SlideShare a Scribd company logo
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
Disusun oleh : Zulfikar Rahmana
1410502078
Teknik Mesin S1
Nama dosen : R. Suryoto Edy Raharjo, S.T.,M.Eng.
Fakultas Teknik
Universitas Tidar
2015
Daftar Isi
1. Kata Pengantar..............................................
2. Peta Konsep..................................................
3. Pengertian....................................................
4. Jenis.............................................................
5. Karakteristik Transistor................................
6. Fungsi..........................................................
KATA PENGANTAR
Puji Syukur kehadirat ALLAH SWT, karena atas perkenanNYA tugas tentang
“Karakteristik Transistor “ dapat diselesaikan.
Tujuan dari pembuatan laporan ini adalah untuk memberikan penjelasan
Tentang pegertian transistor, jenis transistor, karakteristik transistor, dan
fungsi transistor
Harapan saya semoga silde ini membantu menambah pengetahuan dan
pengalaman bagi para pembaca, sehingga saya dapat memperbaiki bentuk
maupun isi slide ini sehingga kedepannya dapat lebih baik.
Slide ini saya akui masih banyak kekurangan karena pengalaman yang saya
miliki sangat kurang. Oleh karena itu saya harapkan kepada para pembaca
untuk memberikan masukan-masukan yang bersifat membangun untuk
kesempurnaan slide ini.
KARAKTERISTIK
TRANSISTOR
PENGERTIAN
KARAKTERISTIK
FUNGSI
KURVA KOLEKTOR
KURVA BASIS
KURVA BETA ( β )
GARIS BEBAN
TRANSISTOR
DAERAH OPERASI
TRANSISTOR
DAERAH AKTIF
DAERAH CUT OFF
JENIS
PENGERTIAN
Transistor adalah alat semi konduktor yang dipakai sebagai
penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching),
stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya.
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B),
Emitor (E) dan Kolektor (C). Transistor merupakan komponen
yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam
rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier
(penguat). Bahan dasar pembuatan transistor itu sendiri atara
lain Germanium, Silikon, Galium Arsenide. Sedangkan kemasan
dari transistor itu sendiri biasanya terbuat dari Plastik, Metal,
Surface Mount, dan ada juga beberapa transistor yang dikemas
dalam satu wadah yang disebut IC (Intregeted Circuit).
NEXT
JENIS
1. Transistor bipolar atau dwi kutub. Transistor bipolar termasuk
salah satu dari jenis-jenis transistor yang paling banyak
digunakan dalam suatu rangkaian elektronika. Sedangkan
pengertian dari transistor bipolar itu sendiri adalah transistor
yang memiliki dua buah persambungan kutub. Sedangkan jenis
transistor bipolar dibagi lagi menjadi tiga bagian lapisan material
semikonduktor yang kemudian membedakan transistor bipolar
kedalam dua jenis yaitu transistor P-N-P (Positif-Negatif-Positif)
dan transistor N-P-N (Negatif-Positif-Negatif).
NEXT
2. Transistor efek medan (FET) adalah transistor kedua yang
paling banyak digunakan dari berbagai jenis-jenis transistor
yang ada . Transistor jenis ini sama seperti transistor bipolar
yang memiliki tiga kaki. Cara kerja dari transistor efek medan
ini adalah mengatur dan mengendalikan aliran elektron dari
Source ke Drain melalui tegangan yang diberikan pada Gate.
Hal inilah yang membedakan antara fungsi transistor efek
medan dengan fungsi transistor bipolar pada penjelasan
diatas.
KARAKTERISTIK
1. KURVA KOLEKTOR
Data kurva kolektor CE diperoleh dengan cara membangun rangkaian
seperti gambar 1 atau dengan menggunakan transistor curve tracer
(alat yang dapat menggambarkan kurva transistor). Ide dari kedua cara
tersebut adalah dengan mengubah satu tegangan VBB dan VCC agar
diperoleh tegangan dan arus transistor yang berbeda – beda.
Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan
menjaganya tetap dan VCC diubah – ubah. Dengan mengukur IC
dan VCE agar dapat memperoleh data untuk membuat grafik IC
vs VCE. Misalnya, anggap dalam gambar 1 IB = 10µA. Kemudian
VCC diubah dan ukur IC dan VCE. Selanjutnya kita akan dapat
gambar 2. Pada kurva IB = 10µA dibuat tetap selama semua
pengukuran.
Pada gambar 2, jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh sebab
itu arus kolektor sangatlah kecil. Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus kolektor
bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Ini sesuai
dengan memberikan bias reverse dioda kolektor. Kira – kira diperlukan 0,7 V
untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah level ini, kolektor
mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan.
Di atas knee, harga yang eksak dari VCE tidaklah begitu penting karena
dengan membuat bukit kolektor lebih curam tidaklah dapat menambah arus
kolektor yang berarti. Sedikit pertambahan pada arus kolektor dengan
bertambahnya VCE disebabkan oleh lapisan pengosongan kolektor menjadi
lebih lebar dan menangkap beberapa elektron basis sebelum mereka jatuh ke
dalam hole.
Dengan mengulangi pengukuran IC dan VCE untuk IB = 20µA, sehingga
diperoleh gambar 3. Kurvanya hampir sama, kecuali di atas knee, arus
kolektor kira – kira sama dengan 2 mA. Juga kenaikan VCE menghasilkan
pertambahan arus kolektor sedikit karena pelebaran lapisan pengosongan
menangkap tambahan elektron basis sedikit.
Jika beberapa kurva dengan IB yang berbeda diperlihatkan dalam gambar 4
karena menggunakan transistor dengan βdc kira – kira 100, arus kolektor kira
– kira 100 kali lebih besar daripada arus basis untuk setiap titik di atas knee
dari kurva tersebut. Oleh karena arus kolektor sedikit bertambah dengan
