Downloaded 378 times
![Daftar Pustaka
Duro, Moh.2012. Pengertian dan Jenis Transistor.
http://dien-elcom.blogspot.com/2012/08/pengertian-dan-jenistransistor.html. [29 Januari 2014]
Sandi.2013. Pengenalan Komponen/Parts
elektronika.http://sndelektronik.blogspot.com/2013/01/transistorbipolar.html [30 Januari 2014]
Sarbina, Abi.2010. Fungsi dasar
transistor.http://abisabrina.wordpress.com/2010/08/14/fungsi-dasartransistor/ [30 Januari 3014]
NN.2012.Fungsi dan Cara Kerja
Transistor.http://hobbielektronika.blogspot.com/2013/06/fungsi-dan-carakerja-transistor.html
NN.2012..Transistor Sebagai Saklar.
http://rangkaianelektronika.info/transistor-sebagai-saklar/. [30 Januari 2014]
http://electronz-electronicsdesigning.blogspot.com/
http://ungunyadani.blogspot.com/2011/04/karakteristik-transistor-bipolar.html
http://www.dnatechindia.com/Tutorial/Transistors/Bipolar-Transistor.html](https://image.slidesharecdn.com/transistor-140129145059-phpapp02/85/Transistor-36-320.jpg)
More Related Content
Transistor
- 1. Transistor Ely Rohaeti (121611042) 2B TeknikRefrigerasi dan Tata Udara Politeknik Negeri Bandung 2014
- 2. Pendahuluan Transistor adalah komponenyang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil, dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori, dan komponen-komponen lainnya.
- 3. Pengertian Transistor Transistor merupakankomponen utama dalam elektronika yang terbuat dari 2 dioda germanium yang disatukan. Transistor terdiri dari 3 lapisan semikonduktor diantaranya contoh NPN dan PNP. Transistor mempunyai tiga kaki yang disebut dengan Emitor (E), Basis/Base (B) dan Kolektor/collector (C). Posisi kaki-kaki ini berbeda antara transistor satu dengan yang lain walaupun ada juga yang sama Transistor berasal dari perpaduan dua kata, yakni “transfer” yang artinya pemindahan dan “resistor” yang berarti penghambat. Dengan demikian transistor dapat diartikan sebagai suatu pemindahan atau peralihan bahan setengah penghantar menjadi penghantar pada daya atau keadaan tertentu.
- 4. Fungsi Transistor • Sebagaipenguat arus, tegangan dan daya (AC dan DC) • Sebagai penyearah • Sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), • Sebagai stabilisasi tegangan • Sebagai modulasi sinyal • Sebagai isolator • Membangkitkan frekuensi rendah maupun tinggi.
- 5. Jenis-jenis Transistor Secara umum,transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori: 1. Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide 2. Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount, IC, dan lain-lain 3. Tipe: UJT, BJT , HBT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, MISFET, VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.
- 6. 4. Polaritas: NPNatau N-channel, PNP atau Pchannel 5. Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power 6. Maximum frekuensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor, Microwave, dan lain-lain 7. Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-lain
- 7. Uni Junktion Transistor(UJT) • Uni Junktion Transistor (UJT) adalah transistor yang mempunyai satu kaki emitor dan dua basis. Kegunaan transistor ini adalah terutama untuk switch elektronis. Ada Dua jenis UJT ialah UJT Kanal N dan UJT Kanal P.
- 8. BJT(Bipolar Junction Transistor) Transistorjenis BJT (bipolar junction transistor) merupakan transistor yang mempunyai dua diode, terminal posistif atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah emitter (E), kolektor (C), dan basis (B). perubahan arus listrik dalam jumlah kecil pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besarpada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai penguat elektronik.
- 9. Struktur dan prinsipkerja bipolar juntion transistor tergantung dari perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole) di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup. 1. Transistor PNP (anoda katoda anoda / kaki katoda yang disatukan) 2. Transistor NPN (katoda anoda katoda / kaki anoda yang disatukan)
- 10.
- 11. Emiter ditanahkan (CommonEmitter-CE) Titik ground atau titik tegangan 0 volt dihubungkan pada titik emiter. Ada penguatan tegangan dan arus. Memiliki input dengan impedansi rendah (forward bias) dan output dengan impedansi tinggi(reverse bias).
