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ささみの会




        2011/10/28 ささみ@大崎

        Takeshi HASEGAWA
        (Twitter: @hasegaw)
        v  本資料中の解説内容は、所属組織における
            統一的な見解を示すものではありません。
プロフィール
長谷川 猛 (HASEGAWA Takeshi)
twitter: @hasegaw


主にLinuxや仮想化技術を得意とする雑食系SE
Xen/KVMを調査、FreeBSD virtioを実装等 
興味範囲:仮想化、ストレージ


もんはんしようず ゚+.(・ω・)゚+.゚




                                 2
おもな著書・寄稿




           3
Webサイトの記事など




 エンジニアなら知っておきたい仮想マシンのしくみ
   http://gihyo.jp/dev/serial/01/vm_work/
                                            4
Today’s topic
•    ハードディスク50年の歴史


•    フラッシュメモリの登場


•    近未来 – Flash専用オペレーションの可能性




                                5
Let’s know about Hard drive first:
•    1955年 – 最初のハードディスク
     “IBM 350ディスクストレージ”
     o    約64センチのディスク50枚に合計5MBのデータを記録
     o    洗濯機並の大きさだが、今思えば非常に小容量・低密度



•    1973年 – ウインチェスター型ハードディスクの登場
     o    現行のハードディスクに非常に近い構造となった
     o    密封式の構造となり信頼性が格段に向上



                                        6
50th anniversary of Disk System




                                  7
Hard disk architecture

                         ・常に回転している

                         ・ヘッドのシーク操作が
                          生じる

                         ・ディスク上に一定の
                          記録密度で情報が
    ディスク	
                保存されている

  磁気ヘッド	
                ・セクタが物理的に連続

     アーム	

アクチュエータ	


                                       8
Key elements to determine spec of Hard Disk
•    ハードウェア
     o    ディスク回転数
     o    平均シーク時間
     o    記録密度
     o    キャッシュメモリ
     o    さらに、システム側インターフェイスの処理時間
•    ソフトウェア、アルゴリズム
     o    先読みキャッシュ
     o    NCQ(Native Command Queue)によるI/O要求の処理順序のソート




                                                       9
Hard disks’ formula that have not changed


        平均アクセス時間=
平均シーク時間+平均回転待ち時間+データ転送時間	

•    平均アクセス時間
     o    システムがディスクI/Oの際に待たされる時間
•    平均シーク時間
     o    ディスクが対象セクタに向けシーク操作をするためにかかる平均時間
•    平均回転待ち時間
     o    ディスクが対象セクタが回ってくるまでに待つ平均時間
•    データ転送時間
     o    セクタの読み書きにかかる時間。密度および回転速度による

                                            10
What’s RAID
•    Redundant Arrays of Inexpensive Disks
     「ディスクをたくさん並べて性能を稼ごうず!」
•    RAID-1 … ミラーリング
     データを複数ディスクに書き込み、信頼性を担保する
•    RAID-3/4/5 … パリティによるデータ保護
•    RAID-0 … ストライピング
•    RAID-10
     データをミラーかつストライピングし性能および可用性を両立
•    RAID-50, RAID-60, …
     データをパリティ保護かつストライピング

                                             11
RAID-3/4/5 Basic - Parity
•    保存すべきデータが 1101 0101 であると
•    パリティ = 1101 XOR 0101 = 1000
•    各ディスクには実データ 1101 0101 とパリティ 1000 を保存する
     o    Disk 1 – 1101
     o    Disk 2 – 0101
     o    Disk 3 – 1000
•    ディスクが一台破損した場合でも、生存ディスクからデータを読み
     出し、パリティを計算することで元の値が復元できる
     o    Disk2 が壊れた場合
     o    Disk1 (1101) XOR Disk3 (1001) = 0101
•    RAID-6ではパリティを2つ持ちディスク2台の故障に対応

