revisi tugas slide karakteristik transistor

1. KARAKTERISTIK TRANSISTOR
Disusun oleh:
Nama mahasiswa: Muhammad Ikhsan Fakhri
NIM : 1410502074
Nama dosen : R. Suryoto Edy Raharjo, S.T.,M.Eng
UNIVERSITAS TIDAR
2015

2. DAFTAR ISI
Halaman Sampul ................................................................... 1
Daftar isi ................................................................... 2
Pengertian Transistor ................................................................... 3
Karakteristik Transistor ................................................................... 4
Kurva Kolektor ................................................................... 5
Kurva Basis ................................................................... 8
Kurva Beta ................................................................... 9
Penutup ................................................................... 14

3. PENGERTIAN TRANSISTOR
Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai
sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi
sinyal atau sebagai fungsi lainnya.
NPN PNP

4. KARAKTERISTIK TRANSISTOR
Karakteristik transistor disajikan dengan kurva karakteristik yang
menggambarkan kerja transistor. Satu cara untuk melihat sebanyak mungkin
detail adalah dengan grafik yang menggambarkan hubungan arus dan
tegangan.

5. KURVA KOLEKTOR
Gambar 1
.Data kurva kolektor CE diperoleh dengan cara membangun rangkaian seperti
gambar 1 atau dengan menggunakan transistor curve tracer (alat yang dapat
menggambarkan kurva transistor). Ide dari kedua cara tersebut adalah dengan
mengubah catu tegangan VBB dan VCC agar diperoleh tegangan dan arus
transistor yang berbeda – beda.
Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan menjaganya tetap dan
VCC diubah – ubah. Dengan mengukur IC dan VCE dapat agar dapat memperoleh
data untuk membuat grafik IC vs VCE. Misalnya, anggap dalam gambar 1 IB =
10µA. Kemudian VCC diubah dan ukur IC dan VCE. Selanjutnya kita akan dapat
gambar 2. Pada kurva IB = 10µA dibuat tetap selama semua pengukuran.

6. Pada gambar 2, jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh sebab
itu arus kolektor sangatlah kecil. Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus kolektor
bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Ini sesuai
dengan memberikan bias reverse dioda kolektor. Kira – kira diperlukan 0,7
V untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah level ini, kolektor
mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan.
Gambar 2
Di atas knee, harga yang eksak dari VCE tidaklah begitu penting karena dengan
membuat bukit kolektor lebih curam tidaklah dapat menambah arus kolektor
yang berarti. Sedikit pertambahan pada arus kolektor dengan bertambahnya
VCE disebabkan oleh lapisan pengosongan kolektor menjadi lebih lebar dan
menangkap beberapa elektron basis sebelum mereka jatuh ke dalam hole.

7. Dengan mengulangi pengukuran IC dan VCE untuk IB = 20µA, sehingga
diperoleh gambar 3. Kurvanya hampir sama, kecuali di atas knee, arus
kolektor kira – kira sama dengan 2 mA. Juga kenaikan VCE menghasilkan
pertambahan arus kolektor sedikit karena pelebaran lapisan pengosongan
menangkap tambahan elektron basis sedikit.
Gambar 3

8. KURVA BASIS
kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan tegangan basis-
emiter VBE dengan tegangan kolektor-emiter sebagai parameter seperti
terlihat pada kurva berikut.

9. KURVA BETA (β)
Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai β berubah dengan suhu dan arus
kolektor. Nilai β bertambah dengan naiknya suhu. Nilai β juga bertambah
dengan naiknya arus kolektor IC. Tetapi bila IC naik diluar nilai tertentu β
akan turun.

10. GAMBAR KARAKTERISTIK
TRANSISTOR
Kurva karakteristik kolektor merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai
parameter. Parameter-parameter transistor tidaklah konstan, meskipun tipe
sama namun parameter dapat berbeda. Kurva kolektor terbagi menjadi tiga
daerah yaitu jenuh, aktif dan cut- off.

11. DAERAH JENUH
Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut
(knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis
berprasikap maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada
nilai IB. Tegangan jenuh kolektor – emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon
adalah 0,2 volt sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 volt.

12. DAERAH AKTIF
Daerah aktif adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (break down)
VBR serta di atas IBICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi
prasikap maju dan sambungan kolektor diberi prasikap balik. Pada daerah
aktif arus kolektor sebanding dengan arus balik. Penguatan sinyal masukan
menjadi sinyal keluaran terjadi pada saat aktif.

13. DAERAH CUT-OFF
Daerah cut-off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emiter dan
sambungan kolektor berprasikap balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB.

14. TERIMA KASIH