Dokumen tersebut menjelaskan karakteristik transistor melalui tiga kurva utama: kurva kolektor, kurva basis, dan kurva beta. Kurva kolektor menunjukkan hubungan antara arus dan tegangan kolektor dengan variasi arus basis dan tegangan kolektor-emiter. Kurva basis menunjukkan hubungan antara arus basis dan tegangan basis-emiter dengan variasi tegangan kolektor-emiter. Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai pengu

1. KARAKTERISTIK TRANSISOR
Nama : Kurniawan Setyo A
No.Induk : 1410502061
Prodi : Teknik Mesin
UNIVERSITAS NEGERI TIDAR
MAGELANG

2. DAFTAR ISI
 Transistor
 Kurva Kolektor
 Kurva basis
 Kurva beta (β)

3.  TRANSISTOR
 Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai
sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi
sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran
listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya
(FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit
sumber listriknya.

4. KARAKTERISTIK TRANSITOR
 Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang
menggambarkan kerja transistor. Satu cara untuk melihat sebanyak mungkin
detail adalah dengan grafik yang menggambarkan hubungan arus dan
tegangan

5.  1.Kurva Kolektor
 1. Kurva Kolektor

 Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan menjaganya tetap
dan VCC diubah – ubah. Dengan mengukur IC dan VCE dapat agar dapat
memperoleh data untuk membuat grafik IC vs VCE. Misalnya, anggap dalam
gambar 1 Ic = 10 µA. Kemudian VCC diubah dan ukur IC dan VCE .
Selanjutnya kita akan dapat gambar 2. Pada kurva Ic = 10µA dibuat tetap
selama semua pengukuran.
Gambar 1
Data kurva kolektor CE diperoleh
dengan cara membangun rangkaian
seperti gambar di atas atau dengan
menggunakan transistor curve tracer
(alat yang dapat menggambarkan
kurva transistor). Ide dari kedua cara
tersebut adalah dengan mengubah
catu tegangan VBB dan VCC agar
diperoleh tegangan dan arus transistor
yang berbeda – beda.
Karakteristik Transistor

6.  Setelah level ini, kolektor mengumpulkan semua elektron yang mencapai
lapisan pengosongan.
 Di atas knee, harga yang eksak dari VCE tidaklah begitu penting karena
dengan membuat bukit kolektor lebih curam tidaklah dapat menambah arus
kolektor yang berarti. Sedikit pertambahan pada arus kolektor dengan
bertambahnya VCE disebabkan oleh lapisan pengosongan kolektor menjadi
lebih lebar dan menangkap beberapa elektron basis sebelum mereka jatuh
ke dalam hole.
Gambar 2
Pada gambar 2, jika VCC nol,
dioda kolektor tidak terbias
reverse, oleh sebab itu arus
kolektor sangatlah kecil. Untuk
VCC antara 0 dan 1 V, arus
kolektor bertambah dengan cepat
dan kemudian menjadi hampir
konstan. Ini sesuai dengan
memberikan bias reverse dioda
kolektor. Kira – kira diperlukan
0,7 V untuk membias reverse
dioda kolektor.

7. Gambar 3
Dengan mengulangi pengukuran Ic
dan VCE untuk IB = 20 µA,
sehingga diperoleh gambar 3.
Kurvanya hampir sama, kecuali di
atas knee, arus kolektor kira – kira
sama dengan 2 mA. Juga kenaikan
VCE menghasilkan pertambahan
arus kolektor sedikit karena
pelebaran lapisan pengosongan
menangkap tambahan elektron
basis sedikit.

8.  1. Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut
(knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis dibias
maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh
kolektor – emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 V, sedangkan untuk
transistor germanium adalah 0,1 V.
2. Daerah aktif, adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (breakdown) VBR
serta di atas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi bias maju dan
sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding
dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada
daerah aktif.
3. Daerah cut – off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emitter dan
sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB
Gambar 4
Jika beberapa kurva dengan IB yang
berbeda diperlihatkan dalam gambar
4 karena menggunakan transistor
dengan βdc kira – kira 100, arus
kolektor kira – kira 100 kali lebih
besar daripada arus basis untuk
setiap titik di atas knee dari kurva
tersebut. Oleh karena arus kolektor
sedikit bertambah dengan
bertambahnya VCE, βdc sedikit
bertambah dengan bertambahnya
VCE.

9.  2. Kurva basis
Gambar 5
Pada rangkaian gambar 1 kita dapat memperoleh data untuk membuat grafik IB
vs VBE. Gambar 5 menunjukkan grafik yang mirip dioda, karena bagian emiter –
basis dari transistor merupakan dioda. Karena bertambah lebarnya lapisan
pengosongan dengan bertambahnya tegangan kolektor, arus basis berkurang
sedikit karena lapisan pengosongan kolektor menangkap beberapa lagi elektron
basis.
kurva karakteristik
basis merelasikan
antara arus basis IB
dan tegangan basis-
emiter VBE dengan
tegangan kolektor-
emiter sebagai
parameter seperti
terlihat pada kurva
berikut.

10.  Pada gambar 6, terlihat dengan menghubung singkat kolektor – emiter (VCE = 0)
dan emiter diberi bias maju, karakteristik basis dioda. Semakin tinggi tegangan
reverse, maka semakin tipis lebar basis dan semakin tinggi beta DC. Pada suatu
saat tegangan reverse dinaikkan, hingga lebar basis menyempit maka daerah
tersebut dinamakan breakdown. Kondisi inilah yang dinamakan early effect.
Titik ambang (threshold) atau tegangan lutut (VK) untuk transistor germanium
adalah sekitar 0,1 sampai 0,2 V, sedang untuk transistor silikon sekitar 0,5
sampai 0,6 V, nilai VBE di daerah aktif adalah 0,2 V untuk germanium dan 0,7 V
untuk silikon.
Gambar 6

11.  3. Kurva beta (β)
Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai β berubah dengan suhu dan arus
kolektor. Nilai β bertambah dengan naiknya suhu. Nilai β juga bertambah
dengan naiknya arus kolektor IC. Tetapi bila IC naik diluar nilai tertentu β
akan turun.
Gambar 7

12. TERIMA KASIH