                                                 12
Difference of RAID-3, 4, 5, 6
•    RAID-3
     o    バイト単位、ビット単位
     o    データを細かく扱うため性能が低い
•    RAID-4
     o    パリティ計算がブロック単位となり高速化

•    RAID-5
     o    パリティデータをディスク分散し高速化
•    RAID-6
     o    パリティデータの個数を2個に増やし信頼性向上
          ※一般的に性能は低下


                                   13
RAID3 / RAID4




   http://www.dataok.jp/data-recovery-document/002.html	
   14
RAID-5




   http://www.dataok.jp/data-recovery-document/002.html	
   15
Unresolved Performance Problems of Hard disk
•    デバイスを横に並べることで改善できるもの
     o    I/O帯域幅


•    デバイスを横に並べても、なかなか改善しないもの
     o    時間あたりのI/O回数 (IOPS)
            台数を増やしてもリニアにはスケールしない


     o    I/Oの応答速度
            台数を増やしてもディスク一台の基本性能がベース
            現状ストレージコントローラがDRAMでキャッシュしている



                                               16
And now Flash Memory
•    「HDDより速い!」
•    「動く場所がないから壊れにくい!」
•    「静か!」
•    Etc… etc….




                         17
So, what’s flash memory?
•    NAND型/NOR型フラッシュメモリ
     o    開発者: 舛岡富士雄氏(当時東芝)
     o    読み書きの単位: ページ単位 (DRAM→バイト単位)
     o    書き込み前にはイレース操作が必要 (DRAM→不要)
     o    イレース操作はブロック単位(複数ページ単位)
     o    NOR型のほうが簡単だがNAND型のほうが容量が多い


     o    上記特性のかわりに価格が安い
     o    不揮発である(通電していなくても消えない)




                                        18
Single Level Cell versus Multi Level Cell

      SLCの場合
                   MLCの場合
                     100%
                  100%


 1
                        11
                           10

 0
                        01

                           00
                     0%
                    0%



                                              19
Motivation of Flash Memory
東芝に入社後、高性能なメモリーを開発したが売れないことに業を煮やし
た舛岡は、営業職を志願し、アメリカのコンピューター会社を回った。


結局全然売る事ができず1年もたたずに営業職からは外される。しかし、
この時に何度も営業先に言われた「性能は最低限でいい。もっと安い製品
はないのか」という言葉から、性能の向上ばかり考えず需要に見合った機
能を持つ製品を低コストで作るべきだと悟る。結果、情報を1ビットごと
ではなく一括消去するという、あえて性能を落としてコストを4分の1以
下にする方法を思いつき、フラッシュメモリが発明されるに至った。


朝日新聞2011年8月1日付夕刊

                                    20
Erase Block?

                             ・素子摩耗を起こす素材で
                             ある
                       X	
 未使用領域	
       /	
 /	
 /	
   ・ページへの書込前に
                              一度データ消去が必要、
                              消去には時間を要する
 素子摩耗を         X	
 /	
 /	
                             常にデータの配置を変更
 起こした領域	
      /	
 /	
 /	
   しながら情報を記録する

ERASE単位	
              X	
               /	
 /	
 /	
               /	
 /	
 /	


                                       21
Pros of FlashMemory
•    回転軸がない
     o    軸ブレ、モーター故障による故障リスクの回避
     o    回転待ち時間 の撤廃
•    ヘッドがない
     o    ヘッドクラッシュによるメディア故障リスクの回避
     o    シーク待ち時間 の撤廃
•    消費電力の削減
     o    モーターが不要




                                    22
Hard disk versus NAND Flash Memory Chip

            DRAM	
     Hard Disk	
   NAND Flash	
Write単位	
   1Bytes	
   512Bytes	
    4KBytes = 1 pages	
Read単位	
    1Bytes	
   512Bytes	
    4KBytes = 1 pages	
Erase単位	
   -	
        -	
           256KBytes = 128 pages 	
書換寿命	
      -	
        -	
           100,000 P/E Cycles	