- 13. Dimana alpha dc(α dc)= IC/IE Defenisinya adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus emitor.Karena besar arus kolektor umumnya hampir sama dengan besar arus emiter maka idealnya besar α dcadalah = 1 (satu). Namun umumnya transistor yang ada memiliki α dc kurang lebih antara 0.95 sampai 0.99. Beta (β)= IC/IB Didefenisikan sebagai besar perbandingan antara arus kolektor dengan arus base. Dengan kata lain, βα adalah parameter yang menunjukkan kemampuan penguatan arus (current gain) dari suatu transistor. Parameter ini ada tertera di databook transistor dan sangat membantu para perancang rangkaian elektronika dalam merencanakan rangkaiannya.
- 14. Kolektor ditanahkan (CommonCollector-CC) Titik ground atau titik tegangan 0 volt dihubungkan pada titik kolektor. Disebut juga sebagai emiter follower circuit
- 15. Bipolar Transistor Characteristics Input Characteristics:- ΔVBE/ ΔIB Common Base - ΔVC / ΔIC Common Emitter Transfer Characteristics:- ΔVEB / ΔIE Common Emitter Output Characteristics:- Common Base - ΔVC / ΔIC Common Base - ΔIC / ΔIE Common Emitter - ΔIC / ΔIB
- 16. Karakteristik konfigurasi transistor yangberbeda Characteristic Common Base Common Emitter Common Collector Input Impedance Low Medium High Output Impedance Very High High Low Phase Angle 0o 180o 0o Voltage Gain High Medium Low Current Gain Low Medium High Power Gain Low Very High Medium
- 17. Transistor dwikutub pertemuantaksejenis(HBT) Transistor dwikutub pertemuantaksejenis adalah sebuah penyempurnaan BJT sehingga dapat menangani isyarat frekuensi sangat tinggi hingga beberapa ratus GHZ. Transistor pertemuan-taksejenis mempunyai semikonduktor yang berbeda untuk tiap unsur dalam transistor. Biasanya emitor dibuat dari bahan yang memiliki celah-jalur lebih besar dari basis.
- 18. BJT pertemuan-sejenis, efisiensiinjeksi pembawa dari emitor ke basis terutama dipengaruhi oleh perbandingan pengotoran di antaran emitor dan basis, yang berarti basis harus dikotori ringan untuk mendapatkan efisiensi injeksi yang tinggi, membuat resistansioya relatif tinggi. Sebagai tambahan, pengotoran basis yang lebih tinggi juga memperbaiki karakteristik seperti tegangan mula dengan membuat basis lebih sempit.
- 19. Dua HBT yangpaling sering digunakan adalah silikon-germanium dan aluminium arsenid, tetapi jenis semikonduktor lain juga bisa digunakan untuk struktur HBT. Struktur HBT biasanya dibuat dengan teknik epitaksi, seperti epitaksi fase uap logam-organik dan epitaksi sinar molekuler.
- 20. Daerah Operasi BJT Transistordwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda, terutama dibedakan oleh panjar yang diberikan: 1. Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanja maju dan pertemuan basis-kolektor dipanjar mundur. Hampir semua transistor didesain untuk mencapai penguatan arus tunggal emitor yang terbesar () dalam moda aktif-maju. in forward-active mode. Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat lebih besar dari arus basis. 2. Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju, BJT memasuki moda jenuh dan memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. Moda ini berkorespondensi dengan logika hidup, atau sakelar yang tertutup.
- 21. 3. Aktif-mundur (atauaktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran pada moda aktif-maju, transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. Pada moda ini, daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. Karena hampir semua BJT didesain untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal, pada moda terbalik beberapa kaki lipat lebih rendah. Moda transistor ini jarang digunakan, dan hanya diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk beberapa jenis logika dwikutub. Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih rendah pada moda ini. 4. Putus: pada keadaan putus, pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh (semua pertemuan dipanjar terbalik). Arus yang mengalir sangat kecil, dengan demikian berkorespondensi dengan logika mati, atau sakelar yang terbuka. 5. Tembusan bandang
- 22. JFET ( JunctionField Effect Transistor) • Beberapa Kelebihan JFET dibandingkan dengan transistor biasa ialah antara lain penguatannya yang besar, serta desah yang rendah. Karena harga JFET yang lebih tinggi dari transistor, maka hanya digunakan pada bagianbagian yang memang memerlukan. Bentuk fisik FJET ada berbagai macam yang mirip dengan transistor.
