Luận văn thạc sĩ vật lý hạt nhân mô phỏng thiết bị xạ phẫu leksell gamma knife bằng chương trình mcnp5

ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
ĐẶNG TRƯƠNG KA MY
MÔ PHỎNG THIẾT BỊ XẠ PHẪU
LEKSELL GAMMA KNIFE BẰNG
CHƯƠNG TRÌNH MCNP5
LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ HẠT NHÂN
TP HỒ CHÍ MINH, 2009

ĐẠI HỌC QUỐC GIA THÀNH PHỐ HỒ CHÍ MINH
TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN
ĐẶNG TRƯƠNG KA MY
MÔ PHỎNG THIẾT BỊ XẠ PHẪU
LEKSELL GAMMA KNIFE BẰNG
CHƯƠNG TRÌNH MCNP5
Chuyên ngành: VẬT LÝ HẠT NHÂN
Mã số : 60 44 05
LUẬN VĂN THẠC SĨ VẬT LÝ HẠT NHÂN
NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC: PGS TS MAI VĂN NHƠN
TP HỒ CHÍ MINH, 2009

Luận văn thạc sĩ
Đặng Trương Ka My 1
MỤC LỤC
Danh mục các ký hiệu và các chữ viết tắt ...............................................................1
Danh mục các bảng ...................................................................................................3
Danh mục các hình vẽ, đồ thị ....................................................................................4
MỞ ĐẦU .................................................................................................................7
CHƯƠNG 1 ..............................................................................................................11
1.1 Giới thiệu về Leksell Gamma Knife.....................................................................11
1.2 Lịch sử của LGK ................................................................................................11
1.3 Các thành phần chính trong thiết bị LGK ............................................................14
1.4 Nguyên tắc của LGK ..........................................................................................15
1.5 Tiến trình điều trị bằng LGK ..............................................................................17
1.6 Giới thiệu chương trình Gamma Plan...................................................................18
1.7 Ưu điểm của LGK so với các thiết bị xạ phẫu khác .............................................19
CHƯƠNG 2 .............................................................................................................21
2.1 Giới thiệu chung .................................................................................................21
2.2 Quá trình và nguyên tắc điều trị bằng tia xạ.........................................................22
2.3 Các phương pháp điều trị bằng tia xạ ..................................................................23
2.4 Cơ sở và các khái niệm liên quan về liều trong xạ trị ...........................................24
CHƯƠNG 3 .............................................................................................................32
3.1 Phương pháp Monte Carlo ..................................................................................32
3.2 Chương trình MCNP ..........................................................................................34

3.3 Mô phỏng MCNP cho nguồn đơn kênh trong thiết bị xạ phẫu LGK.....................42
3.4 Các kết quả tính toán với nguồn đơn kênh ...........................................................45
CHƯƠNG 4 .............................................................................................................49
4.1 Mô phỏng MCNP5 cho 201 nguồn trong LGK ....................................................49
4.2 Mô phỏng cách tính liều đối với đầu Zubal..........................................................52
4.3 Các kết quả tính toán với 201 nguồn....................................................................53
KẾT LUẬN ..............................................................................................................67
HƯỚNG PHÁT TRIỂN ...........................................................................................68
TÀI LIỆU THAM KHẢO ........................................................................................69

DANH MỤC CÁC KÝ HIỆU VÀ CÁC CHỮ VIẾT TẮT
Các ký hiệu
Φ : là thông lượng hạt (1/cm2
T
)
L
V : là thể tích của một voxel (cm
: là chiều dài đường đi của hạt (cm)
3
W : là trọng số quãng đường
)
A: là diện tích của một voxel (cm2
δ
)
: là bề rộng của voxel (cm)
Các chữ viết tắt
LGK: Leksell Gamma Knife
CT: Computed Tomography
MRI: Magnetic Resonance Imaging
SPECT: Single Photon Emission Computed Tomography
PET: Positron Emission Computed Tomography
IGRT: Image Guided Radiation Therapy
IMRT: Intensity Modulated Radiation Therapy
SSD: Source to Surface Distance
SAD: Source Axis Distance
GTV: Gross Tumor Volume
CTV: Clinical Target Volume
PTV: Planning Target Volume

MCNP: Monte Carlo N – Particle
EGS: Electron Gamma Shower
PENELOPE: Penetration and Energy Loss of Positrons and Electrons
FWHM: Full Width Half Maximum

DANH MỤC CÁC BẢNG
Bảng 3.1 So sánh thời gian chạy giữa tally F4 và tally Fmesh
Bảng 4.1 So sánh FWHM đối với trục Ox giữa chương trình Gamma Plan và kết quả
tính toán
Bảng 4.2 So sánh FWHM đối với trục Oz giữa chương trình Gamma Plan và kết quả
tính toán

DANH MỤC CÁC HÌNH VẼ, ĐỒ THỊ
Hình 1.1 Leksell Gamma Knife model C
Hình 1.2 Hình cắt ngang của Leksell Gamma Knife model C
Hình 1.3 Kích cỡ khác nhau của mũ trong LGK
Hình 1.4 Nguyên tắc hội tụ 201 chùm tia trong LGK
Hình 1.5 So sánh cường độ của một chùm tia gamma mà khối u hấp thụ
Hình 1.6 Đặt khung vào đầu bệnh nhân
Hình 1.7 Chương trình tính liều bằng Gamma Plan
Hình 1.8: So sánh kích thước và liều điều trị của một số phương pháp xạ trị
Hình 2.1 biểu diễn cách tính liều phần trăm
Hình 2.2 Sơ đồ biểu diễn các thể tích bia trong kỹ thuật xạ trị.
Hình 2.3 biểu diễn đường đồng liều của CTV, PTV, và GTV trong ung thư trực
tràng được chụp bởi CT trong việc lập kế hoạch điều trị
Hình 3.1 So sánh phương pháp Monte Carlo với các phương pháp giải tích về
thời gian tính toán và độ phức tạp của cấu hình
Hình 3.2 biểu diễn quá trình vận chuyển của các hạt qua một voxel
Hình 3.3 So sánh liều tương đối tính bằng tally F4 và tally Fmesh dọc theo trục
Ox đối với phantom nước
Hình 3.4 Giao diện của chương trình MCNP5
Hình 3.5 Mô hình nguồn đơn kênh dùng trong mô phỏng MCNP
Hình 3.6 Mô hình mô phỏng nguồn đơn kênh và phantom trong LGK

Hình 3.7 Phổ năng lượng photon phát ra của nguồn Co
Hình 3.8 Liều phân bố dọc theo trục Ox
60
Hình 3.9 Phân bố liều tương đối trên mặt phẳng Oxy
Hình 3.10 Phân bố liều tương đối trên mặt phẳng Oxz
Hình 4.1a Biểu diễn sự sắp xếp của các vòng collimator trong helmet của LGK
Hình 4.1b Biểu diễn góc phương vị của các vòng so với mặt phẳng xOy
Hình 4.2 biểu diễn phân bố góc của 201 nguồn trong LGK so với mặt phẳng
Hình 4.3 Biểu diễn nguồn có dạng hình mặt và cách bố trí phantom trong mô
phỏng 201 nguồn
Hình 4.4 Mô hình đầu Zubal
Hình 4.5 So sánh phân bố liều tương đối trên hai trục Ox và Oz trong collimator
4mm
đường kính 8mm
đường kính 14mm
Hình 4.9 Liều phân bố trên mặt phẳng Oxy trong collimator đường kính 18mm
Hình 4.10 Liều phân bố trên mặt phẳng Oxz trong collimator đường kính 18mm

Hình 4.11 Biểu diễn phân bố liều tương đối trong phantom đầu Zubal và trong
phantom nước đối với 201 nguồn
Hình 4.12 So sánh liều phân bố đối với trục z trong collimator đường kính 4mm
với 201 nguồn
Hình 4.13 So sánh liều phân bố đối với trục x trong collimator đường kính 4mm
với 201 nguồn
Hình 4.14 So sánh liều phân bố đối với trục x trong collimator có đường kính
18mm với 201 nguồn
Hình 4.15 So sánh liều phân bố đối với trục z trong collimator có đường kính
18mm với 201 nguồn

MỞ ĐẦU
Theo thống kê của Tổ chức y tế thế giới, tỷ lệ tử vong trên thế giới do bệnh ung
thư rất cao. Hàng năm có khoảng gần 10 triệu trường hợp mắc ung thư và trên 8 triệu
người đã chết do bệnh này. Ở Việt Nam, mỗi năm ước tính có khoảng 150.000 ca ung
thư mới trong đó có trên 50.000 ca tử vong [1].
Những thập kỷ gần đây, với sự phát triển mạnh mẽ của công nghệ sinh học cũng
như các thiết bị chẩn đoán và điều trị hiện đại, việc nghiên cứu và chữa trị ung thư đã
có những tiến bộ vượt bậc. Vì thế mà tìm rađư ợc một số hướng dự phòng chẩn đoán
chính xác hơn và điều trị có hiệu quả hơn.
Những cách điều trị bệnh bao gồm: Điều trị bằng phẫu thuật, điều trị bằng tia xạ
và điều trị bằng hóa chất. Điều trị bằng tia xạ là phương pháp dùng chùm tia điện tử
hoặc photon có năng lượng thích hợp thông qua cơ chế gây ion hóa nhằm gây ra những
tác động về mặt sinh học của chùm tia để tiêu diệt tế bào ung thư hoặc hạn chế sự phát
triển của nó. Đây được xem là một trong những phương pháp điều trị bệnh hữu hiệu
nhất nhưng phương pháp này vẫn có một số hạn chế nhất định đó là bệnh nhân phải
chấp nhận một rủi ro do bức xạ ion hóa đi vào cơ thể. Điều này rất quan trọng và đó là
nhiệm vụ của các kỹ sư vật lý và bác sỹ để làm sao cho các ảnh hưởng do ion hóa của
các bức xạ lên bệnh nhân một cách thấp nhất để đảm bảo an toàn cho người bệnh
Hiện nay ở Việt Nam những thiết bị chẩn đoán và điều trị bằng tia xạ được đưa
vào sử dụng khá phổ biến ở các bệnh viện như thiết bị chẩn đoán bằng các đồng vị
phóng xạ như PET, SPECT, CT, Gamma Camera và thiết bị điều trị bằng bức xạ ion
hóa rất hiện đại như máy gia tốc tuyến tính và đặc biệt gần đây nhất năm 2006 Bệnh
Viện Chợ Rẫy TP Hồ Chí Minh đã đưa vào máy xạ phẫu Leksell Gamma Knife, đây là
thiết bị tiên tiến nhất hiện nay để chữa trị u não. Thiết bị này sử dụng nguồn chiếu xạ
đa kênh để tiêu diệt khối u. Thiết bị xạ phẫu Leksell Gamma Knife được giới thiệu vào

năm 1951 bởi giáo sư Lar Leksell người Thụy Điển cho đến nay đã có 17189 b ệnh
nhân được điều trị bằng Gamma Knife trên toàn thế giới. Ở Việt Nam từ tháng 11/2006
đến tháng 7/2007 Bệnh viện Chợ Rẫy đã điều trị được cho 100 bệnh nhân. Tất cả các
bệnh nhân sau khi điều trị đều có kết quả tốt.
Hiện nay trên thế giới, nhiều nhà khoa học cũng đã vận dụng nhiều phương
pháp tính liều khác nhau để khảo sát phân bố liều chiếu trong thiết bị LGK và đã rút ra
các kết quả phù hợp với chương trình tính liều Gamma Plan. Các chương trình được sử
dụng là EGS4 dùng cho việc tính toán liều phân bố của nguồn đơn kênh (Joel Y.C
Cheung -1998) [2], tác giả đã dùng phantom hình cầu với chất liệu là nước có đường
kính 160mm khảo sát phân bố liều trên các trục tọa độ x, y, z. Đồng thời tác giả cũng
dùng code EGS4 để tính toán sự khác nhau trong phân bố liều đối với các phantom có
chất liệu plastic, nhựa dẻo (Perspex), và nước [3]. Chương trình PENELOPE dùngđ ể
khảo sát phân bố liều trong LGK với phantom không đồng nhất bằng chất liệu nước
bao quanh bên ngoài là lớp vỏ hình cầu, lớp vỏ này được làm bằng vật chất tương tự
với xương sọ [4] (Al-Dweiri, 2005), tác giả đã rút ra kết quả khác nhau trong phân bố
liều của việc mô phỏng phantom đồng nhất và không đồng nhất. Đồng thời ông cũng
tính xác suất của góc phát ra từ nguồn LGK, kết quả tính toán cho thấy chỉ những tia
gamma phát ra với góc cực nhỏ hơn 30
mới đóng góp đáng kể vào phân bố liều trong
phantom, trong công trình này tác giả đã đưa ra mô hình nguồn đơn giản đáp ứng được
liều chiếu phù hợp nhưng giảm được thời gian tính toán. Moskvin V [5] đã dùng
PENELOPE để mô phỏng thông lượng phát ra từ nguồn cùa LGK đi qua các collimator
nhằm để xác định phân bố liều trong phantom cầu polystyrene, kết quả này được tính
toán và so sánh với kết quả của các tác giả khác mô phỏng bằng code EGS4. Ngoài ra
code MCNP4C cũng đư ợc sử dụng để tính toán liều tương đối phát ra từ 201 nguồn
của thiết bị LGK (YiPeng Li, 2002) [6].

