Karakteristik Transistor

1. Disusun Oleh :
Nama : Anom Setyo S
NIM : 1410502045
Dosen : R. Suryoto Edy Raharjo S.T, M.Eng
Program Studi : Teknik Mesin S1
FAKULTAS TEKNIK
UNIVERSITAS TIDAR
2015
1

2. Halaman Sampul ...................................... 1
Daftar isi ...................................... 2
Pengertian Transistor ...................................... 3
Karakteristik Transistor ...................................... 4
Penutup ...................................... 16
Daftar Isi
2

3. Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat,
sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi
tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya
Ada 2 type transistor :
PENGERTIAN TRANSISTOR
3

4.  Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang menggambarkan kerja transistor. Satu cara
untuk melihat sebanyak mungkin detail adalah dengan grafik yang menggambarkan hubungan arus dan
tegangan
 Kurva Kolektor
 Data kurva kolektor CE diperoleh dengan cara membangun rangkaian seperti gambar di atas atau dengan
menggunakan transistor curve tracer (alat yang dapat menggambarkan kurva transistor). Ide dari kedua cara
tersebut adalah dengan mengubah catu tegangan VBB dan VCC agar diperoleh tegangan dan arus transistor
yang berbeda – beda.
Gambar 1
4

5.  Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan menjaganya tetap dan
VCC diubah – ubah. Dengan mengukur IC dan VCE dapat agar dapat
memperoleh data untuk membuat grafik IC vs VCE. Misalnya, anggap dalam
gambar 1 IB = 10µA. Kemudian VCC diubah dan ukur IC dan VCE. Selanjutnya
kita akan dapat gambar 2. Pada kurva IB = 10µA dibuat tetap selama semua
pengukuran.
 Pada gambar di atas, jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh
sebab itu arus kolektor sangatlah kecil. Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus
kolektor bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Ini
sesuai dengan memberikan bias reverse dioda kolektor. Kira – kira diperlukan
0,7 V untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah level ini, kolektor
mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan.
Gambar 2
5

6. 
Di atas knee, harga yang eksak dari VCE tidaklah begitu penting karena dengan
membuat bukit kolektor lebih curam tidaklah dapat menambah arus kolektor yang
berarti. Sedikit pertambahan pada arus kolektor dengan bertambahnya VCE
disebabkan oleh lapisan pengosongan kolektor menjadi lebih lebar dan menangkap
beberapa elektron basis sebelum mereka jatuh ke dalam hole.
 Dengan mengulangi pengukuran IC dan VCE untuk IB = 20µA, sehingga
diperoleh gambar 3. Kurvanya hampir sama, kecuali di atas knee, arus kolektor
kira – kira sama dengan 2 mA. Juga kenaikan VCE menghasilkan pertambahan
arus kolektor sedikit karena pelebaran lapisan pengosongan menangkap
tambahan elektron basis sedikit.
Gambar 3
6

7. Jika beberapa kurva dengan IB yang berbeda diperlihatkan dalam gambar 4 karena
menggunakan transistor dengan βdc kira – kira 100, arus kolektor kira – kira 100
kali lebih besar daripada arus basis untuk setiap titik di atas knee dari kurva
tersebut. Oleh karena arus kolektor sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE,
βdc sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE.
Gambar 4
7

8. 
1. Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari
tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan
emiter dan sambungan basis dibias maju. Pada daerah jenuh arus
kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor –
emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 V, sedangkan
untuk transistor germanium adalah 0,1 V.
2. Daerah aktif, adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal
(breakdown) VBR serta di atas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila
sambungan emiter diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi
bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus
basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi
pada daerah aktif.
3. Daerah cut – off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan
emitter dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah ini IE
= 0 ; IC = ICO = IB
8

9.  Kurva basis
kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan tegangan basis-emiter
VBE dengan tegangan kolektor-emiter sebagai parameter seperti terlihat pada kurva
berikut.
Gambar 5
9