ハードディスクはこれまで利用されてきた512バイトセクタのモデルを想定
NAND Flashは様々なチップ仕様があるが、基本的な特性には共通である	




                                                                23
A Flash Memory Datasheet from Samsung




                     Read    25マイクロ秒
                     Write   200マイクロ秒
                     Erase   1500マイクロ秒	




                                           24
Latency of NAND Flash Memory

          Operation	
         所要時間	
          速度(Read比)	
            Read	
               25マイクロ秒	
              100%	
           Program	
            200マイクロ秒	
              12.5%	
            Erase	
            1500マイクロ秒	
               1.6%	

•    NAND FlashのProgram/Eraseは遅い
     o    1秒=1,000,000マイクロ秒
     o    7200rpm ハードディスクの平均待ち時間
            •  1,000,000 マイクロ秒 ÷ 7,200 回転 ÷ 2 = 69.4マイクロ秒
     o    15,000rpmハードディスクなら33.3マイクロ秒
     o    シークがなければHDDもポテンシャルはある


                                                            25
Erase Block makes complexity

 故郷を「愛知県」から「北海道」に書き換えたい場合・・・
Sector	
   0	
 1	
   2	
 3	
 4	
 5	
 6	
 7	
   8	
 9	
 10	
 11	
 12	
 13	
 14	
 15	
 16	
 17	
                           北 海 道
Data	
 私	
 の	
 故	
 郷	
 、	
 愛	
 知	
 県	
ハードディスクであれば該当セクタのみを書き換えることが可能。

 NANDフラッシュの場合は、書き込み前にはイレースブロック単位での消去が必要な
 ため、単純書き換えはできない。
Sector	
   0	
 1	
   2	
 3	
 4	
 5	
 6	
 7	
   8	
 9	
 10	
 11	
 12	
 13	
 14	
 15	
 16	
 17	

                                ×××
Data	
 私	
 の	
 故	
 郷	
 、	
 愛	
 知	
 県	
 北 海 道

このため、NANDフラッシュの場合は、違うところに更新後のデータを書き込み、過去
のデータを論理的(データ構造的)に上書きする。古いデータは削除できない
(セクタ0に残っている有効データがあるため、容易にイレースできない)


                                                                                          26
Erase Block makes complexity

 さらにデータを追加書き込みする(ハードディスクの場合)
Sector	
   0	
 1	
   2	
 3	
 4	
 5	
 6	
 7	
   8	
 9	
 10	
 11	
 12	
 13	
 14	
 15	
 16	
 17	
Data	
 私	
 の	
 故	
 郷	
 、	
 北	
 海	
 道	
 は	
 素	
 敵	
 な	
 場	
 所	
 で	
 す	
 。	


同様の操作をNANDフラッシュに行う場合 さらにデータを追加書き込みする(ハード
ディスクの場合)
Sector	
   0	
 1	
   2	
 3	
 4	
 5	
 6	
 7	
   8	
 9	
 10	
 11	
 12	
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 14	
 15	
 16	
 17	

                                ×××
Data	
 私	
 の	
 故	
 郷	
 、	
 愛	
 知	
 県	
 北	
 海	
 道	
                        ブロックイレース	
                       で	
 す	
 。	
 、	

ブロック単位の書き込みを高速化するためイレースブロックにアラインする(コント
                                                                  は	
 素	
 敵	
 な	
 場	
 所	


ローラの実装による)
セクタ17まで書き込んでしまい残りが書けない…… → ブロックイレース発生
未使用の領域を一旦クリアし再利用する。残っているデータがあれば移行が必要
                                                                                          27
Flash Translation Layer
•    ブロックイレースの特性を
     持つNANDフラッシュメモ
     リをブロックデバイスとし
     て利用するための変換方式
•    様々なFTLの方式が研究さ
     れている




