3. 電晶體開關 (I)
• 利用電晶體進行數位(0與1)操作。
Department of Electronic Engineering, NTUT
NPN
ON
“1”
“0”
sink
VDD
NPN
VDD
“0”
“1”
source
NMOS
ON
“1”
“0”
sink
VDD
NPN
VDD
“0”
“1”
source
VDDCMOS
如果輸出不放電阻,可行嗎?
OFF OFF
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4. 電晶體開關 (II)
• Collector (Drain) 直接接到VDD
Department of Electronic Engineering, NTUT
VDD
“0”
“1”
VDD
“0”
“1”
VDD
“1”
短路
電流
“1/0”
VDD
短路
電流
“1”
“1/0”
OFF OFF ON ON
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5. 電晶體開關 (III)
• Collector (Drain) 接電阻(上拉電阻, pull-up resistor)
Department of Electronic Engineering, NTUT
VDD
“0”
“1”
PUR
VDD
“0”
“1”
PUR
有限
電流
VDD
“1”
PUR
DD
PU
V
I
R
≃
“1” 有限
電流
VDD
PUR
DD
PU
V
I
R
≃
範例: 5 V, 20 kDD PUV R= = Ω 0.25 mAI ≃
對PNP或PMOS開關則配有「下拉電阻」,使用的意義與上拉電阻一樣(決定狀態與限制電流)。
在晶片裡面的上拉、下拉電阻通常會用電晶體實現,概念是一樣的。
OFF OFF ON ON
Pull-up resistor
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6. 典型的單晶片I/O
Department of Electronic Engineering, NTUT
參考資料: Intel, MCS-51 Microcontroller Family User’s Guide
20~30 k
20~30 k
20~30 k
Open Drain
輸入
輸出
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7. 電晶體開關接上外部負載(I)
Department of Electronic Engineering, NTUT
VDD
“0”
“1”
PUR
LR
OV
晶片
內部
晶片
外部 VDD
“0”
“1”
PUR
LR
晶片
外部 VDD
PUR
“1”
“0”
LR
晶片
外部 VDD
“1”
PUR
“0”
LR
晶片
外部
範例: 5 V, 20 kDD PUV R= = Ω
4.5 VL
O DD
L PU
R
V V
R R
= ⋅
+
≃200 kLR = Ω
0.24 VL
O DD
L PU
R
V V
R R
= ⋅
+
≃1 kLR = Ω
RPU在晶片內部已經被做死(其值可在晶片資料手冊中找到),代表晶片的驅動能力有限。
範例: 5 V, 20 kDD PUV R= = Ω
0 VOV ≃200 kLR = Ω
1 kLR = Ω 0 VOV ≃
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