Dokumen tersebut membahas tentang merancang FET/MOSFET sebagai penguat sinyal kecil, piranti saklar, dan penguat sinyal besar. Terdapat penjelasan mengenai susunan fisis, simbol, dan karakteristik FET/MOSFET beserta contoh-contoh penerapannya.
Dokumen tersebut membahas tentang jenis-jenis filter seperti filter Butterworth, Chebychev, dan Bessel. Ia juga menjelaskan karakteristik dan desain masing-masing filter serta memberikan contoh-contoh perhitungan untuk merancang filter low pass, high pass, dan skala komponen.
Dasar sistem telekomunikasi (modulasi)Fathan Hakim
Dokumen tersebut membahas tentang modulasi amplitudo dalam sistem telekomunikasi. Modulasi amplitudo adalah proses penumpangan sinyal informasi berupa gelombang sinus ke amplitudo gelombang sinus pembawa. Jenis-jenis modulasi amplitudo diantaranya adalah AM, DSB, SSB yang memanfaatkan variasi amplitudo gelombang pembawa untuk mengirimkan informasi.
Rangkaian penyearah gelombang penuh dengan kapasitor sebagai filterAhmad Mukholik
Dokumen ini membahas penggunaan kapasitor sebagai filter pada penyearah gelombang penuh untuk menghasilkan tegangan DC. Rangkaian ini terdiri atas 4 diode dan kapasitor sebagai filter untuk menekan ripple. Fungsi kapasitor adalah menekan ripple yang terjadi selama proses penyearahan gelombang AC sehingga output menjadi tegangan DC.
Dokumen tersebut membahas tentang jenis-jenis filter seperti filter Butterworth, Chebychev, dan Bessel. Ia juga menjelaskan karakteristik dan desain masing-masing filter serta memberikan contoh-contoh perhitungan untuk merancang filter low pass, high pass, dan skala komponen.
Dasar sistem telekomunikasi (modulasi)Fathan Hakim
Dokumen tersebut membahas tentang modulasi amplitudo dalam sistem telekomunikasi. Modulasi amplitudo adalah proses penumpangan sinyal informasi berupa gelombang sinus ke amplitudo gelombang sinus pembawa. Jenis-jenis modulasi amplitudo diantaranya adalah AM, DSB, SSB yang memanfaatkan variasi amplitudo gelombang pembawa untuk mengirimkan informasi.
Rangkaian penyearah gelombang penuh dengan kapasitor sebagai filterAhmad Mukholik
Dokumen ini membahas penggunaan kapasitor sebagai filter pada penyearah gelombang penuh untuk menghasilkan tegangan DC. Rangkaian ini terdiri atas 4 diode dan kapasitor sebagai filter untuk menekan ripple. Fungsi kapasitor adalah menekan ripple yang terjadi selama proses penyearahan gelombang AC sehingga output menjadi tegangan DC.
Transistor adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki 3 kaki elektroda, yaitu Basis (Dasar), Kolektor (Pengumpul) dan Emitor (Pemancar). Komponen ini berfungsi sebagai penguat, pemutus dan penyambung (switching), stabilitasi tegangan, modulasi sinyal dan masih banyak lagi fungsi lainnya.
Buku Antena dan Propagasi Gelombang merupakan buku pengantar yang disajikan untuk perguruan tinggi dan pemerhati bidang antena dan propagasi gelombang. Buku ini juga disertai pembahasan beberapa soal - soal sebagai latihan bagi mahasiswa dan peneliti lainnya. Pada pada jilid ke satu ini, topik pembahasan pada buku ini masih terbatas pada dasar antena, efisiensi antena, dasar saluran transmisi antena, polarisasi antena, penyetaraan luas antena, persamaan jarak dan bagian melintang pada radar, penentuan medan radiasi serta antena kawat.
Dokumen tersebut membahas tentang Analog to Digital Converter (ADC) dan Digital to Analog Converter (DAC). Secara singkat, ADC digunakan untuk mengubah sinyal analog menjadi digital, sedangkan DAC digunakan untuk mengubah sinyal digital menjadi analog. Dokumen ini juga menjelaskan proses sampling, quantization, dan encoding yang terjadi pada ADC, serta berbagai konfigurasi ADC pada mikrokontroler.
Modul ini membahas tentang pembangkitan sinyal digital menggunakan MATLAB, meliputi pembangkitan sinyal sinus, langkah, eksponensial, acak, dan suara. Langkah-langkahnya meliputi definisi persamaan matematika setiap sinyal, contoh kode MATLAB, dan penjelasan hasil plot. Modul ini juga mendemonstrasikan kombinasi beberapa sinyal dan pembangkitan nada dasar piano.
Laporan praktikum ini menjelaskan cara mengantarmukakan mikrokontroler dengan LED dan memprogramnya untuk mengontrol nyala LED. Dilakukan 5 percobaan dengan menggunakan berbagai kode biner dan heksadesimal untuk mengatur nyala LED secara bergantian selama 1 detik setiap pergantian.
Dokumen tersebut memberikan daftar nama dan merupakan bagian dari mata kuliah Fisika di salah satu perguruan tinggi. Tidak terdapat informasi lain yang relevan untuk diringkas.
Dokumen tersebut memberikan penjelasan tentang amplifier dan op-amp. Amplifier berfungsi untuk menguatkan sinyal suara sehingga menjadi lebih keras, sedangkan op-amp adalah penguat berpenguatan tinggi yang dapat beroperasi dalam berbagai mode seperti penguat pembalik, non-pembalik, dan diferensial. Kedua komponen elektronika ini memiliki bagian-bagian penting seperti input, penguat, dan output untuk mengolah sinyal listrik.
Makalah ini membahas tentang sistem komunikasi Quadrature Phase Shift Keying (QPSK). QPSK adalah salah satu jenis modulasi digital Phase Shift Keying yang memiliki empat fase yang berbeda untuk mewakili dua bit input. Makalah ini menjelaskan proses modulasi, demodulasi, dan komponen-komponen pada modulator dan demodulator QPSK."
Telekomunikasi Analog dan Digital - Slide week 7 derau dalam sistem komunikasiBeny Nugraha
Dokumen tersebut membahas tentang derau dalam sistem komunikasi, termasuk definisi derau, sumber-sumber derau, jenis-jenis derau seperti thermal noise, dan dampak derau terhadap performa sistem komunikasi yang diukur dengan rasio sinyal terhadap derau.
Dasar Telekomunikasi - Slide week 3 informasiBeny Nugraha
Modul ini membahas tentang definisi informasi dan cara mengukurnya berdasarkan teori informasi Claude Shannon. Informasi didefinisikan sebagai data yang telah diolah menjadi bentuk yang berarti bagi penerimanya. Nilai informasi diukur dalam bit yang bergantung pada kemungkinan terjadinya suatu simbol. Kapasitas saluran ditentukan oleh bandwidth dan rasio signal terhadap noise, sesuai rumus C = B log2(1+S/N).
