SlideShare a Scribd company logo
1 of 6
Модели окисления (Модель «пчелиного роя»)
II . Окисление в адсорбированном слое
Длина свободного пробега в адсорбированном слое
Вероятность столкновения равна примерно 1.
г −1
пад
г −м
Ограничивать будет не кол-во столкновений,
м

λ = (N

×
δ

1+

M
)
M

а минимум испарившихся атомов.
Возможны 2 типа реакций окисления
N адс
а) при низкой скорости испарения, либо в*очень низком вакууме. (Реактивное испарение)
адс
Скорость окисления ограничивается концентрацией
адс
исп
p
k
0 II
s
uсп
, где

′ = dN ×K ×exp(− E )
J
dtкT

б)

N

E * и при высоком вакууме
при очень высокой скорости испарения
J 0 IIг″ = JК× s. К× ×exp(− )
аг
.
кT
, где

= NК × К ×
1
J г = N v ⋅ Cв
4

Скорость ограничивается потоком остаточных газов
dN адс
М
Критический режим″
перехода из одного типаJ ⋅ K в другой определяется равенством ок
= реакции
′
m =J × ×
T

J 0 II = J 0 II

dTисп

г

a1г1

0 II

0 IIисп

NA

2

Около критического режима появляется возможность управления свойствами плёнки через долю
Модель окисления Кабрера-Мотта
III . Окисление поверхности плёнки
Существуют 2 механизма окисления: а)по модели Кабрера - Мотта б)по модели Вагнера
а) закон Кабрера - Мотта справедлив при образовании на поверхности очень тонких плёнок
потускнения.
1.Физическая адсорбция O2 на поверхности
2. Превращение молекул в химические

O

адсорбированные атомы

3. Переходов из металла к кислородным атомам
путём туннелирования; на поверхности
появляется электронный заряд.

e

4.Диффузия потоков под действием
кулоновских сил

eVz
δ

O2

5. Образование окисной плёнки на поверхности
6. Повторение с адсорбции
Этот механизм работает до таких толщин окисла, пока не
O
экранизируется химическая адсорбция
на поверхности,т.е.
пока возможно туннелирование электронов
Масса окислов на 3-ей стадии
Массовый коэффициент диффуззии

′
m0 III = K ⋅ T

K = K 0 ×exp[(− E −

eVza
) / kT ]
δ

E

a , где -энергия связи
δ -параметр решётки

3
Модель окисления Вагнера.
б) дальнейшее окисление возможно только за счёт подвода тепла путём термодиффузии атомов Ме и О
через окисную плёнку потускнения
Поверхность не окисляется, если на 1-ой и 2-ой стадии образуется толстая плёнка
окисла . Таким образом при нагревании подложки за время испарения на поверхности пленки
образуется масса окислов, равная

′′
(m0 IIIп) =исп ×
K t

 E 
К п = К оп ×exp  − ÷
 kT 

.

при Т>1000 К

Массовый коэффициент окисления и электропроводность
3

β=
β

∑m
i =1

3

oi

mпл = mисп + mприс.О

mпл

∑m
i =1

0i

= m0 I +m0 II + m0 III

ρ
MeO2

'
I OII низкая скорость испарения или низкий вакуум
''
I OII

MeO2 + Me

В формировании электропроводности решающую

Me
0,01

'
I OII

0,1

1 10 '' 100
I OII

высокая скорость испарения и высокий вакуум

N исп
Nг

роль играют окислы

4
Модель структуры двухфазных плёнок
Электронно -микроскопические исследования показывают, что тонкие плёнки состоят из 2-х фаз:
одна прозрачна для электронов, другая нет. На фотографиях это тёмные (металлы) и светлые
участки (полупроводники и диэлектрики)
Зерна в плёнках сохраняют кристаллографическую ориентацию
Стремление к минимальной поверхности приводит к образованию равноосных зерен с
размерами близкими к толщине плёнки
В первом приближении структуру плёнки можно представить следующей моделью

δ
2

δ

r

δ

d

r +δ = d
Объёмная доля окислов
3

Массовый коэффициент окисления
3

υ ме r 3  d − δ   δ 
γ
q=
= 3=
 =  1 −  = 1 − β 0 ⋅ пл
υ пл d  d   d 
γ ок

q

γ пл

mок
γ ок ⋅ δ 3
β=
=
mпл
γ пл ⋅ d 3

3

γ
δ 
= β ⋅ пл
 
γ ок
d 

Плотность пленки

γ пл = γ ме ⋅ q + (1 − q) ⋅ γ ок
d

5
ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ДВУХФАЗНЫХ ПЛЕНОК
δ
2

Модель Вольгерра

Rок

r

Rме

Rок

Сопротивление квадрата пленки

ρW = Rме + 2 Rок

.