Luận văn này nhằm mục đích tìm hi ểu sâu hơn về thiết bị xạ phẫu Leksell
Gamma Knife đó là cấu tạo, nguyên tắc hoạt động cũng như các kỹ thuật tính liều cho
xạ trị. Qua việc tìm hiểu cấu tạo và cách sắp xếp phân bố của các nguồn chiếu trong
thiết bị xạ phẫu, một chương trình mô phỏng được xây dựng để tính toán phân bố liều
và kết quả này được so sánh với các chương trình mô phỏng của các tác giả khác nhằm
kiểm nghiệm tính đúng đắn của quá trình. Chương trình chúng tôi dùngđ ể mô phỏng
trong luận văn này là MCNP5, đó là một trong những phương pháp Monte Carlo, được
xem là khá chính xác và hiện đại trong việc tính toán liều. Đề tài “Mô phỏng thiết bị
xạ phẫu Gamma Knife bằng phương pháp MCNP” đã mở ra một hướng nghiên cứu
mới trong việc ứng dụng phương pháp MCNP5 trong kỹ thuật tính liều đối với thiết bị
xạ phẫu Leksell Gamma Knife.
Quá trình nghiên cứu bắt đầu từ việc tìm hiểu tổng quan cấu tạo và nguyên tắc
hoạt động của thiết bị xạ phẫu Leksell Gamma Knife. Giới thiệu về các kiến thức liên
quan đến kỹ thuật xạ trị trong đó có phương pháp MCNP, tìm hi ểu đặc điểm, cơ sở vật
lý của các code, cấu trúc thành phần của một file input trong chương trình MCNP. Sau
đó vận dụng phương pháp này để mô phỏng quá trình tính liều cho thiết bị xạ phẫu
Leksell Gamma Knife. Vì thời gian thực hiện đề tài có hạn nên chúng tôi chỉ mô phỏng
quá trình tính liều và phân bố liều theo độ sâu cho phantom bằng vật liệu nước và
plastic sau đó chúng tôi có mô phỏng đối với phantom đầu Zubal cho nguồn đơn kênh
và 201 nguồn trong thiết bị Leksell Gamma Knife.
Từ mục đích và nội dung công việc đó luận văn có bố cục như sau:
Chương 1: Tổng quan về cấu tạo, nguyên tắc hoạt động và quy trình chữa trị
của thiết bị xạ phẫu Gamma Knife. Chương này mô tả một cách chi tiết về cấu trúc của
thiết bị xạ phẫu từ việc phân bố góc của 201 nguồn Cobalt 60 đến các tiến trình điều
trị.

Chương 2: Các kiến thức liên quan đến kỹ thuật xạ trị. Giới thiệu các kỹ thuật
tính liều xạ trị ngoài. Các kiến thức này là nền tảng cơ sở để xây dựng các quá trình mô
phỏng tương tác của bức xạ với môi trường vật chất, các định nghĩa về liều chiếu, kích
thước trường chiếu, hướng chiếu và liều hấp thụ.
Chương 3: Giới thiệu phương pháp Monte – Carlo. Mô phỏng MCNP5 cho
thiết bị xạ phẫu Leksell Gamma Knife đối với nguồn đơn kênh. Trong chương này, cấu
hình nguồn đơn kênh được mô phỏng và xuất ra kết quả phân bố liều, làm cơ sở cho
quá trình mô phỏng cho 201 nguồn.
Chương 4: Mô phỏng MCNP5 cho thiết bị xạ phẫu Leksell Gamma Knife đối
với 201 nguồn và các kết quả tính toán đối với mô hình đầu Zubal.

CHƯƠNG 1
TỔNG QUAN VỂ THIẾT BỊ LEKSELL GAMMA KNIFE
1.1. Giới thiệu về Leksell Gamma Knife
Leksell Gamma Knife (LGK) là thiết bị phẫu thuật bằng bức xạ gamma tập
trung, định vị ba chiều. Nó cho phép xác định chính xác và điều trị các khối u nằm sâu
trong não hoặc các khối dị dạng động tĩnh mạch có đường kính nhỏ hơn 5 cm.
Trong điều trị bệnh lý não, khi tổn thương nằm sâu, nếu mổ hở như thông
thường, phẫu thuật viên có thể làm tổn thương vùng não lành, gây biến chứng cho bệnh
nhân sau đó như rối loạn thần kinh, tâm thần, liệt nửa người hoặc liệt các vùng thần
kinh. Thậm chí nếu đụng chạm đến những trung khu thần kinh quan trọng, bệnh nhân
còn có thể tử vong ngay trên bàn mổ.
Trong khi đó, xạ phẫu bằng hệ thống LGK là một phương pháp tiên tiến, bằng
cách hội tụ hơn 200 nguồn bức xạ nhỏ tạo thành một năng lượng cực cao để tiêu hủy
dần dần các sang thương trong não mà không c ần phẫu thuật. Khối sang thương sẽ bị
tiêu hủy dần và biến mất theo thời gian. Do hội tụ từ các nguồn năng lượng dưới dạng
bức xạ cực mảnh nên bệnh nhân cảm thấy rất bình thường sau điều trị và có thể tham
gia công việc ngay ngày hôm sau, tránh được tâm lý lo lắng quá mức do bệnh tật và do
các áp lực khi phải nghĩ việc vì bệnh và phải sắp xếp thời gian để trị bệnh.
Hiện nay, LGK là một trong những thiết bị xạ trị được sử dụng rộng rãi nhất
trên thế giới.
1.2. Lịch sử của LGK [7]
Thiết bị này được thiết kế bởi Lar Leksell, nhà giải phẫu người Thụy Điển vào
năm 1967 tại viện Karolinska, Thụy Điển. Năm 1968 dựa vào phát minh của Giáo sư
Lars Leksell, Công ty ELEKTA Thụy Ðiển đã sản xuất thành công Gamma Knife và

đưa vào sử dụng chữa trị cho bệnh nhân đầu tiên ở nhà máy hạt nhân Studsvik. Trong
cùng năm đó, Gamma Knife được triển khai điều trị tại Bệnh viện Karolinska, Thụy
Ðiển.
Bắt đầu từ những năm 1970 kỹ thuật xạ phẫu được chú ý trên thế giới bởi sự
phát triển của các thiết bị mới như chụp ảnh CT (Computed Tomography). Đầu những
năm 1980, Gamma Knife được lắp đặt ở Argentina và Anh. Vào năm 1987 thiết bị xạ
phẫu này lần đầu tiên được lắp đặt tại Bắc Mỹ.
Năm 1990, chương trình tính l iều Gamma Plan được đưa vào sử dụng phục vụ
cho mục đích lập kế hoạch xạ trị. Tới năm 1993, Gamma Knife càng được sử dụng
rộng rãi ở tất cả các châu lục. Do tính ưu điểm và vượt trội của Gamma Knife so với
các phẫu thuật kinh điển trong điều trị các khối u, các dị dạng mạch máu và các bệnh
chức năng của não, nên Gamma Knife ngày càng được sử dụng nhiều hơn.
Năm 1996, Chương trình Gamma Planđư ợc hợp nhất với chương trình x ử lý
ảnh MRI và CT. Năm 2000, Gamma Knife model C được giới thiệu có bổ sung hệ
thống định vị APS.
Ðến năm 2001 trên thế giới có 147 Trung tâm Gamma Knife và đến năm 2004
số Trung tâm Gamma Knife tăng lên là 232 (bao gồm: Trung Quốc 92, Nhật 36, các
nước châu Á còn lại 17, Châu Âu 29, Bắc Mỹ 65, Nam Mỹ 02 và Châu Phi 01). Cho
đến tháng 3 năm 2008 thì có 259 thiết bị được triển khai trên toàn thế giới.
Tại Việt Nam, thiết bị xạ phẫu Leksell Gamma Knife được đưa vào sử dụng lần
đầu tiên tại bệnh viện Chợ Rẫy vào tháng 11 năm 2006.
Hình 1.1 biểu diễn các thành phần của thiết bị xạ phẫu LGK nhìn từ ngoài vào.
Hình 1.2 là mô hình cắt ngang của thiết bị, qua đó ta có thể thấy một cách chi tiết các
thành phần cũng như cấu tạo bên trong của thiết bị.

Hình 1.1 Leksell Gamma Knife model C
Hình 1.2 Hình cắt ngang của Leksell Gamma Knife model C

1.3 Các thành phần chính trong thiết bị LGK
Thiết bị xạ phẫu LGK gồm có 3 phần chính:
1. Nguồn trong thiết bị xạ phẫu LGK (Radiation Unit) gồm 201 nguồn Co – 60,
mỗi nguồn có hoạt độ gần 30 Ci. Các nguồn này được sắp xếp thành dãy hình
tròn nằm trong bộ phận che chắn làm bằng vật liệu có số khối lớn ( thường là
chì). Nguồn này nhằm phóng những tia phóng xạ gamma đến những điểm bia
trong bộ não bệnh nhân.
2. Mũ (Collimator helmet): Gamma Knife được cung cấp bốn loại mũ với các kích
cỡ các collimator là 4mm, 8mm, 14mm, 18mm. Các mũ này đư ợc gắn cố định
với giường bệnh nhân bằng các đinh vít. Các mũ này là các colimator để cho các
tia phóng xạ từ nguồn phát ra chiếu vào khối u một cách chính xác. Và nhờ có
loại mũ này mà liều chiếu tập trung một cách chính xác tại các khối u nên mức
độ ảnh hưởng của các tia phóng xạ tới các vùng xung quanh là không đáng kể.
Tùy theo thể tích của khối u mà các kỹ sư vật lý có thể dùng các collimator có
đường kính khác nhau.
Hình 1.3 Kích cỡ khác nhau của mũ trong LGK
Helmet với các
kích cỡ khác nhau
Collimators
4mm, 8mm, 14mm,
18mm
Mũ đặt trong hệ
thống gamma
knife

3. Giường chữa trị bệnh nhân (Patient Treatmen Couch):
Là thiết bị có thể mang bệnh nhân dịch chuyển vào và ra trong suốt quá trình
chiếu xạ, có thể tự điều chỉnh vị trí để khớp mũ với các kênh chiếu và các vị trí
chiếu.
1.4 Nguyên tắc của LGK
1.4.1 Vật lý và nguyên lý cơ bản của LGK
Nguyên tắc vật lý cơ bản của LGK là dựa trên sự phân rã phát ra tia gamma của
nguồn phóng xạ Cobalt 60. Nguồn Cobalt 60 này sẽ phân rã beta và tạo thành đồng vị
Niken 60 với nửa thời gian sống là 5.26 năm.
60 60
27 28Co Ni eβ
ν
−
−
→ + +
Một phần của tiến trình phân rã là tạo ra electron có năng lượng 315 keV và hai
tia gamma có năng lượng 1.17 MeV và 1.33 MeV được phát ra. Electron bị hấp thụ trở
lại bởi nguồn Cobalt 60 hoặc vỏ chứa nguồn và vì năng lư ợng thấp nên có thể bỏ qua
hiện tượng Bremstrahlung.
1.4.2 Nguyên tắc hoạt động của LGK
Nguyên tắc hoạt động cơ bản của LGK là dựa trên việc hội tụ các chùm tia
gamma năng lượng cao phát ra từ 201 nguồn Cobalt 60 tập trung lên một thể tích điều
tri có liều phóng xạ rất cao. Hình 1.4 biểu diễn sự hội tụ năng lượng từ 201 nguồn.
Việc chiếu phân bố 201 nguồn xạ nhằm làm cho phân bố liều xung quanh thể tích vùng
điều trị không đủ lớn để gây ra những tác động đáng kể nào về mặt sinh học, tối thiểu
hóa việc tiêu diệt các tế bào lành lân cận. Việc tính toán một cách rõ ràng được biểu thị
trong hình 1.5 cho thấy phân bố liều xạ đối với 6 chùm tia so với 201 chùm tia. Dựa
trên hình 1.5 ta thấy nếu chiếu vào thể tích khối u bằng 6 chùm tia thì cư ờng độ của
một chùm là 17%, nhưng nếu chiếu bằng 201 chùm tia thì cư ờng độ của một chùm

giảm chỉ còn 0.5%. Đi ều này cho thấy sự giảm đáng kể ảnh hưởng lên các mô lành
xung quanh nếu tăng số lượng chùm tia.
Hình 1.4 Nguyên tắc hội tụ 201 chùm tia trong LGK
Hình 1.5 So sánh cường độ của một chùm tia gamma mà khối u hấp thụ