10.  Pada rangkaian gambar 1 kita dapat memperoleh data untuk membuat grafik IB vs
VBE. Gambar 5 menunjukkan grafik yang mirip dioda, karena bagian emiter – basis
dari transistor merupakan dioda. Karena bertambah lebarnya lapisan pengosongan
dengan bertambahnya tegangan kolektor, arus basis berkurang sedikit karena lapisan
pengosongan kolektor menangkap beberapa lagi elektron basis.
Gambar 6
10

11.  Pada gambar 6, terlihat dengan menghubung singkat kolektor –
emiter (VCE = 0) dan emiter diberi bias maju, karakteristik basis
dioda. Semakin tinggi tegangan reverse, maka semakin tipis lebar
basis dan semakin tinggi beta DC. Pada suatu saat tegangan reverse
dinaikkan, hingga lebar basis menyempit maka daerah tersebut
dinamakan breakdown. Kondisi inilah yang dinamakan early effect.
Titik ambang (threshold)atau tegangan lutut (VK) untuk transistor
germanium adalah sekitar 0,1 sampai 0,2 V, sedang untuk transistor
silikon sekitar 0,5 sampai 0,6 V, nilai VBE di daerah aktif adalah 0,2
V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.
11

12.  Kurva beta (β)
Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai β berubah dengan suhu dan arus kolektor.
Nilai β bertambah dengan naiknya suhu. Nilai β juga bertambah dengan naiknya arus
kolektor IC. Tetapi bila IC naik diluar nilai tertentu β akan turun.
Gambar 7
12

13.  Garis beban transistor
Dalam rangkaian kolektor, sumber tegangan VCC membias reverse dioda kolektor
melalui RC. Dengan hukum tegangan kirchoff VCE = VCC – ICRC.
Dalam rangkaian yang diberikan, VCC dan RC adalah konstan, VCE dan IC adalah
variabel. Sehingga
 Ini adalah persamaan linier, serupa dengan y = mx + b
Seperti dalam matematika, grafik persamaan linier selalu berupa garis lurus dengan
kemiringan m dan perpotongan vertikal b.
13

14.  Perpotongan vertikal adalah pada VCC/RC. Perpotongan horizontal adalah pada VCC, dan
kemiringannya adalah -1/RC. Garis ini disebut garis beban dc karena garis ini menyatakan
semua titik operasi yang mungkin. Perpotongan dari garis beban dc dengan arus basis
adalah titik operasi daripada transistor.
 jika hukum kirchoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor ( rangkaian
CE ), maka dapat diperoleh hubungan :
VCE = VCC – IC RC
dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :
PD = VCE . IC
dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor.
Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi Pdmax.
Spesifikasi ini menunjukkan termperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar
transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya
Pdmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar.
 Daerah cut off
jika kemudian tegangan vcc dinaikkan perlahan – lahan, sampai tegangan VCE tertentu tiba
– tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada
daerah cutoff yaitu dari keadaan saturaasi (on) menjadi mati (off). Perubahan ini digunakan
pada sistem digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat
dipresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.
14

15.  Titik sumbat (cut off) adalah titik dimana garis beban memotong kurva IB = 0, pada
titik ini arus basis adalah nol dan arus kolektor kecil sehingga dapat diabaikan (hanya
arus bocoran ICEO yang ada). Pada titik sumbat, dioda emiter kehilangan forward
bias, dan keerja transistor yang normal terhenti.
VCE(CUT OFF) = VCC
daerah saturasi (jenuh) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan knee (VK ).
Kondisi jenuh adalah kondisi dimana pembawa mayoritas dari emiter, rekombinasi
pembawa minoritas ke arus basis.
Perpotongan dari garis beban dan kurva IB = IB (SAT) disebut penjenuhan
(saturation). Pada titik ini arus basis sama dengan IB (SAT) dan arus kolektor adalah
maksismum. Pada penjenuhan, dioda kolektor kehilangan reverse bias dan kerja
transistor yang normal terhenti.
IC = VCE/RC
Dan arus basis yang tepat menimbulkan penjenuhan adalah
IB (SAT) = IC (SAT)/βdc
15

16. 16