SlideShare a Scribd company logo
1 of 24
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
Disusun oleh : Zulfikar Rahmana
1410502078
Teknik mesin S1
Nama dosen : R. Suryoto Edy Raharjo, S.T.,M.Eng.
Fakultas teknik
Universitas tidar
2015
Daftar Isi
1. Kata Pengantar..............................................
2. Peta Konsep..................................................
3. Pengertian....................................................
4. Jenis.............................................................
5. Karakteristik Transistor................................
6. Fungsi..........................................................
KATA PENGANTAR
Puji Syukur kehadirat ALLAH SWT, karena atas perkenanNYA tugas tentang
“karakteristik Transistor “ dapat diselesaikan.
Tujuan dari pembuatan laporan ini adalah untuk memberikan gambaran
mengenai kerja transistor, beberapa simbol dari transstor, dan tipe-tipe
transistor
Harapan saya semoga silde ini membantu menambah pengetahuan dan
pengalaman bagi para pembaca, sehingga saya dapat memperbaiki bentuk
maupun isi slide ini sehingga kedepannya dapat lebih baik.
Slide ini saya akui masih banyak kekurangan karena pengalaman yang saya
miliki sangat kurang. Oleh karena itu saya harapkan kepada para pembaca
untuk memberikan masukan-masukan yang bersifat membangun untuk
kesempurnaan slide ini.
•
KARAKTERISTIK
TRANSISTOR
PENGERTIAN
KARAKTERISTIK
FUNGSI
KURVA KOLEKTOR
KURVA BASIS
KURVA BETA ( β )
GARIS BEBAN
TRANSISTOR
DAERAH OPERASI
TRANSISTOR
DAERAH AKTIF
DAERAH CUT OFF
JENIS
PENGERTIAN
Transistor adalah alat semi konduktor yang dipakai sebagai
penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching),
stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya.
Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana
berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET),
memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit
sumber listriknya. Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal,
yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C). Tegangan yang di satu
terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus
dan tegangan yang lebih besar daripada arus input Basis, yaitu
pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor.
NEXT
Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam
dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor
digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog
melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan
penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital,
transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi.
Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa
sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi
rangkaian-rangkaian lainnya. Bahan dasar pembuatan transistor
itu sendiri atara lain Germanium, Silikon, Galium Arsenide.
Sedangkan kemasan dari transistor itu sendiri biasanya terbuat
dari Plastik, Metal, Surface Mount, dan ada juga beberapa
transistor yang dikemas dalam satu wadah yang disebut IC
(Intregeted Circuit).
JENIS
1. Transistor bipolar atau dwi kutub. Transistor bipolar termasuk
salah satu dari jenis-jenis transistor yang paling banyak
digunakan dalam suatu rangkaian elektronika. Sedangkan
pengertian dari transistor bipolar itu sendiri adalah transistor
yang memiliki dua buah persambungan kutub. Sedangkan jenis
transistor bipolar dibagi lagi menjadi tiga bagian lapisan material
semikonduktor yang kemudian membedakan transistor bipolar
kedalam dua jenis yaitu transistor P-N-P (Positif-Negatif-Positif)
dan transistor N-P-N (Negatif-Positif-Negatif). Masing-masing
kaki dari jenis transistor ini mempunyai nama seperti B yang
berarti Basis, K yang berarti Kolektor serta E yang berarti Emiter.
Sedangkan untuk fungsi transistor bipolar adalah sebagai
regulator arus listrik.
NEXT
2. Transistor efek medan (FET) adalah transistor kedua yang
paling banyak digunakan dari berbagai jenis-jenis transistor
yang ada . Transistor jenis ini sama seperti transistor bipolar
yang memiliki tiga kaki. Tiga kaki terminal yang dimiliki oleh
transistor efek medan adalah Drain (D), Source (S), dan Gate
(G). Transistor efek medan ini atau dikenal pula dengan istilah
transistor unipolar memiliki hanya satu buah kutub saja.
Sedangkan cara kerja dari transistor efek medan ini adalah
mengatur dan mengendalikan aliran elektron dari Source ke
Drain melalui tegangan yang diberikan pada Gate. Hal inilah
yang membedakan antara fungsi transistor efek medan
dengan fungsi transistor bipolar pada penjelasan diatas.
KARAKTERISTIK
1. KURVA KOLEKTOR
Data kurva kolektor CE diperoleh dengan cara membangun rangkaian seperti gambar 1 atau
dengan menggunakan transistor curve tracer (alat yang dapat menggambarkan kurva
transistor). Ide dari kedua cara tersebut adalah dengan mengubah catu tegangan VBB dan
