SlideShare a Scribd company logo
1 of 17
Лекция №6.
Движение частицы в области потенциального
барьера. Туннельный эффект.
План:
1. Задача о движении микрочастицы в области
потенциального барьера бесконечной
ширины.
2. Прохождение (туннелирование) частиц через
потенциальный барьер конечной ширины.
3. Туннельный эффект и его применение.
1. Задача о движении микрочастицы в области
потенциального барьера бесконечной ширины
Рассмотрим движение частицы поле, потенциальная энергия U(x) которого
имеет вид:
Решение уравнения Шредингера
Область слева от барьера обозначим I и соответствующие решения индексом 1,
а справа от порога II и индексом 2.
Уравнение Шредингера для области I имеет вид:
а для области II:
Рассмотрим сначала случай, когда энергия E частицы меньше высоты
потенциального барьера Uo , т.е. E<Uo. Говорят, что в этом случае мы имеем
дело с высоким потенциальным барьером. Введем обозначения:
(1)
Решение уравнения Шредингера
Получаем следующие уравнения Шредингера для областей I и II:
(2)
(3)
Решения этих уравнений имеют следующий вид:
(4)
(5)
Первое слагаемое в волновых функциях представляет собой плоскую волну де
Бройля, распространяющуюся вдоль оси слева направо. Аналогично, второе
слагаемое в описывает плоскую дебройлевскую волну, распространяющуюся
вдоль оси в отрицательном направлении справа налево.
Применение граничных условий
Волновая функция на границе раздела областей I и II должна быть не только
непрерывной, но и гладкой, т.е. иметь непрерывную производную.
Приравнивание волновых функций и их производных на границе раздела двух
областей, в которых волновая функция имеет разный вид, получило название
сшивки волновых функций и их производных. В данном случае условия
сшивки имеют вид:
что приводит к:
Положим , а равным нулю, т.к. нет условий для отражения в
области II.
Анализ решения
Остальные коэффициенты имеют следующий вид:
Тогда волновые функции можно записать в следующем виде:
Найдем коэффициент отражения, определяющий вероятность того, что частица
отразится от высокого порога. Согласно физическому смыслу, коэффициент
отражения R есть
2
1
2
1
A
B
R =
Коэффициенты отражения и
прохождения
После подстановки получим:
Коэффициент прохождения D частицы через барьер определяется из условия:
То есть:
Плотность вероятности нахождения частицы в области II:
Т.е. при малых x вероятность обнаружить частицу в области II отлична от нуля:
Так при x=0.1 нм и U0 -E=1 эВ: Но уже при x= 1 нм и U0-E=1 эВ:
1=+ DR
Низкий потенциальный барьер
Теперь рассмотрим случай, когда энергия E частицы больше высоты
потенциального барьера Uo , т.е. E>Uo. Говорят, что в этом случае мы имеем
дело с низким потенциальным барьером.
Соответствующие решения уравнений Шредингера можно записать в
следующем виде:
Т.к. коэффициент B1 отличен от нуля, то возможно «надбарьерное отражение»
R =
2. Прохождение (туннелирование) частиц через
потенциальный барьер конечной ширины.
Уравнения Шредингера
Уравнения Шредингера для каждой из областей имеют следующий вид:
Решение каждого из них:
Туннелирование частиц через барьер
Применение граничных условий к волновым функциям позволяет получить
следующее выражение для коэффициента прохождения:
Прохождение частицы через потенциальный барьер, высота которого
превышает энергию частицы, получило название туннельного эффекта
(частица, проходя под барьером, как бы движется в туннеле). Отметим, что
туннельный эффект представляет собой чисто квантовое явление. Квантовая
частица может пройти через высокий потенциальный барьер, причем
вероятность ее прохождения испытывает сильную (экспоненциальную)
зависимость от массы частицы, а также от вида потенциального барьера U(x) .
Подчеркнем, что при прохождении через барьер полная энергия частицы Е
не меняется !!!.
Туннельный эффект в физике
автоэлектронная эмиссия
Туннельный эффект в физике
радиоактивный α –распад
Результаты исследований показывают,
что высота потенциального барьера при
α-распаде составляет величину порядка
20-30 МэВ, тогда как энергия
испущенных α-частиц лежит в пределах
5-6 МэВ, т.е. оказывается существенно
меньше высоты барьера. Это означает,
что α-частицы могут испускаться
ядрами только за счет туннельного
эффекта.
Сканирующий туннельный микроскоп
Сканирующий туннельный микроскоп
(СТМ) был создан в 1982 г сотрудниками
исследовательского отдела фирмы IBM Г.
Биннигом и Х. Рёрером. Он открыл очень
многообещающие возможности научных
и прикладных исследований в области
нанотехники. За создание СТМ Г. Бинниг
и Х. Рёрер в 1986 году были удостоены
Нобелевской премии по физике.
Принцип работы СТМ заключается в следующем: к поверхности проводящего
образца на характерное межатомное расстояние, составляющее доли нанометра,
подводится очень тонкое металлическое острие (игла). При приложении между
образцом и иглой разности потенциалов ~ 0,11 В в цепи (см. рис.) появляется
ток, обусловленный туннелированием электронов через зазор между ними.
Сканирующий туннельный микроскоп
Существуют два варианта режима работы
СТМ : режим постоянной высоты и режим
постоянного тока. При работе в режиме
постоянной высоты острие иглы перемещается
в горизонтальной плоскости над исследуемой
поверхностью (рис. а ). Туннельный ток при
этом изменяется и по этим изменениям легко
может быть определен рельеф поверхности
образца. При работе в режиме постоянного тока
(рис. б) используется система обратной связи,
которая поддерживает постоянным туннельный
ток за счет перемещения острия иглы в
вертикальном направлении. В этом случае
информация о рельефе поверхности получается
на основании данных о перемещении иглы.
Принцип действия СТМ настолько прост, а
потенциальные возможности так велики, что невозможно
предсказать его воздействие на науку и технику даже
ближайшего будущего
Нанометрия - исследование с
нанометровым разрешением шероховатости
поверхности, процессов
зародышеобразования при росте пленок,
процессов химического или ионного
травления, осаждения и т.д.
Нанотехнология - исследование и
изготовление приборных структур
нанометрового размера.
аббревиатура фирмы IBM из атомов ксенона,
"рассыпанных" на поверхности кристалла
никеля
Лекция окончена
Спасибо за внимание