Ngoài ra LGK cho phép người sử dụng có thể điều khiển số nguồn chiếu sao cho
phù hợp với thể tích cần chiếu bằng cách dùng các nút bằng tungsten bịt kín những lỗ
(collimator) không cần thiết. Trong một số trường hợp người ta chỉ cần chiếu với
khoảng 150 hoặc 102 nguồn.
1.5 Tiến trình điều trị bằng Leksell Gamma Knife
1. Đặt khung: Dùng một khung để cố định đầu bệnh nhân và định vị vùng chữa
trị. Quy trình đặt khung này do các bác sĩ phối hợp với các kỹ sư vật lý thực hiện.
Hình 1.6 Đặt khung vào đầu bệnh nhân
2. Chẩn đoán hình ảnh: Dùng phương pháp chụp ảnh MRI để chụp vị trí và hình
dạng của khối u. Các ảnh này được chụp nhiều lần theo các hướng khác nhau và lần
lượt thay đổi các vị trí chụp theo độ sâu để xác định chính xác vị trí khối u.
3. Lập kế hoạch điều trị: phần mềm Gamma Plan được sử dụng để khôi phục lại
hình dạng của đầu bệnh nhân cũng như thể tích của khối u từ ảnh chụp. Dựa trên các
kết quả phân tích được các kỹ sư vật lý và bác sỹ điều trị sẽ quyết định cấp liều và các
hướng chiếu nhằm tối ưu hóa hiệu quả của việc điều trị. Chương trình này bao g ồm
việc tính toán liều chiếu, vị trí chiếu, các kích cỡ collimator khác nhau cho mỗi lần
chiếu và thời gian chiếu cho một khối u cụ thể.

4. Chữa trị: Sau khi đã l ập kế hoạch chữa trị xong và đã đư ợc kiểm tra để đảm
bảo tính an toàn và chính xác. Bệnh nhân được đưa vào phòng ch ữa trị, được đặt trên
một chiếc giường được điều khiển tự động, đầu bệnh nhân được cố định tại tâm của
helmet. Sau khi các bác sĩ r ời khỏi phòng một chương trình bên ngoàiđư ợc lập trình
sẵn sẽ điều khiển cho cửa tự động của thiết bị mở ra và bệnh nhân được đưa tự động
vào trong nguồn xạ. Chuyển động của chiếc giường được lập trình sẵn bằng Gamma
Plan về thời gian cho mỗi lần chiếu và định vị trí của giường cho mỗi lần chiếu bằng hệ
thống tự động đưa vào và đưa ra.
1.6 Giới thiệu chương trình Gamma Plan ®
Gamma Plan® là chương trình lập kế hoạch chữa trị chỉ dùng riêng cho thiết bị
LGK. Chương trình này được dùng để tính liều hấp thụ phân bố bởi 201 nguồn phát ra
những chùm photon tập trung vào mỗi vùng thể tích cần điều trị. Liều được tính toán
cho mỗi kích cỡ của collimator cụ thể. Trong chương trình Gamma Plan thì tùy theo
thể tích và hình dạng khối u khác nhau mà các kỹ sư vật lý sẽ quyết định dùng bao
nhiêu shot chiếu khác nhau, cứ mỗi shot chiếu là một vùng (khoanh tròn)đã được định
vị trước. Chiếu sao cho tất cả các shot sẽ bao trùm được hết toàn bộ khối u và giảm
thiểu tối đa ảnh hưởng tới các vùng xung quanh. Chương trình Gamma Plan cũng cho
ta biết được các đường đẳng liều quanh khối u. Hình 1.7 minh họa chương trình tính
liều bằng Gamma Plan. Phía bên trái của hình là những lát cắt biểu diễn vị trí của khối
u, các đường đẳng liều bao quanh giúp cho các kỹ sư vật lý xác định chính xác liều cần
cung cấp. Phía dưới bên phải là mô hình trong không gian biểu diễn chính xác vị trí
của khối u trong não.

Hình 1.7 Chương trình tính liều bằng Gamma Plan
1.7 Ưu điểm của LGK so với các thiết bị xạ phẫu khác
Với 201 nguồn Cobalt-60 đặt cố định và đầu bệnh nhân được định vị bằng
khung Stereotactic, LGK được coi là thiết bị có độ chính xác cao nhất hiện nay trong
xạ trị liều cao. LGK có độ chính xác cao về cơ khí, sai số của toàn bộ hệ thống luôn
nhỏ hơn 0.5 mm, cho phép sử dụng liều bức xạ cao để điều trị các tổn thương ở những
vùng “nhạy cảm” như thân não, giao thoa thị…

So với các phương pháp khác, phẫu thuật các khối u bằng LGK an toàn, hiệu
quả hơn, rất ít biến chứng và không có tử vong. Chỉ định điều trị rộng rãi, ngay cả các
bệnh nhân có khối u ở vị trí phức tạp.
Phẫu thuật bằng Gamma Knife không cần phải gây mê, bệnh nhân vẫn tỉnh táo
hoàn toàn trong quá trình phẫu thuật. Không có nguy cơ nhiễm trùng, không chảy máu,
không đau đớn…
Hình 1.8 mô tả ưu điểm của Gamma Knife so với các kĩ thuật xạ trị khác, đó là
có thể tập trung một liều rất cao vào trong một vùng thể tích rất nhỏ do đó hiệu quả tiêu
diệt tế bào ung thư là tốt hơn so với các kĩ thuật xạ trị còn lại.
Hình 1.8: So sánh kích thước và liều điều trị của một số phương pháp xạ trị

CHƯƠNG 2
TỔNG QUAN VỀ KỸ THUẬT XẠ TRỊ
Chương này nhằm mục đích cung cấp các kiến thức liên quan đến kỹ thuật xạ trị
mà bất cứ một kỹ sư vật lý nào cũng cần phải nắm rõ. Đó là những kiến thức nền tảng
về tương tác của bức xạ với vật chất, về liều hấp thụ của mô khi một bức xạ truyền qua
để làm cơ sở xây dựng các quá trình mô phỏng.
2.1 Giới thiệu chung
Điều trị bằng tia xạ là quá trình điều trị có sử dụng bức xạ ion hóa hoặc phóng
xạ cho nhiều bệnh khác nhau. Mục đích là nhằm đưa một liều phóng xạ rất chính xác
tới một thể tích bia đã xác đ ịnh với một mức độ tổn thương nhỏ nhất cho các mô lành
bao quanh, kết quả là sẽ loại trừ bệnh tật, kéo dài sự sống hay cải thiện chất lượng cuộc
sống. Do đó, kỹ thuật xạ trị được xây dựng để chữa bệnh hoặc làm nhẹ bớt bệnh tật
một cách hiệu quả.
Khi sử dụng phương pháp điều trị bằng tia xạ cần phải xác định mục đích của
việc điều trị
• Điều trị tận gốc: là loại trừ tất cả các tế bào ung thư tại u nguyên phát, tại các tổ
chức xung quanh mà khối u lan tới và những hạch tại vùng có thể đã bị xâm lấn.
Điều trị tận gốc thường là liều xạ cao, có thể gây ra một số biến chứng phụ, thời
gian kéo dài với sự chấp nhận của bệnh nhân.
• Điều trị tạm thời: để nâng cao chất lượng đời sống như chống đau, chống tắc do
chèn ép, chống chảy máu. Điều trị tạm thời thường là liều thấp và thời gian
chiếu xạ ngắn.
Tùy theo mục đích điều trị khác nhau mà bác sĩ và các k ỹ sư vật lý quyết định liều
chiếu cũng như các kỹ thuật chiếu xạ thích hợp.

2.2 Quá trình và nguyên tắc điều trị bằng tia xạ
2.2.1 Quá trình điều trị bằng tia xạ
Một quá trình điều trị bằng tia xạ rất phức tạp. Đầu tiên bác sĩ phải chẩn đoán và
đánh giá lâm sàng để xác định mầm bệnh của khối u (ác tính hay lành tính) sau đó sẽ
quyết định phương thức điều trị thích hợp nhằm làm giảm nhẹ bệnh hay điều trị tận
gốc. Một quy trình tạo ảnh và lập phát đồ điều trị được thực hiện bằng các kỹ thuật
chụp ảnh cắt lớp (CT), chụp cộng hưởng từ (MRI), X-quang hay chụp ảnh bằng phát xạ
photon (SPECT), positron (PET). Dựa vào các ảnh này ta có thể xác định được thể tích
bia cần chiếu xạ, khoanh vùng thể tích vào tạo dạng trường chiếu. Sau đó sẽ xây dựng
chương trình để mô phỏng thực tế điều trị, tính toán sự phân bố liều và tối ưu hóa liều
cần chiếu.
2.2.2 Nguyên tắc điều trị bằng tia xạ [1]
Quy trình điều trị bằng tia xạ phải dựa trên những nguyên tắc sau:
- Đánh giá sự lan rộng của khối u bằng các biện pháp CT scanner, X-quang,
MRI… để biết thể tích cần chiếu.
- Biết rõ những đặc điểm bệnh lý của khối u.
- Chọn lựa những phương pháp thích hợp: chỉ dùng xạ trị hay phối hợp phẫu
thuật, hóa chất… hay chọn phối hợp cả hai phương pháp, chọn loại tia thích
hợp, chiếu từ ngoài vào hay đặt tại khối u.
- Quy định liều tối ưu và thể tích chiếu dựa trên vị trí giải phẫu, độ ác tính… và
cấu trúc lành trong vùng chiếu.
- Đánh giá từng giai đoạn về thể lực bệnh nhân, sự đáp ứng của khối u và thể
trạng của tổ chức lành trong khu vực điều trị.

Bác sĩ điều trị phải cùng làm việc chặt chẽ với đội ngũ vật lý, kế hoạch điều trị
và bộ phận đo lường, không thể nhầm lẫn được những đánh giá lâm sàng hay
không hoàn hảo trong việc lập phát đồ điều trị.
2.3 Các phương pháp điều trị bằng tia xạ [8]
2.3.1 Phương pháp xạ trị bằng chùm tia ngoài
Xạ trị bằng chùm tia ngoài là một phương pháp phổ biến nhất trong kỹ thuật xạ
trị. Người ta thường tiến hành với chùm photon, thông thường đó là các tia X mang
năng lượng cao được tạo ra bởi máy gia tốc tuyến tính, nhưng người ta cũng t hường
dùng chùm tia gamma tạo ra từ máy Cobalt-60 và các tia X mang năng lượng trong
khoảng 50-300kV. Thêm vào đó, chùm electron ở năng lượng megavolt cũng đư ợc sử
dụng để điều trị các khối u tương đối nông sẽ cải thiện được độ chính xác hình học hơn
các photon, do đó nó cũng được sử dụng rộng rãi ngày nay. Xạ trị ngoài với các bức xạ
hạt khác cũng đã được đưa ra, trong trường hợp hạt neutron, và kiểm tra rộng rãi.
Một số phát triển mới đây trong kỹ thuật xạ trị ngoài đã tăng lên do việc sử dụng
máy tính tăng. Chúng không chỉ có khả năng lập kế hoạch tính toán trong không gian
ba chiều mà còn có khả năng điều khiển thiết bị điều trị sao cho vùng liều cao có thể
biến đổi cho phù hợp với thể tích bia trong không gian ba chiều. Sự phát triển này song
song với các kỹ thuật tạo ảnh như chụp cắt lớp hay tạo ảnh cộng hưởng từ (MRI), nó sẽ
đóng một vai trò quan trọng trong việc phác họa thể tích khối u.
Các máy móc được sử dụng cho xạ trị từ xa bao gồm các máy phát tia X, máy
phát chùm tia gamma, máy gia tốc điện tử và máy phát neutron. Tất cả những thiết bị
xạ trị từ xa đòi hỏi đều phải có bảo vệ bức xạ khác nhau và cần phải xử lý theo các
nguyên tắc riêng của nó. Xạ trị từ xa là phương pháp sử dụng rộng rãi nhất để điều trị
những khối u, hạch nằm sâu trong cơ thể.

