SlideShare a Scribd company logo
Bipolar Junction Transistor
Pendahuluan
• Dioda, terbuat dari dua bagian material semikonduktor
(baik itu jenis silikon atau germanium), yang
membentuk sambungan PN.
• Bila dua buah dioda dihubungkan back-to-back, maka
diperoleh dua sambungan PN yang terhubung seri
dengan berbagi terminal P atau N bersama.
• Gabungan dua dioda menghasilkan tiga layer, dua
sambungan, tiga terminal yang disebut dengan bipolar
junction transistor (BJT).
Typical BJT
Dasar Kerja
• Transistor memiliki dua fungsi, yaitu: sebagai saklar
(switching) dan sebagai penguat (amplification).
• Oleh karena itu BJT dapat bekerja dalam tiga bentuk:
1. active, transistor bekerja sebagai amplifier ( Ic=β.IB)
2. Saturasi, transistor “On” sebagai saklar (Ic = Isat)
3. Cut-off, transistor “off” sebagai saklar (Ic = 0)
Konfigurasi BJT
• Diketahui BJT memiliki tiga terminal, maka terdapat
tiga metode dasar untuk menghubungkannya dalam
rangkaian elektronika dengan satu terminal menjadi
input dan output bersama.
• Tiap metode memiliki respon yang berbeda terhadap
sinyal input dalam rangkaian sebagai fungsi dari
karakteristik statis
Konfigurasi Dasar BJT
1. Konfigurasi Common Base - has Voltage Gain but
no Current Gain.
2. Konfigurasi Common Emitter - has both Current and
Voltage Gain.
3. Konfigurasi Common Collector - has Current Gain but
no Voltage Gain.
Konfigurasi Common Base
Konfigurasi Common Base
• Berdasarkan namanya (konfigurasi base di ground):
Base dihubungkan bersama dengan sinyal input dan
sinyal output dengan sinyal input diberikan antara
terminal base dan emitter.
• Sinyal output berada di terminal antara base dan
collector.
• Common base voltage gain:
Konfigurasi Common Emitter
Konfigurasi Common Emitter
• Berdasarkan namanya (konfigurasi emitter di ground):
Sinyal input diberikan antara terminal emitter dan
base, sementara sinyal output dari terminal collector
dan emitter.
• Persamaan konfigurasi ini:
Konfigurasi Common Collector
Konfigurasi Common Collector
• Berdasarkan namanya (konfigurasi collector di ground):
sinyal input diberikan di base, dan sinyal output pada
beban emitter.
• Persamaan konfigurasi ini:
Karakteristik masing-masing konfigurasi
Characteristic
Common
Base
Common
Emitter
Common
Collector
Input Impedance Low Medium High
Output Impedance Very High High Low
Phase Angle 0o 180o 0o
Voltage Gain High Medium Low
Current Gain Low Medium High
Power Gain Low Very High Medium
Transistor NPN
kontruksi
Koneksi Transistor NPN
• Tegangan VBE: positif pada base dan negatif pada
emitter.
• Tegangan VCE: positif pada collector dan negatif pada
emitter.
Koneksi Transistor NPN
• Collector dihubungkan dengan suplai VCC melalui beban
resistor RL, RL juga berfungsi untuk membatasi arus
maksimum yang melalui transistor.
• Suplai tegangan base VB dihubungkan dengan resistor
RB, yang juga berfungsi untuk membatasi arus
maksimum base.
Dasar Operasi
• Bias maju membuat lapisan
deplesi BE mengecil
• Bias mundur membuat lapisan
deplesi BC membesar
• Tingkat doping E>C>B
• Krn B didoping sangat kecil
(sedikit hole) maka hanya
sedikit elektron bebas yg
bergabung dng hole.
• Akibatnya, hanya ada sedikit
arus basis
Dasar Operasi
• Kebanyakan elektron yg tdk
berekombinasi akan
menuju kolektor,
membentuk arus kolektor
• Mengapa???
• Krn lapisan deplesi B
sangat tipis dan elektron
bebas memiliki masa hidup
yg lama di B
• Elektron yg ada dikolektor
akan ditarik oleh (+)
terminal.
Aliran arus pd transistor dapat dilihat dari diagram berikut :
Sehingga, persamaan arusnya menjadi :
B
C
E I
I
I C
E I
I C
B I
I
B
C
DC
I
I
E
C
DC
I
I
Rasio/perbandingan antara arus :
Hubungan α dan β
Hubungan α dan β
Analisa Arus dan Tegangan
7
.
0
BE
V
BE
BB
R V
V
V B
B
B
R I
R
V B
.
B
BE
BB
B
R
V
V
I
C
R
CC
CE V
V
V
C
C
R I
R
V C
.
C
C
CC
CE R
I
V
V
BE
CE
CB V
V
V
contoh
• Sebuah transistor NPN memiliki gain arus DC β sebesar
200. Hitunglah arus base IB yang dibutuhkan untuk
men”switch” beban resistif dengan arus 4mA.
• Jawab:
contoh
Tentukan IB, IC, IE, VBE, VCE, dan VCB untuk rangkaian berikut
Bila transistor memiliki beta DC 150.
Kurva Karakteristik Transistor
Persamaan-persamaan Karakteristik
Kondisi Cutoff
• Daerah kerja transistor
bila IB=0.
• Saat ini, ada sejumlah
kecil arus leakage
collector ICEO dihasilkan
pembawa thermal.
• Sehingga, VCE = VCC.
• Lapisan base-emitter dan
base-collector dibias
mundur.
Keadaan Saturasi
 IB dinaikkan sehingga IC
juga membesar (IC=ßDC.IB).
 Akibatnya VCE mengecil.
 Pd saat VCE(Sat) tercapai, Ic
tidak akan bertambah lagi
meskipun IB dinaikkan.
 Pd titik saturasi, hubungan
IC=ßDC.IB tidak berlaku lagi.
Garis Beban DC
 Titik saturasi dan cutoff pd
kurva kolektor dpt dihub
dng garis beban DC.
 Titik terbawah adlh titik
ideal cutoff bila IC=0 dan
VCE=VCC.
 Titik teratas adlh titik
saturasi bila VCE=VCE (Sat)
contoh
Tentukan apakah transistor pd gambar
Berikut berada dlm keadaan saturasi atau tidak.
Asumsikan VCE(sat)=0.2V.
Penyelesaian
Pertama, tentukan IC(sat)
Kemudian, tentukan apakah
IB cukup besar untuk menghasilkan IC(sat)
Ini berarti, IB dpt menghasilkan IC
yg >> IC(sat). Berarti transistor
saturasi.

