Dokumen tersebut merangkum karakteristik dan daerah operasi transistor. Terdapat empat daerah operasi transistor yaitu daerah potong, saturasi, aktif, dan breakdown. Setiap daerah memiliki karakteristik yang berbeda seperti arus basis dan kolektor.

1. Oleh
Cryzna Rizky Hermawan
1410502059
Teknik Mesin S1 (B)

2. KARAKTERISTIK TRANSISTOR
Sebelum membahas karakteristik dan daerah kerja Transistor, perlu
disepakati terlebih dahulu beberapa simbol tegangan yang terdapat pada Transistor.
Rangkaian Transistor memiliki tiga tipe tegangan. Ketiga tipe tegangan itu adalah:
 Sumber Tegangan Transistor : VBB dan VCC
 Tegangan Terminal Transistor : VB, Vc dan VE
 Tegangan Lintas Persambungan : VBE, VCE, dan VCB

3. Karakteristik yang paling penting dari Transistor adalah grafik Dioda
Kolektor-Emiter, yang biasa dikenal dengan Kurva Tegangan-Arus (V-I Curve).
Kurva ini menggambarkan arus Kolektor, IC, dengan tegangan lintas persambungan
Kolektor – Emiter, VCE, dimana harga-harga tersebut diukur dengan arus Basis, IB,
yang berbeda-beda. Rangkaian yang digunakan untuk mendapatkan kurva tampak
pada Gambar di bawah ini.

4. Kurva tersebut mengindikasikan bahwa terdapat 4 (empat) buah daerah
operasi, yaitu:
 Daerah Potong (Cutoff Region)
 Daerah Saturasi (Saturation Region)
 Daerah Aktif (Active Region), dan
 Daerah Breakdown.
Dimana setiap daerah memiliki karakteristik masing-masing. Fungsi dan
kegunaan Transistor dapat diketahui dengan memahami karakteristik-
karakteristik Transistor tersebut. Disamping itu, perancangan dan analisa
Transistor sesuai dengan fungsinya juga akan berdasarkan karakteristik ini.

5. Karakteristik dari masing-masing daerah operasi Transistor
tersebut dapat diringkas sebagai berikut:
 Daerah Potong:
Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak terjadi pergerakan
elektron, sehingga arus Basis, IB = 0. Demikian juga, arus Kolektor, IC = 0, atau
disebut ICEO (Arus Kolektor ke Emiter dengan harga arus Basis adalah 0).
 Daerah Saturasi
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga diberi prategangan
maju. Akibatnya, arus Kolektor, IC, akan mencapai harga maksimum, tanpa
bergantung kepada arus Basis, IB, dan βdc. Hal ini, menyebabkan Transistor menjadi
komponen yang tidak dapat dikendalikan. Untuk menghindari daerah ini, Dioda
Kolektor harus diberi prateganan mundur, dengan tegangan melebihi VCE(sat), yaitu
tegangan yang menyebabkan Dioda Kolektor saturasi.

6.  Daerah Aktif
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi prategangan mundur.
Terjadi sifat-sifat yang diinginkan, dimana:
atau dan atau
Sebagaimana penjelasan pada bagian sebelumnya. Transistor menjadi
komponen yang dapat dikendalikan.
 Daerah Breakdown
Dioda Kolektor diberiprategangan mundur yang melebihi tegangan Breakdown-nya,
BVCEO (tegangan breakdown dimana tegangan Kolektor ke Emiter saat Arus Basis
adalah nol). Sehingga arus Kolektor, IC, melebihi spesifikasi yang dibolehkan.
Transistor dapat mengalami kerusakan.

7. Terima Kasih