bertambahnya VCE, βdc sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE.
1. Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan
lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan
basis dibias maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada
nilai IB. Tegangan jenuh kolektor – emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon
adalah 0,2 V, sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 V.
2. Daerah aktif, adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal
(breakdown) VBR serta di atas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan
emiter diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi bias balik.
3. Daerah cut – off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emitter dan
sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB
2. Kurva basis
kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan tegangan basis-
emiter VBE dengan tegangan kolektor-emiter sebagai parameter seperti
terlihat pada kurva berikut.
Pada rangkaian gambar 1 kita dapat memperoleh data untuk membuat grafik
IB vs VBE. Gambar 5 menunjukkan grafik yang mirip dioda, karena bagian
emiter – basis dari transistor merupakan dioda. Karena bertambah lebarnya
lapisan pengosongan dengan bertambahnya tegangan kolektor, arus basis
berkurang sedikit karena lapisan pengosongan kolektor menangkap beberapa
lagi elektron basis.
Pada gambar 6, terlihat dengan menghubung singkat kolektor – emiter (VCE =
0) dan emiter diberi bias maju, karakteristik basis dioda. Semakin tinggi
tegangan reverse, maka semakin tipis lebar basis dan semakin tinggi beta DC.
Pada suatu saat tegangan reverse dinaikkan, hingga lebar basis menyempit
maka daerah tersebut dinamakan breakdown. Kondisi inilah yang dinamakan
early effect.
Titik ambang (threshold)atau tegangan lutut (VK) untuk transistor germanium
adalah sekitar 0,1 sampai 0,2 V, sedang untuk transistor silikon sekitar 0,5
sampai 0,6 V, nilai VBE di daerah aktif adalah 0,2 V untuk germanium dan 0,7
V untuk silikon.
3. Kurva beta ( β )
Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai β berubah dengan suhu dan arus
kolektor. Nilai β bertambah dengan naiknya suhu. Nilai β juga bertambah
dengan naiknya arus kolektor IC. Tetapi bila IC naik diluar nilai tertentu β akan
turun.
4. Garis beban transistor
Dalam rangkaian kolektor, sumber tegangan VCC membias reverse dioda
kolektor melalui RC. Dengan hukum tegangan kirchoff VCE = VCC – ICRC.
Dalam rangkaian yang diberikan, VCC dan RC adalah konstan, VCE dan IC
adalah variabel. Ini adalah persamaan linier, serupa dengan y = mx + b
Seperti dalam matematika, grafik persamaan linier selalu berupa garis lurus
dengan kemiringan m dan perpotongan vertikal b.
Perpotongan vertikal adalah pada VCC/RC. Perpotongan horizontal adalah
pada VCC, dan kemiringannya adalah -1/RC. Garis ini disebut garis beban dc
karena garis ini menyatakan semua titik operasi yang mungkin. Perpotongan
dari garis beban dc dengan arus basis adalah titik operasi daripada transistor.
5. Daerah operasi transistor
sebuah transistor memiliki empat daerah operasi transistor, yaitu :
1. Daerah aktif
2. Daerah cutoff
3. Daerah saturasi
4. Daerah breakdown
6. Daerah aktif
Semua titik operasi antara titik sumbat dan penjenuhan adalah daerah aktif
dari transistor. Dalam daerah aktif, dioda emiter dibias forward dan dioda
kolektor dibias reverse. Perpotongan dari arus basis dan garis beban adalah
titik stationer (quiescent) Q seperti dalam gambar. daerah kerja transistor
yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus IC konstan terhadap
berapapun nilai Vce. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus
basis. Spesifikasi ini menunjukkan termperatur kerja maksimum yang
diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor
bekerja melebihi kapasitas daya Pdmax, maka transistor dapat rusak atau
terbakar.
7. Daerah cut off
Titik sumbat (cut off) adalah titik dimana garis beban memotong kurva IB = 0,
pada titik ini arus basis adalah nol dan arus kolektor kecil sehingga dapat
diabaikan (hanya arus bocoran ICEO yang ada). Pada titik sumbat, dioda
emiter kehilangan forward bias, dan keerja transistor yang normal
terhenti. VCE(CUT OFF) = VCC. Daerah saturasi (jenuh) adalah daerah dengan
VCE kurang dari tegangan knee (VK ). Kondisi jenuh adalah kondisi dimana
pembawa mayoritas dari emiter, rekombinasi pembawa minoritas ke arus
basis.
Perpotongan dari garis beban dan kurva IB = IB (SAT) disebut penjenuhan
(saturation). Pada titik ini arus basis sama dengan IB (SAT) dan arus kolektor
adalah maksismum. Pada penjenuhan, dioda kolektor kehilangan reverse bias
dan kerja transistor yang normal terhenti.
IC = VCE/RC
Dan arus basis yang tepat menimbulkan penjenuhan adalah
IB (SAT) = IC (SAT)/βdc
FUNGSI
Fungsi Transistor sangat berpengaruh besar di dalam kinerja rangkaian
elektronika. Karena di dalam sirkuit elektronik, komponen transistor berfungsi
sebagai jangkar rangkaian. Transistor adalah komponen semi konduktor yang
memiliki 3 kaki elektroda, yaitu Basis (B), Colector (C) dan Emitor (E). Dengan
adanya 3 kaki elektroda tersebut, tegangan atau arus yang mengalir pada satu
kaki akan mengatur arus yang lebih besar untuk melalui 2 terminal lainnya.
Fungsi Transistor Lainnya :
• Sebagai penguat amplifier.
• Sebagai pemutus dan penyambung (switching).
• Sebagai pengatur stabilitas tegangan.
• Sebagai peratas arus.
• Dapat menahan sebagian arus yang mengalir.
• Menguatkan arus dalam rangkaian.
• Sebagai pembangkit frekuensi rendah ataupun tinggi.
THANK YOU