2.3.2 Xạ trị bằng nguồn phóng xạ kín
Là kỹ thuật điều trị sử dụng các nguồn đồng vị phóng xạ đặt trong thể tích khối
u để đưa ra một liều rất cục bộ nhằm tối thiểu hóa liều xạ tới các mô lành bao quanh.
Tuy nhiên kỹ thuật này hạn chế khi thể tích khối u nhỏ.
Sự phát triển trong lĩnh vực này bao gồm việc sử dụng các nguồn phóng xạ có
suất liều cao, các nguồn này được đưa qua các ống thông để đặt vào các vị trí khối u.
2.4 Cơ sở và các khái niệm liên quan về liều trong xạ trị
Để cho việc điều trị bằng tia xạ đạt hiệu quả tối ưu thì việc nắm vững các khái
niệm về liều lượng, sự phân bố liều tại các thể tích bia, tìm hiểu cơ sở vật lý cũng như
các kỹ thuật tính toán liều chiếu là thật sự cần thiết.
2.4.1 Liều lượng học lâm sàng
• Liều lượng (dose)
Đơn vị tính là Roentgen (R), tính cho bức xạ tia X hoặc tia gamma. Một
Roentgen là năng lượng bức xạ (R0) đi qua một cm3
không khí, ở điều kiện tiêu chuẩn
(00
• Suất liều (dose rate)
C, 760mmHg) tạo ra một đơn vị tĩnh điện, cùng dấu dương hoặc dấu âm.
Là liều lượng trong một đơn vị thời gian. Đơn vị của suất liều là đơn vị của liều
chia cho thời gian (R/h hoặc R/min).
• Liều lượng hấp thụ
Được xác định như năng lượng hấp thụ bởi một đơn vị khối lượng của chất bị
chiếu xạ (hay chính là năng lượng ion hóa của bức xạ bị hấp thụ bởi đơn vị khối lượng
vật chất. Giá trị liều hấp thụ bức xạ phụ thuộc vào tính chất của bức xạ và môi trường

hấp thụ. Sự hấp thụ năng lượng đối với tia bức xạ là do tương tác của bức xạ với
electron của nguyên tử vật chất. Đơn vị là J/kg
J/kg là liều lượng hấp thụ bức xạ được đo bởi năng lượng một Jun của bức xạ
ion hóa bất kỳ hấp thụ bởi khối lượng một kilogram của chất bị chiếu xạ.
• Liều sâu phần trăm (percentage deep dose)
Là tỷ số của liều hấp thụ (Dd
0dD
) tại điểm khảo sát ở một độ sâu x nào đó so với
liều hấp thụ cực đại tại điểm khảo sát trên trục chùm tia ( ).
Hình 2.1 biểu diễn cách tính liều phần trăm
Liều sâu phần trăm:
0
(%) 100d
d
D
D
D
= ×
• Tỷ số mô – không khí (target air ratio)
Là tỉ số liều hấp thụ tại điểm cho trước trong mô so với liều lượng được đo
ngoài không khí trong một thể tích cho trước đủ lớn để tạo ra liều cực đại tại điểm đó.
• Hằng số SSD (source to surface distance)

Là khoảng cách từ nguồn phát tia tới bề mặt da bệnh nhân.
• Hằng số SAD (source axis distance)
Là khoảng cách từ nguồn phát tới tâm của khối u, cắt trục chùm tia.
Trong điều trị bằng tia xạ thì ngoài việc nắm vững các lý thuyết về liều lượng ta
phải tính toán các yếu tố ảnh hưởng đến liều chiếu, đó là năng lượng bức xạ, khoảng
cách từ nguồn đến da và kích thước trường chiếu. Liều lượng trong một khối u ở một
độ sâu nào đó so với liều trên bề mặt da có ý nghĩa r ất quan trọng. Liều sâu tính bằng
phần trăm càng lớn thì hiệu quả điều trị càng cao. Liều sâu phụ thuộc nhiều nhất vào
năng lượng bức xạ. Khi tăng năng lượng lên thì tăng đư ợc độ sâu và do đó tăng được
hiệu quả điều trị. Ngoài ra, liều sâu tăng theo kích thước trường chiếu.
2.4.2 Một số định nghĩa liên quan đến thể tích bia và sự phân phối liều
Liều lượng và phân bố liều lượng là một trong những yếu tố quan trọng đóng
góp vào sự thành công của điều trị bằng tia xạ. Phân bố liều lượng hợp lý được thể hiện
bằng sự tập trung liều cao tại thể tích khối u (còn được gọi là bia) và liều thấp tại vùng
biên (là các tổ chức lành bao quanh khối u).
Trong quá trình lập kế hoạch xạ trị cho một bệnh nhân ung thư, một số loại thể
tích cần được các bác sĩ lâm sàng xác đ ịnh. Người làm công tác tính toán liều chiếu
cũng cần phải hiểu được một số loại thể tích để đưa ra được phác đồ điều trị tối ưu. Vì
vậy hiểu được các loại thể tích đó cũng là một điều quan trọng.
Để điều trị cho một bệnh nhân ung thư phải qua quá trình xác định các thể tích.
Hai loại thể tích cần được xác định trước khi lập kế hoạch điều trị là:
• Thể tích khối u (gross tumor volume – GTV)
• Thể tích bia lâm sàng (clinical taget volume – CTV)
Trong quá trình lập kế hoạch điều trị một số loại thể tích sau cần phải được xác định:

• Thể tích bia lập kế hoạch
• Các tổ chức nguy cấp
• Thể tích điều trị
• Thể tích chiếu xạ
A. Thể tích khối u
B. Thể tích bia lâm sàng
C. Thể tích bia lập kế hoạch
D. Thể tích điều trị
Hình 2.2 Sơ đồ biểu diễn các thể tích bia trong kỹ thuật xạ trị.
Trong đó thể tích điều trị là trường chiếu xạ trong thực tế và bao gồm cả thể tích khối u
(GTV), thể tích bia lâm sàng (CTV), và cả thể tích bia lập kế hoạch (PTV).
2.4.2.1 Thể tích khối u (gross tumor volume – GTV)
Là thể tích có thể sờ, nắn hay nhìn thấy được, biểu hiện sự lan rộng hay khu trú
của các phát triển ác tính. Thể tích khối u bao gồm cả khối u nguyên chất, các hạch di
căn hay các di căn khác. Thể tích khối u thường đúng với các phần của sự phát triển ác
tính mà ở đó mật độ tế bào u là lớn nhất.
Hình dạng kích thước và sự khu trú của thể tích khối u có thể được xác định
bằng nhiều cách khác nhau: kiểm tra lâm sàng (khám, sờ, nắn, nội soi ...), hoặc bằng
A
B
C
D

các kỹ thuật hình ảnh khác nhau (chụp X-quang, chụp cắt lớp CT, cộng hưởng từ MRI
và phương pháp chụp đồng vị phóng xạ).
2.4.2.2 Thể tích bia lâm sàng (clinical target volume – CTV)
Là một thể tích tế bào và mô bao gồm cả thể tích khối u (GTV) và các tổ chức
rất nhỏ cận lâm sàng phải xét đến khi điều trị cụ thể một cách triệt để. Kinh nghiệm
lâm sàng cho thấy rằng quanh thể tích khối u thường có liên quan đến cận lâm sàng,
nghĩa là nó gồm bản thân các tế bào ác tính, các đám tế bào nhỏ hay những lan rộng rất
nhỏ, rất khó phát hiện. Thể tích bao quanh một khối u lớn thường có mật độ tế bào u
lớn, gần kề với mép của thể tích khối u, và mật độ đó giảm đi về phía ngoại vi của thể
tích này. Thể tích khối u cùng với thể tích bao quanh này của các tổ chức liên quan tại
chỗ được gọi là thể tích bia lâm sàng (CTV) và thường được biểu diễn như một thể tích
bia lâm sàng bậc 1 (CTV-1).
Những thể tích phụ khác được xem như là sự lan tỏa cận lâm sàng cũng c ần
phải được điều trị. Chúng cũng được định nghĩa là các thể tích cận lâm sàng và gọi là
các thể tích bia lâm sàng bậc 1, bậc 2.
Vì vậy, trong thực tế, thông thường không chỉ có một thể tích cận lâm sàng mà
còn có thể có nhiều hơn thế nữa. Trong một số trường hợp, ta có thể điều trị một trong
hai thể tích bia lâm sàng với các liều lượng khác nhau. Trường hợp thường gặp là điều
trị tăng cường, nghĩa là một thể tích liều cao nằm bên trong một thể tích liều thấp.
Các định nghĩa về thể tích khối u và thể tích bia lâm sàng này về nguyên tắc
được dựa trên các nguyên tắc chung về ung thư học và không chỉ giới hạn cho việc áp
dụng điều trị bằng chùm tia ngoài. Vì vây, về mặt phẫu thuật, một đường biên an toàn
quanh thể tích khối u được tính một cách phù hợp với các qui tắc lâm sàng và điều này
được hiểu đúng như các khái niệm thể tích bia lâm sàng khi điều trị bằng chùm tia

ngoài. Các thể tích này là cơ sở của việc chỉ định điều trị và phải được xác định trước
khi chỉ định liều lượng.
2.4.2.3 Thể tích bia lập kế hoạch (planning target volume – PTV)
Thể tích bia lập kế hoạch là một khái niệm hình học, được xác định để lựa chọn
kích thước của chùm tia và phân bố chùm tia một cách thích hợp, có tính đến hiệu quả
cao nhất của tất cả các thay đổi hình học có thể có, sao cho đảm bảo liều lượng đã chỉ
định được hấp thụ thực bên trong thể tích bia lâm sàng.
Để đảm bảo rằng tất cả các mô bên trong thể tích bia lâm sàng nhận được một
liều lượng đã chỉ định, về nguyên tắc chiếu xạ người ta phải lập kế hoạch để chiếu xạ
một thể tích hình học lớn hơn thể tích bia lâm sàng. Một cách lý tư ởng thì vị trí, kích
thước, hình dạng của thể tích bia lâm sàng và các chùm tia có quan hệ đến một hệ tọa
độ cố định chung trong một phương cố định và có thể sao chép lại được. Tuy nhiên
trong thực tế điều này không thể thực hiện được. Có thể thấy sự khác nhau trong và
giữa các đợt phân chia liều lượng, thời gian từ những yếu tố sau:
• Sự chuyển động của các tổ chức chứa thể tích bia (chẳng hạn sự hít thở, cử động
của bệnh nhân).
• Những sự khác nhau về kích thước, hình dạng của các tổ chức chứa bia lâm
sàng (chẳng hạn như sự chứa đầy của bàng quang).
• Sự khác nhau về tính chất hình học của chùm tia (chẳng hạn như kích thước
chùm tia, các hướng của chùm tia).
Tùy theo hoàn cảnh lâm sàng (như điều kiện của bệnh nhân, vị trí thể tích bia
lâm sàng…) và kỹ thuật đã chọn, thể tích bia lập kế hoạch cũng có thể trùng với thể
tích bia lâm sàng (chẳng hạn những khối u nhỏ trên da, các khối u tuyến yên…) hay
ngược lại, các thể tích bia lập kế hoạch có thể lớn hơn nhiều.

Thể tích bia lập kế hoạch có thể lớn hơn biên giới giải phẩu bình thường (chẳng
hạn bao gồm cả phần cấu trúc xương không ảnh hưởng về mặt lâm sàng).
Vì vậy, thể tích bia lập kế hoạch là một khái niệm hình học và cố định, được
dùng cho việc lập kế hoạch điều trị. Thực tế, thể tích bia lập kế hoạch không đại diện
cho các tổ chức mô đã xác định hay các biên giới của các mô. Thể tích bia lập kế hoạch
là một thể tích được sử dụng để tính toán liều lượng và sự phân bố liều lượng bên trong
thể tích bia lập kế hoạch phải được cân nhắc sao cho thể hiện được sự phân bố liều
lượng đối với thể tích bia lâm sàng và các tổ chức nguy cấp.
Khi xác định thể tích bia lập kế hoạch đối với thể tích bia lâm sàng đã cho,
người ta phải đánh giá hết tầm quan trọng của những sự khác nhau có thể liên quan đến
sự phân bố chùm tia đã chọn, cân nhắc thêm về sự phân bố giải phẫu, sự áp dụng các
dụng cụ cố định bệnh nhân.
2.4.2.4 Các tổ chức nguy cấp
Các tổ chức nguy cấp là các mô lành nơi mà độ nhạy cảm của tia xạ có thể ảnh
hưởng một cách có ý nghĩa đ ến việc lập kế hoạch điều trị và liều lượng được chỉ định
(tổ chức nguy cấp chẳng hạn như tủy sống).
2.4.2.5 Thể tích điều trị
Thể tích điều trị là thể tích được bao quanh bởi một đường đẳng liều trên bề
mặt, đã được các nhà điều trị tia xạ lựa chọn và định rõ sao cho đạt được mục đích điều
trị.

