
sV
R
＝
40
4
＝10A
I＝
S
E
＝
500
40
＝12.5A

15. IL＝ 2 2
RI I－ ＝ 2 2
12.5 10－ ＝ 56.25A
XL＝
sV
I
＝
40
56.25
＝
40
7.5
≒5.33
23. Pav＝ 2
sI R ＝ 2
4 10 ＝160W
24. I2W＝
P
2
E
＝
1kW
2
100
 ＝20A
I3W＝
P
E
＝
1kW
100
＝10A
P2W＝ 2
2W2I r ＝ 2
2 20 r  ＝800r
P3W＝ 2
3W2I r＝ 2
2 10 r  ＝200r
3W
2W
P
P
＝
200r
800r
＝
1
4
P2W＝4P3W 或 P3W＝0.25P2W
25. ∵ bcV ＝ bn3 30 V －
∴ bnV ＝
bcV
3 30 －
＝
220 3 120
3 30
 
 －
＝ 220 150 V 

16. 試題分析
一、命題焦點
●基本電學：
今年的試題每一題均有創意，且全部皆為計算題，相關觀念都融於計算中，若學生
程度不佳或計算時不夠用心、仔細，很難取得高分。
此次試題很少考古題，故同學應多作試題演練，提升熟悉度與計算能力，才能期待
取得高分。
●電子學：
命題平均分配於所有章節，其中以二極體之應用電路、電晶體直流偏壓電路、電晶
體放大電路、運算放大器及基本振盪電路為主，命題包含理論綜合觀念與理論計
算，其中第 11、12 題計算過程繁雜，學生需要花多一些時間，整體而言，難度適中。
二、配分比例表
基本電學 題數 電子學 題數
電學概論 1 概論 1
電阻 1 二極體 2
串並聯電路 3 二極體之應用電路 3
直流網路分析 3 雙極性接面電晶體 1
電容與靜電 2 電晶體直流偏壓電路 3
電感與電磁 2 電晶體放大電路 3
直流暫態 2 串級放大電路 2
交流電 2 場效電晶體 2
基本交流電路 3 場效電晶體放大電路 2
交流電功率 1 運算放大器 3
諧振電路 3 基本振盪電路 3
交流電源 2
合 計 25 合 計 25