                          28
Why NAND Flash Devices don’t sustain performance?
•    HDDと違って
     o    各LBAが物理的に連続して割り当てられているわけではない
     o    LBAでシーケンシャルでも内部的には準ランダムI/Oになっている可能性
          がある
     o    「回転数」という考え方がそもそもない
•    NAND Flashって遅いんだよね
     o    フラッシュチップ単発はかなり遅い
     o    いかにたくさん並列アクセスして帯域・IOPS性能を稼ぐか
•    結果として、話題になるのはほとんどコントローラの性能
     o    いかにNAND Flashを使った高速なデバイスを作るか



                                                    29
Summary of Flash Performance
•    メディア部分の性能に限界があるのは同じ
     o    HDD … 回転するディスク、ヘッド
     o    NAND Flash … NANDフラッシュチップ
     o    メディア部分の性能改善ももちろん進んでいるが…
•    メモリという特性は大きく違う
     o    HDD … 回転するディスク上にセクタを割り当て
     o    NAND Flash… Erase Blockの存在がありデータ構造が非常に複雑
•    NANDフラッシュチップ独特の特性
     o    HDD … リード/ライトの性能はほぼ一緒
     o    書き込み/イレースが遅い


•    性能差が出るのはどこか?
     o    主にコントローラ

                                                     30
Talk about reliability
•    Program/Erase Cycleの目安は100,000回
•    これを超えての繰り返し書き込みはデータ書き込みの保証がなくな
     る
•    NANDフラッシュデバイスの信頼性
     o    コントローラ側にほぼ依存している
     o    コントローラ側で信頼性を担保するもの、
          より上のレイヤで担保するもの




                                       31
Write-Amplification?
•    もう皆さん、これは見たはずですよ。




•    Write Amplificationの発生量はデバイスのログ形式、空容量回収ア
     ルゴリズムやユーザのワークロードにより大きく変動する
•    シーケンシャルI/OよりランダムI/Oのほうが発生しやすい
     o    (ランダムI/OはNANDフラッシュデバイスの寿命を縮めがち)
                                            32
Flash Memory Jargons
•    Wear-out (ウエアアウト)
     o    NANDフラッシュ素子が繰り返しの書き込みにより劣化し、正常に機能しな
          くなった状態。
•    Wear-Leveling
     o    Wear-outを発生させないように、書き込み先NANDフラッシュ素子が偏らな
          いようコントロールする手法。
•    ECC
     o    エラー検出訂正アルゴリズム。
          NANDフラッシュは信頼性が低いのでECCは必須
•    Write-Amplification
     o    ユーザが意図しないうちに、デバイスのデータ構造を保つために生じる追加
          書き込み。


                                                33
A Flash Memory Datasheet from Samsung




                                        34
Device Reliability of Flash Devices
•    HDDの代替としてのSSD
     o    データの信頼性を確保する機能があまりない
           •  ECC等
     o    HDDの中でミラーリングしていますか? -> No
     o    ストレージシステムでのRAID-1などで担保される前提なのか??
•    PCIe 装着型のSSD
     o    RAIDカードに刺さらないのに内部でRAID-0しているカードがある
     o    ハードディスクのRAID-0と信頼性は変わらない…
•    いわゆるハイエンドNANDフラッシュデバイス
     o    内部的にRAID-4(5)相当のパリティ保護を行っている
     o    信頼性を比較はSSDとではなく、ストレージ装置一式と比較すべき

                                               35
Talk about storage in the future
•    これまでの常識: セクタの書き換えは1つ単位でしかできなかった。
     o    だって当たり前じゃない、プラッタにヘッドは一つしかないんだから


•    Flashでは: 別れているセクタも結局は連続書き込みしている
     o    LBA的に離れているかは関係ない、いつ書いたか
     o    ログファイルシステムを利用している