ρ ме ×r
Rме =
r2

ρме
ρок ×
δ
ρW =
+2
r
2r 2

ρ ок > > ρ ме

ρок ×
δ
Rок =
2r 2

Rок

Удельное сопротивление пленки

ρ ме d ρ ок ×δ ×d
δ
ρ пл = ρ ×d =
+
≈ ρ ме + ρ ок ×
2
r
r
r

Температурный коэффициент сопротивления пленки

α пл =

d ρ пл 1
ρ
dρ
ρ
ρ
ρ δ
d 
δ  1 dρ
δ
× =  ρ ме + ρ ок × ÷ × = ме × ме + ок × ок × = α ме × ме + α ок × ок ×
dT ρ пл dT 
r  ρ пл dT ρ ме ×ρ пл dT ρ ок ×ρ пл r
ρ пл
ρ пл r

Термостабильную пленку с нулевым температурным коэффициентом сопротивления можно получить из условия

d ме ⋅

ρ ме
ρ δ
= − d ок ⋅ ок ⋅
ρ пл
ρ пл r

d ⋅ρ
δ
= − ме ме
r
d ок ⋅ ρ ок

α пл

ρ пл

d
d

6
ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ДВУХФАЗНЫХ ПЛЕНОК
δ
2

Модель Вольгерра

Rок

r

Rме

Rок

Сопротивление квадрата пленки

ρW = Rме + 2 Rок

.

ρ ме ×r
Rме =
r2

ρме
ρок ×
δ
ρW =
+2
r
2r 2

ρ ок > > ρ ме

ρок ×
δ
Rок =
2r 2

Rок

Удельное сопротивление пленки

ρ ме d ρ ок ×δ ×d
δ
ρ пл = ρ ×d =
+
≈ ρ ме + ρ ок ×
2
r
r
r

Температурный коэффициент сопротивления пленки

α пл =

d ρ пл 1
ρ
dρ
ρ
ρ
ρ δ
d 
δ  1 dρ
δ
× =  ρ ме + ρ ок × ÷ × = ме × ме + ок × ок × = α ме × ме + α ок × ок ×
dT ρ пл dT 
r  ρ пл dT ρ ме ×ρ пл dT ρ ок ×ρ пл r
ρ пл
ρ пл r

Термостабильную пленку с нулевым температурным коэффициентом сопротивления можно получить из условия

d ме ⋅

ρ ме
ρ δ
= − d ок ⋅ ок ⋅
ρ пл
ρ пл r

d ⋅ρ
δ
= − ме ме
r
d ок ⋅ ρ ок

α пл

ρ пл

d
d

6

More Related Content

Viewers also liked

лекция№8
лекция№8лекция№8
лекция№8student_kai
 
презентация эуп14
презентация эуп14презентация эуп14
презентация эуп14student_kai
 
презентация9
презентация9презентация9
презентация9student_kai
 
презентация к лаб.раб. 3
презентация к лаб.раб. 3презентация к лаб.раб. 3
презентация к лаб.раб. 3student_kai
 
презентация лекции №25
презентация лекции №25презентация лекции №25
презентация лекции №25student_kai
 
слайды к лекции №21
слайды к лекции №21слайды к лекции №21
слайды к лекции №21student_kai
 
презентация эуп 12-13
презентация эуп 12-13презентация эуп 12-13
презентация эуп 12-13student_kai
 
презентация к лекц 3
презентация к лекц 3презентация к лекц 3
презентация к лекц 3student_kai
 
презентационные слайды курса лекций
презентационные слайды курса лекцийпрезентационные слайды курса лекций
презентационные слайды курса лекцийstudent_kai
 
презентация лекции №21
презентация лекции №21презентация лекции №21
презентация лекции №21student_kai
 
Презентация доклад
Презентация докладПрезентация доклад
Презентация докладstudent_kai
 