More Related Content

What's hot

Tugas transistor nama_absen_kelas
Tugas transistor nama_absen_kelasTugas transistor nama_absen_kelas
Tugas transistor nama_absen_kelasFianggoro
 
Adi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiAdi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasi
adiprayogaa
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
Muhammad Arsyadi Praboowo
 
Karakteristik Transistor_Zulfikar Rahmana
Karakteristik Transistor_Zulfikar RahmanaKarakteristik Transistor_Zulfikar Rahmana
Karakteristik Transistor_Zulfikar Rahmana
zulfikar1410502078
 
Revisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusuma
Revisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusumaRevisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusuma
Revisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusuma
yanuarindra
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
Kurniawan Ya Tyo
 
Karakteristik transistor. yanuar indra kusuma
Karakteristik transistor. yanuar indra kusumaKarakteristik transistor. yanuar indra kusuma
Karakteristik transistor. yanuar indra kusuma
yanuarindra
 
Karakteristik Transistor aniftia nur ardiansyah
Karakteristik Transistor aniftia nur ardiansyahKarakteristik Transistor aniftia nur ardiansyah
Karakteristik Transistor aniftia nur ardiansyah
AnipArdiansyah
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
andhi_setyo
 
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
KARAKTERISTIK TRANSISTORKARAKTERISTIK TRANSISTOR
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
Muhammad F Ridwan
 
Nashrul chanief.tmb
Nashrul chanief.tmbNashrul chanief.tmb
Nashrul chanief.tmb
nashrul chanief hidayat
 
Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1
Ali Hacikdin
 
Nashrul chanief.tmb
Nashrul chanief.tmbNashrul chanief.tmb
Nashrul chanief.tmb
nashrul chanief hidayat
 
Karakteristik transistor agus_sugiharto_untidar
Karakteristik transistor agus_sugiharto_untidarKarakteristik transistor agus_sugiharto_untidar
Karakteristik transistor agus_sugiharto_untidar
agus sugiharto
 
