![[ご質問]ショットキ・バリア・ダイオードのモデリングをする際にEGパラメータの設定をどのようにすればいいのでしょうか？[ご回答]ショットキ・バリア・ダイオードの特徴は、低VF化にあります。構造は、シリコンウエハーにバリア金属を蒸着させたダイオードです。多数キャリアデバイスの為、原理的には逆回復時間(trr)がありません。つまり、シリコンデバイスのEG値を採用せず、バリア金属のEG値を採用しなくてはなりません。EGは活性化エネルギーギャップのパラメータです。バリア金属がCrの場合は、EG=0.68バリア金属がMoの場合は、EG=0.69の値を採用してください。EGのデフォルト値は1.11でシリコンデバイスの値になっております。 All Rights Reserved copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011](https://image.slidesharecdn.com/faqsbdeg-110615042907-phpapp02/85/EG-1-320.jpg)
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EGパラメータの数値について
- 1. [ご質問]ショットキ・バリア・ダイオードのモデリングをする際にEGパラメータの設定をどのようにすればいいのでしょうか？[ご回答]ショットキ・バリア・ダイオードの特徴は、低VF化にあります。構造は、シリコンウエハーにバリア金属を蒸着させたダイオードです。多数キャリアデバイスの為、原理的には逆回復時間(trr)がありません。つまり、シリコンデバイスのEG値を採用せず、バリア金属のEG値を採用しなくてはなりません。EGは活性化エネルギーギャップのパラメータです。バリア金属がCrの場合は、EG=0.68バリア金属がMoの場合は、EG=0.69の値を採用してください。EGのデフォルト値は1.11でシリコンデバイスの値になっております。 All Rights Reserved copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011