практика 17
практика 17практика 17
практика 17student_kai
 
презентация 15
презентация 15презентация 15
презентация 15student_kai
 

Viewers also liked (20)

п12
п12п12
п12
 
лекция11
лекция11лекция11
лекция11
 
лекция№8
лекция№8лекция№8
лекция№8
 
презентация эуп14
презентация эуп14презентация эуп14
презентация эуп14
 
презентация9
презентация9презентация9
презентация9
 
лек7
лек7лек7
лек7
 
презентация к лаб.раб. 3
презентация к лаб.раб. 3презентация к лаб.раб. 3
презентация к лаб.раб. 3
 
Evaluation Q1
Evaluation Q1Evaluation Q1
Evaluation Q1
 
л12
л12л12
л12
 
презентация лекции №25
презентация лекции №25презентация лекции №25
презентация лекции №25
 
слайды к лекции №21
слайды к лекции №21слайды к лекции №21
слайды к лекции №21
 
лекция 13
лекция 13лекция 13
лекция 13
 
презентация эуп 12-13
презентация эуп 12-13презентация эуп 12-13
презентация эуп 12-13
 
презентация к лекц 3
презентация к лекц 3презентация к лекц 3
презентация к лекц 3
 
презентационные слайды курса лекций
презентационные слайды курса лекцийпрезентационные слайды курса лекций
презентационные слайды курса лекций
 
презентация лекции №21
презентация лекции №21презентация лекции №21
презентация лекции №21
 
Презентация доклад
Презентация докладПрезентация доклад
Презентация доклад
 
л6с
л6сл6с
л6с
 
практика 17
практика 17практика 17
практика 17
 
презентация 15
презентация 15презентация 15
презентация 15
 

Similar to реактивное испарение

основы термовакуумного напыления
основы термовакуумного напыленияосновы термовакуумного напыления
основы термовакуумного напыленияstudent_kai
 
физика горения07
физика горения07физика горения07
физика горения07student_kai
 
гдз. физика. учеб для 9 класса громов, родина 2000 -63с
гдз. физика. учеб для 9 класса громов, родина 2000 -63сгдз. физика. учеб для 9 класса громов, родина 2000 -63с
гдз. физика. учеб для 9 класса громов, родина 2000 -63сИван Иванов
 
Оборудование и технологии формирования тонких плёнок в микроэлектронике
Оборудование и технологии формирования  тонких плёнок в микроэлектроникеОборудование и технологии формирования  тонких плёнок в микроэлектронике
Оборудование и технологии формирования тонких плёнок в микроэлектроникеTomas816224
 
Химическая термодинамика.
Химическая термодинамика.Химическая термодинамика.
Химическая термодинамика.ozlmgouru
 
Эффективность сплавов для защиты от бета излучения
Эффективность сплавов для защиты от бета излученияЭффективность сплавов для защиты от бета излучения
Эффективность сплавов для защиты от бета излученияPavel Yakovlev
 
задание8 задачи для самостоятельного решения
задание8 задачи для самостоятельного решениязадание8 задачи для самостоятельного решения
задание8 задачи для самостоятельного решенияZhanna Kazakova
 
Cosmology present
Cosmology presentCosmology present
Cosmology presentDrofaUral
 
УСТАЛОСТНОЕ РАЗРУШЕНИЕ МИНИАТЮРНОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СХВАТА
УСТАЛОСТНОЕ РАЗРУШЕНИЕ МИНИАТЮРНОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СХВАТАУСТАЛОСТНОЕ РАЗРУШЕНИЕ МИНИАТЮРНОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СХВАТА
УСТАЛОСТНОЕ РАЗРУШЕНИЕ МИНИАТЮРНОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СХВАТАITMO University
 
Влад Иванищев. Про будущее
Влад Иванищев. Про будущееВлад Иванищев. Про будущее
Влад Иванищев. Про будущееAleksandr Motsjonov
 
Решение задач по теме «Химическая термодинамика»
Решение задач по теме «Химическая термодинамика»Решение задач по теме «Химическая термодинамика»
Решение задач по теме «Химическая термодинамика»ozlmgouru
 
Femtotechnologies. step i atom hydrogen. alexander ilyanok
Femtotechnologies.  step i   atom hydrogen. alexander ilyanokFemtotechnologies.  step i   atom hydrogen. alexander ilyanok
Femtotechnologies. step i atom hydrogen. alexander ilyanokAlexander Ilyanok
 