Revisi karakteristik transistor andhi
Revisi karakteristik transistor andhiRevisi karakteristik transistor andhi
Revisi karakteristik transistor andhi
andhisetyo
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
Ryan Aryoko
 
Bab 13 penguat transistor
Bab 13 penguat transistorBab 13 penguat transistor
Bab 13 penguat transistor
RosaLiya Iendah PermataSarie
 
Revisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidar
Revisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidarRevisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidar
Revisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidar
agus sugiharto
 
Tugas transistor nama_absen_kelas
Tugas transistor nama_absen_kelasTugas transistor nama_absen_kelas
Tugas transistor nama_absen_kelasFianggoro
 

What's hot (20)

Tugas transistor nama_absen_kelas
Tugas transistor nama_absen_kelasTugas transistor nama_absen_kelas
Tugas transistor nama_absen_kelas
 
Adi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiAdi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasi
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Karakteristik Transistor_Zulfikar Rahmana
Karakteristik Transistor_Zulfikar RahmanaKarakteristik Transistor_Zulfikar Rahmana
Karakteristik Transistor_Zulfikar Rahmana
 
Revisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusuma
Revisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusumaRevisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusuma
Revisi karakteristik transistor by: yanuar indra kusuma
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor. yanuar indra kusuma
Karakteristik transistor. yanuar indra kusumaKarakteristik transistor. yanuar indra kusuma
Karakteristik transistor. yanuar indra kusuma
 
Karakteristik Transistor aniftia nur ardiansyah
Karakteristik Transistor aniftia nur ardiansyahKarakteristik Transistor aniftia nur ardiansyah
Karakteristik Transistor aniftia nur ardiansyah
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
KARAKTERISTIK TRANSISTORKARAKTERISTIK TRANSISTOR
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
 
Nashrul chanief.tmb
Nashrul chanief.tmbNashrul chanief.tmb
Nashrul chanief.tmb
 
Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1Transistor bahan-minggu-ini1
Transistor bahan-minggu-ini1
 
Transistor
TransistorTransistor
Transistor
 
Nashrul chanief.tmb
Nashrul chanief.tmbNashrul chanief.tmb
Nashrul chanief.tmb
 
Karakteristik transistor agus_sugiharto_untidar
Karakteristik transistor agus_sugiharto_untidarKarakteristik transistor agus_sugiharto_untidar
Karakteristik transistor agus_sugiharto_untidar
 
Revisi karakteristik transistor andhi
Revisi karakteristik transistor andhiRevisi karakteristik transistor andhi
Revisi karakteristik transistor andhi
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 
Bab 13 penguat transistor
Bab 13 penguat transistorBab 13 penguat transistor
Bab 13 penguat transistor
 
Revisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidar
Revisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidarRevisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidar
Revisi karakteristik transistor_agus_sugiharto_untidar
 
Tugas transistor nama_absen_kelas
Tugas transistor nama_absen_kelasTugas transistor nama_absen_kelas
Tugas transistor nama_absen_kelas
 

Similar to Rev.Karakteristik Transistor

Karakteristik transistor rev
Karakteristik transistor revKarakteristik transistor rev
Karakteristik transistor rev
azwar_anaz
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
Kurniawan Ya Tyo
 
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anazKarakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
azwar_anaz
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
hidayatulloh08
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
Joko Purnomo
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
Joko Purnomo
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
hidayatulloh08
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
Muhammadikhsanfakhri
 
Rev Karakteristik transistor
Rev Karakteristik transistorRev Karakteristik transistor
Rev Karakteristik transistor
fatkhurouf
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
Kurniawan Ya Tyo
 
Karakteristik transistor_fajar priyambada
Karakteristik transistor_fajar priyambadaKarakteristik transistor_fajar priyambada
Karakteristik transistor_fajar priyambada
fajar_priyambada
 
Karakteristik transistor Ryan Tri Prasetyo
Karakteristik transistor Ryan Tri PrasetyoKarakteristik transistor Ryan Tri Prasetyo
Karakteristik transistor Ryan Tri Prasetyo
ryan_try
 
Karakteristik transistor fajar ma'rufsaputra_universitastidar
Karakteristik transistor fajar ma'rufsaputra_universitastidarKarakteristik transistor fajar ma'rufsaputra_universitastidar
Karakteristik transistor fajar ma'rufsaputra_universitastidar
FajarMarufSaputra
 
Adi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiAdi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasi
adiprayogaa
 