More Related Content

Similar to bjt-120428022909-phpapp02.pdf

Encep faiz.pptx lisma
Encep faiz.pptx lismaEncep faiz.pptx lisma
Encep faiz.pptx lisma
Marina Natsir
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
Syarifudin86
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
Malik Abdul
 
Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1
Ali Hacikdin
 
Materi Kuliah-Transistor.ppt
Materi Kuliah-Transistor.pptMateri Kuliah-Transistor.ppt
Materi Kuliah-Transistor.ppt
IndonesiaKekinian1
 
Revisi karakteristik transistor andhi
Revisi karakteristik transistor andhiRevisi karakteristik transistor andhi
Revisi karakteristik transistor andhi
andhisetyo
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
Malik Abdul
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
Faiz Amali
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
Muhammad Arsyadi Praboowo
 
Bj tx
Bj txBj tx
Adi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiAdi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasi
adiprayogaa
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
Alfi Diantoro
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
hidayatulloh08
 
Transistor
TransistorTransistor
Transistor
Firda Purbandari
 
Karakteristik transistor rev
Karakteristik transistor revKarakteristik transistor rev
Karakteristik transistor rev
azwar_anaz
 
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anazKarakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
azwar_anaz
 
PNP Transistor
PNP TransistorPNP Transistor
PNP Transistor
SitiAmaliaPangestu
 
Transistor 1 - Pertemuan 6
Transistor 1 - Pertemuan 6Transistor 1 - Pertemuan 6
Transistor 1 - Pertemuan 6
ahmad haidaroh
 
Pnp transistor
Pnp transistorPnp transistor
Pnp transistor
SITIALQUROTUAINI
 

Similar to bjt-120428022909-phpapp02.pdf (20)

Encep faiz.pptx lisma
Encep faiz.pptx lismaEncep faiz.pptx lisma
Encep faiz.pptx lisma
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1
 
Materi Kuliah-Transistor.ppt
Materi Kuliah-Transistor.pptMateri Kuliah-Transistor.ppt
Materi Kuliah-Transistor.ppt
 