Трансформаторы
ТрансформаторыТрансформаторы
ТрансформаторыNick535
 

Similar to реактивное испарение (20)

777
777777
777
 
основы термовакуумного напыления
основы термовакуумного напыленияосновы термовакуумного напыления
основы термовакуумного напыления
 
лекция 11
лекция 11лекция 11
лекция 11
 
физика горения07
физика горения07физика горения07
физика горения07
 
гдз. физика. учеб для 9 класса громов, родина 2000 -63с
гдз. физика. учеб для 9 класса громов, родина 2000 -63сгдз. физика. учеб для 9 класса громов, родина 2000 -63с
гдз. физика. учеб для 9 класса громов, родина 2000 -63с
 
Оборудование и технологии формирования тонких плёнок в микроэлектронике
Оборудование и технологии формирования  тонких плёнок в микроэлектроникеОборудование и технологии формирования  тонких плёнок в микроэлектронике
Оборудование и технологии формирования тонких плёнок в микроэлектронике
 
Химическая термодинамика.
Химическая термодинамика.Химическая термодинамика.
Химическая термодинамика.
 
1
11
1
 
Эффективность сплавов для защиты от бета излучения
Эффективность сплавов для защиты от бета излученияЭффективность сплавов для защиты от бета излучения
Эффективность сплавов для защиты от бета излучения
 
лекция 32
лекция 32лекция 32
лекция 32
 
Suai 10
Suai  10Suai  10
Suai 10
 
Suai 34
Suai 34Suai 34
Suai 34
 
задание8 задачи для самостоятельного решения
задание8 задачи для самостоятельного решениязадание8 задачи для самостоятельного решения
задание8 задачи для самостоятельного решения
 
Cosmology present
Cosmology presentCosmology present
Cosmology present
 
УСТАЛОСТНОЕ РАЗРУШЕНИЕ МИНИАТЮРНОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СХВАТА
УСТАЛОСТНОЕ РАЗРУШЕНИЕ МИНИАТЮРНОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СХВАТАУСТАЛОСТНОЕ РАЗРУШЕНИЕ МИНИАТЮРНОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СХВАТА
УСТАЛОСТНОЕ РАЗРУШЕНИЕ МИНИАТЮРНОГО ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СХВАТА
 
Влад Иванищев. Про будущее
Влад Иванищев. Про будущееВлад Иванищев. Про будущее
Влад Иванищев. Про будущее
 
Решение задач по теме «Химическая термодинамика»
Решение задач по теме «Химическая термодинамика»Решение задач по теме «Химическая термодинамика»
Решение задач по теме «Химическая термодинамика»
 
Femtotechnologies. step i atom hydrogen. alexander ilyanok
Femtotechnologies.  step i   atom hydrogen. alexander ilyanokFemtotechnologies.  step i   atom hydrogen. alexander ilyanok
Femtotechnologies. step i atom hydrogen. alexander ilyanok
 
Трансформаторы
ТрансформаторыТрансформаторы
Трансформаторы
 
8.4.
8.4.8.4.
8.4.
 

More from student_kai

презентация
презентацияпрезентация
презентацияstudent_kai
 
презентации продолжение банкета
презентации продолжение банкетапрезентации продолжение банкета
презентации продолжение банкетаstudent_kai
 
основы программирования на языке C
основы программирования на языке Cосновы программирования на языке C
основы программирования на языке Cstudent_kai
 
презентация курсовой работы
презентация курсовой работыпрезентация курсовой работы
презентация курсовой работыstudent_kai
 
лекция№34
лекция№34лекция№34
лекция№34student_kai
 
лекция№32
лекция№32лекция№32
лекция№32student_kai
 
лекция№33
лекция№33лекция№33
лекция№33student_kai
 
лекция№31
лекция№31лекция№31
лекция№31student_kai
 
лекция№30
лекция№30лекция№30
лекция№30student_kai
 
лекция№29
лекция№29лекция№29
лекция№29student_kai
 
лекция№28
лекция№28лекция№28
лекция№28student_kai
 
лекция№27
лекция№27лекция№27
лекция№27student_kai
 
лекция№26
лекция№26лекция№26
лекция№26student_kai
 
лекция№25
лекция№25лекция№25
лекция№25student_kai
 
лекция№25
лекция№25лекция№25
лекция№25student_kai
 
лекция№24
лекция№24лекция№24
лекция№24student_kai
 
лекция№23
лекция№23лекция№23
лекция№23student_kai
 
лекция№22
лекция№22лекция№22
лекция№22student_kai
 
лекция№21
лекция№21лекция№21
лекция№21student_kai
 
лекция№20
лекция№20лекция№20
лекция№20student_kai
 

More from student_kai (20)