1. Bipolar Junction Transistor (BJT) bekerja dengan menyalurkan arus elektron dari emitter ke collector melalui base tipis. Arus collector (iC) berbanding lurus dengan arus emitter (iE) dan tidak dipengaruhi tegangan antara collector-base (vCB) selama vCB tetap negatif.
2. Model rangkaian pengganti BJT pada mode aktif menggambarkan emitter sebagai sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan antara base-emitter (vBE). Ar
Dokumen tersebut membahas tentang pengukuran tahanan, terutama tahanan rendah dan tinggi, dengan metode amperemeter-voltmeter dan ohmmeter. Metode amperemeter-voltmeter digunakan untuk mengukur tahanan rendah dan tinggi dengan cara mengukur arus dan tegangan pada komponen, sedangkan ohmmeter dapat mengukur tahanan tetap maupun geser dengan membandingkan arus defleksi.
1. Transistor efek medan (FET) adalah transistor yang kerjanya berdasarkan pada pengaturan arus keluar dengan tegangan masukan. Ada dua jenis FET yaitu JFET dan MOSFET.
2. JFET terdiri atas kanal-N dan kanal-P, dimana arus antara drain dan source dikontrol oleh gate. Kurva karakteristik JFET menunjukkan hubungan antara arus drain dan tegangan gate-source.
3. Bias sendiri dan bias sumber arus digunak
Transistor adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki 3 kaki elektroda, yaitu Basis (Dasar), Kolektor (Pengumpul) dan Emitor (Pemancar). Komponen ini berfungsi sebagai penguat, pemutus dan penyambung (switching), stabilitasi tegangan, modulasi sinyal dan masih banyak lagi fungsi lainnya.
Buku Antena dan Propagasi Gelombang merupakan buku pengantar yang disajikan untuk perguruan tinggi dan pemerhati bidang antena dan propagasi gelombang. Buku ini juga disertai pembahasan beberapa soal - soal sebagai latihan bagi mahasiswa dan peneliti lainnya. Pada pada jilid ke satu ini, topik pembahasan pada buku ini masih terbatas pada dasar antena, efisiensi antena, dasar saluran transmisi antena, polarisasi antena, penyetaraan luas antena, persamaan jarak dan bagian melintang pada radar, penentuan medan radiasi serta antena kawat.
Dokumen tersebut membahas tentang Analog to Digital Converter (ADC) dan Digital to Analog Converter (DAC). Secara singkat, ADC digunakan untuk mengubah sinyal analog menjadi digital, sedangkan DAC digunakan untuk mengubah sinyal digital menjadi analog. Dokumen ini juga menjelaskan proses sampling, quantization, dan encoding yang terjadi pada ADC, serta berbagai konfigurasi ADC pada mikrokontroler.
Modul ini membahas tentang pembangkitan sinyal digital menggunakan MATLAB, meliputi pembangkitan sinyal sinus, langkah, eksponensial, acak, dan suara. Langkah-langkahnya meliputi definisi persamaan matematika setiap sinyal, contoh kode MATLAB, dan penjelasan hasil plot. Modul ini juga mendemonstrasikan kombinasi beberapa sinyal dan pembangkitan nada dasar piano.
Laporan praktikum ini menjelaskan cara mengantarmukakan mikrokontroler dengan LED dan memprogramnya untuk mengontrol nyala LED. Dilakukan 5 percobaan dengan menggunakan berbagai kode biner dan heksadesimal untuk mengatur nyala LED secara bergantian selama 1 detik setiap pergantian.
Dokumen tersebut memberikan daftar nama dan merupakan bagian dari mata kuliah Fisika di salah satu perguruan tinggi. Tidak terdapat informasi lain yang relevan untuk diringkas.
Dokumen tersebut memberikan penjelasan tentang amplifier dan op-amp. Amplifier berfungsi untuk menguatkan sinyal suara sehingga menjadi lebih keras, sedangkan op-amp adalah penguat berpenguatan tinggi yang dapat beroperasi dalam berbagai mode seperti penguat pembalik, non-pembalik, dan diferensial. Kedua komponen elektronika ini memiliki bagian-bagian penting seperti input, penguat, dan output untuk mengolah sinyal listrik.
Makalah ini membahas tentang sistem komunikasi Quadrature Phase Shift Keying (QPSK). QPSK adalah salah satu jenis modulasi digital Phase Shift Keying yang memiliki empat fase yang berbeda untuk mewakili dua bit input. Makalah ini menjelaskan proses modulasi, demodulasi, dan komponen-komponen pada modulator dan demodulator QPSK."
Telekomunikasi Analog dan Digital - Slide week 7 derau dalam sistem komunikasiBeny Nugraha
Dokumen tersebut membahas tentang derau dalam sistem komunikasi, termasuk definisi derau, sumber-sumber derau, jenis-jenis derau seperti thermal noise, dan dampak derau terhadap performa sistem komunikasi yang diukur dengan rasio sinyal terhadap derau.
Dasar Telekomunikasi - Slide week 3 informasiBeny Nugraha
Modul ini membahas tentang definisi informasi dan cara mengukurnya berdasarkan teori informasi Claude Shannon. Informasi didefinisikan sebagai data yang telah diolah menjadi bentuk yang berarti bagi penerimanya. Nilai informasi diukur dalam bit yang bergantung pada kemungkinan terjadinya suatu simbol. Kapasitas saluran ditentukan oleh bandwidth dan rasio signal terhadap noise, sesuai rumus C = B log2(1+S/N).
1. Bipolar Junction Transistor (BJT) bekerja dengan menyalurkan arus elektron dari emitter ke collector melalui base tipis. Arus collector (iC) berbanding lurus dengan arus emitter (iE) dan tidak dipengaruhi tegangan antara collector-base (vCB) selama vCB tetap negatif.
2. Model rangkaian pengganti BJT pada mode aktif menggambarkan emitter sebagai sumber arus yang dikendalikan oleh tegangan antara base-emitter (vBE). Ar
Dokumen tersebut membahas tentang pengukuran tahanan, terutama tahanan rendah dan tinggi, dengan metode amperemeter-voltmeter dan ohmmeter. Metode amperemeter-voltmeter digunakan untuk mengukur tahanan rendah dan tinggi dengan cara mengukur arus dan tegangan pada komponen, sedangkan ohmmeter dapat mengukur tahanan tetap maupun geser dengan membandingkan arus defleksi.
1. Transistor efek medan (FET) adalah transistor yang kerjanya berdasarkan pada pengaturan arus keluar dengan tegangan masukan. Ada dua jenis FET yaitu JFET dan MOSFET.
2. JFET terdiri atas kanal-N dan kanal-P, dimana arus antara drain dan source dikontrol oleh gate. Kurva karakteristik JFET menunjukkan hubungan antara arus drain dan tegangan gate-source.
3. Bias sendiri dan bias sumber arus digunak
1. JFET adalah transistor efek medan yang menggunakan efek medan untuk mengontrol aliran arus antara sumber dan drain.
2. JFET dapat dibiaskan pada daerah ohmik atau aktif, di mana pada daerah ohmik JFET akan bertindak seperti resistor dan pada daerah aktif seperti sumber arus.