Hình 2.3 biểu diễn đường đồng liều của CTV, PTV, và GTV trong ung thư trực tràng
được chụp bởi CT trong việc lập kế hoạch điều trị
Một cách lý tư ởng, liều lượng chỉ phân bố trên thể tích bia lập kế hoạch. Tuy
nhiên, do những hạn chế của kỹ thuật điều trị tia xạ, mục đích này không thể thực hiện
được, và điều này dẫn đến việc phải xác định một thể tích điều trị. Khi một liều lượng
tối thiểu đối với một thể tích bia lập kế hoạch đã được chọn một cách thích hợp, trong
một số trường hợp, thể tích điều trị thường lớn hơn nhiều so với thể tích bia lập kế
hoạch.
2.4.2.6 Thể tích chiếu xạ
Thể tích chiếu xạ là thể tích mà các mô nhận được một lượng liều được coi là có
ý nghĩa trong việc liên quan đến tổng liều chịu được của các mô lành.
Việc so sánh giữa các thể tích điều trị và thể tích chiếu xạ đối với những sự
phân bố chùm tia khác nhau có thể được sử dụng như là một phần của quá trình lựa
chọn.

CHƯƠNG 3
MÔ PHỎNG MCNP CHO NGUỒN ĐƠN KÊNH TRONG THIẾT
BỊ XẠ PHẪU LEKSELL GAMMA KNIFE
Chương này trình bày cách th ức mô phỏng nguồn đơn kênh trong thiết bị LGK
bằng chương trình MCNP5.Đ ầu tiên chúng tôi giới thiệu về phương pháp Monte –
Carlo, chương trình mô ph ỏng MCNP5 và tính ưu việt của chương trình, trongđó
chúng tôi cũng gi ải thích vì sao chọn chương trình MCNP5 cho bài toán mô ph ỏng
này. Sau đó chúng tôi sẽ giới thiệu quá trình mô phỏng nguồn đơn kênh bao gồm việc
mô phỏng cấu trúc hình học của một nguồn đơn kênh, cách bố trí các vật liệu trong
nguồn, qua đó rút ra được kết quả phân bố liều hấp thụ trên các trục Ox, Oy và Oz đối
với nguồn đơn kênh.
3.1 Phương pháp Monte – Carlo
Giới thiệu
Đây là phương pháp dùng để mô phỏng sự tương tác của các photon, neutron với
nhau hay là với môi trường. Các mô hình tự nhiên được mô phỏng dựa trên các lý
thuyết động lực học cần thiết theo yêu cầu của hệ.
Trong quá trình mô phỏng một photon hoặc electron được xem như “hạt” được
sinh ra từ một nguồn bao gồm năng lượng ban đầu, vị trí tương tác, góc tán xạ… trên
cơ sở của các tương tác vật lý, bảng tiết diện mở rộng và số giả ngẫu nhiên. Một hạt
được tạo ra bằng cách lấy mẫu một nguồn có năng lượng E từ danh sách của các năng
lượng có sẵn kết hợp với vị trí đầu tiên r và hướng tới Ω . Trong không gian pha cho
mỗi quá trình tương tác và vị trí mới lại được lấy mẫu kết hợp với năng lượng còn lại

và một hướng mới. Quá trình nàyđư ợc lặp lại cho đến khi nguồn hạt và tất cả các hạt
thứ cấp đã để lại toàn bộ năng lượng của nó.
Phương pháp Monte – Carlo rất thích hợp khi giải các bài toán phức tạp không thể
mô hình bằng các chương trình máy tính theo các phương pháp t ất định (Deterministic
methods). Thật vậy, trong lĩnh vực y học, với sự phát triển của các thiết bị kỹ thuật cao
dùng trong việc điều trị bệnh nhân thì yêu cầu chính xác trong việc tính toán liều chiếu
ngày càng được quan tâm, trong khi đó việc giải bài toán với các cấu hình phức tạp
dường như không thể thực hiện được bằng các phương pháp giải tích thông thường. Vì
vậy, sử dụng phương pháp Monte Carlo trong việc mô phỏng sự vận chuyển bức xạ đã
trở nên rất phổ biến trong việc tính toán phân bố liều trong kỹ thuật xạ trị để điều trị
cho bệnh nhân. Hình 3.1 cho thấy khi cấu trúc hình học càng phức tạp, càng gần với
thực tế thì mức độ khó khăn của việc giải quyết bài toán theo phương pháp giải tích
càng tăng nhanh hơn nhiều so với phương pháp mô phỏng Monte Carlo.

Hình 3.1 So sánh phương pháp Monte Carlo với các phương pháp giải tích về thời
gian tính toán và độ phức tạp của cấu hình
Ngày nay, chương trình mô phỏng Monte Carlo được sử dụng cho nhiều mục đích
khác nhau. Một trong những ứng dụng đó là chương trình MCNP.
3.2 Chương trình MCNP (Monte Carlo N – Particle)
3.2.1 Giới thiệu chương trình MCNP [9]
Chương trình MCNP được phát triển ban đầu bởi phòng thí nghiệm quốc gia Los
Alamos của Mỹ. Các nhà bác học Fermi, Von Neumanm, Ulam, Metropolis và
Richtmyer là những người đóng góp chính trong việc xây dựng chương trình tính này.

Dưới sự chỉ đạo của những nhà bác học này chương trình tính MCNPđã đư ợc ra đời
với công sức của hơn 400 nhà khoa học.
MCNP là chương trình ứng dụng phương pháp Monte – Carlo để mô phỏng các
quá trình vật lý hạt nhân đối với neutron, photon, electron mang tính thống kê (các quá
trình phân rã hạt nhân, tương tác giữa các tia bức xạ với vật chất, thông lượng
neutron…). MCNP sử dụng các thư viện dữ liệu của các quá trình hạt nhân, các quy
luật thống kê, số ngẫu nhiên ghi lại các sự kiện của một hạt trong suốt quá trình kể từ
khi phát ra từ nguồn đến hết thời gian sống của nó.
Chương trình có một số đặc điểm sau:
• Chương trình có thể tính toán đối với riêng neutron, riêng photon, riêng
electron, nó có thể tính toán đối với cặp neutron và photon cũng như c ặp
neutron và electron.
• Giải năng lượng tính với neutron: 10
• MCNP cho phép mô tả hình học của bài toán, mô tả vật liệu, chọn các giá
trị tiết diện.
MeV đến 20 MeV; dải năng lượng
tính với photon và electron là 1 KeV đến 1000 MeV.
• MCNP cho phép tính dòng qua bề mặt (Surface current), mật độ dòng
qua bề mặt (Surface Flux), tính quãngđư ờng mật độ dòng trong cell (Track
length estimate of cell flux), mật độ dòng tại một điểm, tính quãngđư ờng theo
năng lượng phân hạch, và phân bố năng lượng của các xung trong điểm đo.
3.2.2 Mô hình hóa tương tác của photon lên vật chất trong chương trình MCNP
Chương trình MCNP tạo ra số hạt phù hợp nhất, sau đó giải quyết vấn đề va chạm
của các hạt đó qua hai mô hình: mô hình vật lý đơn giản và mô hình chi tiết dựa trên lý
thuyết của bốn loại tương tác là tán xạ Compton, tán xạ Thomson, hiệu ứng quang điện
và hiệu ứng tạo cặp. Trong mô hình vật lý đơn gi ản người ta không tính đến tán xạ

Thomson và photon huỳnh quang trong hiệu ứng quang điện. Mô hình này dùng cho
các bài toán mà photon có năng lượng cao hoặc các bài toán mà ở đó điện tử là tự do.
Trong mô hình chi tiết người ta có tính đến tán xạ Thomson và các photon huỳnh
quang. Mô hình chi tiết được áp dụng cho các bài toán có năng lượng thấp hơn
(<100MeV) và môi trường có liên kết điện tử. Các bài toán tính toán cho liều, hiệu suất
che chắn (dùng vật liệu che chắn có Z cao) đối với các nguồn phát photon tự nhiên
cũng thuộc phạm vi áp dụng mô hình chi tiết.
Ngoài ra trong MCNP, các quá trình tương tác c ủa hạt lên vật chất được tính toán
rất chi tiết. Đó là các hiệu ứng quang điện, hiệu ứng Compton và hiệu ứng tạo cặp. Bởi
vì việc tính toán các hiệu ứng này tương đối phổ biến trong các tài liệu nên trong phạm
vi của luận văn này sẽ không trình bày lại.
3.2.3 Điều kiện để mô phỏng một chương trình MCNP
• Nguồn mô phỏng phải là nguồn thực bao gồm các thông số: năng lượng, góc
tán xạ, khoảng không gian phân bố và thời gian phụ thuộc
• Cấu hình phải được xác định đầy đủ kích thước và vị trí.
• Vật liệu phải được xác định đầy đủ và chính xác kể cả việc khai báo độ tinh
khiết bao nhiêu phần trăm.
3.2.4 Cấu trúc của chương trình MCNP [10]
Phần quan trọng để có một chương trình MCNP chính là tệp đầu vào. Trong tệp
đầu vào các thông số như số hạt cần gieo, các thông số chính xác của nguồn được khai
báo, các thông số về phantom như kích thước và chất liệu. Qua các thông số nhận được
MCNP sử dụng thư viện số liệu hạt nhân và các quá trình tính toán, gieo số ngẫu nhiên
tuân theo quy luật phân bố, ghi lại sự kiện lịch sử phát ra từ nguồn cho đến hết thời
gian sống của nó. Khả năng mô tả hình học ba chiều của MCNP là rất tốt trong tệp số

liệu vào chuẩn được chia ra làm 3 phần là định nghĩa mặt, định nghĩa ô mạng (cell) và
định nghĩa vật liệu chúng được ngăn cách nhau bằng các dòng trống.
Định nghĩa mặt là các dạng toàn phương liên kết tạo thành các ô mạng. Gồm các
loại mặt và ký hiệu như sau:
Mặt phẳng:
PX 1.0 là mặt phẳng vuông góc với trục x tại điểm x = 1.0 cm
PY -10.0 là mặt phẳng vuông góc với trục y tại điểm y = -10.0 cm
PZ 1.0 là mặt phẳng vuông góc với trục z tại điểm z = 1.0 cm
Mặt cầu:
SO 100.1 là mặt cầu có tâm tại gốc tọa độ và có bán kính là 100.1 cm
SY 10.0 3.0 là mặt cầu có tâm nằm trên trục y tại điểm y = 10.0 cm và có bán
kính 3.0 cm.
S 1.0 2.0 4.5 2.0 là mặt cầu có tâm tại điểm có tọa độ (1.0, 2.0, 4.5) và có bán
kính 2.0 cm.
Mặt trụ:
CY 1.0 là mặt trụ nằm trên trục y có bán kính là 1.0 cm
C/Z 3.0 5.0 2.4 là mặt trụ song song với trục z có tâm nằm tại tọa độ (x, y) =
(3,5)cm và có bán kính là 2.4 cm.
Ngoài ra MCNP cònđư ợc sử dụng để viết các mặt khác như mặt nón, mặt elip,
mặt parabol hay mặt hyperbol.
Định nghĩa ô mạng (Cell)

Cell được định nghĩa là sự giao nhau của một hay nhiều mặt, mỗi cell được xác
định bởi một số nhất định. Trong mỗi cell ta cần phải khai báo vật liệu, mật độ vật chất.
Ví dụ:
c Cell cards có nghĩa là bắt đầu khai báo các thông số trong phần cell.
1 0 -1 có nghĩa là cell số một là cell trống nằm bên cạnh mặt 1 (theo chiều âm).
2 1 -2.7 1 -2 có nghĩa là cell số hai là cell làm bằng vật liệu 1 có mật độ vật chất là
2.7 g/cm3
3 0 -2 có nghĩa là cell số 3 là cell trống nằm bên ngoài cell 2.
nằm bên cạnh mặt 2 (theo chiều âm).
Định nghĩa vật liệu
Đây là phần khai báo các vật liệu trong quá trình mô phỏng. Vật liệu được định
nghĩa bằng một số đứng trước chữ M. ví dụ vật liệu số 4 được viết là M4.
Vật liệu được xác định bằng số nguyên tử của nguyên tố theo sau đó là 3 số 0, tiếp
đó là thành phần phần trăm của nguyên tố đó trong vật chất. Ví dụ khai báo vật liệu H
chiếm 66.7% trong vật chất ta ký hiệu 1000 0.667.
Trong định nghĩa dữ liệu cần khai báo: nguồn, vật liệu cấu tạo các ô mạng, loại
đánh giá cần tính toán, số hạt gieo được sắp xếp theo trình tự sau:
• Các dòng thông báo (tùy ý)
-------------------------------------------------------------- (dòng trống)
• Một dòng thông báo tên bài toán
• Định nghĩa các ô mạng
-------------------------------------------------------------- (dòng trống)