More Related Content

Viewers also liked

Design and Implementation of Parallel and Randomized Approximation Algorithms
Design and Implementation of Parallel and Randomized Approximation AlgorithmsDesign and Implementation of Parallel and Randomized Approximation Algorithms
Design and Implementation of Parallel and Randomized Approximation AlgorithmsAjay Bidyarthy
 
如何解读页面性能?
如何解读页面性能?如何解读页面性能?
如何解读页面性能?heavenhuang
 
Optimization Techniques
Optimization TechniquesOptimization Techniques
Optimization TechniquesAjay Bidyarthy
 
我以为我知道的事
我以为我知道的事我以为我知道的事
我以为我知道的事heavenhuang
 
走出技术壁垒
走出技术壁垒走出技术壁垒
走出技术壁垒heavenhuang
 
1.наноразмерные структуры
1.наноразмерные структуры1.наноразмерные структуры
1.наноразмерные структурыYerin_Constantine
 
4.магнитные свойства наноразмерных систем
4.магнитные свойства наноразмерных систем4.магнитные свойства наноразмерных систем
4.магнитные свойства наноразмерных системYerin_Constantine
 
физические основы и методики стм
физические основы и методики стмфизические основы и методики стм
физические основы и методики стмYerin_Constantine
 
Some real life data analysis on stationary and non-stationary Time Series
Some real life data analysis on stationary and non-stationary Time SeriesSome real life data analysis on stationary and non-stationary Time Series
Some real life data analysis on stationary and non-stationary Time SeriesAjay Bidyarthy
 
Student Database Management System
Student Database Management SystemStudent Database Management System
Student Database Management SystemAjay Bidyarthy
 
Soalan dst thn 2 akhir thn 2014
Soalan dst thn 2 akhir thn 2014Soalan dst thn 2 akhir thn 2014
Soalan dst thn 2 akhir thn 2014mickamuahaha
 
Pksr 1 2014 dst thn 2
Pksr 1 2014 dst thn 2Pksr 1 2014 dst thn 2
Pksr 1 2014 dst thn 2mickamuahaha
 

Viewers also liked (14)

Design and Implementation of Parallel and Randomized Approximation Algorithms
Design and Implementation of Parallel and Randomized Approximation AlgorithmsDesign and Implementation of Parallel and Randomized Approximation Algorithms
Design and Implementation of Parallel and Randomized Approximation Algorithms
 
如何解读页面性能?
如何解读页面性能?如何解读页面性能?
如何解读页面性能?
 