Revisi karakteristik transistor andhi
Revisi karakteristik transistor andhiRevisi karakteristik transistor andhi
Revisi karakteristik transistor andhi
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 
Ppt modul 3
Ppt modul 3Ppt modul 3
Ppt modul 3
 
Bj tx
Bj txBj tx
Bj tx
 
Adi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiAdi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasi
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Transistor
TransistorTransistor
Transistor
 
Karakteristik transistor rev
Karakteristik transistor revKarakteristik transistor rev
Karakteristik transistor rev
 
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anazKarakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
 
PNP Transistor
PNP TransistorPNP Transistor
PNP Transistor
 
Transistor 1 - Pertemuan 6
Transistor 1 - Pertemuan 6Transistor 1 - Pertemuan 6
Transistor 1 - Pertemuan 6
 
Pnp transistor
Pnp transistorPnp transistor
Pnp transistor
 

Recently uploaded

PROGRAM PERCEPATAN PENINGKATAN TATA GUNA AIR IRIGASI 2024.pdf
PROGRAM PERCEPATAN PENINGKATAN TATA GUNA AIR IRIGASI 2024.pdfPROGRAM PERCEPATAN PENINGKATAN TATA GUNA AIR IRIGASI 2024.pdf
PROGRAM PERCEPATAN PENINGKATAN TATA GUNA AIR IRIGASI 2024.pdf
afifsalim12
 
ANALISIS PENGARUH INDUSTRI BATU BARA TERHADAP PENCEMARAN UDARA.pdf
ANALISIS PENGARUH INDUSTRI BATU BARA TERHADAP PENCEMARAN UDARA.pdfANALISIS PENGARUH INDUSTRI BATU BARA TERHADAP PENCEMARAN UDARA.pdf
ANALISIS PENGARUH INDUSTRI BATU BARA TERHADAP PENCEMARAN UDARA.pdf
narayafiryal8
 
Sistem Proteksi Jawa Bali untuk gardu induk
Sistem Proteksi Jawa Bali untuk gardu indukSistem Proteksi Jawa Bali untuk gardu induk
Sistem Proteksi Jawa Bali untuk gardu induk
ssuser0b6eb8
 
111078825-Nilai-Maksimum-Dan-Minimum-Turunan-Fungsi.pptx
111078825-Nilai-Maksimum-Dan-Minimum-Turunan-Fungsi.pptx111078825-Nilai-Maksimum-Dan-Minimum-Turunan-Fungsi.pptx
111078825-Nilai-Maksimum-Dan-Minimum-Turunan-Fungsi.pptx
RobiahIqlima
 
1 - Metode Pelaksanaan Pondasi Tiang Pancang-1.pptx
1 - Metode Pelaksanaan Pondasi Tiang Pancang-1.pptx1 - Metode Pelaksanaan Pondasi Tiang Pancang-1.pptx
1 - Metode Pelaksanaan Pondasi Tiang Pancang-1.pptx
ymikhael4
 
DAMPAK POLUSI UDARA TERHADAP KESEHATAN MASYARAKAT.pdf
DAMPAK POLUSI UDARA TERHADAP KESEHATAN MASYARAKAT.pdfDAMPAK POLUSI UDARA TERHADAP KESEHATAN MASYARAKAT.pdf
DAMPAK POLUSI UDARA TERHADAP KESEHATAN MASYARAKAT.pdf
benediktusmaksy
 
Paparan Pengawasan Bangunan Gedung.pptx
Paparan  Pengawasan Bangunan Gedung.pptxPaparan  Pengawasan Bangunan Gedung.pptx
Paparan Pengawasan Bangunan Gedung.pptx
RifkiAbrar2
 
BAHAN KULIUAH BAHAN TAMBAHAN MAKANANTM 03.pptx
BAHAN KULIUAH BAHAN TAMBAHAN MAKANANTM 03.pptxBAHAN KULIUAH BAHAN TAMBAHAN MAKANANTM 03.pptx
BAHAN KULIUAH BAHAN TAMBAHAN MAKANANTM 03.pptx
ssuser5e48eb
 

Recently uploaded (8)

PROGRAM PERCEPATAN PENINGKATAN TATA GUNA AIR IRIGASI 2024.pdf
PROGRAM PERCEPATAN PENINGKATAN TATA GUNA AIR IRIGASI 2024.pdfPROGRAM PERCEPATAN PENINGKATAN TATA GUNA AIR IRIGASI 2024.pdf
PROGRAM PERCEPATAN PENINGKATAN TATA GUNA AIR IRIGASI 2024.pdf
 