•    Atomic Write!
     o    1 IOPSの価値が変わる
     o    メタデータ更新の削減
     o    書き込みデータ量の削減

                                            36
Talk about storage in the future
•    Atomic Write技術がアツイ
•    なにがおきる?
     o    1 IOPSの価値が変わる
     o    メタデータ更新の削減
     o    書き込みデータ量の削減


•    どんなメリットがある?
     o    データベースミドルウェアなどのログの仕組みの単純化
     o    書き込みデータ量の削減によるFlash寿命の長期化
     o    パフォーマンス向上



                                      37
Talk about storage in the future




              (Sorry – not available online.)




                                                38
Topics I told to you today
•    ハードディスク50年の歴史
     o    IBMから最初のハードディスクが登場
     o    ディスクの基本構造の復習
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     o    Erase Block … NANDフラッシュデバイスの内部構造は色々複雑
     o    パフォーマンス、信頼性、寿命はコントローラにとっての課題
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     o    HDDでは物理的にできなかった操作が可能に

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20111028ssmjp

  • 1. ささみの会 2011/10/28 ささみ@大崎 Takeshi HASEGAWA (Twitter: @hasegaw) v  本資料中の解説内容は、所属組織における 統一的な見解を示すものではありません。
  • 2. プロフィール 長谷川 猛 (HASEGAWA Takeshi) twitter: @hasegaw 主にLinuxや仮想化技術を得意とする雑食系SE Xen/KVMを調査、FreeBSD virtioを実装等  興味範囲:仮想化、ストレージ もんはんしようず ゚+.(・ω・)゚+.゚ 2
  • 5. Today’s topic •  ハードディスク50年の歴史 •  フラッシュメモリの登場 •  近未来 – Flash専用オペレーションの可能性 5
  • 6. Let’s know about Hard drive first: •  1955年 – 最初のハードディスク “IBM 350ディスクストレージ” o  約64センチのディスク50枚に合計5MBのデータを記録 o  洗濯機並の大きさだが、今思えば非常に小容量・低密度 •  1973年 – ウインチェスター型ハードディスクの登場 o  現行のハードディスクに非常に近い構造となった o  密封式の構造となり信頼性が格段に向上 6
  • 7. 50th anniversary of Disk System 7
  • 8. Hard disk architecture ・常に回転している ・ヘッドのシーク操作が  生じる ・ディスク上に一定の  記録密度で情報が ディスク  保存されている 磁気ヘッド ・セクタが物理的に連続 アーム アクチュエータ 8
  • 9. Key elements to determine spec of Hard Disk •  ハードウェア o  ディスク回転数 o  平均シーク時間 o  記録密度 o  キャッシュメモリ o  さらに、システム側インターフェイスの処理時間 •  ソフトウェア、アルゴリズム o  先読みキャッシュ o  NCQ(Native Command Queue)によるI/O要求の処理順序のソート 9
  • 10. Hard disks’ formula that have not changed 平均アクセス時間= 平均シーク時間+平均回転待ち時間+データ転送時間 •  平均アクセス時間 o  システムがディスクI/Oの際に待たされる時間 •  平均シーク時間 o  ディスクが対象セクタに向けシーク操作をするためにかかる平均時間 •  平均回転待ち時間 o  ディスクが対象セクタが回ってくるまでに待つ平均時間 •  データ転送時間 o  セクタの読み書きにかかる時間。密度および回転速度による 10