Optimization Techniques
Optimization TechniquesOptimization Techniques
Optimization Techniques
 
我以为我知道的事
我以为我知道的事我以为我知道的事
我以为我知道的事
 
On the farm
On the farmOn the farm
On the farm
 
Biyr1 p2
Biyr1 p2Biyr1 p2
Biyr1 p2
 
走出技术壁垒
走出技术壁垒走出技术壁垒
走出技术壁垒
 
1.наноразмерные структуры
1.наноразмерные структуры1.наноразмерные структуры
1.наноразмерные структуры
 
4.магнитные свойства наноразмерных систем
4.магнитные свойства наноразмерных систем4.магнитные свойства наноразмерных систем
4.магнитные свойства наноразмерных систем
 
физические основы и методики стм
физические основы и методики стмфизические основы и методики стм
физические основы и методики стм
 
Some real life data analysis on stationary and non-stationary Time Series
Some real life data analysis on stationary and non-stationary Time SeriesSome real life data analysis on stationary and non-stationary Time Series
Some real life data analysis on stationary and non-stationary Time Series
 
Student Database Management System
Student Database Management SystemStudent Database Management System
Student Database Management System
 
Soalan dst thn 2 akhir thn 2014
Soalan dst thn 2 akhir thn 2014Soalan dst thn 2 akhir thn 2014
Soalan dst thn 2 akhir thn 2014
 
Pksr 1 2014 dst thn 2
Pksr 1 2014 dst thn 2Pksr 1 2014 dst thn 2
Pksr 1 2014 dst thn 2
 

Similar to туннельный эффект

12.3. курс лекций афу
12.3. курс лекций афу12.3. курс лекций афу
12.3. курс лекций афуGKarina707
 
лекция02 сзм(1)
лекция02 сзм(1)лекция02 сзм(1)
лекция02 сзм(1)Gorelkin Petr
 
урок э м волны
урок э м волныурок э м волны
урок э м волныKuzLoz86
 
Игорь Любин - История сверхпроводимости
Игорь Любин - История сверхпроводимостиИгорь Любин - История сверхпроводимости
Игорь Любин - История сверхпроводимостиilyubin
 
Игорь Любин - Кандидатская диссертация
Игорь Любин - Кандидатская диссертацияИгорь Любин - Кандидатская диссертация
Игорь Любин - Кандидатская диссертацияilyubin
 
Квантовая физика
Квантовая физикаКвантовая физика
Квантовая физикаKobra-pipka
 
Femtotechnologies. step i atom hydrogen. alexander ilyanok
Femtotechnologies.  step i   atom hydrogen. alexander ilyanokFemtotechnologies.  step i   atom hydrogen. alexander ilyanok
Femtotechnologies. step i atom hydrogen. alexander ilyanokAlexander Ilyanok
 
Кварки, глюоны, теория и суперкомпьютерное моделирование
Кварки, глюоны, теория и суперкомпьютерное моделированиеКварки, глюоны, теория и суперкомпьютерное моделирование
Кварки, глюоны, теория и суперкомпьютерное моделированиеyaevents
 
нанофотоника. Дюделев Владислав Викторович
нанофотоника. Дюделев Владислав Викторовичнанофотоника. Дюделев Владислав Викторович
нанофотоника. Дюделев Владислав ВикторовичШкольная лига РОСНАНО
 
волновая оптика
волновая оптикаволновая оптика
волновая оптикаschool32
 
Fotoeffect Gerz
Fotoeffect GerzFotoeffect Gerz
Fotoeffect GerzSergio757
 
НЕЛОКАЛЬНОСТЬ В КВАНТОВОЙ ФИЗИКЕ
НЕЛОКАЛЬНОСТЬ В КВАНТОВОЙ ФИЗИКЕНЕЛОКАЛЬНОСТЬ В КВАНТОВОЙ ФИЗИКЕ
НЕЛОКАЛЬНОСТЬ В КВАНТОВОЙ ФИЗИКЕAndrei V, Zhuravlev
 