VCC agar diperoleh tegangan dan arus transistor yang berbeda – beda.
Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan
menjaganya tetap dan VCC diubah – ubah. Dengan mengukur IC
dan VCE dapat agar dapat memperoleh data untuk membuat
grafik IC vs VCE. Misalnya, anggap dalam gambar 1 IB = 10µA.
Kemudian VCC diubah dan ukur IC dan VCE. Selanjutnya kita akan
dapat gambar 2. Pada kurva IB = 10µA dibuat tetap selama
semua pengukuran.
Pada gambar 2, jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh sebab
itu arus kolektor sangatlah kecil. Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus kolektor
bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Ini sesuai
dengan memberikan bias reverse dioda kolektor. Kira – kira diperlukan 0,7 V
untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah level ini, kolektor
mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan.
Di atas knee, harga yang eksak dari VCE tidaklah begitu penting karena
dengan membuat bukit kolektor lebih curam tidaklah dapat menambah arus
kolektor yang berarti. Sedikit pertambahan pada arus kolektor dengan
bertambahnya VCE disebabkan oleh lapisan pengosongan kolektor menjadi
lebih lebar dan menangkap beberapa elektron basis sebelum mereka jatuh ke
dalam hole.
Dengan mengulangi pengukuran IC dan VCE untuk IB = 20µA, sehingga
diperoleh gambar 3. Kurvanya hampir sama, kecuali di atas knee, arus
kolektor kira – kira sama dengan 2 mA. Juga kenaikan VCE menghasilkan
pertambahan arus kolektor sedikit karena pelebaran lapisan pengosongan
menangkap tambahan elektron basis sedikit.
Jika beberapa kurva dengan IB yang berbeda diperlihatkan dalam gambar 4 karena
menggunakan transistor dengan βdc kira – kira 100, arus kolektor kira – kira 100 kali lebih
besar daripada arus basis untuk setiap titik di atas knee dari kurva tersebut. Oleh karena
arus kolektor sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE, βdc sedikit bertambah dengan
bertambahnya VCE.
1. Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) VK.
Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis dibias maju. Pada daerah
jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor – emiter,
VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 V, sedangkan untuk transistor germanium adalah
0,1 V.
2. Daerah aktif, adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (breakdown) VBR serta
di atas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi bias maju dan sambungan
kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis.
Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif.
3. Daerah cut – off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emitter dan sambungan
kolektor diberi bias balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB
2. Kurva basis
kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan tegangan basis-emiter VBE dengan
tegangan kolektor-emiter sebagai parameter seperti terlihat pada kurva berikut.
Pada rangkaian gambar 1 kita dapat memperoleh data untuk membuat grafik IB vs VBE. Gambar 5
menunjukkan grafik yang mirip dioda, karena bagian emiter – basis dari transistor merupakan
dioda. Karena bertambah lebarnya lapisan pengosongan dengan bertambahnya tegangan
kolektor, arus basis berkurang sedikit karena lapisan pengosongan kolektor menangkap beberapa
lagi elektron basis.
Pada gambar 6, terlihat dengan menghubung singkat kolektor – emiter (VCE = 0) dan
emiter diberi bias maju, karakteristik basis dioda. Semakin tinggi tegangan reverse,
maka semakin tipis lebar basis dan semakin tinggi beta DC. Pada suatu saat tegangan
reverse dinaikkan, hingga lebar basis menyempit maka daerah tersebut dinamakan
breakdown. Kondisi inilah yang dinamakan early effect.
Titik ambang (threshold)atau tegangan lutut (VK) untuk transistor germanium adalah
sekitar 0,1 sampai 0,2 V, sedang untuk transistor silikon sekitar 0,5 sampai 0,6 V, nilai
VBE di daerah aktif adalah 0,2 V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.
3. Kurva beta ( β )
Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai β berubah dengan suhu dan arus
kolektor. Nilai β bertambah dengan naiknya suhu. Nilai β juga bertambah
dengan naiknya arus kolektor IC. Tetapi bila IC naik diluar nilai tertentu β akan
turun.
4. Garis beban transistor
Dalam rangkaian kolektor, sumber tegangan VCC membias reverse dioda
kolektor melalui RC. Dengan hukum tegangan kirchoff VCE = VCC – ICRC.
Dalam rangkaian yang diberikan, VCC dan RC adalah konstan, VCE dan IC
adalah variabel. Ini adalah persamaan linier, serupa dengan y = mx + b
Seperti dalam matematika, grafik persamaan linier selalu berupa garis lurus
dengan kemiringan m dan perpotongan vertikal b.
Perpotongan vertikal adalah pada VCC/RC. Perpotongan horizontal adalah pada VCC,
dan kemiringannya adalah -1/RC. Garis ini disebut garis beban dc karena garis ini
