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MUSES8920の日本語のデータシート

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MUSES8920の日本語のデータシート

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MUSES8920の日本語のデータシート

  1. 1. MUSES8920 2 回路入りオーディオ用 J-FET 入力高音質オペアンプ ~ 人の感性に響く音を追求 ~■ 概要 ■ 外形 MUSES8920 は 2 回路入り J-FET 入力オペアンプで、 MUSES シリーズのマスプロダクションモデルです。MUSES シリーズで培った高音質技術を量産用に応用し、高音質と生産性を両立させました。 MUSES8920 では新たにチップレイアウト、 素材などの見直しを行い、 既にリリースされた MUSES シリーズ同様に徹底的な試聴を繰り返し、仕上げています。 MUSES8920D MUSES8920E (DIP8) (EMP8) MUSES8920 は、Vni=8nV/√Hz, SR=25V/µs, THD=0.00004%(Av=1)といった特徴を持ち、 オーディオ用プリアンプ、 リファレンスアンプ、アクティブフィルター、ラインアンプ、それに JFET の特徴である低入力バイアス電流を活かして I/V 変換アンプにも最適です。■ 特徴 ■ 端子配列●動作電源電圧 ±3.5V to ±16V●ローノイズ 8nV/√Hz typ. Top View●THD 0.00004% typ.(Av=1) ピン配置●スルーレート 25V/µs typ. 1 8 1. A OUTPUT 2. A –INPUT●チャンネルセパレーション 150dB typ. 3. A +INPUT 2 A 7 4. V-●高出力電流 100mA typ.(短絡時) 5. B +INPUT●位相余裕 70 deg typ. 3 B 6 6. B –INPUT●入力オフセット電圧 0.8mV / 5 mV typ./max. 7. B OUTPUT 4 5 8.V+●入力バイアス電流 5pA / 250pA typ./max.●オープンループ電圧利得 135dB typ.●J-FET 入力●パッケージ DIP8, EMP8■ アプリケーション●I/V 変換回路●ハイエンドオーディオアンプ●アクティブフィルター●積分器 I/V Digital DA Analog Input Converter Output I/V LPF Buff DAC Output I/V converter + LPF circuit は、新日本無線株式会社の商標または登録商標です。Ver.2011-12-13 -1-
  2. 2. MUSES8920■ 絶対最大定格 (Ta=25ºC) 項目 記号 定格 単位電源電圧 VDD ±18 V差動入力電圧範囲 VID ±30(注 1) V同相入力電圧範囲 VICM ±15(注 1) V DIP8:870消費電力 PD mW EMP8:900(注 2)動作温度 Topr -40~+85 ºC保存温度 Tstg -50~+150 ºC(注 1) 電源電圧が±15V 以下の場合は、電源電圧と等しくなります。(注 2) 消費電力は EIA/JEDEC 仕様基板(114.3×76.2×1.6mm、2 層、FR-4)実装時(注 3) 本 IC は ESD に敏感なため ESD により破壊する恐れがありますので取り扱いには十分な配慮をお願い致します。■ 推奨動作電圧条件 (Ta=25ºC) 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位電源電圧 V+/V- ±3.5 - ±16 V■ 電気的特性● DC 特性 (指定無き場合には V+/V-=±15V, VCM=0V, Ta=25ºC) 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位消費電流 Icc RL=∞, 無信号時 - 8 12 mA入力オフセット電圧 VIO RS=50Ω (注 4) - 0.8 5 mV入力バイアス電流 IB (注 4) - 5 250 pA入力オフセット電流 IIO (注 4) - 2 220 pA電圧利得 1 AV1 RL=10kΩ, Vo=±13V 106 135 - dB電圧利得 2 AV2 RL=2kΩ, Vo=±12.8V 105 133 - dB電圧利得 3 AV3 RL=600Ω, Vo=12.5V 105 130 - dB同相信号除去比 CMR VICM=±12.5V (注 5) 80 110 - dB電源電圧除去比 SVR V+/V-=±3.5 to ±16V 80 110 - dB最大出力電圧 1 VOM1 RL=10kΩ ±13 ±14 - V最大出力電圧 2 VOM2 RL=2kΩ ±12.8 ±13.8 - V最大出力電圧 3 VOM2 RL=600Ω ±12.5 ±13.5 - V同相入力電圧範囲 VICM CMR≥80dB ±12.5 ±14 - V(注 4) 絶対値にて表記(注 5) VICM=0V → +12.5V 及び VICM=0V → -12.5V と変化させたときの入力オフセット電圧変動量より同相信号除去比を算出● AC 特性 (指定無き場合には V+/V-=±15V, VCM=0V, Ta=25ºC) 項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位利得帯域幅積 GB f=10kHz - 11 - MHzユニティ・ゲイン周波数 fT AV=+100, RS=100Ω, RL=2kΩ, CL=10pF - 10 - MHz位相余裕 ΦM AV=+100, RS=100Ω, RL=2kΩ, CL=10pF - 70 - Deg入力換算雑音電圧 1 VNI1 f=1kHz - 8 - nV/√Hz入力換算雑音電圧 2 VNI2 RIAA, RS=2.2kΩ, 30kHz, LPF - 1.1 3.5 µVrms全高調波歪率 THD f=1kHz , AV=+10, Vo=5Vrms, RL=2kΩ - 0.0004 - %チャンネルセパレーション CS f=1kHz , AV=-100, RL=2kΩ - 150 - dBスルーレート SR AV=1, VIN=2Vp-p, RL=2kΩ, CL=10pF - 25 - V/us -2- Ver.2011-12-13
