SlideShare a Scribd company logo
1 of 10
Karakteristik Transistor
Muhammad Fatkhurouf
1410502002
S-1 Teknik Mesin
Tipe tegangan pada Rangkaian
Transistor
• Sumber Tegangan Transistor : VBB dan VCC
• Tegangan Terminal Transistor : VB, Vc dan VE
• Tegangan Lintas Persambungan : VBE, VCE, dan VCB
Gambar 1. Tegangan-tegangan pada Rangkaian Transistor
Karakteristik yang paling penting dari Transistor adalah
grafik Dioda Kolektor-Emiter, yang biasa dikenal
dengan Kurva Tegangan-Arus (V-I Curve).
Gambar 2. Rangkaian Transistor Common Emitter untuk Kurva Tegangan-Arus
Karakteristik Common-Emitter
Kurva tersebut mengindikasikan bahwa
terdapat 4 (empat) buah daerah operasi, yaitu:
• Daerah Potong (Cutoff Region)
• Daerah Saturasi (Saturation Region)
• Daerah Aktif (Active Region), dan
• Daerah Breakdown.
Gambar 3. Kurva Karakteristik Transistor
Karakteristik dari masing-masing daerah operasi Transistor tersebut dapat diringkas sebagai
berikut:
• Daerah Potong:
Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak terjadi pergerakan elektron, sehingga
arus Basis, IB = 0. Demikian juga, arus Kolektor, IC = 0, atau disebut ICEO (Arus Kolektor ke
Emiter dengan harga arus Basis adalah 0).
• Daerah Saturasi
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga diberi prategangan maju.
Akibatnya, arus Kolektor, IC, akan mencapai harga maksimum, tanpa bergantung kepada arus
Basis, IB, dan βdc. Hal ini, menyebabkan Transistor menjadi komponen yang tidak dapat
dikendalikan. Untuk menghindari daerah ini, Dioda Kolektor harus diberi prateganan mundur,
dengan tegangan melebihi VCE(sat), yaitu tegangan yang menyebabkan Dioda Kolektor saturasi.
• Daerah Aktif
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi prategangan mundur. Terjadi sifat-
sifat yang diinginkan, dimana:
IE = IC + IB
• Daerah Breakdown
Dioda Kolektor diberi prategangan mundur yang melebihi tegangan Breakdown-nya, BVCEO
(tegangan breakdown dimana tegangan Kolektor ke Emiter saat Arus Basis adalah nol). Sehingga
arus Kolektor, IC, melebihi spesifikasi yang dibolehkan. Transistor dapat mengalami kerusakan.
GARIS BEBAN (LOAD LINE) TRANSISTOR
Garis Beban (load line) dapat digambarkan pada kurva karakteristik
(Kurva Dioda Kolektor) untuk memberikan pandangan yang lebih
banyak mengenai Transistor bekerja dan daerah operasinya.
Jika terdapat sebuah rangkaian Transistor Common Emitter
Gambar 4. Rangkaian Common Emitter
maka dapat diturunkan persamaan pada
putaran outputnya, yaitu:
0 CCEECECC VRIVRI
0 CCCECC VVRI
C
CECC
C
R
VV
I


Jika diasumsikan bahwa RE = 0, maka:
atau
Persamaan
Garis Beban
dari Transistor
Persamaan Garis Beban dari Transistor
• Titik Saturasi (Saturation Point)
• Titik Potong (Cut off Point).
Jika, VCE = 0, maka akan didapat Titik Saturasi pada:
C
CC
C
R
V
I 
jika IC = 0, maka akan diketahui Titik Potongnya pada:
CCCE VV 
Operating Point
Cut off
contoh tahapan perhitungan untuk dapat mengetahui daerah kerja
sebuah rangkaian Transistor :
1. Dimana sebuah rangkaian transistor tampak pada Gambar 9.6 di bawah
ini, dimana RB = 200 Kohm, RC = 3 Kohm, VBB = 5 volt dan VCC = 10
volt. Diketahui bahwa VBE adalah 0.7 volt dan β = 100.
Q
2N1711
VBB
5 V
VCC
10 V
RB
200k
RC
3.0k
Gambar 6. Rangkaian Transistor
Jawab :
Persamaan Lup Emiter adalah:
B
BEBB
B
BEBBBB
BEBBBB
R
VV
I
VVRI
VRIV



 0
Sehingga :
mA
K
IB 0215.0
200
7.05



Sedangkan persamaan pada Lup Kolektor adalah:
C
CECC
C
CECCCC
CECCCC
R
VV
I
VVRI
VRIV