menyatakan semua titik operasi yang mungkin. Perpotongan dari garis beban dc
dengan arus basis adalah titik operasi daripada transistor.
5. Daerah operasi transistor
sebuah transistor memiliki empat daerah operasi transistor, yaitu :
1. Daerah aktif
2. Daerah cutoff
3. Daerah saturasi
4. Daerah breakdown
6. Daerah aktif
Semua titik operasi antara titik sumbat dan penjenuhan adalah daerah aktif dari
transistor. Dalam daerah aktif, dioda emiter dibias forward dan dioda kolektor dibias
reverse. Perpotongan dari arus basis dan garis beban adalah titik stationer (quiescent)
Q seperti dalam gambar. daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif,
dimana arus IC konstan terhadap berapapun nilai Vce. Pada daerah aktif arus kolektor
sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran
terjadi pada daerah aktif.
Jika hukum kirchoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor (
rangkaian CE ), maka dapat diperoleh hubungan :
VCE = VCC – IC RC
dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah :
PD = VCE . IC
dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor.
Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi Pdmax.
Spesifikasi ini menunjukkan termperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar
transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya
Pdmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar.
7. Daerah cut off
jika kemudian tegangan vcc dinaikkan perlahan – lahan, sampai tegangan
VCE tertentu tiba – tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini,
daerah kerja transistor berada pada daerah cutoff yaitu dari keadaan
saturaasi (on) menjadi mati (off). Perubahan ini digunakan pada sistem
digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat
dipresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.
Titik sumbat (cut off) adalah titik dimana garis beban memotong kurva IB
= 0, pada titik ini arus basis adalah nol dan arus kolektor kecil sehingga
dapat diabaikan (hanya arus bocoran ICEO yang ada). Pada titik sumbat,
dioda emiter kehilangan forward bias, dan keerja transistor yang normal
terhenti.
VCE(CUT OFF) = VCC. Daerah saturasi (jenuh) adalah daerah dengan VCE
kurang dari tegangan knee (VK ). Kondisi jenuh adalah kondisi dimana
pembawa mayoritas dari emiter, rekombinasi pembawa minoritas ke arus
basis.
Perpotongan dari garis beban dan kurva IB = IB (SAT) disebut penjenuhan
(saturation). Pada titik ini arus basis sama dengan IB (SAT) dan arus kolektor
adalah maksismum. Pada penjenuhan, dioda kolektor kehilangan reverse bias
dan kerja transistor yang normal terhenti.
IC = VCE/RC
Dan arus basis yang tepat menimbulkan penjenuhan adalah
IB (SAT) = IC (SAT)/βdc
FUNGSI
Fungsi Transistor sangat berpengaruh besar di dalam kinerja rangkaian
elektronika. Karena di dalam sirkuit elektronik, komponen transistor berfungsi
sebagai jangkar rangkaian. Transistor adalah komponen semi konduktor yang
memiliki 3 kaki elektroda, yaitu Basis (B), Colector (C) dan Emitor (E). Dengan
adanya 3 kaki elektroda tersebut, tegangan atau arus yang mengalir pada satu
kaki akan mengatur arus yang lebih besar untuk melalui 2 terminal lainnya.
Fungsi Transistor Lainnya :
• Sebagai penguat amplifier.
• Sebagai pemutus dan penyambung (switching).
• Sebagai pengatur stabilitas tegangan.
• Sebagai peratas arus.
• Dapat menahan sebagian arus yang mengalir.
• Menguatkan arus dalam rangkaian.
• Sebagai pembangkit frekuensi rendah ataupun tinggi.
Jika kita lihat dari susuan semi konduktor, Transistor dibedakan lagi menjadi 2
bagian, yaitu Transistor PNP dan Transistor NPN. Untuk dapat membedakan
kedua jenis tersebut, dapat kita lihat dari bentuk arah panah yang terdapat
pada kaki emitornya. Pada transistor PNP arah panah akan mengarah ke
dalam, sedangkan pada transistor NPN arah panahnya akan mengarah ke luar.
Saat ini transistor telah mengalami banyak perkembangan, karena sekarang
ini transistor sudah dapat kita gunakan sebagai memory dan dapat
memproses sebuah getaran listrik dalam dunia prosesor komputer.
Dengan berkembangnya fungsi transistor, bentuk dari transistor juga telah
banyak mengalami perubahan. Salah satunya telah berhasil diciptakan
transistor dengan ukuran super kecil yang hanya dalam ukuran nano mikron
(transistor yang sudah dikemas di dalam prosesor komputer). Karena bentuk
jelajah tegangan kerja dan frekuensi yang sangat besar dan lebar, tidak heran
komponen ini banyak digunakan didalam rangkaian elektornika. Contohnya
adalah transistor pada rangkaian analog yang digunakan sebagai amplifier,
switch, stabilitas tegangan dan lain sebagainya. Tidak hanya di rangkaian
analog, pada rangkaian digital juga terdapat transistor yang berfungsi sebagai
saklar karena memiliki kecepatan tinggi dan dapat memproses data dengan
sangat akurat.
THANK YOU