  3. 3. MUSES8920■ アプリケーション情報 パッケージパワーと消費電力、出力電力 IC はIC 自身の消費電力(内部損失)によって発熱し、ジャンクション温度Tj が許容値を超えると破壊される可能 性があります。この許容値は許容損失PD(=消費電力の最大定格)と呼ばれています。図1にMUSES8820のPDの周囲 温度依存性を示します。 この図の特性は、次の2点から得ることができます。1点目は25ºCにおけるPDで、絶対最大定格の消費電力に相当 します。もう1点はこれ以上の発熱を許容できない、つまり許容損失0W の点です。この点は、IC の保存温度範囲 Tstg の上限を最大のジャンクション温度Tjmax とすることで求めることができます。これら2点を結び、25ºC以下 を25ºCと同じPDとすることで図1の特性を得ることができます。なお、これらの2点間のPDは次式で表されます。 Tj max − Ta 許容損失 PD = [W] (Ta=25ºC∼Ta=Tjmax) θja ここでθja は熱抵抗であり、 パッケージ材料(樹脂、 フレーム等)に依存します。 次にIC自身の消費電力を導きます。 IC の消費電力は、次式で表されます。 消費電力=(電源電圧VDD)×(消費電流IDD)−(出力電力Po) この消費電力がPDをこえない条件でMUSES8920を使用してください。安定した動作を維持するためにも、許容 損失PDに注意し、余裕のある熱設計することを推奨します。 PD [mW] EMP8 900 870 DIP8 Ta [℃] -40 25 85 150 最大動作温度 最大保存温度 図 1 MUSES8920 の許容損失 PD の周囲温度特性例Ver.2011-12-13 -3-
  4. 4. MUSES8920■ 特性例 THD+N 対 出力電圧特性 (周波数) THD+N 対 出力電圧特性 (周波数) V+/V-=±15V, AV=+10, RL=2k, Ta=25ºC V+/V-=±3.5V, AV=+10, RL=2k, Ta=25ºC 10 10 1 1 f=20HzTHD+N [%] THD+N [%] 0.1 0.1 f=1kHz f=20kHz 0.01 0.01 f=1kHz f=20kHz f=20kHz 0.001 0.001 0.0001 0.0001 0.01 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 100 出力電圧 [Vrms] 出力電圧 [Vrms] 入力換算雑音電圧 対 周波数特性 チャンネルセパレーション 対 周波数特性例 V+/V-=±15V, AV=+100, RS=100Ω, RL=∞, Ta=25ºC V+/V-=±15V, AV=-100, RL=2kΩ, Ta=25ºC 100 -120 -125 チャンネルセパレーション [dB] 80 入力換算雑音電圧 [nV/√Hz] -130 60 -135 -140 40 -145 -150 20 -155 0 -160 1 10 100 1k 10k 10 100 1k 10k 100k 周波数 [Hz] 周波数 [Hz] 電圧利得 対 周波数特性例 (周囲温度) 位相余裕 対 周囲温度特性例 (電源電圧) V+/V-=±15V, AV=+100, RL=2k, CL=10pF AV=+100, RS=100Ω, RL=2kΩ, CL=10pF, VIN=-30dBm 60 90 Gain Ta=+85ºC 40 Ta=+25ºC V+/V-=±15V Phase Ta=-40ºC 20 0 80 位相余裕 [deg] 電圧利得 [dB] 位相 [deg] 0 -45 Ta=+85ºC -20 -90 70 V+/V-=±3.5V Ta=+25ºC Ta=-40ºC -40 -135 -60 -180 60 10k 100k 1M 10M 100M -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周波数 [Hz] 周囲温度 [ºC] -4- Ver.2011-12-13
  5. 5. MUSES8920■ 特性例 過渡応答特性 スルーレート 対 周囲温度特性例 V+/V-=±15V, Gv=0dB, CL=10pF, RL=2kΩ, Ta=25ºC V+/V-=±15V, VIN=2VP-P, f=100kHz, Gv=0dB, CL=10pF, RL=2kΩ 6 2 80 入力電圧 5 1 70 4 0 60 スルーレート [V/µs] Fall 3 -1 50 出力電圧 [V] 入力電圧 [V] 2 -2 40 1 -3 30 0 -4 20 Rise -1 -5 10 出力電圧 -2 -6 0 -2 -1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 時間 [µsec] 周囲温度 [ºC] 消費電流 対 電源電圧特性例 (周囲温度) 消費電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧) AV=0dB AV=0dB 12 12 Ta=+25ºC V+/V-=±15V 10 10 8 8 消費電量 [mA] 消費電量 [mA] Ta=+85ºC