  • 11. What’s RAID •  Redundant Arrays of Inexpensive Disks 「ディスクをたくさん並べて性能を稼ごうず!」 •  RAID-1 … ミラーリング データを複数ディスクに書き込み、信頼性を担保する •  RAID-3/4/5 … パリティによるデータ保護 •  RAID-0 … ストライピング •  RAID-10 データをミラーかつストライピングし性能および可用性を両立 •  RAID-50, RAID-60, … データをパリティ保護かつストライピング 11
  • 12. RAID-3/4/5 Basic - Parity •  保存すべきデータが 1101 0101 であると •  パリティ = 1101 XOR 0101 = 1000 •  各ディスクには実データ 1101 0101 とパリティ 1000 を保存する o  Disk 1 – 1101 o  Disk 2 – 0101 o  Disk 3 – 1000 •  ディスクが一台破損した場合でも、生存ディスクからデータを読み 出し、パリティを計算することで元の値が復元できる o  Disk2 が壊れた場合 o  Disk1 (1101) XOR Disk3 (1001) = 0101 •  RAID-6ではパリティを2つ持ちディスク2台の故障に対応 12
  • 13. Difference of RAID-3, 4, 5, 6 •  RAID-3 o  バイト単位、ビット単位 o  データを細かく扱うため性能が低い •  RAID-4 o  パリティ計算がブロック単位となり高速化 •  RAID-5 o  パリティデータをディスク分散し高速化 •  RAID-6 o  パリティデータの個数を2個に増やし信頼性向上 ※一般的に性能は低下 13
  • 14. RAID3 / RAID4 http://www.dataok.jp/data-recovery-document/002.html 14
  • 15. RAID-5 http://www.dataok.jp/data-recovery-document/002.html 15
  • 16. Unresolved Performance Problems of Hard disk •  デバイスを横に並べることで改善できるもの o  I/O帯域幅 •  デバイスを横に並べても、なかなか改善しないもの o  時間あたりのI/O回数 (IOPS) 台数を増やしてもリニアにはスケールしない o  I/Oの応答速度 台数を増やしてもディスク一台の基本性能がベース 現状ストレージコントローラがDRAMでキャッシュしている 16
  • 17. And now Flash Memory •  「HDDより速い!」 •  「動く場所がないから壊れにくい!」 •  「静か!」 •  Etc… etc…. 17
  • 18. So, what’s flash memory? •  NAND型/NOR型フラッシュメモリ o  開発者: 舛岡富士雄氏(当時東芝) o  読み書きの単位: ページ単位 (DRAM→バイト単位) o  書き込み前にはイレース操作が必要 (DRAM→不要) o  イレース操作はブロック単位(複数ページ単位) o  NOR型のほうが簡単だがNAND型のほうが容量が多い o  上記特性のかわりに価格が安い o  不揮発である(通電していなくても消えない) 18
  • 19. Single Level Cell versus Multi Level Cell SLCの場合 MLCの場合 100% 100% 1 11 10 0 01 00 0% 0% 19
  • 20. Motivation of Flash Memory 東芝に入社後、高性能なメモリーを開発したが売れないことに業を煮やし た舛岡は、営業職を志願し、アメリカのコンピューター会社を回った。 結局全然売る事ができず1年もたたずに営業職からは外される。しかし、 この時に何度も営業先に言われた「性能は最低限でいい。もっと安い製品 はないのか」という言葉から、性能の向上ばかり考えず需要に見合った機 能を持つ製品を低コストで作るべきだと悟る。結果、情報を1ビットごと ではなく一括消去するという、あえて性能を落としてコストを4分の1以 下にする方法を思いつき、フラッシュメモリが発明されるに至った。 朝日新聞2011年8月1日付夕刊 20
  • 21. Erase Block? ・素子摩耗を起こす素材で ある X 未使用領域 / / / ・ページへの書込前に  一度データ消去が必要、  消去には時間を要する 素子摩耗を X / / 常にデータの配置を変更 起こした領域 / / / しながら情報を記録する ERASE単位 X / / / / / / 21