More Related Content

What's hot

Revisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusuma
Revisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusumaRevisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusuma
Revisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusumayanuarindra
 
Adi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiAdi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiadiprayogaa
 
Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1Ali Hacikdin
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistorhidayatulloh08
 
ebook ELEKTRONIKA DASAR
ebook ELEKTRONIKA DASAR ebook ELEKTRONIKA DASAR
ebook ELEKTRONIKA DASAR Rinanda S
 
Bank Soal Materi Komponen Transistor
Bank Soal Materi Komponen TransistorBank Soal Materi Komponen Transistor
Bank Soal Materi Komponen TransistorMuhammad Hendra
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorKurniawan Ya Tyo
 
Karakteristik transistor rev
Karakteristik transistor revKarakteristik transistor rev
Karakteristik transistor revazwar_anaz
 
Elektronika digital dioda, resistor, & transistor
Elektronika digital dioda, resistor, & transistorElektronika digital dioda, resistor, & transistor
Elektronika digital dioda, resistor, & transistorDian Nugroho
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistorhidayatulloh08
 
Presentation elektronika dasar
Presentation elektronika dasarPresentation elektronika dasar
Presentation elektronika dasarKevin Maulana
 
Komponen pasif elektronika
Komponen pasif elektronikaKomponen pasif elektronika
Komponen pasif elektronikaIlham Khoir
 
Narasi device semikonduktor 2
Narasi device semikonduktor 2Narasi device semikonduktor 2
Narasi device semikonduktor 2Eno Sastrodiharjo
 
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anazKarakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anazazwar_anaz
 

What's hot (20)

Revisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusuma
Revisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusumaRevisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusuma
Revisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusuma
 
Adi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiAdi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasi
 
Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1
 
eldas
eldaseldas
eldas
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Nashrul chanief.tmb
Nashrul chanief.tmbNashrul chanief.tmb
Nashrul chanief.tmb
 
Bab 13 penguat transistor
Bab 13 penguat transistorBab 13 penguat transistor
Bab 13 penguat transistor
 
ebook ELEKTRONIKA DASAR
ebook ELEKTRONIKA DASAR ebook ELEKTRONIKA DASAR
ebook ELEKTRONIKA DASAR
 
Bank Soal Materi Komponen Transistor
Bank Soal Materi Komponen TransistorBank Soal Materi Komponen Transistor
Bank Soal Materi Komponen Transistor
 
Basic electronic
Basic electronicBasic electronic
Basic electronic
 
Elektronika dasar
Elektronika dasarElektronika dasar
Elektronika dasar
 
Lembar soal benar
Lembar soal benarLembar soal benar
Lembar soal benar
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor rev
Karakteristik transistor revKarakteristik transistor rev
Karakteristik transistor rev
 
Elektronika digital dioda, resistor, & transistor
Elektronika digital dioda, resistor, & transistorElektronika digital dioda, resistor, & transistor
Elektronika digital dioda, resistor, & transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Presentation elektronika dasar
Presentation elektronika dasarPresentation elektronika dasar
Presentation elektronika dasar
 