 0
mA
KR
V
I
C
CC
Csat 33.3
3
10

voltVV CCCE 10
Sehingga persamaan Garis Beban, dimana:
Ic sat (VCE = 0) adalah:
dan
VCE cut-off (IC = 0) adalah:
Jika diasumsikan bahwa rangkaian berada pada daerah aktif, maka:
IC = β IB = 100 * 0.0215 = 2.15 mA,
dan
VCE = VCC – IC RC = 10 – 2.15*3K = 3.55 volt
Dari harga-harga diatas, karena IC < IC sat, dan/atau VCE di luar daerah saturasi dan daerah
breakdown maka dapat disimpulkan bahwa rangkaian transistor ini bekerja pada daerah aktif,
dengan IB = 0.0215 mA, IC = 2.15 mA dan VCE = 3.55 volt. Sehingga dapat digambarkan garis
bebannya seperti pada gambar di bawah ini.
VCE cut-off 10
volt
VCE
IC
IC sat 3.33 mA
2.15 mA
3.55 volt
Titik Saturasi
Titik Kerja
Titik Potong
Gambar 7. Garis Beban

More Related Content

What's hot

What's hot (14)

Karakteristik transistor by zaid abdurrahman universitas tidar
Karakteristik transistor by zaid abdurrahman universitas tidarKarakteristik transistor by zaid abdurrahman universitas tidar
Karakteristik transistor by zaid abdurrahman universitas tidar
 
Kuliah bahan listrik_5[1]
Kuliah bahan listrik_5[1]Kuliah bahan listrik_5[1]
Kuliah bahan listrik_5[1]
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Unit7
Unit7Unit7
Unit7
 
Unit8[1]
Unit8[1]Unit8[1]
Unit8[1]
 
Karakteristik transistor_HaniPrasetyo_UniversitasTidar
Karakteristik transistor_HaniPrasetyo_UniversitasTidarKarakteristik transistor_HaniPrasetyo_UniversitasTidar
Karakteristik transistor_HaniPrasetyo_UniversitasTidar
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 
Rangkaian dioda dan regulator
Rangkaian dioda dan regulatorRangkaian dioda dan regulator
Rangkaian dioda dan regulator
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 
GTO
GTOGTO
GTO
 
Pengayun
PengayunPengayun
Pengayun
 

Viewers also liked (13)

Bab 6
Bab 6Bab 6
Bab 6
 
REV Bistable multivibrator
REV Bistable multivibratorREV Bistable multivibrator
REV Bistable multivibrator
 
Bab 5
Bab 5Bab 5
Bab 5
 
Bab 2
Bab 2Bab 2
Bab 2
 
Analisis sinyal kecil
Analisis sinyal kecilAnalisis sinyal kecil
Analisis sinyal kecil
 
Immuta Overview - February 2016
Immuta Overview - February 2016Immuta Overview - February 2016
Immuta Overview - February 2016
 
Apos est i_fev04_c1
Apos est i_fev04_c1Apos est i_fev04_c1
Apos est i_fev04_c1
 
El FACEBOOK en la Educación
El FACEBOOK en la EducaciónEl FACEBOOK en la Educación
El FACEBOOK en la Educación
 
Penguat transistor
Penguat transistorPenguat transistor
Penguat transistor
 
Bab 1
Bab 1Bab 1
Bab 1
 
Bab 3
Bab 3Bab 3
Bab 3
 
Bab 4
Bab 4Bab 4
Bab 4
 
Martin Sekeras CV finall
Martin Sekeras CV finallMartin Sekeras CV finall
Martin Sekeras CV finall
 

Similar to Karakteristik transistor

Karakteristik Transistor (Revisi)
Karakteristik Transistor (Revisi)Karakteristik Transistor (Revisi)
Karakteristik Transistor (Revisi)
eddy_wib
 

Similar to Karakteristik transistor (20)

Rivisi karakteristik transistor cryzna_rizkyhermawan_tmb
Rivisi karakteristik transistor cryzna_rizkyhermawan_tmbRivisi karakteristik transistor cryzna_rizkyhermawan_tmb
Rivisi karakteristik transistor cryzna_rizkyhermawan_tmb
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Karakteristik Transistor (Revisi)
Karakteristik Transistor (Revisi)Karakteristik Transistor (Revisi)
Karakteristik Transistor (Revisi)
 
Adi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiAdi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasi
 
Karakteristik Transistor_Rohman
Karakteristik Transistor_RohmanKarakteristik Transistor_Rohman
Karakteristik Transistor_Rohman
 
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anazKarakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor rev
Karakteristik transistor revKarakteristik transistor rev
Karakteristik transistor rev
 