ANALISIS PENGARUH INDUSTRI BATU BARA TERHADAP PENCEMARAN UDARA.pdf
ANALISIS PENGARUH INDUSTRI BATU BARA TERHADAP PENCEMARAN UDARA.pdfANALISIS PENGARUH INDUSTRI BATU BARA TERHADAP PENCEMARAN UDARA.pdf
ANALISIS PENGARUH INDUSTRI BATU BARA TERHADAP PENCEMARAN UDARA.pdf
 
Sistem Proteksi Jawa Bali untuk gardu induk
Sistem Proteksi Jawa Bali untuk gardu indukSistem Proteksi Jawa Bali untuk gardu induk
Sistem Proteksi Jawa Bali untuk gardu induk
 
111078825-Nilai-Maksimum-Dan-Minimum-Turunan-Fungsi.pptx
111078825-Nilai-Maksimum-Dan-Minimum-Turunan-Fungsi.pptx111078825-Nilai-Maksimum-Dan-Minimum-Turunan-Fungsi.pptx
111078825-Nilai-Maksimum-Dan-Minimum-Turunan-Fungsi.pptx
 
1 - Metode Pelaksanaan Pondasi Tiang Pancang-1.pptx
1 - Metode Pelaksanaan Pondasi Tiang Pancang-1.pptx1 - Metode Pelaksanaan Pondasi Tiang Pancang-1.pptx
1 - Metode Pelaksanaan Pondasi Tiang Pancang-1.pptx
 
DAMPAK POLUSI UDARA TERHADAP KESEHATAN MASYARAKAT.pdf
DAMPAK POLUSI UDARA TERHADAP KESEHATAN MASYARAKAT.pdfDAMPAK POLUSI UDARA TERHADAP KESEHATAN MASYARAKAT.pdf
DAMPAK POLUSI UDARA TERHADAP KESEHATAN MASYARAKAT.pdf
 
Paparan Pengawasan Bangunan Gedung.pptx
Paparan  Pengawasan Bangunan Gedung.pptxPaparan  Pengawasan Bangunan Gedung.pptx
Paparan Pengawasan Bangunan Gedung.pptx
 
BAHAN KULIUAH BAHAN TAMBAHAN MAKANANTM 03.pptx
BAHAN KULIUAH BAHAN TAMBAHAN MAKANANTM 03.pptxBAHAN KULIUAH BAHAN TAMBAHAN MAKANANTM 03.pptx
BAHAN KULIUAH BAHAN TAMBAHAN MAKANANTM 03.pptx
 