Revisi Karakteristik Transistor
Revisi Karakteristik Transistor Revisi Karakteristik Transistor
Revisi Karakteristik Transistor
ryan_try
 
Rev karakteristik transistor fajar_ma'rufsaputra_universitastidar
Rev karakteristik transistor fajar_ma'rufsaputra_universitastidarRev karakteristik transistor fajar_ma'rufsaputra_universitastidar
Rev karakteristik transistor fajar_ma'rufsaputra_universitastidar
FajarMarufSaputra
 
Revisi, karakteristik transistor
Revisi, karakteristik transistorRevisi, karakteristik transistor
Revisi, karakteristik transistor
Alfi Diantoro
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
Alfi Diantoro
 

Similar to Rev.Karakteristik Transistor (18)

Karakteristik transistor rev
Karakteristik transistor revKarakteristik transistor rev
Karakteristik transistor rev
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
 
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anazKarakteristik Transistor | azwar_anaz
Karakteristik Transistor | azwar_anaz
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
 
Rev Karakteristik transistor
Rev Karakteristik transistorRev Karakteristik transistor
Rev Karakteristik transistor
 
Revisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistorRevisi karakteristik transistor
Revisi karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor_fajar priyambada
Karakteristik transistor_fajar priyambadaKarakteristik transistor_fajar priyambada
Karakteristik transistor_fajar priyambada
 
Karakteristik transistor Ryan Tri Prasetyo
Karakteristik transistor Ryan Tri PrasetyoKarakteristik transistor Ryan Tri Prasetyo
Karakteristik transistor Ryan Tri Prasetyo
 
Karakteristik transistor fajar ma'rufsaputra_universitastidar
Karakteristik transistor fajar ma'rufsaputra_universitastidarKarakteristik transistor fajar ma'rufsaputra_universitastidar
Karakteristik transistor fajar ma'rufsaputra_universitastidar
 
Adi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiAdi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasi
 
Revisi Karakteristik Transistor
Revisi Karakteristik Transistor Revisi Karakteristik Transistor
Revisi Karakteristik Transistor
 
Rev karakteristik transistor fajar_ma'rufsaputra_universitastidar
Rev karakteristik transistor fajar_ma'rufsaputra_universitastidarRev karakteristik transistor fajar_ma'rufsaputra_universitastidar
Rev karakteristik transistor fajar_ma'rufsaputra_universitastidar
 
Revisi, karakteristik transistor
Revisi, karakteristik transistorRevisi, karakteristik transistor
Revisi, karakteristik transistor
 
Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 

Recently uploaded

TUGAS UJI KOMPETENSI-INDAH ROSANTI-AHLI UTAMA MANAJEMEN KONSTRUKSI.pptx
TUGAS UJI KOMPETENSI-INDAH ROSANTI-AHLI UTAMA MANAJEMEN KONSTRUKSI.pptxTUGAS UJI KOMPETENSI-INDAH ROSANTI-AHLI UTAMA MANAJEMEN KONSTRUKSI.pptx
TUGAS UJI KOMPETENSI-INDAH ROSANTI-AHLI UTAMA MANAJEMEN KONSTRUKSI.pptx
indahrosantiTeknikSi
 
Power Point TEMA 7 SUB TEMA 3 Pembelajaran 2
Power Point TEMA 7 SUB TEMA 3 Pembelajaran 2Power Point TEMA 7 SUB TEMA 3 Pembelajaran 2
Power Point TEMA 7 SUB TEMA 3 Pembelajaran 2
HADIANNAS
 
Pembangkit Listrik Tenaga Surya PLTS.pptx
Pembangkit Listrik Tenaga Surya PLTS.pptxPembangkit Listrik Tenaga Surya PLTS.pptx
Pembangkit Listrik Tenaga Surya PLTS.pptx
muhhaekalsn
 
TUGAS pelaksana pekerjaan jalan jenjang empat 4 .pptx -.pdf
TUGAS pelaksana pekerjaan jalan jenjang empat 4 .pptx -.pdfTUGAS pelaksana pekerjaan jalan jenjang empat 4 .pptx -.pdf
TUGAS pelaksana pekerjaan jalan jenjang empat 4 .pptx -.pdf
jayakartalumajang1
 
Matematika diskrit: metode pohon/trees.ppt
Matematika diskrit: metode pohon/trees.pptMatematika diskrit: metode pohon/trees.ppt
Matematika diskrit: metode pohon/trees.ppt
AzrilAld
 