3. Tegangan gerbang mengontrol besaran arus drain, di mana semakin negatif tegangan gerbang akan mengurangi ar
MOSFET adalah transistor efek medan logam oksida semikonduktor yang menggabungkan konsep efek medan dan teknologi MOS. Faktor-faktor yang menentukan daerah operasi aman (SOA) MOSFET meliputi arus drain maksimum, tegangan rusak, dan suhu persimpangan. MOSFET memiliki koefisien suhu positif sehingga pemanasan lokal dapat merata di seluruh area.
JFET (Junction Gate Field Effect Transistor) adalah tipe transistor efek medan yang menggunakan medan listrik untuk mengendalikan konduktivitas kanal semikonduktor. JFET memiliki tiga terminal yaitu drain, source, dan gate. Tegangan antara gate dan source dapat mengontrol aliran muatan di kanal. JFET banyak digunakan dalam penguat tegangan karena karakteristik linearitasnya.
JFET (Junction Gate Field Effect Transistor) adalah tipe transistor efek medan yang menggunakan medan listrik untuk mengendalikan aliran muatan di kanal semikonduktor. JFET memiliki tiga terminal yaitu drain, source, dan gate. Tegangan antara gate dan source dapat mengontrol lebar lapisan deplesi dan mengatur aliran muatan di kanal. JFET banyak digunakan sebagai penguat tegangan karena memiliki impedansi masukan yang tinggi.
Dokumen tersebut membahas tentang jenis-jenis dan prinsip kerja transformator. Secara singkat, transformator digunakan untuk mengubah tegangan listrik bolak-balik antara nilai tertentu. Terdapat beberapa jenis transformator seperti step-up, step-down, autotransformator.
Dokumen tersebut membahas tentang karakteristik transistor, termasuk jenis transistor seperti BJT dan FET, simbol dan gambar transistor, serta karakteristik masukan, transfer, dan keluaran untuk konfigurasi basis bersama dan emitor bersama.
Transistor adalah komponen elektronik penting yang digunakan dalam berbagai aplikasi seperti amplifier, saklar, logic gate, dan memori. Terdapat dua jenis transistor utama, yaitu transistor bipolar (BJT) dan transistor efek medan (FET). BJT menggunakan arus input sedangkan FET menggunakan tegangan input. Transistor memiliki tiga terminal utama yaitu emitor, basis, dan kolektor pada BJT serta drain, gerbang, dan sumber pada FET
Transistor adalah alat semi konduktor yang dipakai sebagai penguat, sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.
Transistor adalah dioda dengan dua sambungan yang membentuk transistor PNP atau NPN. Transistor berfungsi sebagai penguat, saklar, stabilisasi tegangan, dan modulasi sinyal. Terdapat dua jenis transistor, yaitu transistor bipolar (BJT) dan transistor efek medan (FET).
Transistor adalah alat semikonduktor yang berfungsi sebagai penguat sinyal dan pengontrol arus listrik. Terdapat tiga tipe tegangan pada transistor yaitu tegangan sumber, terminal, dan lintas persambungan. Karakteristik utama transistor adalah kurva hubungan antara arus kolektor dan tegangan kolektor-emiter yang menunjukkan empat daerah operasi yaitu potong, saturasi, aktif, dan breakdown. Garis beban transistor digambarkan pada k
Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistordzikri nur husna husna
1. MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah transistor semikonduktor yang menggunakan lapisan oksida tipis untuk mengontrol aliran muatan. Terdapat dua jenis MOSFET yaitu NMOS dan PMOS.
2. Karakteristik operasi MOSFET meliputi daerah cut-off, linear, dan saturasi yang ditentukan oleh tegangan gerbang, drain, dan sumber. Tegangan ambang menentukan apakah kanal dapat terbentuk atau tidak
Tugas elektronika dan rl hasyimtri transistor revisiHasyim Tri
Transistor adalah ”alat semi konduktor” yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan arus inputnya atau tegangan inputnya , memungkinkan pengaliran listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.
Dokumen tersebut membahas tentang merencanakan rangkaian penguat depan universal audio (universal pre-amplifier) yang dapat menguatkan sinyal dari berbagai sumber seperti mikrofon dan pemungut suara magnetik. Rangkaian tersebut dirancang menggunakan dua tingkat transistor dengan pengaturan titik kerja dan umpan balik untuk menstabilkan penguatan dari perubahan suhu."
Konsep mutu dan paradigma penjaminan mutuagus saefudin
Sistem pengembangan dan peningkatan mutu pendidikan harus dibangun dan dikembangkan secara nasional dalam upaya meningkatkan daya saing, citra, dan akuntabilitas publik. Kegiatan penjaminan mutu tertuju pda proses untuk membangun kepercayaan dengan cara melakukan pemenuhan persyaratan atau standar minimum pada komponen input, komponen proses dan hasil atau outcome sesuai dengan yang diharapkan oleh stake holders.
Dokumen tersebut membahas tentang implementasi pembelajaran berbasis masalah pada mata pelajaran sains. Pembelajaran berbasis masalah dimulai dengan mengajukan masalah kepada siswa untuk diselesaikan, yang melibatkan penyelidikan mandiri dan kelompok untuk menemukan solusi. Pendekatan ini bertujuan meningkatkan kemampuan berpikir kritis dan pemecahan masalah siswa.
Makalah ini membahas pentingnya dimensi penggerakan (actuating) dalam meningkatkan mutu pendidikan di Indonesia. Beberapa faktor yang mempengaruhi mutu pendidikan diantaranya kebijakan pendidikan, penyelenggaraan pendidikan, dan kepemimpinan sekolah. Otonomi sekolah diharapkan dapat meningkatkan efektivitas pengelolaan pendidikan di daerah."
Perkembangan teknologi dewasa ini semakin pesat dan menakjubkan. Banyak negara di dunia ini yang melakukan riset dalam hal perkembangan robot. Seolah tak mau kalah negara-negara maju, seperti: Amerika Serikat, Jepang, Korea selatan dan China terus melakukan inovasi dalam hal perancangan dan penggunaan teknologi tinggi (high tech) dalam menciptakan robot-robot cerdas dengan menerapkan kecerdasan buatan (artificial intellegent).
Dokumen tersebut membahas pengertian pendekatan, strategi, metode, teknik, taktik, dan model pembelajaran serta teori-teori pembelajaran. Ia menjelaskan perbedaan antara konsep-konsep tersebut dan hubungannya satu sama lain dalam proses pembelajaran. Teori-teori pembelajaran yang disebutkan meliputi teori behaviorisme, kognitif, pemrosesan informasi, dan gestalt.
Ujian nasional Teknik Audio Video untuk SMK Negeri 2 Bawang dilaksanakan pada tanggal 15 Maret 2014 dengan bentuk soal pilihan ganda sebanyak 100 soal. Soal meliputi konsep-konsep dasar elektronika seperti komponen pasif, rangkaian listrik, transistor, operational amplifier, dan audio amplifier. Peserta diinstruksikan untuk memeriksa soal secara teliti sebelum menjawab.
