Transistor adalah komponen elektronika yang digunakan sebagai penguat sinyal dan saklar sirkuit. Terdapat dua jenis transistor utama, yaitu Transistor Efek Medan (FET) dan Transistor Junction Bipolar (BJT). FET menggunakan medan listrik untuk mengontrol aliran arus, sedangkan BJT menggunakan arus masukan untuk mengontrol arus keluaran. Kedua jenis transistor ini memiliki berbagai konfigurasi dan karak

1. Karakteristik Transistor
Penyusun :
Faiz Amali
1410502043
Teknik Mesin S1
Pembimbing :
R.Suryoto Edy Raharjo S.T.,M.Eng.

2. Tentang Transisitor
• Transistor : adalah sebuah komponen elektronika yang digunakan
untuk penguat, sebagai sirkuit pemutus, sebagai penyambung,
sebagai stabilitas tegangan, modulasi sinyal dan lain-lain
• Jenis : 1. BJT (Bipolar Junction Transistor)
2. FET (Field Effect Transistor)
• Bahan pembuatan : germanium, silikon, galium arsenide.
• Kemasan : plastik, metal, surface mount, & IC (Integeted Circuit)
• Penggunaan : amplifier (penguat) pada rangkaian analog, saklar
berkecepatan tinggi pada rangkaian digital.

3. Jenis-Jenis Transistor
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori :
• Materi semikonduktor : Germanium, Silikon, Gallium Arsenide
• Kemasan fisik : Through Hole Metal, Through Hole Plastic,
Surface Mount, IC
• Tipe : UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT,
MISFET, VMOSFET
• Polaritas : NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
• Maximum kapasitas daya : Low Power, Medium Power, High Power
• Maximum frekuensi kerja : Low, Medium, atau High Frequency, RF
transistor, Microwave
• Aplikasi : Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio,
Tegangan Tinggi, dan lain-lain

4. 1. Field Effect Transistor (FET)
• FET, adalah suatu komponen semi konduktor yang bekerja
berdasarkan pengaturan arus dengan medan listrik.
• Memiliki tiga buah terminal, yaitu Source (sumber), Drain (buangan),
dan Gate (gerbang).
• Terminal source adalah terminal yang paling negatif dan terminal
drain adalah yang paling positif. Ketika tegangan diberikan ke terminal
gate, arus yang disebut arus drain akan mengalir masuk melewati
terminal drain dan keluar melalui terminal source.
• FET yang sering digunakan yaitu JFET (Junction-FET) dan MOSFET
(Metal Oxide Semiconductor-FET).

5. Simbol FET saluran N (N - channel) dan saluran P (P - channel)

6. Karakteristik FET
• FET mempunyai fungsi yang hampir sama dengan BJT(Bipolar junction
Transistor), tetapi terdapat beberapa perbedaan. Pada transistor bipolar
arus output (IC) dikendalikan oleh arus input (IB). Sedangkan dalam FET
arus output (ID) dikendalikan oleh tegangan input (VGS), karena arus input
adalah nol. Sehingga resistansi input FET sangat besar, dalam orde puluhan
megaohm.
• FET lebih stabil terhadap temperatur dan konstruksinya lebih kecil serta
pembuatannya lebih mudah dari transistor bipolar, sehingga amat
bermanfaat untuk pembuatan keping rangkaian terpadu.
• FET bekerja atas aliran pembawa mayoritas saja, sehingga FET cenderung
membangkitkan noise (desah) lebih kecil dari pada transistor bipolar.
Namun umumnya transistor bipolar lebih peka terhadap input atau dengan
kata lain penguatannya lebih besar. Disamping itu transistor bipolar
mempunyai linieritas yang lebih baik dan respon frekuensi yang lebih lebar.

7. 2. Bipolar Junction Transistor (BJT)
• BJT, adalah transisitor yang terbuat dari dua buah dioda yang
digabung (P-N Junction). P-N Junction pertama adalah Emiter-Basis
dan P-N Junction kedua adalah Basis-Kolektor.
• Bipolar Junction Transistor (BJT) merupakan “current-amplifying
device”, artinya BJT mengontrol jumlah arus yang mengalir pada basis
dengan cara mengatur arus yang mengalir pada kolektor.
• Ada dua jenis kontruksi transistor bipolar yaitu PNP dan NPN, beda
keduanya terletak pada susunan semikonduktor tipe-P dan tipe-N
transistor tersebut.

8. Gambar Kontruksi Transistor PNP dan Transistor NPN

9. Mode Operasi BJT
Gambar Kurva Hubungan VCE, IC dan IB

10. Berdasarkan kurva Hubungan VCE, IC dan IB ada beberapa region yang menunjukan daerah
kerja transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah aktif dan
kemudian daerah breakdown.
• Daerah Aktif ,Transistor beroperasi sebagai penguat dan Ic = β.Ib
Daerah kerja transistor yang normal adalah pad adaerah aktif, yaitu ketika arus IC konstan
terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari
besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region).
• Saturation, Transistor "fully-ON", Ic = I (saturation)
Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon).
Ini dikibatkan oleh efek p-n junction kolektor-basis yang mebutuhkan tegangan yang cukup agar
mampu mengalirkan elektron sama seperti dioda.
• Cut-off, Transistor menjadi "fully-OFF", Ic = 0
Daerah dimana Vce masih cukup kecil sehingga Arus IC = 0 atau IB = 0. Transistor dalam
kondisi off.
• Daerah Breakdown
Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40 V, arus IC menanjak naik
dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya
transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapt merusak transistor tersebut.
Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan VCE max yang diperbolehkn sebelum breakdown
bervariasi.

11. Konfigurasi Bipolar Junction Transistor
• Karena Bipolar Transistor merupakan komponen atau piranti yang
mempunyai tiga terminal, maka dimungkinkan memiliki 3 konfigurasi
rangkaian yaitu common base, common collector dan common
emitter, ketika merancang suatu rangkaian transistor tiga konfigurasi
inilah yang digunakan.
• Perancangan rangkaian transistor biasanya mengacu pada beberapa
parameter berikut:
• Voltage Gain (Penguatan Tegangan)
• Current Gain (Penguatan Arus)
• Impedansi input
• Impedansi output
• Frekuensi respon

12. Karakteristik Arus Bipolar Junction Transistor
• Alpha (α) >> αdc = IC/IE
Alpha (α) adalah perbandingan arus kolektor terhadap arus
emitor. Idealnya besar α dc adalah = 1 (satu). Namun umumnya
transistor yang ada dipasaran memiliki αdc kurang lebih antara 0.95
sampai 0.99.
• Beta (β) >> β = IC/IB
Beta (β) didefinisikan sebagai besar perbandingan antara arus
kolektor dengan arus basis. Artinya Beta (β) adalah parameter yang
menunjukan kemampuan penguatan arus (current gain) dari suatu
transistor.