Tugas karakteristik
Tugas karakteristikTugas karakteristik
Tugas karakteristik
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Rev.Karakteristik Transistor
Rev.Karakteristik TransistorRev.Karakteristik Transistor
Rev.Karakteristik Transistor
 
Encep faiz.pptx lisma
Encep faiz.pptx lismaEncep faiz.pptx lisma
Encep faiz.pptx lisma
 
Karakteristik Transistor aniftia nur ardiansyah
Karakteristik Transistor aniftia nur ardiansyahKarakteristik Transistor aniftia nur ardiansyah
Karakteristik Transistor aniftia nur ardiansyah
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
BAB V TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT.pdf
BAB V TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT.pdfBAB V TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT.pdf
BAB V TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT.pdf
 
Transistor
TransistorTransistor
Transistor
 
Karakteristik transistor (msaifullahzangky)
Karakteristik transistor (msaifullahzangky)Karakteristik transistor (msaifullahzangky)
Karakteristik transistor (msaifullahzangky)
 
Bj tx
Bj txBj tx
Bj tx
 

Recently uploaded (9)

4. GWTJWRYJJJJJJJJJJJJJJJJJJWJSNJYSRR.pdf
4. GWTJWRYJJJJJJJJJJJJJJJJJJWJSNJYSRR.pdf4. GWTJWRYJJJJJJJJJJJJJJJJJJWJSNJYSRR.pdf
4. GWTJWRYJJJJJJJJJJJJJJJJJJWJSNJYSRR.pdf
 
Manual Desain Perkerasan jalan 2017 FINAL.pptx
Manual Desain Perkerasan jalan 2017 FINAL.pptxManual Desain Perkerasan jalan 2017 FINAL.pptx
Manual Desain Perkerasan jalan 2017 FINAL.pptx
 
Materi Asesi SKK Manajer Pelaksana SPAM- jenjang 6.pptx
Materi Asesi SKK Manajer Pelaksana SPAM- jenjang 6.pptxMateri Asesi SKK Manajer Pelaksana SPAM- jenjang 6.pptx
Materi Asesi SKK Manajer Pelaksana SPAM- jenjang 6.pptx
 
MAteri:Penggunaan fungsi pada pemrograman c++
MAteri:Penggunaan fungsi pada pemrograman c++MAteri:Penggunaan fungsi pada pemrograman c++
MAteri:Penggunaan fungsi pada pemrograman c++
 
TEKNIS TES TULIS REKRUTMEN PAMSIMAS 2024.pdf
TEKNIS TES TULIS REKRUTMEN PAMSIMAS 2024.pdfTEKNIS TES TULIS REKRUTMEN PAMSIMAS 2024.pdf
TEKNIS TES TULIS REKRUTMEN PAMSIMAS 2024.pdf
 
MODUL AJAR PENGANTAR SURVEY PEMETAAN.pdf
MODUL AJAR PENGANTAR SURVEY PEMETAAN.pdfMODUL AJAR PENGANTAR SURVEY PEMETAAN.pdf
MODUL AJAR PENGANTAR SURVEY PEMETAAN.pdf
 
Strategi Pengembangan Agribisnis di Indonesia
Strategi Pengembangan Agribisnis di IndonesiaStrategi Pengembangan Agribisnis di Indonesia
Strategi Pengembangan Agribisnis di Indonesia
 
Metode numerik Bidang Teknik Sipil perencanaan.pdf
Metode numerik Bidang Teknik Sipil perencanaan.pdfMetode numerik Bidang Teknik Sipil perencanaan.pdf
Metode numerik Bidang Teknik Sipil perencanaan.pdf
 
10.-Programable-Logic-Controller (1).ppt
10.-Programable-Logic-Controller (1).ppt10.-Programable-Logic-Controller (1).ppt
10.-Programable-Logic-Controller (1).ppt
 