- 23. Terminal gate dalamJFET membentuk sebuah diode dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain). Secara fungsinya, ini membuat N-channel JFET menjadi sebuah versi solid-state dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah diode antara grid dan katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode", keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik dibawah kontrol tegangan input.
- 24. Insulated Gate FET(IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor) FET (MOSFET). MOSFET (Metal Oxide Semiconductor FET) adalah suatu jenis FET yang mempunyai satu Drain, satu Source dan satu atau dua Gate. MOSFET mempunyai input impedance yang sangat tinggi. Mengingat harga yang cukup tinggi, maka MOSFET hanya digunakan pada bagian bagian yang benar-benar memerlukannya. Penggunaannya misalnya sebagai RF amplifier pada receiver untuk memperoleh amplifikasi yang tinggi dengan desah yang rendah.
- 25. Insulated Gate BipolarTransistor (IGBT ) Transistor dwikutub gerbang-terisolasi (IGBT = insulated gate bipolar transistor) adalah piranti semikonduktor yang setara dengan gabungan sebuah BJT dan sebuah MOSFET. Jenis peranti baru yang berfungsi sebagai komponen saklar untuk aplikasi daya.
- 26. Karakteristik IGBT • IGBTadalah penggabungan struktur dan sifatsifat dari kedua jenis transistor BJT dan MOSFET. • IGBT mempunyai sifat kerja yang darikedua jenis transistor tersebut. Saluran gerbang dari IGBT, sebagai saluran kendali juga mempunyai struktur bahan penyekat (isolator) sebagaimana pada MOSFET.
- 27. • Masukan dariIGBT adalah terminal Gerbang dari MOSFET, sedang terminal Sumber dari MOSFET terhubung ke terminal Basis dari BJT. Dengan demikian, arus cerat keluar dan dari MOSFET akan menjadi arus basis dari BJT. Karena besarnya resistansi masukan dari MOSFET, maka terminal masukan IGBT hanya akan menarik arus yang kecil dari sumber. Di pihak lain, arus cerat sebagai arus keluaran dari MOSFET akan cukup besar untuk membuat BJT mencapai keadaan jenuh.
- 28. • Terminal masukanIGBT mempunyai nilai impedansi yang sangat tingg. • Kecepatan pensaklaran IGBT juga lebih tinggi dibandingkan peranti BJT. • Terminal keluaran IGBT mempunyai sifat yang menyerupai terminal keluaran (kolektoremitor) BJT.
- 29. Sifat-sifat IGBT 1. padasaat keadaan tidak menghantar (off), saklar mempunyai tahanan yang besar sekali, mendekati nilai tak berhingga. Dengan kata lain, nilai arus bocor struktur saklar sangat kecil 2. Sebaliknya, pada saat keadaan menghantar (on), saklar mempunyai tahanan menghantar () yang sekecil mungkin. Ini akan membuat nilai tegangan jatuh (voltage drop) keadaan menghantar juga sekecil mungkin, demikian pula dengan besarnya borosan daya yang terjadi, dan kecepatan pensaklaran yang tinggi.
- 30. Susunan kaki-kaki elektroda transistor Adalahmenjadi hal yang sangat penting bagi setiap praktisi elektronik dalam mengetahui susunan kaki elektroda transistor, dikarenakan kesalahan dalam meletakkan kaki transistor bisa berakibat tidak berfungsinya transistor bahkan terancam kerusakan. Untuk transistortransistor low-signal atau low-power transistor, ada beberapa pola susunan kaki elektroda :
- 31. Aplikasi Transistor 1. Transistorsebagai saklar Jika sebuah transistor digunakan sebagai saklar, maka transistor tersebut hanya dioperasikan pada salah satu dari dua kondisi (mode) yaitu kondisi saturasi (jenuh) dimana transistor seperti saklar tertutup atau kondisi cut off (tersumbat) dimana transistor sebagai yang terbuka. Sedangkan jika transistor bekerja pada on atau off, maka transistor akan bekerja sebagai penguat yaitu jika Vbe transistor lebih besar 0,5 volt dan lebih kecil dari 0,8 volt.