Daftar Lembaga Penyedia Jasa Linkungan.pdf
Daftar Lembaga Penyedia Jasa Linkungan.pdfDaftar Lembaga Penyedia Jasa Linkungan.pdf
Daftar Lembaga Penyedia Jasa Linkungan.pdf
Tsabitpattipeilohy
 
SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA
SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASASURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA
SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA
AnandhaAdkhaM1
 
RANGKAIAN LISTRIK MATERI 7 ANALISIS MESH.pptx
RANGKAIAN LISTRIK MATERI 7 ANALISIS MESH.pptxRANGKAIAN LISTRIK MATERI 7 ANALISIS MESH.pptx
RANGKAIAN LISTRIK MATERI 7 ANALISIS MESH.pptx
muhammadiswahyudi12
 
COOLING TOWER petrokimia gresik okdong d
COOLING TOWER petrokimia gresik okdong dCOOLING TOWER petrokimia gresik okdong d
COOLING TOWER petrokimia gresik okdong d
delphijean1
 
436102098-0-K3-Elevator-Dan-Eskalator.ppt
436102098-0-K3-Elevator-Dan-Eskalator.ppt436102098-0-K3-Elevator-Dan-Eskalator.ppt
436102098-0-K3-Elevator-Dan-Eskalator.ppt
rhamset
 

Recently uploaded (10)

TUGAS UJI KOMPETENSI-INDAH ROSANTI-AHLI UTAMA MANAJEMEN KONSTRUKSI.pptx
TUGAS UJI KOMPETENSI-INDAH ROSANTI-AHLI UTAMA MANAJEMEN KONSTRUKSI.pptxTUGAS UJI KOMPETENSI-INDAH ROSANTI-AHLI UTAMA MANAJEMEN KONSTRUKSI.pptx
TUGAS UJI KOMPETENSI-INDAH ROSANTI-AHLI UTAMA MANAJEMEN KONSTRUKSI.pptx
 
Power Point TEMA 7 SUB TEMA 3 Pembelajaran 2
Power Point TEMA 7 SUB TEMA 3 Pembelajaran 2Power Point TEMA 7 SUB TEMA 3 Pembelajaran 2
Power Point TEMA 7 SUB TEMA 3 Pembelajaran 2
 
Pembangkit Listrik Tenaga Surya PLTS.pptx
Pembangkit Listrik Tenaga Surya PLTS.pptxPembangkit Listrik Tenaga Surya PLTS.pptx
Pembangkit Listrik Tenaga Surya PLTS.pptx
 
TUGAS pelaksana pekerjaan jalan jenjang empat 4 .pptx -.pdf
TUGAS pelaksana pekerjaan jalan jenjang empat 4 .pptx -.pdfTUGAS pelaksana pekerjaan jalan jenjang empat 4 .pptx -.pdf
TUGAS pelaksana pekerjaan jalan jenjang empat 4 .pptx -.pdf
 
Matematika diskrit: metode pohon/trees.ppt
Matematika diskrit: metode pohon/trees.pptMatematika diskrit: metode pohon/trees.ppt
Matematika diskrit: metode pohon/trees.ppt
 
Daftar Lembaga Penyedia Jasa Linkungan.pdf
Daftar Lembaga Penyedia Jasa Linkungan.pdfDaftar Lembaga Penyedia Jasa Linkungan.pdf
Daftar Lembaga Penyedia Jasa Linkungan.pdf
 
SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA
SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASASURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA
SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA SURVEY REKAYASA
 
RANGKAIAN LISTRIK MATERI 7 ANALISIS MESH.pptx
RANGKAIAN LISTRIK MATERI 7 ANALISIS MESH.pptxRANGKAIAN LISTRIK MATERI 7 ANALISIS MESH.pptx
RANGKAIAN LISTRIK MATERI 7 ANALISIS MESH.pptx
 
COOLING TOWER petrokimia gresik okdong d
COOLING TOWER petrokimia gresik okdong dCOOLING TOWER petrokimia gresik okdong d
COOLING TOWER petrokimia gresik okdong d
 
436102098-0-K3-Elevator-Dan-Eskalator.ppt
436102098-0-K3-Elevator-Dan-Eskalator.ppt436102098-0-K3-Elevator-Dan-Eskalator.ppt
436102098-0-K3-Elevator-Dan-Eskalator.ppt
 