• Định nghĩa các mặt
-------------------------------------------------------------- (dòng trống)
• Định nghĩa dữ liệu
3.2.5 Tally trong MCNP [10]
MCNP cung cấp các loại tally để tính năng lượng của các hạt truyền trong môi
trường vật chất. Sự khác nhau giữa các loại tally có thể ảnh hưởng đến tính chính xác
của việc tính toán liều. Tùy vào mục đích tính toán khác nhau, mà ta sử dụng loại tally
nào tương ứng. MCNP cung cấp tất cả là 7 loại tally gồm có F1, F2, F4, F5, F6, F7, F8,
ngoài ra trong chương trình MCNP5 ngư ời ta cung cấp thêm một loại tally là tally
Fmesh. Tuy nhiên trong phạm vi của luận văn chỉ sử dụng hai loại tally đó là tally F4
và tally Fmesh để xác định liều hấp thụ trong phantom.
Tally F4: được sử dụng để xác định độ dài vết ứng với các khoảng năng lượng
được chia. Các kết quả ghi nhận được trong Tally F4 là độ dài vết của các photon có
năng lượng tương ứng đi qua các voxel trong một cell . Khi hạt đi qua một voxel thì nó
sẽ bỏ lại năng lượng do tương tác với các vật chất trong cell đó. Hình 3.2 biểu diễn quá
trình vận chuyển của hạt qua một voxel (là phần chia nhỏ của một cell).
Nếu gọi Φ là thông lượng và TL là chiều dài đường đi của hạt (cm), V là thể
tích của một voxel (cm3
Φ), thì được xác định theo công thức:
LT
V
Φ =∑
Vết của đường đi của hạt trong tally được tính theo công thức: W LT
V
W là trọng số quãng đường
A: là diện tích của một voxel

δ: là bề rộng của voxel
C: là vị trí va chạm
Hình 3.2 biểu diễn quá trình vận chuyển của các hạt qua một voxel
Tally F4 được xác định là :
1 W
4 LT
F
N V
= ∑
Trong đó N là số hạt phát ra từ nguồn.
Đây là phép tính khá tin cậy bởi vì có rất nhiều đường đi của hạt trong cell dẫn
đến việc có nhiều sự đóng góp cho tally này. Trong luận văn này tally F4:p được sử
dụng cùng với DE và DF để tính năng lượng của hạt bỏ lại trong một cell.
Tally Fmesh: lần đầu tiên tally này đưa vào chương trình MCNP5 để nâng cao
khả năng tính toán và tiết kiệm được thời gian tính toán. Tally Fmesh cũng được dùng
để tính độ dài vết của thông lượng trung bình của hạt.
Tuy nhiên tính ưu việt của tally Fmesh là không chia một cell thành các voxel
nhỏ hơn vì vậy MCNP5 không mất thời gian để tính toán các va chạm của hạt đi qua
từng voxel nhỏ nên thời gian tính toán đối với tally Fmesh là cực nhanh. Để kiểm tra

tính chính xác của tally Fmesh, chúng tôi khảo sát phân bố liều tương đối đo được với
nguồn đơn kênh, khảo sát dọc theo trục Ox chạy bằng tally F4 và tally Fmesh. Số hạt
gieo là 10 triệu hạt. Kết quả của khảo sát này được biểu diễn trên hình 3.3, từ hình 3.3
ta thấy rằng kết quả tính toán phân bố liều giữa tally F4 và tally Fmesh gần như tương
tự nhau.
Hình 3.3 So sánh liều tương đối tính bằng tally F4 và tally Fmesh dọc theo trục
Ox đối với phantom nước
Bên cạnh đó từ bảng 3.1 so sánh thời gian tính toán của tally Fmesh và tally F4
ta thấy nếu dùng tally Fmesh thời gian giảm gần 1460 lần so với thời gian chạy bằng
tally F4.
Bảng 3.1 So sánh thời gian chạy giữa Tally F4 và Tally Fmesh
Loại Tally Thời gian chạy
F4 6671.2 phút
Fmesh 4.57 phút
3.2.6 Ưu điểm của chương trình MCNP5 [11]

Chương trình MCNP5 ra đời vào năm 2005, là chương trình được phát triển dựa
trên nền tảng của chương trình MCNP4C, tuy nhiên MCNP5 bổ sung thêm giao
diện cho phép người sử dụng dễ dàng nhập file input ngay trên màn hình chính.
Ngoài ra MCNP5 hỗ trợ thêm vẽ 3D, có thể hiển thị ngay cấu hình màu giúp
người dùng có thể dễ dàng phát hiện ra những thiếu sót trong quá trình mô
phỏng. Hình 3.4 biểu diễn giao diện của chương trình MCNP5.
Hình 3.4 Giao diện của chương trình MCNP5
3.3 Mô phỏng MCNP cho nguồn đơn kênh trong thiết bị xạ phẫu LGK
Bài toán đặt ra là mô phỏng một nguồn Co60
phát ra tia gamma thông qua
collimator làm bằng các chất liệu tungsten, chì, sắt và thép. Thành phần của các vật
liệu và khoảng cách giữa chúng được biểu diễn trên hình 3.5. Trongđó ngu ồn Cobalt

được đặt ở giữa, bao quanh là một lớp sắt dày 2cm. Tiếp theo là lớp Tungsten dày
6.5cm. Kế tiếp là lớp chì dày 9.2cm và cuối cùng là lớp tungsten dày 6cm. Mô hình
nguồn này phù hợp cho việc sử dụng chương trình MCNP đ ể mô phỏng. Dựa vào mô
hình này ta có thể tính toán phân bố liều trong phantom. Mô hình phantom chúng tôi sử
dụng ở đây là phantom hình hộp, có kích thước 160 x160 x160 mm3
. Vùng không gian
giữa nguồn và phantom được lấp đầy bởi không khí. Số hạt photon được gieo là 107
hạt. Hình 3.6 biểu diễn mô hình mô phỏng nguồn và phantom trong thiết bị xạ phẫu
LGK.
Sắt
Co60
0.05 cm
21.7cm
15.2cm
6cm
23.7cm
5 cm
Tungsten
Tungsten
Chì
Không khí

Hình 3.5 Mô hình nguồn đơn kênh dùng trong mô phỏng MCNP
Hình 3.6 Mô hình mô phỏng nguồn đơn kênh và phantom trong LGK
Dựa vào cấu hình mô phỏng này ta có thể tính được xác suất phát tia gamma ứng
với các tia gamma có các năng lượng khác nhau phát ra từ nguồn Co60
. Hình 3.7 biểu
diễn xác suất phát ra của tia gamma theo năng lượng, ta thấy xác suất phát là lớn nhất
tương ứng với tia gamma có năng lượng là 1.25 MeV.

Hình 3.7 Phổ năng lượng photon phát ra của nguồn Co
Sau đó ta dùng cấu hình này để mô phỏng tính toán liều hấp thụ trong phantom
làm bằng vật liệu nước và plastic. Mục đích của việc tính toán này là so sánh sự khác
nhau của liều phân bố trên hai vật liệu nước và plastic. Từ đó rút ra nhận xét xem chất
liệu làm phantom có ảnh hưởng đến liều phân bố trong phantom không.
60
3.4 Các kết quả tính toán với nguồn đơn kênh
3.4.1 Liều phân bố theo trục Ox
Đồ thị so sánh phân bố liều trong phantom làm bằng chất liệu nước và plastic
theo trục Ox.

Hình 3.8 Liều phân bố dọc theo trục Ox
Từ hình 3.8 ta thấy có sự tập trung cao liều chiếu vào trung tâm. Phân bố liều
tập trung quanh vùng không gian có bán kính 1cm quanh trục chiếu và giảm dần ở
khoảng cách xa nguồn chiếu. Hình 3.8 cũng cho th ấy đường phân bố liều đối với
phantom làm bằng chất liệu nước và plastic gần như trùng khớp lên nhau. Điều này
chứng tỏ rằng vật liệu làm phantom không ảnh hưởng lên sự tính toán phân bố liều.
3.4.2 Liều phân bố trên mặt phẳng Oxy và Oxz
Để thấy được liều tập trung tại tâm một cách rõ ràng hơn. D ựa vào kết quả mô
phỏng thu được, chúng tôi dùng chương trình Matlabđ ể vẽ phân bố liều trên mặt
phẳng Oxy.

Hình 3.9 Phân bố liều tương đối trên mặt phẳng Oxy
Hình 3.10 Phân bố liều tương đối trên mặt phẳng Oxz

Dựa vào hai hình 3.9 và 3.10 chúng ta thấy phân bố liều trên mặt phẳng có dạng
phù hợp với các kết quả thực tế đó là phân bố liều tập trung quanh vùng không gian có
bán kính 1cm quanh trục chiếu và giảm dần ở khoảng cách xa nguồn chiếu.

CHƯƠNG 4
MÔ PHỎNG MCNP CHO 201 NGUỒN TRONG THIẾT BỊ XẠ
PHẪU LEKSELL GAMMA KNIFE
Nội dung của chương này tập trung vào việc tính toán phân bố liều trong
phantom làm bằng vật liệu nước khi chiếu 201 nguồn Co60
4.1 Mô phỏng MCNP5 cho 201 nguồn trong LGK
. Đồng thời trong chương
này cũng mô phỏng liều phân bố trong phantom đầu Zubal.
Bài toán đặt ra là tính toán liều phân bố trong phantom khi chiếu cùng lúc 201
nguồn Co60
phát tia gamma thông qua các collimator với các đường kính 4mm, 8mm,
14mm, 18mm trong helmet của LGK. Hình 4.1a và 4.1b biểu diễn cấu hình của helmet
trong gamma knife. Mỗi helmet trong gamma knife có 5 vòng, ta ký hiệu mỗi vòng có
tên gọi là A, B, C, D, E. Trên mỗi vòng đó số lượng các collimator phân bố lần lượt là:
trên vòng A có 44 collimator, trên vòng B có 44 collimator, trên vòng C có 39
collimator, trên vòng D có 39 collimator và trên vòng trong cùng vòng E có 35
collimator. Các vòng tròn này đồng tâm [4].

Hình 4.1a Biểu diễn sự sắp xếp của các vòng collimator trong helmet của LGK
Hình 4.1b Biểu diễn góc phương vị của các vòng so với mặt phẳng xOy
Để mô phỏng cấu hình của 201 nguồn bằng chương trình MCNP, ta phải xác định
các góc từ nguồn tới mặt phẳng, để có các phân bố góc. Hình 4.2 biểu diễn mô hình
tính toán phân bố góc giữa các vòng với mặt phẳng.

Hình 4.2 biểu diễn phân bố góc của 201 nguồn trong LGK so với mặt phẳng
Từ mô hình phân bố 201 nguồn đã tính toán ta dùng chương trình MCNP5 để mô
phỏng. Ta xem các nguồn này có dạng mặt, với mỗi mặt phát ra năng lượng như đã
tính trong nguồn đơn kênh. Để tính toán phân bố liều trong phantom ta sử dụng mô
hình phantom bằng chất liệu nước có dạng hình hộp có kích thước 16 x 16 x 16cm3
.
Hình 4.3 biểu diễn mô hình phân bố nguồn và phantom đối với 201 nguồn bằng
MCNP. Với mục đích là tăng thể tích vùng tính liều lên để có thể khảo sát liều trong
một vùng lớn hơn và để có thể xem ảnh hưởng của các vùng lân cận cụ thể hơn nên
khác với trong mô phỏng nguồn đơn kênh, trong phần mô phỏng với 201 nguồn này
chúng tôi đã chọn vùng thể tích bia được giới hạn trong hình hộp có kích thước 4cm x
4cm x 4cm ở trung tâm của hình hộp. Để tính liều hấp thụ tại từng điểm trong vùng
quan tâm, chúng tôi sử dụng tally FMESH. Vùng không gian giữa nguồn và phantom
được lấp đầy bởi không khí. Số hạt photon được gieo là 107
hạt.

Hình 4.3 Biểu diễn nguồn có dạng hình mặt và cách bố trí phantom trong mô
phỏng 201 nguồn
4.2 Mô phỏng cách tính liều đối với đầu Zubal
Ta dùng cấu hình mô phỏng đối với 201 nguồn để áp dụng tính liều đối với mô
hình đầu Zubal, mô hình nàyđư ợc lấy trong thư viện các ví dụ mẫu về y học hạt nhân
của MCNP5 với mục đích so sánh các kết quả tính được với các kết quả thực tế nhằm
kiểm định tính chính xác của quá trình mô phỏng. Hình 4.4 biểu diễn mô hìnhđ ầu
Zubal, mô hình này được mô phỏng gần giống với thực tế với hơn 15 loại vật chất khác
nhau bao gồm xương, vỏ não, tuyến yên, hai hốc mắt, thủy tinh thể, mũi, sụn, thái
dương. Trong mô hình này người ta chia ra thành các voxel gồm có 85 x 109 x 120
voxel, mỗi voxel có kích thước là 2.2 x 2.2 x 1.4 mm3
[10].