Modul Ajar Bahasa Indonesia Kelas 7 Fase D Kurikulum Merdeka - [abdiera.com]Fathan Emran
Modul Ajar Bahasa Indonesia Kelas 7 SMP/MTs Fase D Kurikulum Merdeka - abdiera.com. Modul Ajar Bahasa Indonesia Kelas 7 SMP/MTs Fase D Kurikulum Merdeka. Modul Ajar Bahasa Indonesia Kelas 7 SMP/MTs Fase D Kurikulum Merdeka. Modul Ajar Bahasa Indonesia Kelas 7 SMP/MTs Fase D Kurikulum Merdeka. Modul Ajar Bahasa Indonesia Kelas 7 SMP/MTs Fase D Kurikulum Merdeka. Modul Ajar Bahasa Indonesia Kelas 7 SMP/MTs Fase D Kurikulum Merdeka.
Modul Ajar Bahasa Inggris Kelas 10 Fase E Kurikulum MerdekaFathan Emran
Modul Ajar Bahasa Inggris Kelas 10 SMA/MA Fase E Kurikulum Merdeka - abdiera.com. Modul Ajar Bahasa Inggris Kelas 10 SMA/MA Fase E Kurikulum Merdeka. Modul Ajar Bahasa Inggris Kelas 10 SMA/MA Fase E Kurikulum Merdeka.
Universitas Negeri Jakarta banyak melahirkan tokoh pendidikan yang memiliki pengaruh didunia pendidikan. Beberapa diantaranya ada didalam file presentasi
Modul Ajar Informatika Kelas 7 Fase D Kurikulum Merdeka
01 merancang fet mosfet
1. MERANCANG FET/MOSFET
SEBAGAI PENGUAT
DAN PIRANTI SAKLAR
AGUS SAEFUDIN, S.Pd., M.Pd.
NIP. 19751018 200903 1 002
BIDANG STUDI KEAHLIAN TEKNOLOGI DAN REKAYASA
PROGRAM STUDI KEAHLIAN TEKNIK ELEKTRONIKA
KOMPETENSI KEAHLIAN TEKNIK AUDIO VIDEO
SMK NEGERI 2 BAWANG
2017
Mata Pelajaran:
Penerapan Rangkaian Elektronika
2. 3.1.
MERANCANG FET/MOSFET
SEBAGAI PENGUAT DAN
PIRANTI SAKLAR
INDIKATOR PENGETAHUAN
1. Memahami susunan fisis, simbol dan
karakteristik FET/MOSFET;
2. Merencanakan FET/MOSFET sebagai penguat
sinyal kecil;
3. Merancanakan FET/MOSFET sebagai piranti
saklar;
4. Merencanakan FET/MOSFET sebagai penguat
sinyal besar (penguat daya);
5. Menginterprestasikan datasheet macam-macam
tipe FET/MOSFET untuk keperluan perencanaan;
6. Menerapkan metode pencarian kesalahan
FET/MOSFET sebagai penguat/piranti saklar
akibat pergeseran titik kerja DC.
INDIKATOR KETERAMPILAN
1. Menggambarkan susunan fisis, simbol untuk menjelaskan
prinsip kerja danparameter karakteristik FET/MOSFET;
2. Melakukan eksperimen FET/MOSFET sebagai penguat sinyal
kecil menggunakan perangkat lunak dan pengujian perangkat
keras serta interprestasi data hasil pengukuran;
3. Melakukan eksperimen FET/MOSFET sebagai piranti saklar
menggunakan perangkat lunak dan pengujian perangkat keras
serta interprestasi data hasil pengukur;
4. Melakukan eksperimen FET/MOSFET sebagai penguat sinyal
besar (penguat daya) menggunakan perangkat lunak dan
pengujian perangkat keras serta interprestasi data hasil
pengukuran;
5. Menggunakan datasheet macam-macam tipe FET/MOSFET
untuk keperluan pengujian perangkat keras;
6. Mencoba dan menerapkan metode pencarian kesalahan
FET/MOSFET sebagai penguat dan piranti saklar.
4.1.
MERANCANG FET/MOSFET
SEBAGAI PENGUAT DAN PIRANTI
SAKLAR
4. MEMAHAMI SUSUNAN FISIS, SIMBOL
DAN KARAKTERISTIK FET/MOSFET
PENGERTIAN FET
FET singkatan dari Field
Effect Transistor, adalah
suatu komponen semi
konduktor yang cara
kerjanya berdasarkan
pengendalian arus drain
dengan medan listrik
pada gate. FET disebut
transistor unipolar
karena cara kerjanya
hanya berdasarkan aliran
pembawa muatan
mayoritas saja.
Sedangkan transistor
disebut bipolar junction
transistor karena bekerja
berdasarkan aliran
pembawa muatan
mayoritas dan minoritas.
Gambar 2. a Struktur FET b.Junction FET
Struktur FET
Kalau diperhatikan dari struktur keluarga transistor seperti
yang terlihat pada gambar 1, FET berbeda dengan transistor
bipolar (BJT) karena bukan pertemuan dari 3 lapis seperti
layaknya diode atau Bipolar junction Transistor, FET
merupakan uni polar.
Gambar 1. Keluarga Transistor (Semi Konduktor)
5. MEMAHAMI SUSUNAN FISIS, SIMBOL
DAN KARAKTERISTIK FET/MOSFET
Pada gambar 2a menunjukkan struktur suatu FET saluran N. FET ini terdiri
dari batang semi konduktor type N yang pada kedua sisinya diapit oleh
bahan semi konduktor type P. FET memiliki 3 elektroda, yakni; Source (S),
Gate (G), dan Drain (D).
Antara (G) dan (S) dipasang tegangan UGG yang merupakan reverse bias
bagi gate (G). Karena dioda antara (G) dan (S) mengalami reverse bias, maka
timbulah Depletion Layer pada junction (Gambar 2b), supaya terjadi aliran
antara (S) dan (D), maka antara kedua elektroda ini dipasang sumber
tegangan (UDD).
Besar kecilnya arus yang mengalir tergantung dari lebarnya Depletion Layer
tadi. Jika UGG besar, Depletion Layer akan menjadi sedemikian lebarnya
sehingga hampir menutup saluran antara (D) dan (S). Karena pada Depletion
Layer tidak ada pembawa muatan, berarti bahwa jumlah pembawa muatan
pada saluran menjadi kecil. Jika UGG kecil, Depletion Layer cukup tipis dan
saluran antara (S) dan (D) cukup lebar, dengan demikian arus yang mengalir
cukup besar. Jadi tegangan gate menentukan besarnya arus yang mengalir
antara (D - S). Karena G dalam kondisi reverse bias, arus (G) dianggap sama
dengan nol.
Gambar 3a. menunjukkan simbol
dari J FET dengan saluran N dan
Gambar 3b. adalah J FET dengan
saluran P.