Ta=-40ºC V+/V-=±3.5V 6 6 4 4 2 2 0 0 ±0 ±4 ±8 ±12 ±16 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 電源電圧 V+/V- [V] 周囲温度 [ºC] 入力オフセット電圧 対 電源電圧特性例 (周囲温度) 入力オフセット電圧 対 周囲温度特性例 (電源電圧) VICM=0V, VIN=0V VICM=0V, VIN=0V 2.0 2.0 1.5 1.5 入力オフセット電圧 [mV] 入力オフセット電圧 [mV] 1.0 1.0 V+/V-=±15V Ta=-40ºC 0.5 0.5 0.0 0.0 Ta=+25ºC Ta=+85ºC V+/V-=±3.5V -0.5 -0.5 -1.0 -1.0 0 ±4 ±8 ±12 ±16 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 電源電圧 V+/V- [V] 周囲温度 [ºC]Ver.2011-12-13 -5-
  6. 6. MUSES8920■ 特性例 入力オフセット電圧 対 同相入力電圧特性例 (周囲温度) 入力オフセット電圧 対 同相入力電圧特性例 (周囲温度) V+/V-=±15V V+/V-=±3.5V 2.0 2.0 1.5 1.5 入力オフセット電圧 [mV] 入力オフセット電圧 [mV] 1.0 Ta=-40ºC 1.0 Ta=-40ºC 0.5 0.5 0.0 0.0 Ta=+25ºC Ta=+85ºC Ta=+25ºC Ta=+85ºC -0.5 -0.5 -1.0 -1.0 -15 -10 -5 0 5 10 15 -4 -3 -2 -1 0 1 2 3 4 同相入力電圧 [V] 同相入力電圧 [V] 入力バイアス電流 対 周囲温度特性例 (電源電圧) 入力バイアス電流 対 同相入力電圧特性例 (周囲温度) VICM=0V, V+/V-=±15V V+/V-=±15V, Ta=25ºC 1000n 10 100n 9入力バイアス電流 [A] 入力バイアス電流 [pA] 8 10n 7 1n 6 100p 5 10p 4 1p 3 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -15 -10 -5 0 5 10 15 周囲温度 [ºC] 同相入力電圧 [V] 同相信号除去比 対 周囲温度特性例 電源電圧除去比 対 周囲温度特性例 V+/V-=±15V VICM=0V, V+/V-=±3.5V→±16V 140 140 130 130 同相信号除去比 [dB] 電源電圧除去比 [dB] VICM=0V→+12.5V 120 120 110 110 100 100 VICM=-12.5V→0V 90 90 80 80 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 [ºC] 周囲温度 [ºC] -6- Ver.2011-12-13
  7. 7. MUSES8920■ 特性例 出力電圧 対 出力電流特性例 (周囲温度) 出力電圧 対 出力電流特性例 (周囲温度) V+/V-=±15V V+/V-=±3.5V 15 4 Isource Isource 3 Ta=+125ºC 10 Ta=-40ºC Ta=+85ºC 2 Ta=+25ºC 5 Ta=+25ºC 1 出力電圧 [V] 出力電圧 [V] Ta=-40ºC 0 0 Ta=+85ºC -1 -5 Ta=+25ºC Ta=-40ºC -2 -10 Isink -3 Isink -15 -4 1 10 100 1k 1 10 100 1k 出力電流 [mA] 出力電流 [mA] 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) 最大出力電圧 対 負荷抵抗特性例 (周囲温度) V+/V-=±15V, Gv=open, RL to 0V V+/V-=±3.5V, Gv=open, RL to 0V 15 4 3 10 Ta=-40ºC Ta=+25ºC 2 最大出力電圧 [V] 最大出力電圧 [V] 5 Ta=+85ºC 1 0 0 Ta=+85ºC Ta=+25ºC -1 Ta=-40ºC -5 -2 -10 -3 -15 -4 10 100 1k 10k 100k 10 100 1k 10k 100k 負荷抵抗 [Ω] 負荷抵抗 [Ω]Ver.2011-12-13 -7-
  8. 8. MUSES8920■ 応用回路例 Gain StageAnalog I/V AttInput Digital DA AD Digital Analog Input Converter Converter Output Output Buff I/V LPF Buff (図1: ADC Input) (図2:DAC Output) L-ch. L-ch. Analog Analog Intput C2 Output HPF C1 R2 R3 DAC R-ch. R1 R-ch. C3 Analog Analog Intput Output R5 R4 Vcc 1/2Vcc (図 4:DAC LPF Circuit ) 1/2Vcc (図3: Half Vcc Buffer on Single Supply Application) <注意事項> このデータブックの掲載内容の正確さには万全を期しており ますが、掲載内容について何らかの法的な保証を行うもので はありません。 とくに応用回路については、製品の代表的な応用例を説明す るためのものです。また、工業所有権その他の権利の実施権 の許諾を伴うものではなく、第三者の権利を侵害しないこと を保証するものでもありません。 -8- Ver.2011-12-13

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