работа шлыкова 0
работа шлыкова 0работа шлыкова 0
работа шлыкова 0evdokimovaen
 
применение сзм в физике
применение сзм в физикеприменение сзм в физике
применение сзм в физикеYerin_Constantine
 

Similar to туннельный эффект (20)

12.3. курс лекций афу
12.3. курс лекций афу12.3. курс лекций афу
12.3. курс лекций афу
 
лекция02 сзм(1)
лекция02 сзм(1)лекция02 сзм(1)
лекция02 сзм(1)
 
лекция 5 в14
лекция 5 в14лекция 5 в14
лекция 5 в14
 
урок э м волны
урок э м волныурок э м волны
урок э м волны
 
Игорь Любин - История сверхпроводимости
Игорь Любин - История сверхпроводимостиИгорь Любин - История сверхпроводимости
Игорь Любин - История сверхпроводимости
 
Игорь Любин - Кандидатская диссертация
Игорь Любин - Кандидатская диссертацияИгорь Любин - Кандидатская диссертация
Игорь Любин - Кандидатская диссертация
 
Квантовая физика
Квантовая физикаКвантовая физика
Квантовая физика
 
fizika
fizikafizika
fizika
 
Femtotechnologies. step i atom hydrogen. alexander ilyanok
Femtotechnologies.  step i   atom hydrogen. alexander ilyanokFemtotechnologies.  step i   atom hydrogen. alexander ilyanok
Femtotechnologies. step i atom hydrogen. alexander ilyanok
 
Task 24475
Task 24475Task 24475
Task 24475
 
Кварки, глюоны, теория и суперкомпьютерное моделирование
Кварки, глюоны, теория и суперкомпьютерное моделированиеКварки, глюоны, теория и суперкомпьютерное моделирование
Кварки, глюоны, теория и суперкомпьютерное моделирование
 
о природе фотона
о природе фотонао природе фотона
о природе фотона
 
нанофотоника. Дюделев Владислав Викторович
нанофотоника. Дюделев Владислав Викторовичнанофотоника. Дюделев Владислав Викторович
нанофотоника. Дюделев Владислав Викторович
 
волновая оптика
волновая оптикаволновая оптика
волновая оптика
 
Fotoeffect Gerz
Fotoeffect GerzFotoeffect Gerz
Fotoeffect Gerz
 
НЕЛОКАЛЬНОСТЬ В КВАНТОВОЙ ФИЗИКЕ
НЕЛОКАЛЬНОСТЬ В КВАНТОВОЙ ФИЗИКЕНЕЛОКАЛЬНОСТЬ В КВАНТОВОЙ ФИЗИКЕ
НЕЛОКАЛЬНОСТЬ В КВАНТОВОЙ ФИЗИКЕ
 
работа шлыкова 0
работа шлыкова 0работа шлыкова 0
работа шлыкова 0
 
применение сзм в физике
применение сзм в физикеприменение сзм в физике
применение сзм в физике
 
Введение в квантовую физику
Введение в квантовую физикуВведение в квантовую физику
Введение в квантовую физику
 
нильс бор.
нильс бор.нильс бор.
нильс бор.
 

More from Yerin_Constantine

физические основы и методики асм
физические основы и методики асмфизические основы и методики асм
физические основы и методики асмYerin_Constantine
 
конструкция сзм
конструкция сзмконструкция сзм
конструкция сзмYerin_Constantine
 
5.методы исследования наноразмерных систем
5.методы исследования наноразмерных систем5.методы исследования наноразмерных систем
5.методы исследования наноразмерных системYerin_Constantine
 
2.нанокластеры и наночастицы
2.нанокластеры и наночастицы2.нанокластеры и наночастицы
2.нанокластеры и наночастицыYerin_Constantine
 
термодинамика 2
термодинамика 2термодинамика 2
термодинамика 2Yerin_Constantine
 
структура многоэлектронных атомов
структура многоэлектронных атомовструктура многоэлектронных атомов
структура многоэлектронных атомовYerin_Constantine
 
квантовые характеристики атомов
квантовые характеристики атомовквантовые характеристики атомов
квантовые характеристики атомовYerin_Constantine
 
элементы квантовой механики
элементы квантовой механикиэлементы квантовой механики
элементы квантовой механикиYerin_Constantine
 