Hình 4.4 Mô hình đầu Zubal
4.3 Các kết quả tính toán với 201 nguồn.
4.3.1 Phân bố liều theo các trục tọa độ đối với phantom nước

4.3.1.1 Phân bố liều tương đối trong collimator có đường kính 4mm
4mm

đường kính 8mm

Từ các hình 4.5, 4.6, 4.7 và 4.8 ta thấy liều phân bố theo các trục Ox và Oz là
đối xứng và tập trung xung quanh vùng trung tâm. Phân bố liều dọc theo trục x có sự
suy giảm theo tọa độ chậm hơn là suy giảm theo trục z.
4.3.2 Phân bố liều theo mặt phẳng
Tương tự như tính toán trong nguồn đơn kênh, ta cũng v ẽ phân bố liều trên mặt
phẳng Oxy và Oxz trong tính toán đối với 201 nguồn để xác định phân bố liều tập
trung một cách rõ ràng hơn.

Hình 4.9 Liều phân bố trên mặt phẳng Oxy trong collimator đường kính 18mm
Hình 4.10 Liều phân bố trên mặt phẳng Oxz trong collimator đường kính 18mm

Từ hình 4.9 và 4.10 ta thấy phân bố liều trên mặt phẳng có dạng phù hợp phân
bố liều theo trục, đó là phân bố liều tập trung quanh vùng không gian có bán kính 1cm
quanh trục chiếu và giảm dần ở khoảng cách xa nguồn chiếu.
4.3.3 Kết quả tính toán đối với phantom đầu Zubal
Hình 4.11 biểu diễn phân bố liều tương đối trong phantom đầu Zubal và trong
phantom nước đối với 201 nguồn
Từ 4.11 phân bố liều ta thấy có sự phù hợp tốt giữa các kết quả mô phỏng với
các nhận định về khả năng của thiết bị. Thiết bị đã cung cấp một liều chiếu tập trung
vào vùng trung tâm, với sự tập trung liều chiếu này chúng ta có thể tiêu diệt được tế
bào ung thư đồng thời hạn chế được tác hại đối với các mô lành xung quanh một cách

đáng kể. Kết quả này là bước đầu trong việc nghiên cứu phân bố liều bằng phương
pháp Monte Carlo để hỗ trợ việc chữa trị ung thư não bằng Leksell Gamma Knife.
4.3.4 So sánh với các profile
Dùng các kết quả tính toán được chúng tôi so sánh với các kết quả tính toán của
tác giả Yipeng Li thì thấy hoàn toàn trùng khớp, chứng tỏ kết quả thu được là hoàn
toàn đúng.
Hình 4.12 So sánh liều phân bố đối với trục z trong collimator đường kính 4mm với
201 nguồn

Hình 4.13 So sánh liều phân bố đối với trục x trong collimator đường kính 4mm
với 201 nguồn

Hình 4.14 So sánh liều phân bố đối với trục x trong collimator có đường kính 18mm
với 201 nguồn

Hình 4.15 So sánh liều phân bố đối với trục z trong collimator có đường kính 18mm
với 201 nguồn
4.3.5 So sánh FWHM với kết quả xuất ra của Gamma Plan
Để đảm bảo tính chính xác của việc tính toán, chúng tôi đã so sánhđ ộ dài một
nửa (FWHM) của các đường phân bố liều với trong các profile với kết quả tính được
trong Gamma Plan.

FWHM
Đường kính collimator Gamma Plan Kết quả tính toán
4 mm 6 5
8 mm 11.2 10
14 mm 19.1 19
18 mm 24.4 24
Bảng 4.1 So sánh FWHM đối với trục Ox giữa chương trình Gamma Plan với kết quả
tính toán
FWHM
Đường kính collimator Gamma Plan Kết quả tính toán
4 mm 4.8 4
8 mm 9.2 8
14 mm 15.8 15
18 mm 20.0 20
Bảng 4.2 So sánh FWHM đối với trục Oz giữa chương trình Gamma Plan với kết quả
tính toán

KẾT LUẬN
Việc tính toán liều trong xạ trị là một bài toán hết sức phức tạp do chính tính
chất phức tạp của tương tác của bức xạ với vật chất và tính chất phức tạp của cấu hình.
Trong những năm gần đây việc nghiên cứu và sử dụng code MCNP trong quá trình mô
phỏng tính toán liều trong kỹ thuật xạ trị đã trở nên phổ biến do những ưu điểm của
chương trình này mang lại. Luận văn này với mục đích tìm hiểu và giới thiệu phương
pháp tính của chương trình MCNP5 cung cấp cho các kỹ sư vật lý một tài liệu tham
khảo bổ ích. Đồng thời xây dựng bài toán tính toán phân bố liều đối với thiết bị xạ
phẫu LGK bằng chương trình MCNP5đ ể kiểm tra tính đúng đắn của quá trình tính
toán so với kết quả thực tế.
Qua việc mô phỏng cấu hình nguồn đơn kênh và cấu hình của 201 nguồn và từ
các kết quả phân bố liều chiếu thu được trong phantom, chúng tôi thấy rằng việc tính
toán phân bố liều đối với thiết bị xạ phẫu LGK bằng chương trình MCNP5 là khá phù
hợp với các kết quả thực tế. Điều này mở ra một hướng nghiên cứu mới là có thể ứng
dụng chương trình MCNP5 trong việc lên kế hoạch xạ trị bằng Gamma Knife.
Hiện nay người ta sử dụng chương trình Gamma Plan trong vi ệc lập kế hoạch
tính toán liều xạ trị cho Gamma Knife. Chương trình này đư ợc cung cấp bởi nhà sản
xuất kèm với thiết bị xạ phẫu LGK nên việc kiểm tra tính chính xác của chương trình
này cũng đang là vấn đề quan tâm của các kỹ sư vật lý. Vì vậy, việc sử dụng chương
trình MCNP5 một cách độc lập và song song với chương trình Gamma Plan trong việc
lập kế hoạch xạ trị bằng Gamma Knife sẽ đem lại hiệu quả điều trị một cách tối ưu.

HƯỚNG PHÁT TRIỂN
Do hạn chế về thời gian cũng như tính phức tạp của bài toán tính liều, chúng tôi
chỉ mới áp dụng tính toán liều cho phantom nước và plastic có hình hộp, cũng như chỉ
tính toán phân bố liều tương đối cho phantom đầu Zubal. Để phát huy vai trò của
chương trình MCNP5 trong tính toán phân b ố liều cho kỹ thuật xạ trị bằng thiết bị
Leksell Gamma Knife, chúng tôi hy vọng rằng trong tương lai có thể xây dựng một
chương trình tính liều cụ thể cho từng vị trí trên khối u thực tế và có thể mô phỏng tính
liều cho một khối u có hình dạng bất kì.

TÀI LIỆU THAM KHẢO
Tiếng việt
[1] Ths Nguyễn Thái Hà, PGS TS Nguyễn Đức Thuận Y học hạt nhân và kỹ thuật xạ
trị, NXB Bách Khoa, Hà Nội.
Tiếng nước ngoài
[2] Joel YC Cheung, Monte Carlo calculation of single beam dose profiles used in a
gamma knife treatment planning system.
[3] Joel YC Cheung, Choice of phantom materials for dosimetry of Leksell Gamma
Knife unit: A Monte Carlo study.
[4] Feras M.O, Al Dweri and Antonio M. Lallena, A simplified model of the source
channel of the Leksell Gamma Knife: testing multisource configurations with
PENELOPE
[5] Moskvin, MCNP – based computational model for the Leksell Gamma Knife
[6] Yipeng Li, Absorbed dose measurements and MCNP modeling for the Leksell
Gamma Knife.
[7] Gamma Knife center, Crowell Hospital, History of Leksell Gamma Knife.
[8] E.B.Podgorsak, Radiation Oncology Physics: A Handbook for Teachers and
Students, International Atomic Energy Agency, Vienna, 2005.
[9] Los Alamos National Laboratory, MCNP manual.
[10] Practical Monte Carlo Using MCNP
[11] Los Alamos National Laboratory, MCNP5 Improvement for Windows PCS.

PHỤ LỤC
Phụ lục A: Gamma Knife model with single source
c gamma knife model with single sources
c **************** Cell Card **********************
1 10 -0.0012 -6 1 -2 imp:p=1 $ air
2 40 -19.250 6 -9 1 -2 imp:p=1 $ tungsten
3 10 -0.0012 -6 2 -3 imp:p=1 $ air
4 30 -11.340 6 -9 2 -3 imp:p=1 $ lead
5 10 -0.0012 -6 3 -4 imp:p=1 $ air
6 40 -19.250 6 -9 3 -4 imp:p=1 $ tungsten
7 10 -0.0012 -8 4 -5 imp:p=1 $ Co-60 source
8 50 -7.8600 7 -9 4 -5 imp:p=1 $ cast iron: pure Fe
9 10 -0.0012 -7 8 4 -5 imp:p=1 $ air gap
10 60 -1.0512 12 -13 14 -15 16 -17 imp:p=1
20 0 #(12 -13 14 -15 16 -17) -20 #(-9 1 -5) imp:p=1
30 0 20 imp:p=0
c **************** Surface Card ********************
1 PZ 16.5
2 PZ 22.5
3 PZ 31.7
4 PZ 38.2

5 PZ 40.2
6 KZ 41.831 0.0004587 -1 $ cone surface
c 7 CZ 0.217 $ primary collimator
7 CZ 0.05005
8 CZ 0.05 $ Co-60 source cylinder
9 CZ 5 $ the cylinder containing the model
c 11 so 8 $ the phantom R = 8cm
12 PX -8 $ hinh hop
13 PX 8
14 PY -8
15 PY 8
16 PZ -8
17 PZ 8
20 so 50 $ the whole sphere
c ************** Problem Type **************
mode p
c
c ************** Source Term **************
sdef POS=0 0 39.2 AXS=0 0 1 RAD=d1 EXT=d2 &
VEC=0 0 -1 DIR=d3 ERG=1.25
c

si1 0 0.05
si2 1
si3 0.99 1
sp3 0 1
c
c *************** Tally **************************
c F4:p 10(10<40 [-20:20 -20:20 -20:20])
c
fmesh4:p GEOM=xyz ORIGIN=-2 -2 -2
IMESH= 2 IINTS=40
JMESH= 2 JINTS=40
KMESH= 2 KINTS=40
AXS= 0 0 1 VEC=0 1 0 OUT=ik
de0 0.010 0.015 0.020 0.030 0.040 0.050 0.060 0.080 0.100 &
0.150 0.200 0.300 0.400 0.500 0.600 0.800 1.000 1.500
df0 2.96e-012 1.21e-012 6.41e-013 2.91e-013 2.04e-013 &
1.91e-013 2.07e-013 2.76e-013 3.67e-013 &
6.32e-013 9.16e-013 1.49e-012 2.03e-012 2.56e-012 &
3.06e-012 3.97e-012 4.81e-012 6.58e-012
c ************* Material *******************
m10 7000 -.755 8000 -.232 18000 -.013 $ air
m50 26000 1.0 $ cast iron: pure Fe

m30 82000 1.0 $ lead
m40 74000 1.0 $ tungsten
m60 1000 2.0 8000 1.0 $ phantom H2O
c m60 1000 0.077 $ for H
c 6000 0.923 $ for C
c m20 1000 2.0 8000 1.0
c
c ************* Energy Card ****************
phys:p 2
SPDTL force
fm4 1.0
c ************* Cutoff Card ****************
nps 10000000

Phụ lục B: Gamma Knife model with 201 sources
c gamma knife model with 201 sources
c **************** Cell Card **********************
10 60 -1.0512 12 -13 14 -15 16 -17 imp:p=1
20 10 -0.0012 #(12 -13 14 -15 16 -17) -20 imp:p=1
30 0 20 imp:p=0
c **************** Surface Card ********************
12 PX -4 $ hinh hop
13 PX 4
14 PY -4
15 PY 4
16 PZ -4
17 PZ 4
20 so 50 $ the whole sphere
301 p 16.371056 0.000000 2.058770 272.250000
302 p 16.230999 2.136852 2.058770 272.250000
303 p 15.813226 4.237141 2.058770 272.250000
304 p 15.124883 6.264932 2.058770 272.250000
305 p 14.177750 8.185528 2.058770 272.250000
306 p 12.988032 9.966067 2.058770 272.250000
307 p 9.966067 12.988032 2.058770 272.250000