презентация
презентацияпрезентация
презентация
 
презентации продолжение банкета
презентации продолжение банкетапрезентации продолжение банкета
презентации продолжение банкета
 
основы программирования на языке C
основы программирования на языке Cосновы программирования на языке C
основы программирования на языке C
 
презентация курсовой работы
презентация курсовой работыпрезентация курсовой работы
презентация курсовой работы
 
лекция№34
лекция№34лекция№34
лекция№34
 
лекция№32
лекция№32лекция№32
лекция№32
 
лекция№33
лекция№33лекция№33
лекция№33
 
лекция№31
лекция№31лекция№31
лекция№31
 
лекция№30
лекция№30лекция№30
лекция№30
 
лекция№29
лекция№29лекция№29
лекция№29
 
лекция№28
лекция№28лекция№28
лекция№28
 
лекция№27
лекция№27лекция№27
лекция№27
 
лекция№26
лекция№26лекция№26
лекция№26
 
лекция№25
лекция№25лекция№25
лекция№25
 
лекция№25
лекция№25лекция№25
лекция№25
 
лекция№24
лекция№24лекция№24
лекция№24
 
лекция№23
лекция№23лекция№23
лекция№23
 
лекция№22
лекция№22лекция№22
лекция№22
 
лекция№21
лекция№21лекция№21
лекция№21
 
лекция№20
лекция№20лекция№20
лекция№20
 

реактивное испарение

  • 1. Модели окисления (Модель «пчелиного роя») II . Окисление в адсорбированном слое Длина свободного пробега в адсорбированном слое Вероятность столкновения равна примерно 1. г −1 пад г −м Ограничивать будет не кол-во столкновений, м λ = (N × δ 1+ M ) M а минимум испарившихся атомов. Возможны 2 типа реакций окисления N адс а) при низкой скорости испарения, либо в*очень низком вакууме. (Реактивное испарение) адс Скорость окисления ограничивается концентрацией адс исп p k 0 II s uсп , где ′ = dN ×K ×exp(− E ) J dtкT б) N E * и при высоком вакууме при очень высокой скорости испарения J 0 IIг″ = JК× s. К× ×exp(− ) аг . кT , где = NК × К × 1 J г = N v ⋅ Cв 4 Скорость ограничивается потоком остаточных газов dN адс М Критический режим″ перехода из одного типаJ ⋅ K в другой определяется равенством ок = реакции ′ m =J × × T J 0 II = J 0 II dTисп г a1г1 0 II 0 IIисп NA 2 Около критического режима появляется возможность управления свойствами плёнки через долю
  • 2. Модель окисления Кабрера-Мотта III . Окисление поверхности плёнки Существуют 2 механизма окисления: а)по модели Кабрера - Мотта б)по модели Вагнера а) закон Кабрера - Мотта справедлив при образовании на поверхности очень тонких плёнок потускнения. 1.Физическая адсорбция O2 на поверхности 2. Превращение молекул в химические O адсорбированные атомы 3. Переходов из металла к кислородным атомам путём туннелирования; на поверхности появляется электронный заряд. e 4.Диффузия потоков под действием кулоновских сил eVz δ O2 5. Образование окисной плёнки на поверхности 6. Повторение с адсорбции Этот механизм работает до таких толщин окисла, пока не O экранизируется химическая адсорбция на поверхности,т.е. пока возможно туннелирование электронов Масса окислов на 3-ей стадии Массовый коэффициент диффуззии ′ m0 III = K ⋅ T K = K 0 ×exp[(− E − eVza ) / kT ] δ E a , где -энергия связи δ -параметр решётки 3