Gambar 3.a. Simbol J-FET Saluran N
Gambar 3.b. Simbol J-FET Saluran P
6. MEMAHAMI SUSUNAN FISIS, SIMBOL
DAN KARAKTERISTIK FET/MOSFET
SIFAT DASAR FET
Untuk mengetahui sifat dasar FET dibutuhkan
rangkaian penguji FET seperti yang ditunjukkan
pada gambar 4, pada kaki gate di berikan
tegangan yang dapat diatur tegangannya mulai 0
V sampai ke minus (- V/ bias negatif), sedangkan
pada kaki D-S diberikan supply positif.
Pada Gambar 5 menunjukkan bahwa makin
negatif tegangan Gate-Source UGS, maka makin
kecil pula arus Drain ID. Pada kondisi normal JFET
selalu bekerja pada bagian karakteristik linier
datar, atau dengan kata lain JFET dioperasikan
pada tegangan Drain yang lebih besar dari
tegangan knee K., tetapi lebih kecil dari tegangan
breakdown-nya.
Gambar 4.
Rangkaian pengukuran kurva JFET
7. MEMAHAMI SUSUNAN FISIS, SIMBOL
DAN KARAKTERISTIK FET/MOSFET
Lihat Gambar 5, UDS harus dibuat lebih besar dari 4 Volt tetapi lebih
kecil dari 30 V. Dengan demikian UGS harus letakkan antara ( 0 s/d 4V ).
Tegangan knee untuk lengkung karakteristik yang paling atas disebut
pinch off voltage (Up),jadi bila pada lembar data tertulis Up=4 Volt, JFET
tersebut harus dioperasikan dengan tegangan UDS yang lebih besar dari
4 Volt. Dari gambar kurva, dapat kita lihat bahwa pada tegangan UGS= -
4 V arus drain hampir = 0. Nilai UGS yang menyebabkan ID = 0 ini
disebut Gate Source Cut Off Voltage (UGS = Off). Up dan UGS (off)
memiliki hubungan penting yaitu nilai mutlak Up = nilai mutlak UGS
(off) hanya tandanya yang berbeda;
Up = 4 V
UGSoff = -4 V
Hal ini berlaku untuk semua JFET dan harus diingat bahwa pada
lembaran data JFET hanya akan disebutkan nilai (UGS off) saja.
Lengkung karakteristik yang paling atas dibuat dengan tegangan gate =
0, keadaan sama dengan keadaan dimana gate dihubung singkat
dengan source. Arus drain hampir datar dan dianggap sama, walau
tegangan drain diubah-ubah dan pada lembar data arus ini disebut Idss.
Pada gambar kurva tampak bahwa jarak antara garis-garis mendatar itu
tidak sama meskipun selisih UGS untuk tiap-tiap garis tetap 1 Volt
Gambar 5.
Kurva Karakteristik JFET
8.
9. MEMAHAMI SUSUNAN FISIS, SIMBOL
DAN KARAKTERISTIK FET/MOSFET
PARAMETER JFET
Karakteristik output dari
JFET menggambarkan
hubungan antara Arus drain
(ID) dan UDS dengan
parameter berbagai
besaran UGS, seperti yang
terlihat pada Gambar 7.
Arus Transkonduktansi
menghubungkan arus
output dengan tegangan
input. Untuk JFET adalah
grafik ID terhadap UGS.
Dalam Gambar 8
menunjukan
transkonduktansi dari suatu
JFET
Gambar 7.
Kurva karakteristik output
dari JFET
Gambar 8.
Kurva Transkonduktansi
Transkonduktansi
adalah arus drain ac
dibagi dengan
tegangan gate source
ac.
Transkonduktansi
mengindikasikan
efektif tidaknya
tegangan gate source
dalam mengendalikan
arus drain.
10. MEMAHAMI SUSUNAN FISIS, SIMBOL
DAN KARAKTERISTIK FET/MOSFET
Contoh sebuah JFET mempunyai IDSS sebesar 4 mA dan UGS(off) sebesar - 2 V.
Dengan substitusi ke dalam persamaan 1 di bawah
Dengan persamaan ini kita dapat menghitung arus drain untuk setiap tegangan
gerbang dalam daerah aktif . Banyak lembaran data tidak memberikan kurva
output dan kurva transkonduktansi, Tetapi kita bisa memperoleh harga dari
IDSS dan UGS(off) dengan cara substitusi harga-harga tersebut ke dalam
persamaan 1.
11. MEMAHAMI SUSUNAN FISIS, SIMBOL
DAN KARAKTERISTIK FET/MOSFET
NORMALISASI KURVA
TRANSKONDUKTANSI
12. MEMAHAMI SUSUNAN FISIS, SIMBOL
DAN KARAKTERISTIK FET/MOSFET
TRANSKONDUKTANSI
Besaran gm disebut transkonduktansi, didefinisikan
sebagai
Transkonduktansi sama dengan perubahan arus drain
dibagi dengan perubahan tegangan gerbang yang
bersangkutan. Jika perubahan tegangan gerbang
sebesar 0,1 V menghasilkan perubahan arus drain
sebesar 0,2 mA.
Catatan:
S adalah simbol untuk satuan “siemens,” mula-mula
dinyatakan sebagai “mho”. Gambar 10 nilai gm adalah
kurva transkonduktansi.
Untuk menghitung gm pada suatu titik operasi, kita pilih
dua titik yang berdekatan seperti A dan B pada tiap sisi
dari titik Q Rasio perubahan ID terhadap perubahan
dalam UGS memberikan harga gm antara kedua titik
tersebut.
Jika kita pilih pasangan titik yang lain pada bagian kurva
yang lebih atas yaitu C dan D kita dapatkan perubahan ID
yang lebih besar untuk suatu perubahan dalam UGS ;
karena itu gm pada bagian kurva yang lebih atas
mempunyai harga yang lebih besar.
Pada lembaran data untuk JFET biasanya diberikan harga
gm pada UGS = 0 yaitu harga gm antara titik-titik seperti C
dan D dalam Gambar 10. Harga gm sebagai gmo untuk
menunjukkan harga tersebut di ukur pada UGS = 0.
Dengan menurunkan kemiringan (slope) dari kurva
transkonduktansi pada titiktitik lain, kita dapat
membuktikan setiap gm sama dengan
13. MEMAHAMI SUSUNAN FISIS, SIMBOL
DAN KARAKTERISTIK FET/MOSFET
Kadang-kadang , gm dinyatakan sebagai
gm (transkonduktansi forward) atau yfs
(transmitansi forward) Jika kita tidak
dapat mendapatkan gm pada lembaran
data, dicari gfs atau yfs.
Sebagai contoh,
lembaran data dari sebuah JFET
2N5951 memberikan gfs = 6,5 mjS pada
UGS = 0; ini ekivalen dengan gmo = 6,5
mS = 6500 µS. Sebagai contoh
lain, lembar data 2N5457 , yfs = 3000
µS untuk UGS= 0, ekivalen
dengan gmo = 3000 µS
Gambar 10. Arti grafik dari transkonduktansi
14.