- 32. • Ketika transistorberada dalam kondisi saturasi, maka: 1. Arus pada kolektor maksimum, Ic = Ic (sat). 2. Tegangan pada terminal kolektor emitter, Vce = 0 volt 3. Tegangan pada beban yang dihubungkan seri dengan terminal kolektor = Vce. • Sedangkan transistor dalam keadaan cut off, maka: 1. Tidak ada arus yang mengalir dikolektor Ic = 0 volt. 2. Tegangan pada terminal kolektor emitter dengan Vce, yaitu Vce = Vce. 3. Tegangan pada beban dihubungkan seri pada kaki kolektor adalah nol. Dalam merancang rangkaian transistor sebagai saklar maka agar saklar dapat menutup, harga lb > lb (sat) untuk menjamin dapat mencapai saturasi penuh.
- 33. 2. Transistor sebagaipenguat • Penguat arus Fungsi lain dari transistor adalah sebagai penguat arus. Karena fungsi ini maka transistor bisa dipakai untuk rangkaian power supply dengan tegangan yang di set. Untuk keperluan ini transistor harus dibias tegangan yang konstan pada basisnya, supaya pada emitor keluar tegangan yang tetap. Biasanya untuk mengatur tegangan basis supaya tetap digunakan sebuah dioda zener.
- 34. Transistor TR5 (NPN)dipakai untuk regulator tegangan positif dan transistor TR6 (PNP) digunakan untuk regulator tegangan negatif. Tegangan basis pada masing masing transistor dijaga agar nilainya tetap oleh dioda zener D3 dan D4. Dengan demikian tegangan yang keluar pada emitor mempunyai arus sebesar perkalian antara arus basis dan HFE transistor. • Penguat sinyal AC transistor juga bisa digunakan sebagai penguat tegangan pada sinyal AC. Untuk pemakaian transistor sebagai penguat sinyal digunakan beberapa macam teknik pembiasan basis transistor. Dalam bekerja sebagai penguat sinyal AC, transistor dikelompokkan menjadi beberapa jenis penguat, yaitu: penguat kelas A, penguat kelas B, penguat kelas AB, dan kelas C.
- 35. • R15 danR16 bekerjasama dalam mengatur tegangan bias pada basis transistor. Konfigurasi ini termasuk jenis penguat kelas A. Sinyal input masuk ke penguat melalui kapasitor C8 ke basis transistor. Dan sinyal output diambil pada kaki kolektor dengan melewati kapasitor C7. • Fungsi kapasitor pada input dan output penguat adalah untuk mengisolasi penguat terhadap pengaruh dari tegangan DC eksternal penguat. Hal ini berdasarkan karakteristik kapasitor yang tidak melewatkan tegangan DC
- 36. Daftar Pustaka Duro, Moh.2012.Pengertian dan Jenis Transistor. http://dien-elcom.blogspot.com/2012/08/pengertian-dan-jenistransistor.html. [29 Januari 2014] Sandi.2013. Pengenalan Komponen/Parts elektronika.http://sndelektronik.blogspot.com/2013/01/transistorbipolar.html [30 Januari 2014] Sarbina, Abi.2010. Fungsi dasar transistor.http://abisabrina.wordpress.com/2010/08/14/fungsi-dasartransistor/ [30 Januari 3014] NN.2012.Fungsi dan Cara Kerja Transistor.http://hobbielektronika.blogspot.com/2013/06/fungsi-dan-carakerja-transistor.html NN.2012..Transistor Sebagai Saklar. http://rangkaianelektronika.info/transistor-sebagai-saklar/. [30 Januari 2014] http://electronz-electronicsdesigning.blogspot.com/ http://ungunyadani.blogspot.com/2011/04/karakteristik-transistor-bipolar.html http://www.dnatechindia.com/Tutorial/Transistors/Bipolar-Transistor.html