Dokumen tersebut merangkum karakteristik utama transistor, termasuk jenis transistor (bipolar dan unipolar), daerah operasi transistor (potong, saturasi, aktif, dan breakdown), konfigurasi keluaran (basis bersama dan kolektor bersama), serta karakteristik masukan dan transfer arus transistor.

1. KARKTERISTIK
TRANSISTOR
Prihtian pambudi (1410502034)
Dosen pembimbing :
R. Suryoto Edy Raharjo, S.T., M.Eng.

2. JENIS TRANSISTOR
• .Transistor Bipolar
Transistor bipolar adalah komponen elktronika yang terdiri dari
tiga buah kaki, yaitu emitor (E), basis (B), dan kolektor (C).
Tansistor terdiri dari dua jenis yaitu transistor tipe NPN dan
transistor tipe PNP. Tanda petunjuk arah pada masing-masing
tipe yang ditunjuk anak panah adalah merupakan terminal
emitor
Transistor unipolar adalah FET (Field Effect Transistor) yang terdiri
dari JFET kanal N, JFET kanal P, MOSFET kanal N, dan MOSFET
kanal P
Transistor
unipolar

3. RANGKAIAN TRANSISTOR MEMILIKI TIGA TIPE
TEGANGAN
• Sumber Tegangan Transistor : VBB
dan VCC
 Tegangan Terminal Transistor : VB, Vc dan VE
 Tegangan Lintas Persambungan: VBE, VCE, dan VCB

4. • Karakteristik yang paling penting dari Transistor adalah grafik
Dioda Kolektor-Emiter, yang biasa dikenal dengan Kurva
Tegangan-Arus (V-I Curve). Kurva ini menggambarkan arus
Kolektor, IC, dengan tegangan lintas persambungan Kolektor –
Emiter, VCE, dimana harga-harga tersebut diukur dengan arus
Basis, IB, yang berbeda-beda. Rangkaian yang digunakan untuk
mendapatkan kurva tampak pada Gambar 9.2 di bawah ini.

5. KURVA TERSEBUT MENGINDIKASIKAN BAHWA
TERDAPAT 4 BUAH DAERAH OPERASI, YAITU:
 Daerah Potong (Cutoff Region)
 Daerah Saturasi (Saturation Region)
 Daerah Aktif (Active Region), dan
 Daerah Breakdown.

6. KARAKTERISTIK DARI MASING-MASING DAERAH OPERASI TRANSISTOR
TERSEBUT DAPAT DIRINGKAS SEBAGAI BERIKUT:
• Daerah Potong:
• Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak terjadi
pergerakan elektron, sehingga arus Basis, IB = 0. Demikian juga, arus
Kolektor, IC = 0, atau disebut ICEO (Arus Kolektor ke Emiter dengan
harga arus Basis adalah 0).
• Daerah Saturasi
• Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga diberi
prategangan maju. Akibatnya, arus Kolektor, IC, akan mencapai harga
maksimum, tanpa bergantung kepada arus Basis, IB, dan βdc. Hal ini,
menyebabkan Transistor menjadi komponen yang tidak dapat
dikendalikan. Untuk menghindari daerah ini, Dioda Kolektor harus
diberi prateganan mundur, dengan tegangan melebihi VCE(sat), yaitu

7. • Daerah Aktif
• Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi
prategangan mundur. Terjadi sifat-sifat yang diinginkan,
dimana:
IE = IC + IB
B
C
dc
I
I

,
atau
IC = βdc IB
B
C
dc
I
I
 atau IC = αdc IE

8. • Daerah Breakdown
• Dioda Kolektor diberiprategangan mundur yang melebihi
tegangan Breakdown-nya, BVCEO (tegangan breakdown dimana
tegangan Kolektor ke Emiter saat Arus Basis adalah nol).
Sehingga arus Kolektor, IC, melebihi spesifikasi yang
dibolehkan. Transistor dapat mengalami kerusakan.

9. KARAKTERISTIK KELUARAN
Konfigurasi Basis-Bersama (Common-Base Configuration)
Konfigurasi Common Base ini menghasilkan Penguatan Tegangan
antara sinyal INPUT dan sinyal OUTPUT namun tidak
menghasilkan penguatan pada arus.

10. Konfigurasi Common Collector (Kolektor
Bersama)
Konfigurasi Common Collector (CC) atau Kolektor Bersama memiliki
sifat dan fungsi yang berlawan dengan Common Base (Basis Bersama).
Kalau pada Common Base menghasilkan penguatan Tegangan tanpa
memperkuat Arus, maka Common Collector ini memiliki fungsi yang
dapat menghasilkan Penguatan Arus namun tidak menghasilkan
penguatan Tegangan.
Pada Konfigurasi Common Collector, Input diumpankan ke Basis
Transistor sedangkan Outputnya diperoleh dari Emitor Transistor
sedangkan Kolektor-nya di-ground-kan dan digunakan bersama
untuk INPUT maupun OUTPUT.

11. Karakteristik Masukan
Karakteristik transistor lain yang perlu diketahui adalah
karakteristik masukan, yaitu
hubungan eksponensial I-V pada sambungan emitor-basis.
Karakteristik masukan pada konfigurasi basis bersama
adalah hubungan antara vBE dengan iE , sedangkan pada
konfigurasi emitor-bersama adalah hubungan antara vBE
dengan iB .

12. Karakteristik transfer-arus berupa plot ic terhadap iB
untuk suatu harga vCE tertentu.
Ini dapat diperoleh dengan mudah dari karakteristik
keluaran. Kemiringan dari kurva yang diperoleh secara
langsung akan memberikan harga b dari hubungan
Karakteristik Transfer-
Arus
ic = ß ib