Karakteristik transistor

  • 2. Tipe tegangan pada Rangkaian Transistor • Sumber Tegangan Transistor : VBB dan VCC • Tegangan Terminal Transistor : VB, Vc dan VE • Tegangan Lintas Persambungan : VBE, VCE, dan VCB Gambar 1. Tegangan-tegangan pada Rangkaian Transistor
  • 3. Karakteristik yang paling penting dari Transistor adalah grafik Dioda Kolektor-Emiter, yang biasa dikenal dengan Kurva Tegangan-Arus (V-I Curve). Gambar 2. Rangkaian Transistor Common Emitter untuk Kurva Tegangan-Arus
  • 4. Karakteristik Common-Emitter Kurva tersebut mengindikasikan bahwa terdapat 4 (empat) buah daerah operasi, yaitu: • Daerah Potong (Cutoff Region) • Daerah Saturasi (Saturation Region) • Daerah Aktif (Active Region), dan • Daerah Breakdown. Gambar 3. Kurva Karakteristik Transistor
  • 5. Karakteristik dari masing-masing daerah operasi Transistor tersebut dapat diringkas sebagai berikut: • Daerah Potong: Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak terjadi pergerakan elektron, sehingga arus Basis, IB = 0. Demikian juga, arus Kolektor, IC = 0, atau disebut ICEO (Arus Kolektor ke Emiter dengan harga arus Basis adalah 0). • Daerah Saturasi Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga diberi prategangan maju. Akibatnya, arus Kolektor, IC, akan mencapai harga maksimum, tanpa bergantung kepada arus Basis, IB, dan βdc. Hal ini, menyebabkan Transistor menjadi komponen yang tidak dapat dikendalikan. Untuk menghindari daerah ini, Dioda Kolektor harus diberi prateganan mundur, dengan tegangan melebihi VCE(sat), yaitu tegangan yang menyebabkan Dioda Kolektor saturasi. • Daerah Aktif Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi prategangan mundur. Terjadi sifat- sifat yang diinginkan, dimana: IE = IC + IB • Daerah Breakdown Dioda Kolektor diberi prategangan mundur yang melebihi tegangan Breakdown-nya, BVCEO (tegangan breakdown dimana tegangan Kolektor ke Emiter saat Arus Basis adalah nol). Sehingga arus Kolektor, IC, melebihi spesifikasi yang dibolehkan. Transistor dapat mengalami kerusakan.
  • 6. GARIS BEBAN (LOAD LINE) TRANSISTOR Garis Beban (load line) dapat digambarkan pada kurva karakteristik (Kurva Dioda Kolektor) untuk memberikan pandangan yang lebih banyak mengenai Transistor bekerja dan daerah operasinya. Jika terdapat sebuah rangkaian Transistor Common Emitter Gambar 4. Rangkaian Common Emitter maka dapat diturunkan persamaan pada putaran outputnya, yaitu: 0 CCEECECC VRIVRI 0 CCCECC VVRI C CECC C R VV I   Jika diasumsikan bahwa RE = 0, maka: atau Persamaan Garis Beban dari Transistor
  • 7. Persamaan Garis Beban dari Transistor • Titik Saturasi (Saturation Point) • Titik Potong (Cut off Point). Jika, VCE = 0, maka akan didapat Titik Saturasi pada: C CC C R V I  jika IC = 0, maka akan diketahui Titik Potongnya pada: CCCE VV  Operating Point Cut off
  • 8. contoh tahapan perhitungan untuk dapat mengetahui daerah kerja sebuah rangkaian Transistor : 1. Dimana sebuah rangkaian transistor tampak pada Gambar 9.6 di bawah ini, dimana RB = 200 Kohm, RC = 3 Kohm, VBB = 5 volt dan VCC = 10 volt. Diketahui bahwa VBE adalah 0.7 volt dan β = 100. Q 2N1711 VBB 5 V VCC 10 V RB 200k RC 3.0k Gambar 6. Rangkaian Transistor Jawab : Persamaan Lup Emiter adalah: B BEBB B BEBBBB BEBBBB R VV I VVRI VRIV     0 Sehingga : mA K IB 0215.0 200 7.05   
  • 9. Sedangkan persamaan pada Lup Kolektor adalah: C CECC C CECCCC CECCCC R VV I VVRI VRIV     0 mA KR V I C CC Csat 33.3 3 10  voltVV CCCE 10 Sehingga persamaan Garis Beban, dimana: Ic sat (VCE = 0) adalah: dan VCE cut-off (IC = 0) adalah: Jika diasumsikan bahwa rangkaian berada pada daerah aktif, maka: IC = β IB = 100 * 0.0215 = 2.15 mA, dan VCE = VCC – IC RC = 10 – 2.15*3K = 3.55 volt Dari harga-harga diatas, karena IC < IC sat, dan/atau VCE di luar daerah saturasi dan daerah breakdown maka dapat disimpulkan bahwa rangkaian transistor ini bekerja pada daerah aktif, dengan IB = 0.0215 mA, IC = 2.15 mA dan VCE = 3.55 volt. Sehingga dapat digambarkan garis bebannya seperti pada gambar di bawah ini.
  • 10. VCE cut-off 10 volt VCE IC IC sat 3.33 mA 2.15 mA 3.55 volt Titik Saturasi Titik Kerja Titik Potong Gambar 7. Garis Beban