Metode deposisi uap kimia/chemical vapor deposition (CVD) merupakan proses kimia untuk memberi lapisan tipis pada permukaan wafer yang digunakan dalam pembuatan mikrosistem. Dalam proses ini, komponen gas bereaksi dipermukaan wafer dan membentuk lapisan tipis. Dalam metode CVD atau deposisi uap kimia ini, kristal terbentuk dari reaktan dalam fasa uap atau gas. Garis besar metode: Starting material yang volatil dicampur dalam temperatur yang sesuai sehingga diperoleh produk kristal padat. Penggunaan metode ini untuk mensintesis WOx (Tungsten Oksida) dalam Film Tipis.Tungsten oksida adalah bahan utama dalam berbagai macam perangkat elektrokromik, termasuk ‘smart’ windows, tampilan dan penanda. Dengan membiarkan kontrol listrik transmisi cahaya dan refleksi, jendela elektrokromik dapat meningkatkan kenyamanan, mengoptimalkan pencahayaan dan mengurangi konsumsi energi di gedung-gedung. Menampilkan elektrokromik memiliki visibilitas yang baik dalam berbagai kondisi dan sudut pandang, tanpa terus-menerus kekuatan gambar. Film tipis tungsten oksida telah dibuat oleh berbagai metode. Termasuk metode fisika, seperti penguapan, deposisi laser sputtering dan berdenyut, dan metode kimia, seperti deposisi uap kimia (CVD), sol-gel dan metode elektrokimia. CVD pada tekanan atmosfer (APCVD ) memiliki keuntungan dari skalabilitas untuk area yang luas dengan ketebalan yang seragam dan biaya yang berpotensi rendah. Misalnya, wilayah yang sangat besar konservasi energi yang diolah dari timah oksida fluor doped dibuat oleh APCVD pada jendela kaca lebih lebar 3 m.

1. ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF
ELECTROCHROMIC TUNGSTEN OXIDE FILMS
(Deposisi Uap Kimia Tekanan Atmosfer Film Elektrokromik Tungsten
Oksida)
EDI MIKRIANTO.,S.Si.,M.Si
EDI MIKRIANTO.,S.Si.,M.Si
Pembimbing Mata Kuliah SSA
Pembimbing Mata Kuliah SSA
(Sintesis Senyawa Anorganik)
(Sintesis Senyawa Anorganik)
Disusun Oleh:
Shinta Yuniar
Yusy Muridha Sari
Rara Iuda V. T
Miftahul Aulya I.
Ari Wahyudi
Deby Dwi Diliaty
Hapsari Tyas P.
PROGRAM STUDI S-1 KIMIA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
ALAM
UNIVERSITAS LAMBUNG MANGKURAT
BANJARBARU
J1B110010
J1B110017
J1B111025
J1B111027
J1B110033
J1B111046

2. Latar Belakang…
• Banyaknya jenis metode sintesis material
• Tungsten Oksida
• Metode Chemical Vapor Deposition/Deposisi Uap Kimia
ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF
ELECTROCHROMIC TUNGSTEN OXIDE FILMS
(Deposisi Uap Kimia Tekanan Atmosfer Film Elektrokromik
Tungsten Oksida)

3. METAL-ORGANIC
CHEMICAL VAPOR
DEPOSITION
LASER CHEMICAL
VAPOR DEPOSITION
(LCVD)
PLASMA-ENHANCED
CHEMICAL VAPOR
DEPOSITION
CHEMICAL VAPOR
DEPOSITION/
DEPOSISI UAP
KIMIA
THERMAL
CHEMICAL VAPOR
DEPOSITION
ATMOSPHERIC
PRESSURE
CHEMICAL VAPOR
DEPOSITION
(APCVD)
PHOTO-ASSISTED
CHEMICAL VAPOR
DEPOSITION
HOT FILAMENT
CHEMICAL VAPOR
DEPOSITION
(HFCVD)

4. Chemical Vapor Deposition
 Chemical vapour deposition is essentially the formation of a thin
film on a substrate, of varying description, by a chemical reaction of
vapour phase precursors.
 The reaction in these instances occurs in the gas-phase, which is what
distinguishes CVD from other physical vapour deposition processes,
such as evaporation and reactive sputtering.
 ADVANTAGES : the production of highly dense and pure phase
materials, films have excellent adhesion, are uniform and easily
reproducible, crystal structure, surface morphology and orientation of
products can be controlled with ease, deposition rates can be
adjusted.

5. An overview of the process is shown below in Fig. 1

6. TUNGSTEN OKSIDA
 Bahan utama dalam berbagai macam perangkat elektrokromik.
 Tungsten oxides (WOx) are of great interest, being promising in
applications such as flat panel displays, ‘smart windows’,
semiconductor gas sensors, and photocatalysts.
 Have been synthesized including monoclinic W18O49 nanowires,
orthorhombic W3O8 nanowires, quasi-1D W5O14 crystals, twodimensional tetragonal WO2.9 nanowire networks, monoclinic WO3
nanowires, and cubic- structured WO3 nanowires

7. Sintesis Komponen Volatil Cairan
Tungsten

8. Prosedur Deposisi Uap Kimia
• Campuran gas reaktan dipersiapkan dengan menempatkan salah satu prekursor
tungsten cair, tungsten(0) pentakarbonil 1-metilbutilisonitril atau tungsten(0)
pentakarbonil n-pentilisonitril, dalam pompa jarum suntik dari yang disampaikan
pada tingkat yang stabil antara 1,5 dan 14 ml/h dalam Nozzle Ultrasonik Sonotek
dioperasikan dengan kekuatan 2,0-2,3 W pada frekuensi 125 kHz.
• Kabut yang dihasilkan tertahan kedalam 8,0-9,0 l/min aliran gas nitrogen
dipanaskan sampai 180°C untuk menguapkan tetesan cairan. Campuran gas ini
kemudian dicampur dalam T bersama dengan aliran 1,0-1,5 l/min gas oksigen
sebelum mencapai masuk ke reaktor. Kedua prekursor menunjukkan reaktivitas
hampir identik, dengan perbandingan sampel 1-6.

11. Pengukuran
Elektrokromis

12. Rincian Percobaan dan Sintesis
Kimia
• Sintesis 1-metilbutilformamida, CH3CH2CH2CH(CH3)NHC(=O)H
• Sintesis 1-metilbutilisonitril, CH3CH2CH2CH(CH3)NC
• Sintesis tungsten(0) pentakarbonil 1-metilbutilisonitril,
(CH3CH2CH2CH(CH3)NC)W(CO)5

13. Kesimpulan
 Film tungsten oksida diendapkan pada tekanan atmosfer dari uap yang
sesuai, prekursor stabil diudara, tungsten pentilisonitril pentakarbonil.
 Metode ini cepat dan mudah ditingkatkan sampai area yang luas. Film-film
menunjukkan perilaku elektrokromik dengan baik proton atau counter-ion
lithium.
 Kondisi deposisi mempengaruhi kepadatan film, dengan film-film kurang
padat menunjukkan warna yang lebih cepat dan lebih luas dan pemutihan.
Optimasi lebih lanjut dari kondisi ketebalan film dan deposisi diperlukan
untuk menghasilkan efek elektrokromik dengan rasio kontras yang lebih
tinggi.