1. Doc no WJSIDAI001 18 Mar 2004
デバイスモデル
デバイスモデル
サイダック
株式会社ビー・テクノロジー
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
2. Doc no WJSIDAI001 18 Mar 2004
ご依頼の方法について
お客様に準備して頂くものは以下の 2 点です。
① データシートまたは、仕様書
半導体メーカーが公開しているデータシート、あるいはカスタム品の場合は、電気的特性が
記述されている仕様書です。
② サイダックのサンプルを 3 個
対象となるサイダックを 3 個準備して下さい。計測をする際に予備として準備して頂きます。
また、3 個準備出来ない場合はご相談下さい。
お客様より準備して頂いた後にデバイスモデリングを実施致します。当社からお客様にご
提供する納品物は以下の通りです。
① デバイスモデル(スパイスモデル)⇒サイダックのデバイスモデルは等価回路モデルでご
提供致します。
② デバイスモデリング・レポート
③ 回路図シンボル
以下の 1 つの特性を評価検証し、ご報告致します。
I-V Characteristic
次ページ以降に新電元工業株式会社の K1V24(W)のデバイスモデリング・レポートの一部
を掲載致します。
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3. Doc no WJSIDAI001 18 Mar 2004
I-V Characteristic
Evaluation Circuit
R1
N00018
500
0
U2
MT2
K1V24W
V1
VOFF = 0
VAMPL = 280V
MT1
FREQ = 50Hz
1
0
Circuit Simulation
Simulation
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.
4.
5. サイ ダッ ク K1V24(W)
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics (Tl=25℃)
項目 記号 条件 規格値 単位
Item Symbol Conditions Ratings Unit
ブレークオーバー電圧 VBO IB = 0, 50Hz sine wave 220～250 V
Breakover Voltage
オフ電流 IDRM VD = VDRM Max 10 μA
Off-state Current
ブレークオーバー電流 IBO Max 0.5 mA
Breakover Current
保持電流 IH TYP 50 mA
Holding Current
オン電圧 VT IT = 1A Max 3.0 V
On-state Voltage
スイッチング抵抗 RS Min 0.1 kΩ
Switching Resistance
熱抵抗 θjl Junction to lead Max 15 ℃/W
Thermal Resistance
●基板実装標準設計 Standard Design with P.C.B.
項目 記号 条件 標準値 単位
Item Symbol Conditions Standard Unit
実効オン電流 IT Assembled in P.C.B., Ta = 25℃, 0.55 A
RMS On-state Current soldering land 3mmφ
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd
6. K1V22(W)
K1V24(W) V T - IT ì¡ê´
K1V26(W) Typical On-State Voltage
3
Instantaneous On-State Current
Tl=125°C [TYP] Tl=25°C [TYP]
ÉIÉììdó¨ IT [A]
1
0.8
0.6
0.4
ÉpÉãÉXë™íË
Pulse measurement
0.2
1.2 1.6 2 2.4 2.8 3.2 3.6
ÉIÉììdà≥ VT [V]
Instantaneous On-State Voltage
7. K1V22(W)
K1V24(W) ìdóÕëπé∏ã»ê¸
K1V26(W) Power Dissipation
3.2
Tj=125°C
Sine Wave
Conduction Angle 180°
2.8
2.4
2
Power Dissipation
ìdóÕëπé∏ P [W]
1.6
1.2
0.8
0.4
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
é¿å¯ìdó¨ IT (rms) [A]
On-State Current
8. K1V22(W)
K1V24(W) ÉäÅ[Éhâ∑ìx - é¿å¯ìdó¨
K1V26(W) Maximum Lead Temperature
1.4
Tj=125°C
Sine Wave
Conduction Angle 180°
1.2
1
é¿å¯ìdó¨ IT (rms) [A]
On-State Current
0.8
0.6
0.4
0.2
0
40 60 80 100 120 140
ÉäÅ[Éhâ∑ìx Tl [°C]
Allowable Lead Temperature
9. K1V22(W)
K1V24(W) é¸àÕâ∑ìx - é¿å¯ìdó¨
K1V26(W) Maximum Ambient Temperature
1.2
Tj=125°C Mounted on PCB
Sine Wave
20mm
Conduction Angle 180°
l
1
Soldering land 3mmφ
l = 2~15mm
0.8
é¿å¯ìdó¨ IT (rms) [A]
On-State Current
0.6
0.4
0.2
0
0 20 40 60 80 100 120 140
é¸àÕâ∑ìx Ta [°C]
Allowable Ambient Temperature
10. K1V22(W)
K1V24(W) ÇπÇÒì™ÉTÅ[ÉWÉIÉììdó¨ëœó
K1V26(W) Maximum Surge On-State Current
25
Non-repetitive
Sine Wave 50Hz
Conduction Angle 180°
Free In Air
Tj = 25°C
20
ITSM [A]
Surge On-State Current
15
ÇπÇÒì™ÉTÅ[ÉWÉIÉììdó¨
10
5
0
1 2 5 10 20 50 100
í ìdîgêî [cycle]
Number of Cycles
11. K1V22(W)
K1V24(W) çÇé¸îgìdó¨ëœó ã»ê¸
K1V26(W) Pulse On-State Current Rating
1000
IP
0
t0
1/f
Current Wave Form
Free in air
Sine Wave
di T/dt limit line Ta = 25°C
Peak Pulse On-State Current
100
ÉpÉãÉXìdó¨êÎì™íl IP [A]
f = 1 ~ 120Hz
f = 1kHz
10
f = 5kHz
1
1 2 5 10 20 50 100 200
ÉpÉãÉXÉxÅ[ÉXïùt0 [µs]
Pulse Base Width
12. K1V22(W)
K1V24(W) ÉpÉãÉXÉIÉììdó¨
K1V26(W) Pulse On-State Current Derating
1.2
IP
0
t0
1/f
1
Current Wave Form
Free in air
Sine Wave
Ta = 25°C
IP(T) / IP(Ta=25°C)
0.8
Pulse On-State Current Ratio
f = 1 ~ 120Hz
f = 1 ~ 5kHz
0.6
ÉpÉãÉXÉIÉììdó¨
0.4
0.2
0
0 20 40 60 80 100 120 140
é¸àÕâ∑ìx Ta [°C]
Ambient Temperature
13. K1V22(W)
K1V24(W) âflìnîMíÔçR
K1V26(W) Transient Thermal Resistance
Mounted on PCB
θja
20mm
100 l
Soldering land 3mmφ θjl
l = 2~15mm
10
θja θjl [°C/W]
1
âflìnîMíÔçR
Transient Thermal Resistance
0.1
10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103
éûä‘ t [s]
Duration
14. K1V22(W)
K1V24(W) ÉuÉåÅ[ÉNÉIÅ[ÉoÅ[ìdà≥ - ê⁄çáâ∑ìx
K1V26(W) Breakover Voltage - Junction Temperature
1.1
1.05
1
VBO(T) / VBO(Tj=25°C)
0.95
0.9
Breakover Voltage Ratio
0.85
ÉuÉåÅ[ÉNÉIÅ[ÉoÅ[ìdà≥
0.8
-40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
ê⁄çáâ∑ìx Tj [°C]
Junction Temperature