Komponen pasif elektronika
Komponen pasif elektronikaKomponen pasif elektronika
Komponen pasif elektronika
 
Narasi device semikonduktor 2
Narasi device semikonduktor 2Narasi device semikonduktor 2
Narasi device semikonduktor 2
 
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anazKarakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
 

Similar to Karakteristik Transistor_Zulfikar Rahmana

karakteristik transistor_rohman
karakteristik transistor_rohmankarakteristik transistor_rohman
karakteristik transistor_rohmanRohman Rohman
 
Karakteristik Transistor_Rohman
Karakteristik Transistor_RohmanKarakteristik Transistor_Rohman
Karakteristik Transistor_RohmanRohman Rohman
 
Encep faiz.pptx lisma
Encep faiz.pptx lismaEncep faiz.pptx lisma
Encep faiz.pptx lismaMarina Natsir
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorSyarifudin86
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistorandhi_setyo
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorMalik Abdul
 
Komponen Diode, Transistor, dan Sensor.pptx
Komponen Diode, Transistor, dan Sensor.pptxKomponen Diode, Transistor, dan Sensor.pptx
Komponen Diode, Transistor, dan Sensor.pptxAlifZain5
 
Karakteristik transistor agus_sugiharto_untidar
Karakteristik transistor agus_sugiharto_untidarKarakteristik transistor agus_sugiharto_untidar
Karakteristik transistor agus_sugiharto_untidaragus sugiharto
 
Tugas elektronika dan rangkaian listrik powerpoint
Tugas elektronika dan rangkaian listrik powerpointTugas elektronika dan rangkaian listrik powerpoint
Tugas elektronika dan rangkaian listrik powerpointdamarsyehh68
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorKurniawan Ya Tyo
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorElectric Car
 
Revisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidar
Revisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidarRevisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidar
Revisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidaragus sugiharto
 
Karakteristik transistor revisiKu
Karakteristik transistor revisiKuKarakteristik transistor revisiKu
Karakteristik transistor revisiKuUC Tidar
 

Similar to Karakteristik Transistor_Zulfikar Rahmana (20)

Rev.Karakteristik Transistor
Rev.Karakteristik TransistorRev.Karakteristik Transistor
Rev.Karakteristik Transistor
 
karakteristik transistor_rohman
karakteristik transistor_rohmankarakteristik transistor_rohman
karakteristik transistor_rohman
 
Karakteristik Transistor_Rohman
Karakteristik Transistor_RohmanKarakteristik Transistor_Rohman
Karakteristik Transistor_Rohman
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 
Encep faiz.pptx lisma
Encep faiz.pptx lismaEncep faiz.pptx lisma
Encep faiz.pptx lisma
 
Nashrul chanief.tmb
Nashrul chanief.tmbNashrul chanief.tmb
Nashrul chanief.tmb
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
 
Komponen Diode, Transistor, dan Sensor.pptx
Komponen Diode, Transistor, dan Sensor.pptxKomponen Diode, Transistor, dan Sensor.pptx
Komponen Diode, Transistor, dan Sensor.pptx
 
Karakteristik transistor agus_sugiharto_untidar
Karakteristik transistor agus_sugiharto_untidarKarakteristik transistor agus_sugiharto_untidar
Karakteristik transistor agus_sugiharto_untidar
 
Tugas elektronika dan rangkaian listrik powerpoint
Tugas elektronika dan rangkaian listrik powerpointTugas elektronika dan rangkaian listrik powerpoint
Tugas elektronika dan rangkaian listrik powerpoint
 
Transistor
TransistorTransistor
Transistor
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
 
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
KARAKTERISTIK TRANSISTORKARAKTERISTIK TRANSISTOR
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
 
Revisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidar
Revisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidarRevisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidar
Revisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidar
 
Karakteristik transistor revisiKu
Karakteristik transistor revisiKuKarakteristik transistor revisiKu
Karakteristik transistor revisiKu
 