bjt-120428022909-phpapp02.pdf

  • 2. Pendahuluan • Dioda, terbuat dari dua bagian material semikonduktor (baik itu jenis silikon atau germanium), yang membentuk sambungan PN. • Bila dua buah dioda dihubungkan back-to-back, maka diperoleh dua sambungan PN yang terhubung seri dengan berbagi terminal P atau N bersama. • Gabungan dua dioda menghasilkan tiga layer, dua sambungan, tiga terminal yang disebut dengan bipolar junction transistor (BJT).
  • 3.
  • 5. Dasar Kerja • Transistor memiliki dua fungsi, yaitu: sebagai saklar (switching) dan sebagai penguat (amplification). • Oleh karena itu BJT dapat bekerja dalam tiga bentuk: 1. active, transistor bekerja sebagai amplifier ( Ic=β.IB) 2. Saturasi, transistor “On” sebagai saklar (Ic = Isat) 3. Cut-off, transistor “off” sebagai saklar (Ic = 0)
  • 6. Konfigurasi BJT • Diketahui BJT memiliki tiga terminal, maka terdapat tiga metode dasar untuk menghubungkannya dalam rangkaian elektronika dengan satu terminal menjadi input dan output bersama. • Tiap metode memiliki respon yang berbeda terhadap sinyal input dalam rangkaian sebagai fungsi dari karakteristik statis
  • 7. Konfigurasi Dasar BJT 1. Konfigurasi Common Base - has Voltage Gain but no Current Gain. 2. Konfigurasi Common Emitter - has both Current and Voltage Gain. 3. Konfigurasi Common Collector - has Current Gain but no Voltage Gain.
  • 9. Konfigurasi Common Base • Berdasarkan namanya (konfigurasi base di ground): Base dihubungkan bersama dengan sinyal input dan sinyal output dengan sinyal input diberikan antara terminal base dan emitter. • Sinyal output berada di terminal antara base dan collector. • Common base voltage gain:
  • 11. Konfigurasi Common Emitter • Berdasarkan namanya (konfigurasi emitter di ground): Sinyal input diberikan antara terminal emitter dan base, sementara sinyal output dari terminal collector dan emitter. • Persamaan konfigurasi ini:
  • 13. Konfigurasi Common Collector • Berdasarkan namanya (konfigurasi collector di ground): sinyal input diberikan di base, dan sinyal output pada beban emitter. • Persamaan konfigurasi ini:
  • 14. Karakteristik masing-masing konfigurasi Characteristic Common Base Common Emitter Common Collector Input Impedance Low Medium High Output Impedance Very High High Low Phase Angle 0o 180o 0o Voltage Gain High Medium Low Current Gain Low Medium High Power Gain Low Very High Medium
  • 16. Koneksi Transistor NPN • Tegangan VBE: positif pada base dan negatif pada emitter. • Tegangan VCE: positif pada collector dan negatif pada emitter.
  • 17. Koneksi Transistor NPN • Collector dihubungkan dengan suplai VCC melalui beban resistor RL, RL juga berfungsi untuk membatasi arus maksimum yang melalui transistor. • Suplai tegangan base VB dihubungkan dengan resistor RB, yang juga berfungsi untuk membatasi arus maksimum base.
  • 18. Dasar Operasi • Bias maju membuat lapisan deplesi BE mengecil • Bias mundur membuat lapisan deplesi BC membesar • Tingkat doping E>C>B • Krn B didoping sangat kecil (sedikit hole) maka hanya sedikit elektron bebas yg bergabung dng hole. • Akibatnya, hanya ada sedikit arus basis
  • 19. Dasar Operasi • Kebanyakan elektron yg tdk berekombinasi akan menuju kolektor, membentuk arus kolektor • Mengapa??? • Krn lapisan deplesi B sangat tipis dan elektron bebas memiliki masa hidup yg lama di B • Elektron yg ada dikolektor akan ditarik oleh (+) terminal.
  • 20. Aliran arus pd transistor dapat dilihat dari diagram berikut : Sehingga, persamaan arusnya menjadi : B C E I I I C E I I C B I I
  • 24. Analisa Arus dan Tegangan 7 . 0 BE V BE BB R V V V B B B R I R V B . B BE BB B R V V I
  • 25. C R CC CE V V V C C R I R V C . C C CC CE R I V V BE CE CB V V V
  • 26. contoh • Sebuah transistor NPN memiliki gain arus DC β sebesar 200. Hitunglah arus base IB yang dibutuhkan untuk men”switch” beban resistif dengan arus 4mA. • Jawab:
  • 27. contoh Tentukan IB, IC, IE, VBE, VCE, dan VCB untuk rangkaian berikut Bila transistor memiliki beta DC 150.
  • 30. Kondisi Cutoff • Daerah kerja transistor bila IB=0. • Saat ini, ada sejumlah kecil arus leakage collector ICEO dihasilkan pembawa thermal. • Sehingga, VCE = VCC. • Lapisan base-emitter dan base-collector dibias mundur.
  • 31. Keadaan Saturasi  IB dinaikkan sehingga IC juga membesar (IC=ßDC.IB).  Akibatnya VCE mengecil.  Pd saat VCE(Sat) tercapai, Ic tidak akan bertambah lagi meskipun IB dinaikkan.  Pd titik saturasi, hubungan IC=ßDC.IB tidak berlaku lagi.
  • 32. Garis Beban DC  Titik saturasi dan cutoff pd kurva kolektor dpt dihub dng garis beban DC.  Titik terbawah adlh titik ideal cutoff bila IC=0 dan VCE=VCC.  Titik teratas adlh titik saturasi bila VCE=VCE (Sat)
  • 33. contoh Tentukan apakah transistor pd gambar Berikut berada dlm keadaan saturasi atau tidak. Asumsikan VCE(sat)=0.2V. Penyelesaian Pertama, tentukan IC(sat) Kemudian, tentukan apakah IB cukup besar untuk menghasilkan IC(sat) Ini berarti, IB dpt menghasilkan IC yg >> IC(sat). Berarti transistor saturasi.