15.
16. MEMAHAMI SUSUNAN FISIS, SIMBOL
DAN KARAKTERISTIK FET/MOSFET
PENALAAN HARGA HARGA
UGS(off)
Dengan perhitungan didapat penurunan
rumus sebagai berikut :
Persamaan 5.6
Ini berguna karena di samping IDSS dan
gmo mudah di ukur dengan ketelitian yang
tinggi UGS(off) sukar di ukur, persamaan
(5.6) memberikan jalan untuk menghitung
UGS(OFF) dengan ketelitian yang tinggi.
Resistansi Cerat AC
Resistansi rDS adalah resistansi ac
Di atas tegangan pinchoff, perubahan ID kecil untuk
suatu perubahan dalam UDS karena kurvanya hampir
rata ;karena itu rds mempunyai harga yang besar; secara
tipikal antara 10 kΩ sampai 1 M Ω.
17. MEMAHAMI SUSUNAN FISIS, SIMBOL
DAN KARAKTERISTIK FET/MOSFET
Sebagai contoh,
jika suatu perubahan dalam tegangan cerat
sebesar 2 V menghasilkan perubahan
dalam arus cerat sebesar 0,02 mA.
Lembaran data biasanya tidak mendaftar
harga rds, tetapi mereka memberikan
spesifikasi timbal balik, baik gos
(konduktansi output) atau
yos (admitansi output).
Resistansi drain-source dihubungkan dengan harga
lembaran data sebagai berikut :
18. MEMAHAMI SUSUNAN FISIS, SIMBOL
DAN KARAKTERISTIK FET/MOSFET
RESITANSI DRAIN-SOURCE DALAM KEADAAN BEKERJA
Pada daerah aktif, JFET bekerja sebagai sebuah
sumber arus. Tetapi dalam daerah jenuh
(tegangan drain-source lebih kecil dari Up) akan
bekerja sebagai sebuah resistor, karena dalam
daerah jenuh. Suatu perubahan dalam tegangan
drain-source menghasilkan perubahan yang
sebanding dalam arus drain. Ini merupakan
alasan daerah jenuh dari JFET beroperasi pada
daerah resistif dan didefinisikan sebagai:
19. MERENCANAKAN FET/MOSFET SEBAGAI PENGUAT
SINYAL KECIL;
MERENCANAKAN FET/MOSFET SEBAGAI PIRANTI
SAKLAR;
MERENCANAKAN FET/MOSFET SEBAGAI PENGUAT
SINYAL BESAR (PENGUAT DAYA)
20. ANALISA RANGKAIAN FET
ANALISA RANGKAIAN FET
Dalam sub bab ini dibahas analisai mengenai titik kerja
DC dan AC dari rangkaian FET.
BIAS SENDIRI (SELF BIAS)
Pada Gambar 11a menunjukkan self bias yang
digunakan untuk membias JFET. Arus drain mengalir
melalui Rp dan RS, dan menghasilkan tegangan drain
source:
Karena arus gate kecil dapat di abaikan sehinggai UG ≈
0, maka perbedaan potensial antara gate dan source
adalah:
Tegangan bias UGS =0, maka tidak diperlukan sumber
tegangan luar untuk bias gate, maka rangkaian tersebut
dikenal sebagai rangkaian bias sendiri.
23. ANALISA RANGKAIAN FET
GRAFIK BIAS SENDIRI
Dengan persamaan-
persamaan 5.2; 5.6; dan
5.10, dapat diturunkan
hubungan antara arus drain,
transkonduktansi dan
resistor bias source. Grafik
ini berlaku untuk semua
JFET. Grafik tersebut akan
membantu menentukan titik
Q dari rangkaian terbias
sendiri.
Contoh 4
Sebuah rangkaian terbias
sendiri menggunakan JFET
dengan IDSS = 10 mA, RS =
100 Ω, dan gmo = 3000 µS.
Berapa besarnya arus cerat ?
26. ANALISA RANGKAIAN FET
BIAS SUMBER ARUS
Bias sumber arus adalah upaya untuk menstabilkan
arus Drain terhadap perubahan parameter FET. Untuk
mendapatkan kesetabilan dari perubahan yang
diakibatkan oleh parameter FET dilakukan hal seperti di
bawah ini:
1. Dua Catu Daya
Pada Gambar 15a menunjukkan sebuah catu ganda
Transistor bipolar bekerja sebagai sebuah sumber
arus dan menetapkan JFET mempunyai ID sama
dengan IC. Dalam Gambar 15a, transistor bipolar
mempunyai arus emiter sebesar .
Dioda kolektor bekerja sebagai sebuah sumber
arus, karenanya menetapkan arus Drain mendekati
sama dengan IE. Kondisi yang harus dipenuhi:
Hal ini menjaga UGS berpolaritas negatif.
Bias sumber arus
seperti Gambar
15a menentukan
UGS konstan.
Perubahan yang
berarti hanyalah
UBE dari
transistor
bipolar. Tetapi
perubahan UBE
ini hanyalah
sepersepuluh
volt. Karena itu
dengan
rangkaian seperti
Gambar 15a
didapatkan harga
ID yang hampir
penuh (solid).
Gambar 15a. Bias sumber arus
27. ANALISA RANGKAIAN FET
Sebagai contoh yang
nyata, arus emiter
dalam Gambar 15b
adalah
Ini memaksa arus Drain
mendekati harga sama
dengan
1mA. Tegangan Drain ke
Ground adalah :
Gambar 15b. Bias sumber arus
2. Catu Tunggal pada
rangkaian FET
Bias dapat digunakan
sumber arus seperti
ditunjukkan dalam Gambar
15c, dalam rangkaian ini
pembagi arus (R1 dan R2)
menetapkan bias pembagi
tegangan pada transistor
bipolar. Dioda kolektor
bekerja sebagai sebuah
sumber arus yang
memaksa arus drain sama
dengan arus kolektor.
Secara khusus
perhatikanlah Gambar 15c,
jangan merubah posisi
bawah RG.
Gambar 15c. Bias sumber arus
29. KONFIGURASI RANGKAIAN JFET
KONFIGURASI RANGKAIAN JFET
Rangkaian JFET bisa didisain menjadi tiga
konfigurasi yang disesuaikan dengan
kebutuhan rangkaian tersebut, yaitu:
Konfigurasi common source, common
drain dan common gate.
1. Common Source
Dalam konfigurasi ini sinyal masukan (Ui)
dimasukkan antara Gate dan Source,
sedangkan beban dipasang antara Drain
dan Source. Dalam rangkaian ini
impedansi input adalah tak terhingga dan
sinyal output berbeda fasa 180o terhadap
sinyal input. Konfigurasi ini adalah yang
paling banyak diterapkan untuk aplikasi
penguat secara umum sebagai
tandingannya adalah dengan rangkaian
tunggal emitor bila menggunakan
transistor.
Gambar 17.
Rangkaian Penguat Tunggal
Common Source
Gambar 16.