  • 22. Pros of FlashMemory •  回転軸がない o  軸ブレ、モーター故障による故障リスクの回避 o  回転待ち時間 の撤廃 •  ヘッドがない o  ヘッドクラッシュによるメディア故障リスクの回避 o  シーク待ち時間 の撤廃 •  消費電力の削減 o  モーターが不要 22
  • 23. Hard disk versus NAND Flash Memory Chip DRAM Hard Disk NAND Flash Write単位 1Bytes 512Bytes 4KBytes = 1 pages Read単位 1Bytes 512Bytes 4KBytes = 1 pages Erase単位 - - 256KBytes = 128 pages 書換寿命 - - 100,000 P/E Cycles ハードディスクはこれまで利用されてきた512バイトセクタのモデルを想定 NAND Flashは様々なチップ仕様があるが、基本的な特性には共通である 23
  • 24. A Flash Memory Datasheet from Samsung Read 25マイクロ秒 Write 200マイクロ秒 Erase 1500マイクロ秒 24
  • 25. Latency of NAND Flash Memory Operation 所要時間 速度(Read比) Read 25マイクロ秒 100% Program 200マイクロ秒 12.5% Erase 1500マイクロ秒 1.6% •  NAND FlashのProgram/Eraseは遅い o  1秒=1,000,000マイクロ秒 o  7200rpm ハードディスクの平均待ち時間 •  1,000,000 マイクロ秒 ÷ 7,200 回転 ÷ 2 = 69.4マイクロ秒 o  15,000rpmハードディスクなら33.3マイクロ秒 o  シークがなければHDDもポテンシャルはある 25
  • 26. Erase Block makes complexity 故郷を「愛知県」から「北海道」に書き換えたい場合・・・ Sector 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 北 海 道 Data 私 の 故 郷 、 愛 知 県 ハードディスクであれば該当セクタのみを書き換えることが可能。 NANDフラッシュの場合は、書き込み前にはイレースブロック単位での消去が必要な ため、単純書き換えはできない。 Sector 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ××× Data 私 の 故 郷 、 愛 知 県 北 海 道 このため、NANDフラッシュの場合は、違うところに更新後のデータを書き込み、過去 のデータを論理的(データ構造的)に上書きする。古いデータは削除できない (セクタ0に残っている有効データがあるため、容易にイレースできない) 26
  • 27. Erase Block makes complexity さらにデータを追加書き込みする(ハードディスクの場合) Sector 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 Data 私 の 故 郷 、 北 海 道 は 素 敵 な 場 所 で す 。 同様の操作をNANDフラッシュに行う場合 さらにデータを追加書き込みする(ハード ディスクの場合) Sector 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ××× Data 私 の 故 郷 、 愛 知 県 北 海 道 ブロックイレース で す 。 、 ブロック単位の書き込みを高速化するためイレースブロックにアラインする(コント は 素 敵 な 場 所 ローラの実装による) セクタ17まで書き込んでしまい残りが書けない…… → ブロックイレース発生 未使用の領域を一旦クリアし再利用する。残っているデータがあれば移行が必要 27
  • 28. Flash Translation Layer •  ブロックイレースの特性を 持つNANDフラッシュメモ リをブロックデバイスとし て利用するための変換方式 •  様々なFTLの方式が研究さ れている 28
  • 29. Why NAND Flash Devices don’t sustain performance? •  HDDと違って o  各LBAが物理的に連続して割り当てられているわけではない o  LBAでシーケンシャルでも内部的には準ランダムI/Oになっている可能性 がある o  「回転数」という考え方がそもそもない •  NAND Flashって遅いんだよね o  フラッシュチップ単発はかなり遅い o  いかにたくさん並列アクセスして帯域・IOPS性能を稼ぐか •  結果として、話題になるのはほとんどコントローラの性能 o  いかにNAND Flashを使った高速なデバイスを作るか 29
