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                   デバイスモデル
                 ダーリントン・
                 ダーリントン・トランジスタ




                         株式会社ビー・テクノロジー


                                  Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
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ご依頼の方法について


 お客様に準備して頂くものは以下の 2 点です。


① データシートまたは、仕様書
半導体メーカーが公開しているデータシート、あるいはカスタム品の場合は、電気的特性が
記述されている仕様書です。
② ダーリントン・トランジスタのサンプルを 3 個
対象となるダーリントン・トランジスタを 3 個準備して下さい。計測をする際に予備として準備
して頂きます。また、3 個準備出来ない場合はご相談下さい。


お客様より準備して頂いた後にデバイスモデリングを実施致します。当社からお客様にご
提供する納品物は以下の通りです。


① デバイスモデル(スパイスモデル)⇒ダーリントン・トランジスタのデバイスモデルは等価
  回路モデルでご提供致します。
② デバイスモデリング・レポート
③ 回路図シンボル


以下の 3 つの特性を評価検証し、ご報告致します。


BJT Ic-hFE Characteristics
BJT Vce(sat) voltage & Vbe(sat) voltage Characteristics
BJT Output Characteristics




次ページ以降にデバイスモデリング・レポートの一部を掲載致します。


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Darlington Transistor Ic-hFE Characteristics

Evaluation circuit

                                                  V2


                                                        0Vdc




                                    U1                                          DUT
               V3               0                  2
                                1   COL    EMTR
                                    BASE                                    V
                     0Vdc
                                    Q2SD985
                                                                       V1
 0Adc                                                          2Vdc
        I1




                            0


Simulation setting


Analysis type:DC Sweep
Options:Primary Sweep


Sweep variable Name:I1(Current Source)
Sweep type:Linear




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Circuit simulation result




                            BJT Ic-hFE Characteristics




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Darlington Transistor
          Vce(sat) voltage & Vbe(sat) voltage Characteristics

Evaluation circuit

                                               V




                                     U1
                                 0                 2
                                 1   COL    EMTR                            DUT
                                     BASE

                         V           Q2SD985

                                                                     I2
          I1
 1mAdc                                                               1Adc




                             0

Simulation setting


Analysis type:Time Domain (Transient)
Options:General settings


Rum to time 1m seconds(TSTOOP)
Start saving data after 20u seconds
Transient options:Maximum step size 10n seconds




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Circuit simulation result




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Darlington Transistor Output Characteristics

Evaluation circuit




                                   U1
                               0                 2                         DUT
                               1   COL    EMTR
                                   BASE

                                   Q2SD985
                                                                      V1
                                                               0Vdc
         I1
 0Adc




                         0

Simulation setting


Analysis type:DC Sweep


  1) Options:Primary Sweep                2) Options:Prametric Sweep


  Sweep variable:V1                       Sweep variable:I1


  Sweep type:Linear                       Sweep type:Linear
  Start value:0                           Start value:80u
  End value:5                             End value:220u
  Increment:0.001                         Increment:20u

The number in an output characteristic graph can be changed by setting Prametric
Sweep.




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Circuit simulation result




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  • 1. Doc no WJDRTR001 01 Mar 2004 デバイスモデル ダーリントン・ ダーリントン・トランジスタ 株式会社ビー・テクノロジー Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  • 2. Doc no WJDRTR001 01 Mar 2004 ご依頼の方法について お客様に準備して頂くものは以下の 2 点です。 ① データシートまたは、仕様書 半導体メーカーが公開しているデータシート、あるいはカスタム品の場合は、電気的特性が 記述されている仕様書です。 ② ダーリントン・トランジスタのサンプルを 3 個 対象となるダーリントン・トランジスタを 3 個準備して下さい。計測をする際に予備として準備 して頂きます。また、3 個準備出来ない場合はご相談下さい。 お客様より準備して頂いた後にデバイスモデリングを実施致します。当社からお客様にご 提供する納品物は以下の通りです。 ① デバイスモデル(スパイスモデル)⇒ダーリントン・トランジスタのデバイスモデルは等価 回路モデルでご提供致します。 ② デバイスモデリング・レポート ③ 回路図シンボル 以下の 3 つの特性を評価検証し、ご報告致します。 BJT Ic-hFE Characteristics BJT Vce(sat) voltage & Vbe(sat) voltage Characteristics BJT Output Characteristics 次ページ以降にデバイスモデリング・レポートの一部を掲載致します。 Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  • 3. Doc no WJDRTR001 01 Mar 2004 Darlington Transistor Ic-hFE Characteristics Evaluation circuit V2 0Vdc U1 DUT V3 0 2 1 COL EMTR BASE V 0Vdc Q2SD985 V1 0Adc 2Vdc I1 0 Simulation setting Analysis type:DC Sweep Options:Primary Sweep Sweep variable Name:I1(Current Source) Sweep type:Linear Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  • 4. Doc no WJDRTR001 01 Mar 2004 Circuit simulation result BJT Ic-hFE Characteristics Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  • 5. Doc no WJDRTR001 01 Mar 2004 Darlington Transistor Vce(sat) voltage & Vbe(sat) voltage Characteristics Evaluation circuit V U1 0 2 1 COL EMTR DUT BASE V Q2SD985 I2 I1 1mAdc 1Adc 0 Simulation setting Analysis type:Time Domain (Transient) Options:General settings Rum to time 1m seconds(TSTOOP) Start saving data after 20u seconds Transient options:Maximum step size 10n seconds Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  • 6. Doc no WJDRTR001 01 Mar 2004 Circuit simulation result Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  • 7. Doc no WJDRTR001 01 Mar 2004 Darlington Transistor Output Characteristics Evaluation circuit U1 0 2 DUT 1 COL EMTR BASE Q2SD985 V1 0Vdc I1 0Adc 0 Simulation setting Analysis type:DC Sweep 1) Options:Primary Sweep 2) Options:Prametric Sweep Sweep variable:V1 Sweep variable:I1 Sweep type:Linear Sweep type:Linear Start value:0 Start value:80u End value:5 End value:220u Increment:0.001 Increment:20u The number in an output characteristic graph can be changed by setting Prametric Sweep. Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
  • 8. Doc no WJDRTR001 01 Mar 2004 Circuit simulation result Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.