Menaikkan impedansi input
dengan memasang RG
30. KONFIGURASI RANGKAIAN JFET
2. Common Gate
Rangkaian Common
Gate Configuration
seperti terlihat pada
Gambar 18. Dalam
konfigurasi ini
pengendalian dilakukan
pada Source, sinyal
output diambil dari
Drain.
Tidak terjadi perbedaan
fasa antara input dan
output, tetapi
konfigurasi penguat ini
mempunyai Impedansi
input yang rendah.
Perbandingan jika
menggunakan
transistor adalah
common base
Gambar 18. Rangkaian Common Gate
3. Common Drain Configuration
Rangkaian Common Drain seperti
terlihat pada Gambar 19. Dalam
rangkaian ini pengendalian
dilakukan pada Gate, sedangkan
output diambil pada Source.
Tegangan sinyal output adalah
lebih kecil dari tegangan sinyal
input.
Tidak terjadi perbedaan fasa
antara sinyal input dan output,
oleh karena itu rangkaian disebut
sebagai Source Follower.
Impedansi output rendah.
Gambar 19. Rangkaian Common Drain
31. APLIKASI PENGGUNAAN FET
APLIKASI PENGGUNAAN DENGAN
FET
FET dipergunakan pada rangkaian dengan
spesifikasi impedansi input tinggi serta
impedansi output rendah, seperti pada
rangkaian penguat depan yang berimpedansi
tinggi, penguat RF dan sebagainya.
FET SEBAGAI PENGUAT SINYAL ANALOG
1. Rangkaian Penguat Diferensial
Karena sifat-sifat khusus seperti dijelaskan di
atas, maka salah satu aplikasi FET adalah
dirancang sebagai penguat diferensial seperti
yang ditunjukkan pada Gambar 20. Gambar 20. Rangkaian Penguat Diferensial
32. APLIKASI PENGGUNAAN FET
2. Rangkaian
Sumber Arus
Konstan
Rangkaian
sumber arus
konstan dipakai
sebagai
pengganti
resistor yang
statis menjadi
sumber arus
konstan yang
dinamis.
Gambar 21. Rangkaian sumber arus konstan
3. FET SEBAGAI SAKLAR
Jika sakelar manual tidak
mampu mengimbangi
kecepatan yang
dibutuhkan maka
solusinya adalah dengan
menggunakan Saklar
elektronik pada saat
tertentu dibutuhkan
untuk menghindari sifat
mekanis.
Saklar on FET
menghantarkan,
Saklar off FET
menutup, dan
Karakteristik saklar
(penghubung) :
FET Kanal - n
Gambar 22. FET sebagai saklar
38. MENGINTERPRESTASIKAN DATASHEET MACAM-MACAM
TIPE FET/MOSFET UNTUK KEPERLUAN PERENCANAAN
HARGA BATAS
Harga batas adalah suatu keterangan tentang
data-data komponen FET dan MOSFET yang
harus di penuhi dan tidak boleh dilampaui
batas maksimumnya serta tidak jauh
berkurang dari baras minimumnya.
Adapun harga batas tersebut antara lain
memuat tentang : VDS mak, ID mak, Tj mak,
PTOT mak, VGS (off) / VGTH, IDSS / ID on,
GFS, RDS, CISS, CRSS.
Keterangan tentang harga batas dan
bagaimana cara menggunakannya bias dilihat
pada Tabel 1.
Dengan mengetahui data harga batas
tersebut, kita dapat mengganti FET dengan
Type yang lain, asal data harga batas dan
typenya sama.
Tabel 1. Data sheet JFET
40. MENGINTERPRESTASIKAN DATASHEET MACAM-MACAM
TIPE FET/MOSFET UNTUK KEPERLUAN PERENCANAAN
DATA ELEKTRODA JFET
Untuk menentukan eketroda dari JFET dIkelompokkan dalam tabel susunanan elektroda yang ada pada buku tabel (data sheet).
Gambar 6. Elektroda JFET
Tabel 3. T0220
41. MENERAPKAN METODE PENCARIAN KESALAHAN
FET/MOSFET SEBAGAI PENGUAT/PIRANTI SAKLAR
AKIBAT PERGESERAN TITIK KERJA DC
42. MENGUJI JFET
LANGKAH-LANGKAH PENGUJJIAN JFET KANAL N:
1. Tempatkan alat ukur Ohm (Multimeter pada fungsi Ohmmeter) para range
Ohm tertinggi (R X 1 M);
2. Hubungkan probe hitam (negatif) ke Gate JFET KANAL N dan probe
merah (ositif) ke source dan bergantian ke drain. Dalam hal ini JFET diberi
bias reverse dari baterai alat ukur ohm, sehingga: * Jika jarum Ohm meter
tidak bergerak (menunjukkan nilai resistansi yang tinggi dalam beberapa
Mohm atau tak terhingga) berarti JFET dalam keadaan baik, dan * jika
jarum bergerak menunjukkan nilai resistansi yang kecil bahkan 0 Ohm
maka JFET telah rusak karena junction GD dan atau GS hubung singkat
(short).
3. Saling tukarlah probe dari Ohmmeter, yaitu: probe merah (ositif) ke Gate
JFET KANAL N dan probe hitam (negatif) ke source dan bergantian ke
drain. Dalam hal ini mengukur resistansi saat JFET diberi Forward bias,
sehingga: * Jika jarum Ohm meter bergerak menuju nilai Ohm tertentu
antara 500 – 1000 ohm berarti JFET dalam keadaan baik, dan * Jika jarum
ohm meter tidak bergerak berarti junction GD dan atau GS open (putus).
JFET KANAL P diuji dengan
cara yang sama dengan
probe ohm meter ditukar.
43. METER CHECK OF A TRANSISTOR/JFET
METER CHECK OF
A TRANSISTOR
Testing a JFET
with a
multimeter might
seem to be a
relatively easy
task, seeing as
how it has only
one PN junction
to test: either
measured
between gate
and source, or
between gate
and drain.
44. • Testing continuity through the drain-source channel is another matter, though. Remember from the last
section how a stored charge across the capacitance of the gate-channel PN junction could hold the JFET in a
pinched-off state without any external voltage being applied across it? This can occur even when you're
holding the JFET in your hand to test it! Consequently, any meter reading of continuity through that channel
will be unpredictable, since you don't necessarily know if a charge is being stored by the gate-channel
junction. Of course, if you know beforehand which terminals on the device are the gate, source, and drain,
you may connect a jumper wire between gate and source to eliminate any stored charge and then proceed
to test source-drain continuity with no problem. However, if you don't know which terminals are which, the
unpredictability of the source-drain connection may confuse your determination of terminal identity.
• A good strategy to follow when testing a JFET is to insert the pins of the transistor into anti-static foam (the
material used to ship and store static-sensitive electronic components) just prior to testing. The conductivity
of the foam will make a resistive connection between all terminals of the transistor when it is inserted. This
connection will ensure that all residual voltage built up across the gate-channel PN junction will be
neutralized, thus "opening up" the channel for an accurate meter test of source-to-drain continuity.