  • 30. Summary of Flash Performance •  メディア部分の性能に限界があるのは同じ o  HDD … 回転するディスク、ヘッド o  NAND Flash … NANDフラッシュチップ o  メディア部分の性能改善ももちろん進んでいるが… •  メモリという特性は大きく違う o  HDD … 回転するディスク上にセクタを割り当て o  NAND Flash… Erase Blockの存在がありデータ構造が非常に複雑 •  NANDフラッシュチップ独特の特性 o  HDD … リード/ライトの性能はほぼ一緒 o  書き込み/イレースが遅い •  性能差が出るのはどこか? o  主にコントローラ 30
  • 31. Talk about reliability •  Program/Erase Cycleの目安は100,000回 •  これを超えての繰り返し書き込みはデータ書き込みの保証がなくな る •  NANDフラッシュデバイスの信頼性 o  コントローラ側にほぼ依存している o  コントローラ側で信頼性を担保するもの、 より上のレイヤで担保するもの 31
  • 32. Write-Amplification? •  もう皆さん、これは見たはずですよ。 •  Write Amplificationの発生量はデバイスのログ形式、空容量回収ア ルゴリズムやユーザのワークロードにより大きく変動する •  シーケンシャルI/OよりランダムI/Oのほうが発生しやすい o  (ランダムI/OはNANDフラッシュデバイスの寿命を縮めがち) 32
  • 33. Flash Memory Jargons •  Wear-out (ウエアアウト) o  NANDフラッシュ素子が繰り返しの書き込みにより劣化し、正常に機能しな くなった状態。 •  Wear-Leveling o  Wear-outを発生させないように、書き込み先NANDフラッシュ素子が偏らな いようコントロールする手法。 •  ECC o  エラー検出訂正アルゴリズム。 NANDフラッシュは信頼性が低いのでECCは必須 •  Write-Amplification o  ユーザが意図しないうちに、デバイスのデータ構造を保つために生じる追加 書き込み。 33
  • 34. A Flash Memory Datasheet from Samsung 34
  • 35. Device Reliability of Flash Devices •  HDDの代替としてのSSD o  データの信頼性を確保する機能があまりない •  ECC等 o  HDDの中でミラーリングしていますか? -> No o  ストレージシステムでのRAID-1などで担保される前提なのか?? •  PCIe 装着型のSSD o  RAIDカードに刺さらないのに内部でRAID-0しているカードがある o  ハードディスクのRAID-0と信頼性は変わらない… •  いわゆるハイエンドNANDフラッシュデバイス o  内部的にRAID-4(5)相当のパリティ保護を行っている o  信頼性を比較はSSDとではなく、ストレージ装置一式と比較すべき 35
  • 36. Talk about storage in the future •  これまでの常識: セクタの書き換えは1つ単位でしかできなかった。 o  だって当たり前じゃない、プラッタにヘッドは一つしかないんだから •  Flashでは: 別れているセクタも結局は連続書き込みしている o  LBA的に離れているかは関係ない、いつ書いたか o  ログファイルシステムを利用している •  Atomic Write! o  1 IOPSの価値が変わる o  メタデータ更新の削減 o  書き込みデータ量の削減 36
  • 37. Talk about storage in the future •  Atomic Write技術がアツイ •  なにがおきる? o  1 IOPSの価値が変わる o  メタデータ更新の削減 o  書き込みデータ量の削減 •  どんなメリットがある? o  データベースミドルウェアなどのログの仕組みの単純化 o  書き込みデータ量の削減によるFlash寿命の長期化 o  パフォーマンス向上 37
  • 38. Talk about storage in the future (Sorry – not available online.) 38
  • 39. Topics I told to you today •  ハードディスク50年の歴史 o  IBMから最初のハードディスクが登場 o  ディスクの基本構造の復習 o  RAIDのしくみ o  パフォーマンスの課題 •  フラッシュメモリの登場 o  NAND/NORフラッシュメモリの登場 o  Erase Block … NANDフラッシュデバイスの内部構造は色々複雑 o  パフォーマンス、信頼性、寿命はコントローラにとっての課題 •  近未来 – Flash専用オペレーションの可能性 o  HDDでは物理的にできなかった操作が可能に 39