Dokumen ini memberikan ringkasan tentang karakteristik transistor dalam 3 kalimat. Pertama, menjelaskan jenis-jenis transistor seperti BJT dan FET beserta cara kerjanya. Kedua, mendefinisikan karakteristik penting transistor yakni kurva tegangan-arus. Ketiga, menjelaskan tiga daerah operasi transistor yaitu cutoff, linear amplifier, dan saturasi.

1. Disusun oleh : Imam Ibnu Pamunkas
1410502057
Teknik mesin s1
Dosen : R. Suryoto Edy Raharjo, S.T.,M.Eng.
Fakultas Teknik
Universitas Tidar
2015
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

2. PENDAHULUAN
Transistor adalah salah satu komponen yang selalu
ada di setiap rangkaian elektronika, seperti radio,
televisi, handphone, lampu flip-flop dll.
Transistor digunakan untuk kebutuhan
penyambungan dan pemutusan (switching), seperti
halnya saklar. Yaitu untuk memutus atau
menyambungkan arus listrik. Selain
itu transistor juga berfungsi sebagai penguat
(amplifier), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal,
dan banyak lagi.

3. DAFTAR ISI
Pendahuluan
……………………………………..
Daftar Isi
…………..………………………...
Karakteristik Transistor
…………………………………….
Jenis Jenis Transistor
………………………...................
Garis Beban Transistor
.................................................

4. KARAKTERISTIK TRANSISTOR
Sebelum membahas karakteristik dan
daerah kerja Transistor, perlu disepakati
terlebih dahulu beberapa simbol tegangan
yang terdapat pada Transistor. Rangkaian
Transistor memiliki tiga tipe tegangan. Ketiga
tipe tegangan itu adalah:
 Sumber Tegangan Transistor : VBB dan VCC
 Tegangan Terminal Transistor : VB, Vc dan VE
 Tegangan Lintas Persambungan : VBE, VCE, dan VCB

5. Bipolar junction transistor (BJT) adalah jenis
transistor yang memiliki tiga kaki, yaitu (Basis,
Kolektor, dan Emitor) dan di pisah menjadi
dua arah aliran, positif dan negatif. Ada dua
jenis tipe transistor BJT, yaitu :
1. NPN
2. PNP

6. Field Effect Transistor adalah jenis transistor
yang dapat digunakan untuk menghasilkan
sinyal untuk mengontrol komponen yang lain.
Perbedaan utama antara kedua jenis transistor
tersebut adalah bahwa dalam transistor bipolar
arus output (Ic) dikendalikan oleh arus input
(Ib). Sedangkan dalam FET arus output (ID)
dikendalikan oleh tegangan input (Vgs), karena
arus input adalah nol. Sehingga resistansi input
FET sangat besar, dalam orde puluhan
megaohm

7. Jenis - Jenis dari Transistor FET itu sendiri
adalah
1. Junction Field Effect Transistor (JFET)

8. Cara Kerja JFET
Drain harus lebih positif dari source sedangkan gate harus
lebih negatif dari source. Jika tegangan gate cukup negatif, maka
lapisan pengosongan akan saling bersentuhan sehingga saluran
akan terjepit sehingga Id = 0
2. Metal Oxide Semiconduktor Field Effect Transistor(MOSFET)
Suatu transistor dari bahan semiconduktor (silicon)
dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat dari
ketidak murnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut,
yaitu transistor MOSFET tipe–N (NMOS) dan transistor MOSFET
tipe-P (PMOS). Cara kerja MOSFET terbagi 2, yaitu
1. Transistor Mode Pengosongan (Transistor Mode Depletion)
2. Transistor Mode Peningkatan (transistor Mode
Enchancement)

9. Gambar 1.1. Tegangan-tegangan
pada Rangkaian Transisto

10. Gambar 1.2. Rangkaian
Transistor Common
Emitter untuk Kurva
Tegangan-Arus
Karakteristik yang paling penting dari Transistor
adalah grafik Dioda Kolektor-Emiter, yang biasa
dikenal dengan Kurva Tegangan-Arus (V-I Curve).
Kurva ini menggambarkan arus Kolektor, IC, dengan
tegangan lintas persambungan Kolektor – Emiter,
VCE, dimana harga-harga tersebut diukur dengan arus
Basis, IB, yang berbeda-beda. Rangkaian yang
digunakan untuk mendapatkan kurva tampak pada
Gambar 9.2 di bawah ini.

11. Transistor BJT digunakan untuk 3 penggunaan
berbeda: mode cut off, mode linear amplifier, dan mode
saturasi. Penggunaan fungsi transistor bisa
menggunakan karakteristik dari masing-masing daerah
kerja ini. Selain untuk membuat fungsi daripada
transistor, karakteristik transistor juga dapat digunakan
untuk menganalisa arus dan tegangan transistor.
Gambar 1.3 karakteristik
transistor

12.  Karakteristik dari masing-masing daerah operasi transistor
tersebut dapat diringkas sebagai berikut:
 Daerah Potong (cutoff):
Dioda Emiter diberi prategangan mundur. Akibatnya, tidak terjadi
pergerakan elektron, sehingga arus Basis, IB = 0. Demikian juga,
arus Kolektor, IC = 0, atau disebut ICEO (Arus Kolektor ke
Emiter dengan harga arus Basis adalah 0).
 Daerah Saturasi
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor juga
diberi prategangan maju. Akibatnya, arus Kolektor, IC, akan
mencapai harga maksimum, tanpa bergantung kepada arus
Basis, IB, dan βdc. Hal ini, menyebabkan Transistor menjadi
komponen yang tidak dapat dikendalikan. Untuk menghindari
daerah ini, Dioda Kolektor harus diberi prateganan mundur,
dengan tegangan melebihi VCE(sat), yaitu tegangan yang
menyebabkan Dioda Kolektor saturasi.

13. • Daerah Aktif
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor diberi
prategangan mundur. Terjadi sifat-sifat yang diinginkan, dimana:
atau
sebagaimana penjelasan pada bagian sebelumnya. Transistor
menjadi komponen yang dapat dikendalikan.
• Daerah Breakdown
Kolektor diberiprategangan mundur yang melebihi tegangan
Breakdown-nya, BVCEO (tegangan breakdown dimana tegangan
Kolektor ke Emiter saat Arus Basis adalah nol). Sehingga arus
Kolektor, IC, melebihi spesifikasi yang dibolehkan. Transistor dapat
mengalami kerusakan.

14. Gambar 1.2 Rankaian Comm on
Emitter

15. Gambar 1.5 Garis Beban dan Titik Operasi Transistor
Operatin point

16. TERIMAKASIH