Rev.Karakteristik Transistor

  • 1. KARAKTERISTIK TRANSISTOR Disusun oleh : Zulfikar Rahmana 1410502078 Teknik Mesin S1 Nama dosen : R. Suryoto Edy Raharjo, S.T.,M.Eng. Fakultas Teknik Universitas Tidar 2015
  • 2. Daftar Isi 1. Kata Pengantar.............................................. 2. Peta Konsep.................................................. 3. Pengertian.................................................... 4. Jenis............................................................. 5. Karakteristik Transistor................................ 6. Fungsi..........................................................
  • 3. KATA PENGANTAR Puji Syukur kehadirat ALLAH SWT, karena atas perkenanNYA tugas tentang “Karakteristik Transistor “ dapat diselesaikan. Tujuan dari pembuatan laporan ini adalah untuk memberikan penjelasan Tentang pegertian transistor, jenis transistor, karakteristik transistor, dan fungsi transistor Harapan saya semoga silde ini membantu menambah pengetahuan dan pengalaman bagi para pembaca, sehingga saya dapat memperbaiki bentuk maupun isi slide ini sehingga kedepannya dapat lebih baik. Slide ini saya akui masih banyak kekurangan karena pengalaman yang saya miliki sangat kurang. Oleh karena itu saya harapkan kepada para pembaca untuk memberikan masukan-masukan yang bersifat membangun untuk kesempurnaan slide ini.
  • 4. KARAKTERISTIK TRANSISTOR PENGERTIAN KARAKTERISTIK FUNGSI KURVA KOLEKTOR KURVA BASIS KURVA BETA ( β ) GARIS BEBAN TRANSISTOR DAERAH OPERASI TRANSISTOR DAERAH AKTIF DAERAH CUT OFF JENIS
  • 5. PENGERTIAN Transistor adalah alat semi konduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal atau sebagai fungsi lainnya. Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitor (E) dan Kolektor (C). Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat). Bahan dasar pembuatan transistor itu sendiri atara lain Germanium, Silikon, Galium Arsenide. Sedangkan kemasan dari transistor itu sendiri biasanya terbuat dari Plastik, Metal, Surface Mount, dan ada juga beberapa transistor yang dikemas dalam satu wadah yang disebut IC (Intregeted Circuit). NEXT
  • 6. JENIS 1. Transistor bipolar atau dwi kutub. Transistor bipolar termasuk salah satu dari jenis-jenis transistor yang paling banyak digunakan dalam suatu rangkaian elektronika. Sedangkan pengertian dari transistor bipolar itu sendiri adalah transistor yang memiliki dua buah persambungan kutub. Sedangkan jenis transistor bipolar dibagi lagi menjadi tiga bagian lapisan material semikonduktor yang kemudian membedakan transistor bipolar kedalam dua jenis yaitu transistor P-N-P (Positif-Negatif-Positif) dan transistor N-P-N (Negatif-Positif-Negatif). NEXT
  • 7. 2. Transistor efek medan (FET) adalah transistor kedua yang paling banyak digunakan dari berbagai jenis-jenis transistor yang ada . Transistor jenis ini sama seperti transistor bipolar yang memiliki tiga kaki. Cara kerja dari transistor efek medan ini adalah mengatur dan mengendalikan aliran elektron dari Source ke Drain melalui tegangan yang diberikan pada Gate. Hal inilah yang membedakan antara fungsi transistor efek medan dengan fungsi transistor bipolar pada penjelasan diatas.
  • 8. KARAKTERISTIK 1. KURVA KOLEKTOR Data kurva kolektor CE diperoleh dengan cara membangun rangkaian seperti gambar 1 atau dengan menggunakan transistor curve tracer (alat yang dapat menggambarkan kurva transistor). Ide dari kedua cara tersebut adalah dengan mengubah satu tegangan VBB dan VCC agar diperoleh tegangan dan arus transistor yang berbeda – beda.
  • 9. Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan menjaganya tetap dan VCC diubah – ubah. Dengan mengukur IC dan VCE agar dapat memperoleh data untuk membuat grafik IC vs VCE. Misalnya, anggap dalam gambar 1 IB = 10µA. Kemudian VCC diubah dan ukur IC dan VCE. Selanjutnya kita akan dapat gambar 2. Pada kurva IB = 10µA dibuat tetap selama semua pengukuran.
  • 10. Pada gambar 2, jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh sebab itu arus kolektor sangatlah kecil. Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus kolektor bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan. Ini sesuai dengan memberikan bias reverse dioda kolektor. Kira – kira diperlukan 0,7 V untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah level ini, kolektor mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan pengosongan. Di atas knee, harga yang eksak dari VCE tidaklah begitu penting karena dengan membuat bukit kolektor lebih curam tidaklah dapat menambah arus kolektor yang berarti. Sedikit pertambahan pada arus kolektor dengan bertambahnya VCE disebabkan oleh lapisan pengosongan kolektor menjadi lebih lebar dan menangkap beberapa elektron basis sebelum mereka jatuh ke dalam hole.