308 p 8.185528 14.177750 2.058770 272.250000
309 p 6.264932 15.124883 2.058770 272.250000
310 p 4.237141 15.813226 2.058770 272.250000
311 p 2.136852 16.230999 2.058770 272.250000
312 p -0.000000 16.371056 2.058770 272.250000
313 p -2.136852 16.230999 2.058770 272.250000
314 p -4.237141 15.813226 2.058770 272.250000
315 p -6.264932 15.124883 2.058770 272.250000
316 p -8.185528 14.177750 2.058770 272.250000
317 p -11.576085 11.576085 2.058770 272.250000
318 p -12.988032 9.966067 2.058770 272.250000
319 p -14.177750 8.185528 2.058770 272.250000
320 p -15.124883 6.264932 2.058770 272.250000
321 p -15.813226 4.237141 2.058770 272.250000
322 p -16.230999 2.136852 2.058770 272.250000
323 p -16.371056 -0.000000 2.058770 272.250000
324 p -16.230999 -2.136852 2.058770 272.250000
325 p -15.813226 -4.237141 2.058770 272.250000
326 p -15.124883 -6.264932 2.058770 272.250000
327 p -14.177750 -8.185528 2.058770 272.250000
328 p -12.988032 -9.966067 2.058770 272.250000
329 p -9.966067 -12.988032 2.058770 272.250000

330 p -8.185528 -14.177750 2.058770 272.250000
331 p -6.264932 -15.124883 2.058770 272.250000
332 p -4.237141 -15.813226 2.058770 272.250000
333 p -2.136852 -16.230999 2.058770 272.250000
334 p -0.000000 -16.371056 2.058770 272.250000
335 p 2.136852 -16.230999 2.058770 272.250000
336 p 4.237141 -15.813226 2.058770 272.250000
337 p 6.264932 -15.124883 2.058770 272.250000
338 p 8.185528 -14.177750 2.058770 272.250000
339 p 11.576085 -11.576085 2.058770 272.250000
340 p 12.988032 -9.966067 2.058770 272.250000
341 p 14.177750 -8.185528 2.058770 272.250000
342 p 15.124883 -6.264932 2.058770 272.250000
343 p 15.813226 -4.237141 2.058770 272.250000
344 p 16.230999 -2.136852 2.058770 272.250000
345 p 15.986238 0.000000 4.085363 272.250000
346 p 15.830661 2.224854 4.085363 272.250000
347 p 15.366958 4.406404 4.085363 272.250000
348 p 14.604155 6.502189 4.085363 272.250000
349 p 13.557099 8.471416 4.085363 272.250000
350 p 12.246169 10.275756 4.085363 272.250000
351 p 8.939391 13.253192 4.085363 272.250000

352 p 7.007906 14.368336 4.085363 272.250000
353 p 4.940019 15.203816 4.085363 272.250000
354 p 2.775981 15.743371 4.085363 272.250000
355 p 0.557912 15.976500 4.085363 272.250000
356 p -1.671017 15.898664 4.085363 272.250000
357 p -3.867421 15.511379 4.085363 272.250000
358 p -5.988550 14.822182 4.085363 272.250000
359 p -7.993119 13.844488 4.085363 272.250000
360 p -9.842111 12.597328 4.085363 272.250000
361 p -11.499537 11.104974 4.085363 272.250000
362 p -12.933138 9.396475 4.085363 272.250000
363 p -14.115011 7.505084 4.085363 272.250000
364 p -15.022150 5.467615 4.085363 272.250000
365 p -15.636901 3.323726 4.085363 272.250000
366 p -15.947297 1.115144 4.085363 272.250000
367 p -15.947297 -1.115144 4.085363 272.250000
368 p -15.636901 -3.323726 4.085363 272.250000
369 p -15.022150 -5.467615 4.085363 272.250000
370 p -14.115011 -7.505084 4.085363 272.250000
371 p -12.933138 -9.396475 4.085363 272.250000
372 p -11.499537 -11.104974 4.085363 272.250000
373 p -9.842111 -12.597328 4.085363 272.250000

374 p -7.993119 -13.844488 4.085363 272.250000
375 p -5.988550 -14.822182 4.085363 272.250000
376 p -3.867421 -15.511379 4.085363 272.250000
377 p -1.671017 -15.898664 4.085363 272.250000
378 p 0.557912 -15.976500 4.085363 272.250000
379 p 2.775981 -15.743371 4.085363 272.250000
380 p 4.940019 -15.203816 4.085363 272.250000
381 p 7.007906 -14.368336 4.085363 272.250000
382 p 8.939391 -13.253192 4.085363 272.250000
383 p 10.696881 -11.880090 4.085363 272.250000
384 p 12.246169 -10.275756 4.085363 272.250000
385 p 13.557099 -8.471416 4.085363 272.250000
386 p 14.604155 -6.502189 4.085363 272.250000
387 p 15.366958 -4.406404 4.085363 272.250000
388 p 15.830661 -2.224854 4.085363 272.250000
389 p 15.304238 1.204470 6.048102 272.250000
390 p 14.927397 3.583751 6.048102 272.250000
391 p 14.182994 5.874788 6.048102 272.250000
392 p 13.089358 8.021169 6.048102 272.250000
393 p 11.673419 9.970042 6.048102 272.250000
394 p 8.021169 13.089358 6.048102 272.250000
395 p 5.874788 14.182994 6.048102 272.250000

396 p 3.583751 14.927397 6.048102 272.250000
397 p 1.204470 15.304238 6.048102 272.250000
398 p -1.204470 15.304238 6.048102 272.250000
399 p -3.583751 14.927397 6.048102 272.250000
400 p -5.874788 14.182994 6.048102 272.250000
401 p -8.021169 13.089358 6.048102 272.250000
402 p -9.970042 11.673419 6.048102 272.250000
403 p -11.673419 9.970042 6.048102 272.250000
404 p -13.089358 8.021169 6.048102 272.250000
405 p -14.182994 5.874788 6.048102 272.250000
406 p -14.927397 3.583751 6.048102 272.250000
407 p -15.304238 1.204470 6.048102 272.250000
408 p -15.304238 -1.204470 6.048102 272.250000
409 p -14.927397 -3.583751 6.048102 272.250000
410 p -14.182994 -5.874788 6.048102 272.250000
411 p -13.089358 -8.021169 6.048102 272.250000
412 p -11.673419 -9.970042 6.048102 272.250000
413 p -9.970042 -11.673419 6.048102 272.250000
414 p -8.021169 -13.089358 6.048102 272.250000
415 p -5.874788 -14.182994 6.048102 272.250000
416 p -3.583751 -14.927397 6.048102 272.250000
417 p -1.204470 -15.304238 6.048102 272.250000

418 p 1.204470 -15.304238 6.048102 272.250000
419 p 3.583751 -14.927397 6.048102 272.250000
420 p 5.874788 -14.182994 6.048102 272.250000
421 p 8.021169 -13.089358 6.048102 272.250000
422 p 9.970042 -11.673419 6.048102 272.250000
423 p 11.673419 -9.970042 6.048102 272.250000
424 p 13.089358 -8.021169 6.048102 272.250000
425 p 14.182994 -5.874788 6.048102 272.250000
426 p 14.927397 -3.583751 6.048102 272.250000
427 p 15.304238 -1.204470 6.048102 272.250000
428 p 14.476947 0.000000 7.916313 272.250000
429 p 14.298712 2.264693 7.916313 272.250000
430 p 13.768395 4.473623 7.916313 272.250000
431 p 12.899054 6.572396 7.916313 272.250000
432 p 11.712096 8.509336 7.916313 272.250000
433 p 8.509336 11.712096 7.916313 272.250000
434 p 6.572396 12.899054 7.916313 272.250000
435 p 4.473623 13.768395 7.916313 272.250000
436 p 2.264693 14.298712 7.916313 272.250000
437 p 0.000000 14.476947 7.916313 272.250000
438 p -2.264693 14.298712 7.916313 272.250000
439 p -4.473623 13.768395 7.916313 272.250000

440 p -6.572396 12.899054 7.916313 272.250000
441 p -8.509336 11.712096 7.916313 272.250000
442 p -10.236747 10.236747 7.916313 272.250000
443 p -11.712096 8.509336 7.916313 272.250000
444 p -12.899054 6.572396 7.916313 272.250000
445 p -13.768395 4.473623 7.916313 272.250000
446 p -14.298712 2.264693 7.916313 272.250000
447 p -14.476947 0.000000 7.916313 272.250000
448 p -14.298712 -2.264693 7.916313 272.250000
449 p -13.768395 -4.473623 7.916313 272.250000
450 p -12.899054 -6.572396 7.916313 272.250000
451 p -11.712096 -8.509336 7.916313 272.250000
452 p -10.236747 -10.236747 7.916313 272.250000
453 p -8.509336 -11.712096 7.916313 272.250000
454 p -6.572396 -12.899054 7.916313 272.250000
455 p -4.473623 -13.768395 7.916313 272.250000
456 p -2.264693 -14.298712 7.916313 272.250000
457 p -0.000000 -14.476947 7.916313 272.250000
458 p 2.264693 -14.298712 7.916313 272.250000
459 p 4.473623 -13.768395 7.916313 272.250000
460 p 6.572396 -12.899054 7.916313 272.250000
461 p 8.509336 -11.712096 7.916313 272.250000

462 p 10.236747 -10.236747 7.916313 272.250000
463 p 11.712096 -8.509336 7.916313 272.250000
464 p 12.899054 -6.572396 7.916313 272.250000
465 p 13.768395 -4.473623 7.916313 272.250000
466 p 14.298712 -2.264693 7.916313 272.250000
467 p 13.325163 1.165801 9.660794 272.250000
468 p 12.920284 3.461980 9.660794 272.250000
469 p 12.122830 5.652968 9.660794 272.250000
470 p 10.957029 7.672194 9.660794 272.250000
471 p 7.672194 10.957029 9.660794 272.250000
472 p 5.652968 12.122830 9.660794 272.250000
473 p 3.461980 12.920284 9.660794 272.250000
474 p 1.165801 13.325163 9.660794 272.250000
475 p -1.165801 13.325163 9.660794 272.250000
476 p -3.461980 12.920284 9.660794 272.250000
477 p -5.652968 12.122830 9.660794 272.250000
478 p -7.672194 10.957029 9.660794 272.250000
479 p -9.458305 9.458305 9.660794 272.250000
480 p -10.957029 7.672194 9.660794 272.250000
481 p -12.122830 5.652968 9.660794 272.250000
482 p -12.920284 3.461980 9.660794 272.250000
483 p -13.325163 1.165801 9.660794 272.250000

484 p -13.325163 -1.165801 9.660794 272.250000
485 p -12.920284 -3.461980 9.660794 272.250000
486 p -12.122830 -5.652968 9.660794 272.250000
487 p -10.957029 -7.672194 9.660794 272.250000
488 p -9.458305 -9.458305 9.660794 272.250000
489 p -7.672194 -10.957029 9.660794 272.250000
490 p -5.652968 -12.122830 9.660794 272.250000
491 p -3.461980 -12.920284 9.660794 272.250000
492 p -1.165801 -13.325163 9.660794 272.250000
493 p 1.165801 -13.325163 9.660794 272.250000
494 p 3.461980 -12.920284 9.660794 272.250000
495 p 5.652968 -12.122830 9.660794 272.250000
496 p 7.672194 -10.957029 9.660794 272.250000
497 p 9.458305 -9.458305 9.660794 272.250000
498 p 10.957029 -7.672194 9.660794 272.250000
499 p 12.122830 -5.652968 9.660794 272.250000
500 p 12.920284 -3.461980 9.660794 272.250000
501 p 13.325163 -1.165801 9.660794 272.250000
c ************** Problem Type **************
mode p
c

Luận văn thạc sĩ vật lý hạt nhân mô phỏng thiết bị xạ phẫu leksell gamma knife bằng chương trình mcnp5

Luận văn thạc sĩ vật lý hạt nhân mô phỏng thiết bị xạ phẫu leksell gamma knife bằng chương trình mcnp5

Recommended

Recommended

More Related Content

What's hot

What's hot (20)

Similar to Luận văn thạc sĩ vật lý hạt nhân mô phỏng thiết bị xạ phẫu leksell gamma knife bằng chương trình mcnp5

Similar to Luận văn thạc sĩ vật lý hạt nhân mô phỏng thiết bị xạ phẫu leksell gamma knife bằng chương trình mcnp5 (20)

More from https://www.facebook.com/garmentspace

More from https://www.facebook.com/garmentspace (20)

Recently uploaded

Recently uploaded (20)

Luận văn thạc sĩ vật lý hạt nhân mô phỏng thiết bị xạ phẫu leksell gamma knife bằng chương trình mcnp5