основы квантовой теории
основы квантовой теорииосновы квантовой теории
основы квантовой теорииYerin_Constantine
 
явления переноса в газах
явления переноса в газахявления переноса в газах
явления переноса в газахYerin_Constantine
 
фазовые переходы
фазовые переходыфазовые переходы
фазовые переходыYerin_Constantine
 
свойства жидкого состояния
свойства жидкого состояниясвойства жидкого состояния
свойства жидкого состоянияYerin_Constantine
 
свойства жидкого состояния
свойства жидкого состояниясвойства жидкого состояния
свойства жидкого состоянияYerin_Constantine
 

More from Yerin_Constantine (18)

физические основы и методики асм
физические основы и методики асмфизические основы и методики асм
физические основы и методики асм
 
конструкция сзм
конструкция сзмконструкция сзм
конструкция сзм
 
основы сзм
основы сзмосновы сзм
основы сзм
 
5.методы исследования наноразмерных систем
5.методы исследования наноразмерных систем5.методы исследования наноразмерных систем
5.методы исследования наноразмерных систем
 
2.нанокластеры и наночастицы
2.нанокластеры и наночастицы2.нанокластеры и наночастицы
2.нанокластеры и наночастицы
 
термодинамика 2
термодинамика 2термодинамика 2
термодинамика 2
 
структура многоэлектронных атомов
структура многоэлектронных атомовструктура многоэлектронных атомов
структура многоэлектронных атомов
 
квантовые характеристики атомов
квантовые характеристики атомовквантовые характеристики атомов
квантовые характеристики атомов
 
элементы квантовой механики
элементы квантовой механикиэлементы квантовой механики
элементы квантовой механики
 
атом водорода
атом водородаатом водорода
атом водорода
 
основы квантовой теории
основы квантовой теорииосновы квантовой теории
основы квантовой теории
 
явления переноса в газах
явления переноса в газахявления переноса в газах
явления переноса в газах
 
фазовые переходы
фазовые переходыфазовые переходы
фазовые переходы
 
реальные газы
реальные газыреальные газы
реальные газы
 
термодинамика
термодинамикатермодинамика
термодинамика
 
лекция №1
лекция №1лекция №1
лекция №1
 
свойства жидкого состояния
свойства жидкого состояниясвойства жидкого состояния
свойства жидкого состояния
 
свойства жидкого состояния
свойства жидкого состояниясвойства жидкого состояния
свойства жидкого состояния
 