Karakteristik Transistor_Zulfikar Rahmana

  • 1. KARAKTERISTIK TRANSISTOR Disusun oleh : Zulfikar Rahmana 1410502078 Teknik mesin S1 Nama dosen : R. Suryoto Edy Raharjo, S.T.,M.Eng. Fakultas teknik Universitas tidar 2015
  • 2. Daftar Isi 1. Kata Pengantar.............................................. 2. Peta Konsep.................................................. 3. Pengertian.................................................... 4. Jenis............................................................. 5. Karakteristik Transistor................................ 6. Fungsi..........................................................
  • 3. KATA PENGANTAR Puji Syukur kehadirat ALLAH SWT, karena atas perkenanNYA tugas tentang “karakteristik Transistor “ dapat diselesaikan. Tujuan dari pembuatan laporan ini adalah untuk memberikan gambaran mengenai kerja transistor, beberapa simbol dari transstor, dan tipe-tipe transistor Harapan saya semoga silde ini membantu menambah pengetahuan dan pengalaman bagi para pembaca, sehingga saya dapat memperbaiki bentuk maupun isi slide ini sehingga kedepannya dapat lebih baik. Slide ini saya akui masih banyak kekurangan karena pengalaman yang saya miliki sangat kurang. Oleh karena itu saya harapkan kepada para pembaca untuk memberikan masukan-masukan yang bersifat membangun untuk kesempurnaan slide ini. •
  • 4. KARAKTERISTIK TRANSISTOR PENGERTIAN KARAKTERISTIK FUNGSI KURVA KOLEKTOR KURVA BASIS KURVA BETA ( β ) GARIS BEBAN TRANSISTOR DAERAH OPERASI TRANSISTOR DAERAH AKTIF DAERAH CUT OFF JENIS
  • 5. PENGERTIAN Transistor adalah alat semi konduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya. Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitor dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus input Basis, yaitu pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor. NEXT
  • 6. Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya. Bahan dasar pembuatan transistor itu sendiri atara lain Germanium, Silikon, Galium Arsenide. Sedangkan kemasan dari transistor itu sendiri biasanya terbuat dari Plastik, Metal, Surface Mount, dan ada juga beberapa transistor yang dikemas dalam satu wadah yang disebut IC (Intregeted Circuit).
  • 7. JENIS 1. Transistor bipolar atau dwi kutub. Transistor bipolar termasuk salah satu dari jenis-jenis transistor yang paling banyak digunakan dalam suatu rangkaian elektronika. Sedangkan pengertian dari transistor bipolar itu sendiri adalah transistor yang memiliki dua buah persambungan kutub. Sedangkan jenis transistor bipolar dibagi lagi menjadi tiga bagian lapisan material semikonduktor yang kemudian membedakan transistor bipolar kedalam dua jenis yaitu transistor P-N-P (Positif-Negatif-Positif) dan transistor N-P-N (Negatif-Positif-Negatif). Masing-masing kaki dari jenis transistor ini mempunyai nama seperti B yang berarti Basis, K yang berarti Kolektor serta E yang berarti Emiter. Sedangkan untuk fungsi transistor bipolar adalah sebagai regulator arus listrik. NEXT
  • 8. 2. Transistor efek medan (FET) adalah transistor kedua yang paling banyak digunakan dari berbagai jenis-jenis transistor yang ada . Transistor jenis ini sama seperti transistor bipolar yang memiliki tiga kaki. Tiga kaki terminal yang dimiliki oleh transistor efek medan adalah Drain (D), Source (S), dan Gate (G). Transistor efek medan ini atau dikenal pula dengan istilah transistor unipolar memiliki hanya satu buah kutub saja. Sedangkan cara kerja dari transistor efek medan ini adalah mengatur dan mengendalikan aliran elektron dari Source ke Drain melalui tegangan yang diberikan pada Gate. Hal inilah yang membedakan antara fungsi transistor efek medan dengan fungsi transistor bipolar pada penjelasan diatas.
  • 9. KARAKTERISTIK 1. KURVA KOLEKTOR Data kurva kolektor CE diperoleh dengan cara membangun rangkaian seperti gambar 1 atau dengan menggunakan transistor curve tracer (alat yang dapat menggambarkan kurva transistor). Ide dari kedua cara tersebut adalah dengan mengubah catu tegangan VBB dan VCC agar diperoleh tegangan dan arus transistor yang berbeda – beda.
  • 10. Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan menjaganya tetap dan VCC diubah – ubah. Dengan mengukur IC dan VCE dapat agar dapat memperoleh data untuk membuat grafik IC vs VCE. Misalnya, anggap dalam gambar 1 IB = 10µA. Kemudian VCC diubah dan ukur IC dan VCE. Selanjutnya kita akan dapat gambar 2. Pada kurva IB = 10µA dibuat tetap selama semua pengukuran.
