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Superfici e Interfacce Benchè numericamente trascurabili (rispetto al  bulk ), gli atomi alla superficie di un solido determinano un gran numero di proprietà dello stesso in relazione alla interazione con agenti esterni. Inoltre, la superficie (ovvero una qualunque interfaccia con altro mezzo) rappresenta un luogo in cui la perfetta simmetria del cristallo si modifica notevolmente. Immaginando di dividere in due, lungo un particolare piano, un cristallo gli atomi sulla superficie tendono a ridisporsi per minimizzare la loro energia (deformazione).
Superfici e Interfacce Trascurando “ricostruzioni superficiali” e “deformazioni” sono necessari 10 parametri per posizionare due interfacce planari una rispetto all’altra. ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Interfacce Reticoli quadrati differenti  incoerenti  ma  commensurati  : i punti si sovrappongono per un reticolo quadrato più grande. Condizione : se esiste un insieme infinito di interi n 1 , n 2 , m 1 , m 2  tali che: ,[object Object],[object Object]
Interfacce ,[object Object],[object Object],Poichè  d  (area/atomo) = cost, interfacce con max d hanno elevata densità di atomi sulla superficie    situazione energeticamente più favorevole. Ciò spiega perchè si riscontrano con maggiore frequenza interfacce con piccoli indici di Miller (100), (110), (112).
Twin Boundary
Low Energy Electron Diffraction (LEED) Tecnica usata da Davisson e Germer per evidenziare la natura ondulatoria dell’elettrone. Gli elettroni sono diffratti dal primo strato di atomi (scattering bidimensionale). Sfera di Ewald q z  qualunque, poichè R z =0.
Molecular Beam Epitaxy Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) Produzione di strati sottili cristallini su substrati ordinati. Lo spessore che va depositandosi viene controllato con la tecnica RHEED. Max di diffrazione quando una strato è completo.
Scanning Tunnelling Microscopy Oppenheimer (1927): corrente di tunnelling. la funzione d’onda si riduce di un fattore Soluzione approx. eq. Schroedinger La corrente è proporzionale a V,   2 , densità iniziale elettroni n i , densità stati finali n f .
STM: requisiti necessari ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],soluzione  b) e c): elementi piezoelettrici 4/10 8  parti per Volt es.: 2 cm, 1000 V    sensibilità 8 Å /Volt.
Scanning Tunnelling Microscopy
Modi di funzionamento constant height constant current
Meccanismi di scansione Tubo piezoelettrico
STM: risultati Identificazione della ricostruzione superficiale del Si (111): Ricostruzione 7 x 7 immagine STM
Immagine STM di un quantum corral per elettroni: realizzato con 48 atomi di Fe su una superficie di Cu a bassa temperatura.  STM: Quantum corral La stessa punta del microscopio è utilizzata per posizionare gli atomi di Fe in una anello di 12.4 nm. Notare la struttura ondulatoria dentro il recinto determinata dal confinamento degli stati elettronici superficiali di Cu.
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Superficie ed intefaccie

  • 1. Superfici e Interfacce Benchè numericamente trascurabili (rispetto al bulk ), gli atomi alla superficie di un solido determinano un gran numero di proprietà dello stesso in relazione alla interazione con agenti esterni. Inoltre, la superficie (ovvero una qualunque interfaccia con altro mezzo) rappresenta un luogo in cui la perfetta simmetria del cristallo si modifica notevolmente. Immaginando di dividere in due, lungo un particolare piano, un cristallo gli atomi sulla superficie tendono a ridisporsi per minimizzare la loro energia (deformazione).
  • 2.
  • 3.
  • 4.
  • 6. Low Energy Electron Diffraction (LEED) Tecnica usata da Davisson e Germer per evidenziare la natura ondulatoria dell’elettrone. Gli elettroni sono diffratti dal primo strato di atomi (scattering bidimensionale). Sfera di Ewald q z qualunque, poichè R z =0.
  • 7. Molecular Beam Epitaxy Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) Produzione di strati sottili cristallini su substrati ordinati. Lo spessore che va depositandosi viene controllato con la tecnica RHEED. Max di diffrazione quando una strato è completo.
  • 8. Scanning Tunnelling Microscopy Oppenheimer (1927): corrente di tunnelling. la funzione d’onda si riduce di un fattore Soluzione approx. eq. Schroedinger La corrente è proporzionale a V,  2 , densità iniziale elettroni n i , densità stati finali n f .
  • 9.
  • 11. Modi di funzionamento constant height constant current
  • 12. Meccanismi di scansione Tubo piezoelettrico
  • 13. STM: risultati Identificazione della ricostruzione superficiale del Si (111): Ricostruzione 7 x 7 immagine STM
  • 14. Immagine STM di un quantum corral per elettroni: realizzato con 48 atomi di Fe su una superficie di Cu a bassa temperatura. STM: Quantum corral La stessa punta del microscopio è utilizzata per posizionare gli atomi di Fe in una anello di 12.4 nm. Notare la struttura ondulatoria dentro il recinto determinata dal confinamento degli stati elettronici superficiali di Cu.
  • 15. Immagini STM: Quantum corral
  • 17. Atomic Force Microscopy Interazione di Van der Waals
  • 20. Immagine AFM Immagine su scala atomica di una superficie di nitruro di boro