  • 3. Модель окисления Вагнера. б) дальнейшее окисление возможно только за счёт подвода тепла путём термодиффузии атомов Ме и О через окисную плёнку потускнения Поверхность не окисляется, если на 1-ой и 2-ой стадии образуется толстая плёнка окисла . Таким образом при нагревании подложки за время испарения на поверхности пленки образуется масса окислов, равная ′′ (m0 IIIп) =исп × K t  E  К п = К оп ×exp  − ÷  kT  . при Т>1000 К Массовый коэффициент окисления и электропроводность 3 β= β ∑m i =1 3 oi mпл = mисп + mприс.О mпл ∑m i =1 0i = m0 I +m0 II + m0 III ρ MeO2 ' I OII низкая скорость испарения или низкий вакуум '' I OII MeO2 + Me В формировании электропроводности решающую Me 0,01 ' I OII 0,1 1 10 '' 100 I OII высокая скорость испарения и высокий вакуум N исп Nг роль играют окислы 4
  • 4. Модель структуры двухфазных плёнок Электронно -микроскопические исследования показывают, что тонкие плёнки состоят из 2-х фаз: одна прозрачна для электронов, другая нет. На фотографиях это тёмные (металлы) и светлые участки (полупроводники и диэлектрики) Зерна в плёнках сохраняют кристаллографическую ориентацию Стремление к минимальной поверхности приводит к образованию равноосных зерен с размерами близкими к толщине плёнки В первом приближении структуру плёнки можно представить следующей моделью δ 2 δ r δ d r +δ = d Объёмная доля окислов 3 Массовый коэффициент окисления 3 υ ме r 3  d − δ   δ  γ q= = 3=  =  1 −  = 1 − β 0 ⋅ пл υ пл d  d   d  γ ок q γ пл mок γ ок ⋅ δ 3 β= = mпл γ пл ⋅ d 3 3 γ δ  = β ⋅ пл   γ ок d  Плотность пленки γ пл = γ ме ⋅ q + (1 − q) ⋅ γ ок d 5
  • 5. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ДВУХФАЗНЫХ ПЛЕНОК δ 2 Модель Вольгерра Rок r Rме Rок Сопротивление квадрата пленки ρW = Rме + 2 Rок . ρ ме ×r Rме = r2 ρме ρок × δ ρW = +2 r 2r 2 ρ ок > > ρ ме ρок × δ Rок = 2r 2 Rок Удельное сопротивление пленки ρ ме d ρ ок ×δ ×d δ ρ пл = ρ ×d = + ≈ ρ ме + ρ ок × 2 r r r Температурный коэффициент сопротивления пленки α пл = d ρ пл 1 ρ dρ ρ ρ ρ δ d  δ  1 dρ δ × =  ρ ме + ρ ок × ÷ × = ме × ме + ок × ок × = α ме × ме + α ок × ок × dT ρ пл dT  r  ρ пл dT ρ ме ×ρ пл dT ρ ок ×ρ пл r ρ пл ρ пл r Термостабильную пленку с нулевым температурным коэффициентом сопротивления можно получить из условия d ме ⋅ ρ ме ρ δ = − d ок ⋅ ок ⋅ ρ пл ρ пл r d ⋅ρ δ = − ме ме r d ок ⋅ ρ ок α пл ρ пл d d 6
  • 6. ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ ДВУХФАЗНЫХ ПЛЕНОК δ 2 Модель Вольгерра Rок r Rме Rок Сопротивление квадрата пленки ρW = Rме + 2 Rок . ρ ме ×r Rме = r2 ρме ρок × δ ρW = +2 r 2r 2 ρ ок > > ρ ме ρок × δ Rок = 2r 2 Rок Удельное сопротивление пленки ρ ме d ρ ок ×δ ×d δ ρ пл = ρ ×d = + ≈ ρ ме + ρ ок × 2 r r r Температурный коэффициент сопротивления пленки α пл = d ρ пл 1 ρ dρ ρ ρ ρ δ d  δ  1 dρ δ × =  ρ ме + ρ ок × ÷ × = ме × ме + ок × ок × = α ме × ме + α ок × ок × dT ρ пл dT  r  ρ пл dT ρ ме ×ρ пл dT ρ ок ×ρ пл r ρ пл ρ пл r Термостабильную пленку с нулевым температурным коэффициентом сопротивления можно получить из условия d ме ⋅ ρ ме ρ δ = − d ок ⋅ ок ⋅ ρ пл ρ пл r d ⋅ρ δ = − ме ме r d ок ⋅ ρ ок α пл ρ пл d d 6