• Since the JFET channel is a single, uninterrupted piece of semiconductor material, there is usually no
difference between the source and drain terminals. A resistance check from source to drain should yield the
same value as a check from drain to source. This resistance should be relatively low (a few hundred ohms at
most) when the gate-source PN junction voltage is zero. By applying a reverse-bias voltage between gate and
source, pinch-off of the channel should be apparent by an increased resistance reading on the meter.
METER CHECK OF A TRANSISTOR/JFET
45. RANGKUMAN
FET singkatan dari Field Effect Transistor,
adalah suatu komponen semi konduktor
yang cara kerjanya berdasarkan pengaturan
arus dengan medan listrik. FET disebut
transistor unipolar karena cara kerjanya
hanya berdasarkan aliran pembawa
muatan mayoritas saja.
Sedangkan transistor disebut bipolar
junction transistor karena bekerja
berdasarkan aliran pembawa muatan
mayoritas dan minoritas. Makin negatif
tegangan Gate-Source UGS, maka makin
kecil pula arus Drain ID.
Pada kondisi normal JFET selalu bekerja pada
bagian karakteristik linier datar, atau dengan kata
lain JFET dioperasikan pada tegangan Drain yang
lebih besar dari tegangan knee UK., tetapi lebih
kecil dari tegangan breakdown-nya.
Harga batas adalah suatu keterangan tentang
data- data komponen Fet dan Mosfet yang harus
di penuhi dan tidak boleh dilampaui batas
maksimumnya serta tidak jauh berkurang dari
batas minimumnya. Adapun harga batas tersebut
antara lain memuat tentang : VDS maks, ID maks,
Tj mask, PTOT maks, VGS (off) / VGTH, IDSS / ID
on, GFS, RDS, CISS, CRSS. Dengan mengetahui
data harga batas tersebut, kita dapat mengganti
FET dengan Type yang lain, asal data harga batas
dan typenya sama.
49. SOAL
1. Apa yang dimaksud dengan FET?
2. Kenapa FET disebut dengan transistor
unipolar? Jelaskan.
3. Apa yang dimaksud dengan
transkonduktansi?
4. Sebuah perubahan dalam tegangan
drain-soutce sebesar 100 mV
menghasilkan suatu perubahan arus
drain sebesar 0,7 mA dalam
daerah resistif. Berapa resistansi
Drain-Source (rds)?
50.
51. SUSUNAN FISIS
JFET Saluran N
E-MOSFET Saluran n
P
D-MOSFETs
E-MOSFET Saluran p
P
P
N
substrate
JFET Saluran P
Transistor BJT
53. PRINSIP KERJA JFET SALURAN N
Antara (G) dan (S) dipasang tegangan UGG yang merupakan
reverse bias bagi gate (G). Karena dioda antara (G) dan (S)
mengalami reverse bias, yaitu G mendapat (-) batterai dan S
mendapat (+) batterai maka timbulah Depletion Layer pada
junction, supaya terjadi aliran antara (S) dan (D), maka antara
kedua elektroda ini dipasang sumber tegangan (UDD), yaitu: D
mendapat (+) batterai dan S mendapat (-) batterai .
Besar kecilnya arus yang mengalir tergantung dari lebarnya
Depletion Layer tadi. Jika UGG besar, Depletion Layer akan
menjadi sedemikian lebarnya sehingga hampir menutup
saluran antara (D) dan (S). Karena pada Depletion Layer tidak
ada pembawa muatan, berarti bahwa jumlah pembawa muatan
pada saluran menjadi kecil. Jika UGG kecil, Depletion Layer
cukup tipis dan saluran antara (S) dan (D) cukup lebar, dengan
demikian arus yang mengalir cukup besar. Jadi tegangan gate
menentukan besarnya arus yang mengalir antara (D - S). Karena
G dalam kondisi reverse bias, arus (G) dianggap sama dengan
nol.
54. PRINSIP KERJA JFET SALURAN P
Antara (G) dan (S) dipasang tegangan UGG yang merupakan
reverse bias bagi gate (G). Karena dioda antara (G) dan (S)
mengalami reverse bias, yaitu G mendapat (+) batterai dan S
mendapat (-) batterai maka timbulah Depletion Layer pada
junction, supaya terjadi aliran antara (S) dan (D), maka antara
kedua elektroda ini dipasang sumber tegangan (UDD), yaitu: D
mendapat (-) batterai dan S mendapat (+) batterai .
Besar kecilnya arus yang mengalir tergantung dari lebarnya
Depletion Layer tadi. Jika UGG besar, Depletion Layer akan
menjadi sedemikian lebarnya sehingga hampir menutup
saluran antara (D) dan (S). Karena pada Depletion Layer tidak
ada pembawa muatan, berarti bahwa jumlah pembawa muatan
pada saluran menjadi kecil. Jika UGG kecil, Depletion Layer
cukup tipis dan saluran antara (S) dan (D) cukup lebar, dengan
demikian arus yang mengalir cukup besar. Jadi tegangan gate
menentukan besarnya arus yang mengalir antara (D - S). Karena
G dalam kondisi reverse bias, arus (G) dianggap sama dengan
nol.
P
N N
+
-
-
+
55. KARAKTERISTIK
Karakteristik output dari JFET
menggambarkan hubungan antara Arus
drain (ID) dan UDS dengan parameter
berbagai besaran UGS.
Arus Transkonduktansi
menghubungkan arus output dengan
tegangan input. Untuk JFET adalah
grafik ID terhadap UGS.
56. KARAKTERISTIK Lihat Gambar, UDS harus dibuat lebih besar dari 4 Volt tetapi
lebih kecil dari 30 V. Dengan demikian UGS harus letakkan antara
( 0 s/d 4V ). Tegangan knee untuk lengkung karakteristik yang
paling atas disebut pinch off voltage (Up),jadi bila pada lembar
data tertulis Up=4 Volt, JFET tersebut harus dioperasikan dengan
tegangan UDS yang lebih besar dari 4 Volt. Dari gambar kurva,
dapat kita lihat bahwa pada tegangan UGS= -4 V arus drain
hampir = 0. Nilai UGS yang menyebabkan ID = 0 ini disebut Gate
Source Cut Off Voltage (UGS = Off). Up dan UGS (off) memiliki
hubungan penting yaitu nilai mutlak Up = nilai mutlak UGS (off)
hanya tandanya yang berbeda:
Up = 4 V
UGSoff = -4 V
Hal ini berlaku untuk semua JFET dan harus diingat bahwa pada
lembaran data JFET hanya akan disebutkan nilai (UGS off) saja.
Lengkung karakteristik yang paling atas dibuat dengan tegangan
gate = 0, keadaan sama dengan keadaan dimana gate dihubung
singkat dengan source. Arus drain hampir datar dan dianggap
sama, walau tegangan drain diubah-ubah dan pada lembar data
arus ini disebut Idss. Pada gambar kurva tampak bahwa jarak
antara garis-garis mendatar itu tidak sama meskipun selisih UGS
untuk tiap-tiap garis tetap 1 Volt.