туннельный эффект

  • 1. Лекция №6. Движение частицы в области потенциального барьера. Туннельный эффект. План: 1. Задача о движении микрочастицы в области потенциального барьера бесконечной ширины. 2. Прохождение (туннелирование) частиц через потенциальный барьер конечной ширины. 3. Туннельный эффект и его применение.
  • 2. 1. Задача о движении микрочастицы в области потенциального барьера бесконечной ширины Рассмотрим движение частицы поле, потенциальная энергия U(x) которого имеет вид:
  • 3. Решение уравнения Шредингера Область слева от барьера обозначим I и соответствующие решения индексом 1, а справа от порога II и индексом 2. Уравнение Шредингера для области I имеет вид: а для области II: Рассмотрим сначала случай, когда энергия E частицы меньше высоты потенциального барьера Uo , т.е. E<Uo. Говорят, что в этом случае мы имеем дело с высоким потенциальным барьером. Введем обозначения: (1)
  • 4. Решение уравнения Шредингера Получаем следующие уравнения Шредингера для областей I и II: (2) (3) Решения этих уравнений имеют следующий вид: (4) (5) Первое слагаемое в волновых функциях представляет собой плоскую волну де Бройля, распространяющуюся вдоль оси слева направо. Аналогично, второе слагаемое в описывает плоскую дебройлевскую волну, распространяющуюся вдоль оси в отрицательном направлении справа налево.
  • 5. Применение граничных условий Волновая функция на границе раздела областей I и II должна быть не только непрерывной, но и гладкой, т.е. иметь непрерывную производную. Приравнивание волновых функций и их производных на границе раздела двух областей, в которых волновая функция имеет разный вид, получило название сшивки волновых функций и их производных. В данном случае условия сшивки имеют вид: что приводит к: Положим , а равным нулю, т.к. нет условий для отражения в области II.
  • 6. Анализ решения Остальные коэффициенты имеют следующий вид: Тогда волновые функции можно записать в следующем виде: Найдем коэффициент отражения, определяющий вероятность того, что частица отразится от высокого порога. Согласно физическому смыслу, коэффициент отражения R есть 2 1 2 1 A B R =
  • 7. Коэффициенты отражения и прохождения После подстановки получим: Коэффициент прохождения D частицы через барьер определяется из условия: То есть: Плотность вероятности нахождения частицы в области II: Т.е. при малых x вероятность обнаружить частицу в области II отлична от нуля: Так при x=0.1 нм и U0 -E=1 эВ: Но уже при x= 1 нм и U0-E=1 эВ: 1=+ DR
  • 8. Низкий потенциальный барьер Теперь рассмотрим случай, когда энергия E частицы больше высоты потенциального барьера Uo , т.е. E>Uo. Говорят, что в этом случае мы имеем дело с низким потенциальным барьером. Соответствующие решения уравнений Шредингера можно записать в следующем виде: Т.к. коэффициент B1 отличен от нуля, то возможно «надбарьерное отражение» R =
  • 9. 2. Прохождение (туннелирование) частиц через потенциальный барьер конечной ширины.
  • 10. Уравнения Шредингера Уравнения Шредингера для каждой из областей имеют следующий вид: Решение каждого из них:
  • 11. Туннелирование частиц через барьер Применение граничных условий к волновым функциям позволяет получить следующее выражение для коэффициента прохождения: Прохождение частицы через потенциальный барьер, высота которого превышает энергию частицы, получило название туннельного эффекта (частица, проходя под барьером, как бы движется в туннеле). Отметим, что туннельный эффект представляет собой чисто квантовое явление. Квантовая частица может пройти через высокий потенциальный барьер, причем вероятность ее прохождения испытывает сильную (экспоненциальную) зависимость от массы частицы, а также от вида потенциального барьера U(x) . Подчеркнем, что при прохождении через барьер полная энергия частицы Е не меняется !!!.
  • 12. Туннельный эффект в физике автоэлектронная эмиссия
  • 13. Туннельный эффект в физике радиоактивный α –распад Результаты исследований показывают, что высота потенциального барьера при α-распаде составляет величину порядка 20-30 МэВ, тогда как энергия испущенных α-частиц лежит в пределах 5-6 МэВ, т.е. оказывается существенно меньше высоты барьера. Это означает, что α-частицы могут испускаться ядрами только за счет туннельного эффекта.
  • 14. Сканирующий туннельный микроскоп Сканирующий туннельный микроскоп (СТМ) был создан в 1982 г сотрудниками исследовательского отдела фирмы IBM Г. Биннигом и Х. Рёрером. Он открыл очень многообещающие возможности научных и прикладных исследований в области нанотехники. За создание СТМ Г. Бинниг и Х. Рёрер в 1986 году были удостоены Нобелевской премии по физике. Принцип работы СТМ заключается в следующем: к поверхности проводящего образца на характерное межатомное расстояние, составляющее доли нанометра, подводится очень тонкое металлическое острие (игла). При приложении между образцом и иглой разности потенциалов ~ 0,11 В в цепи (см. рис.) появляется ток, обусловленный туннелированием электронов через зазор между ними.
  • 15. Сканирующий туннельный микроскоп Существуют два варианта режима работы СТМ : режим постоянной высоты и режим постоянного тока. При работе в режиме постоянной высоты острие иглы перемещается в горизонтальной плоскости над исследуемой поверхностью (рис. а ). Туннельный ток при этом изменяется и по этим изменениям легко может быть определен рельеф поверхности образца. При работе в режиме постоянного тока (рис. б) используется система обратной связи, которая поддерживает постоянным туннельный ток за счет перемещения острия иглы в вертикальном направлении. В этом случае информация о рельефе поверхности получается на основании данных о перемещении иглы.
  • 16. Принцип действия СТМ настолько прост, а потенциальные возможности так велики, что невозможно предсказать его воздействие на науку и технику даже ближайшего будущего Нанометрия - исследование с нанометровым разрешением шероховатости поверхности, процессов зародышеобразования при росте пленок, процессов химического или ионного травления, осаждения и т.д. Нанотехнология - исследование и изготовление приборных структур нанометрового размера. аббревиатура фирмы IBM из атомов ксенона, "рассыпанных" на поверхности кристалла никеля