  • 11. Pada gambar 2, jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh sebab itu arus kolektor sangatlah kecil. Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus kolektor bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Ini sesuai dengan memberikan bias reverse dioda kolektor. Kira – kira diperlukan 0,7 V untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah level ini, kolektor mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan. Di atas knee, harga yang eksak dari VCE tidaklah begitu penting karena dengan membuat bukit kolektor lebih curam tidaklah dapat menambah arus kolektor yang berarti. Sedikit pertambahan pada arus kolektor dengan bertambahnya VCE disebabkan oleh lapisan pengosongan kolektor menjadi lebih lebar dan menangkap beberapa elektron basis sebelum mereka jatuh ke dalam hole.
  • 12. Dengan mengulangi pengukuran IC dan VCE untuk IB = 20µA, sehingga diperoleh gambar 3. Kurvanya hampir sama, kecuali di atas knee, arus kolektor kira – kira sama dengan 2 mA. Juga kenaikan VCE menghasilkan pertambahan arus kolektor sedikit karena pelebaran lapisan pengosongan menangkap tambahan elektron basis sedikit.
  • 13. Jika beberapa kurva dengan IB yang berbeda diperlihatkan dalam gambar 4 karena menggunakan transistor dengan βdc kira – kira 100, arus kolektor kira – kira 100 kali lebih besar daripada arus basis untuk setiap titik di atas knee dari kurva tersebut. Oleh karena arus kolektor sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE, βdc sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE. 1. Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis dibias maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor – emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 V, sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 V. 2. Daerah aktif, adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (breakdown) VBR serta di atas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif. 3. Daerah cut – off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emitter dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB
  • 14. 2. Kurva basis kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan tegangan basis-emiter VBE dengan tegangan kolektor-emiter sebagai parameter seperti terlihat pada kurva berikut. Pada rangkaian gambar 1 kita dapat memperoleh data untuk membuat grafik IB vs VBE. Gambar 5 menunjukkan grafik yang mirip dioda, karena bagian emiter – basis dari transistor merupakan dioda. Karena bertambah lebarnya lapisan pengosongan dengan bertambahnya tegangan kolektor, arus basis berkurang sedikit karena lapisan pengosongan kolektor menangkap beberapa lagi elektron basis.
  • 15. Pada gambar 6, terlihat dengan menghubung singkat kolektor – emiter (VCE = 0) dan emiter diberi bias maju, karakteristik basis dioda. Semakin tinggi tegangan reverse, maka semakin tipis lebar basis dan semakin tinggi beta DC. Pada suatu saat tegangan reverse dinaikkan, hingga lebar basis menyempit maka daerah tersebut dinamakan breakdown. Kondisi inilah yang dinamakan early effect. Titik ambang (threshold)atau tegangan lutut (VK) untuk transistor germanium adalah sekitar 0,1 sampai 0,2 V, sedang untuk transistor silikon sekitar 0,5 sampai 0,6 V, nilai VBE di daerah aktif adalah 0,2 V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.
  • 16. 3. Kurva beta ( β ) Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai β berubah dengan suhu dan arus kolektor. Nilai β bertambah dengan naiknya suhu. Nilai β juga bertambah dengan naiknya arus kolektor IC. Tetapi bila IC naik diluar nilai tertentu β akan turun.
  • 17. 4. Garis beban transistor Dalam rangkaian kolektor, sumber tegangan VCC membias reverse dioda kolektor melalui RC. Dengan hukum tegangan kirchoff VCE = VCC – ICRC. Dalam rangkaian yang diberikan, VCC dan RC adalah konstan, VCE dan IC adalah variabel. Ini adalah persamaan linier, serupa dengan y = mx + b Seperti dalam matematika, grafik persamaan linier selalu berupa garis lurus dengan kemiringan m dan perpotongan vertikal b.
  • 18. Perpotongan vertikal adalah pada VCC/RC. Perpotongan horizontal adalah pada VCC, dan kemiringannya adalah -1/RC. Garis ini disebut garis beban dc karena garis ini menyatakan semua titik operasi yang mungkin. Perpotongan dari garis beban dc dengan arus basis adalah titik operasi daripada transistor. 5. Daerah operasi transistor sebuah transistor memiliki empat daerah operasi transistor, yaitu : 1. Daerah aktif 2. Daerah cutoff 3. Daerah saturasi 4. Daerah breakdown
  • 19. 6. Daerah aktif Semua titik operasi antara titik sumbat dan penjenuhan adalah daerah aktif dari transistor. Dalam daerah aktif, dioda emiter dibias forward dan dioda kolektor dibias reverse. Perpotongan dari arus basis dan garis beban adalah titik stationer (quiescent) Q seperti dalam gambar. daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus IC konstan terhadap berapapun nilai Vce. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif. Jika hukum kirchoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor ( rangkaian CE ), maka dapat diperoleh hubungan : VCE = VCC – IC RC dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah : PD = VCE . IC dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi Pdmax. Spesifikasi ini menunjukkan termperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya Pdmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar.
  • 20. 7. Daerah cut off jika kemudian tegangan vcc dinaikkan perlahan – lahan, sampai tegangan VCE tertentu tiba – tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cutoff yaitu dari keadaan saturaasi (on) menjadi mati (off). Perubahan ini digunakan pada sistem digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat dipresentasikan oleh status transistor OFF dan ON. Titik sumbat (cut off) adalah titik dimana garis beban memotong kurva IB = 0, pada titik ini arus basis adalah nol dan arus kolektor kecil sehingga dapat diabaikan (hanya arus bocoran ICEO yang ada). Pada titik sumbat, dioda emiter kehilangan forward bias, dan keerja transistor yang normal terhenti.
  • 21. VCE(CUT OFF) = VCC. Daerah saturasi (jenuh) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan knee (VK ). Kondisi jenuh adalah kondisi dimana pembawa mayoritas dari emiter, rekombinasi pembawa minoritas ke arus basis. Perpotongan dari garis beban dan kurva IB = IB (SAT) disebut penjenuhan (saturation). Pada titik ini arus basis sama dengan IB (SAT) dan arus kolektor adalah maksismum. Pada penjenuhan, dioda kolektor kehilangan reverse bias dan kerja transistor yang normal terhenti. IC = VCE/RC Dan arus basis yang tepat menimbulkan penjenuhan adalah IB (SAT) = IC (SAT)/βdc
  • 22. FUNGSI Fungsi Transistor sangat berpengaruh besar di dalam kinerja rangkaian elektronika. Karena di dalam sirkuit elektronik, komponen transistor berfungsi sebagai jangkar rangkaian. Transistor adalah komponen semi konduktor yang memiliki 3 kaki elektroda, yaitu Basis (B), Colector (C) dan Emitor (E). Dengan adanya 3 kaki elektroda tersebut, tegangan atau arus yang mengalir pada satu kaki akan mengatur arus yang lebih besar untuk melalui 2 terminal lainnya. Fungsi Transistor Lainnya : • Sebagai penguat amplifier. • Sebagai pemutus dan penyambung (switching). • Sebagai pengatur stabilitas tegangan. • Sebagai peratas arus. • Dapat menahan sebagian arus yang mengalir. • Menguatkan arus dalam rangkaian. • Sebagai pembangkit frekuensi rendah ataupun tinggi.
  • 23. Jika kita lihat dari susuan semi konduktor, Transistor dibedakan lagi menjadi 2 bagian, yaitu Transistor PNP dan Transistor NPN. Untuk dapat membedakan kedua jenis tersebut, dapat kita lihat dari bentuk arah panah yang terdapat pada kaki emitornya. Pada transistor PNP arah panah akan mengarah ke dalam, sedangkan pada transistor NPN arah panahnya akan mengarah ke luar. Saat ini transistor telah mengalami banyak perkembangan, karena sekarang ini transistor sudah dapat kita gunakan sebagai memory dan dapat memproses sebuah getaran listrik dalam dunia prosesor komputer. Dengan berkembangnya fungsi transistor, bentuk dari transistor juga telah banyak mengalami perubahan. Salah satunya telah berhasil diciptakan transistor dengan ukuran super kecil yang hanya dalam ukuran nano mikron (transistor yang sudah dikemas di dalam prosesor komputer). Karena bentuk jelajah tegangan kerja dan frekuensi yang sangat besar dan lebar, tidak heran komponen ini banyak digunakan didalam rangkaian elektornika. Contohnya adalah transistor pada rangkaian analog yang digunakan sebagai amplifier, switch, stabilitas tegangan dan lain sebagainya. Tidak hanya di rangkaian analog, pada rangkaian digital juga terdapat transistor yang berfungsi sebagai saklar karena memiliki kecepatan tinggi dan dapat memproses data dengan sangat akurat.