  • 11. Dengan mengulangi pengukuran IC dan VCE untuk IB = 20µA, sehingga diperoleh gambar 3. Kurvanya hampir sama, kecuali di atas knee, arus kolektor kira – kira sama dengan 2 mA. Juga kenaikan VCE menghasilkan pertambahan arus kolektor sedikit karena pelebaran lapisan pengosongan menangkap tambahan elektron basis sedikit.
  • 12. Jika beberapa kurva dengan IB yang berbeda diperlihatkan dalam gambar 4 karena menggunakan transistor dengan βdc kira – kira 100, arus kolektor kira – kira 100 kali lebih besar daripada arus basis untuk setiap titik di atas knee dari kurva tersebut. Oleh karena arus kolektor sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE, βdc sedikit bertambah dengan bertambahnya VCE. 1. Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan emiter dan sambungan basis dibias maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor – emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 V, sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 V. 2. Daerah aktif, adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (breakdown) VBR serta di atas IB = ICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan emiter diberi bias maju dan sambungan kolektor diberi bias balik. 3. Daerah cut – off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emitter dan sambungan kolektor diberi bias balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB
  • 13. 2. Kurva basis kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB dan tegangan basis- emiter VBE dengan tegangan kolektor-emiter sebagai parameter seperti terlihat pada kurva berikut. Pada rangkaian gambar 1 kita dapat memperoleh data untuk membuat grafik IB vs VBE. Gambar 5 menunjukkan grafik yang mirip dioda, karena bagian emiter – basis dari transistor merupakan dioda. Karena bertambah lebarnya lapisan pengosongan dengan bertambahnya tegangan kolektor, arus basis berkurang sedikit karena lapisan pengosongan kolektor menangkap beberapa lagi elektron basis.
  • 14. Pada gambar 6, terlihat dengan menghubung singkat kolektor – emiter (VCE = 0) dan emiter diberi bias maju, karakteristik basis dioda. Semakin tinggi tegangan reverse, maka semakin tipis lebar basis dan semakin tinggi beta DC. Pada suatu saat tegangan reverse dinaikkan, hingga lebar basis menyempit maka daerah tersebut dinamakan breakdown. Kondisi inilah yang dinamakan early effect. Titik ambang (threshold)atau tegangan lutut (VK) untuk transistor germanium adalah sekitar 0,1 sampai 0,2 V, sedang untuk transistor silikon sekitar 0,5 sampai 0,6 V, nilai VBE di daerah aktif adalah 0,2 V untuk germanium dan 0,7 V untuk silikon.
  • 15. 3. Kurva beta ( β ) Kurva beta menunjukkan bagaimana nilai β berubah dengan suhu dan arus kolektor. Nilai β bertambah dengan naiknya suhu. Nilai β juga bertambah dengan naiknya arus kolektor IC. Tetapi bila IC naik diluar nilai tertentu β akan turun.
  • 16. 4. Garis beban transistor Dalam rangkaian kolektor, sumber tegangan VCC membias reverse dioda kolektor melalui RC. Dengan hukum tegangan kirchoff VCE = VCC – ICRC. Dalam rangkaian yang diberikan, VCC dan RC adalah konstan, VCE dan IC adalah variabel. Ini adalah persamaan linier, serupa dengan y = mx + b Seperti dalam matematika, grafik persamaan linier selalu berupa garis lurus dengan kemiringan m dan perpotongan vertikal b.
  • 17. Perpotongan vertikal adalah pada VCC/RC. Perpotongan horizontal adalah pada VCC, dan kemiringannya adalah -1/RC. Garis ini disebut garis beban dc karena garis ini menyatakan semua titik operasi yang mungkin. Perpotongan dari garis beban dc dengan arus basis adalah titik operasi daripada transistor. 5. Daerah operasi transistor sebuah transistor memiliki empat daerah operasi transistor, yaitu : 1. Daerah aktif 2. Daerah cutoff 3. Daerah saturasi 4. Daerah breakdown
  • 18. 6. Daerah aktif Semua titik operasi antara titik sumbat dan penjenuhan adalah daerah aktif dari transistor. Dalam daerah aktif, dioda emiter dibias forward dan dioda kolektor dibias reverse. Perpotongan dari arus basis dan garis beban adalah titik stationer (quiescent) Q seperti dalam gambar. daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus IC konstan terhadap berapapun nilai Vce. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Spesifikasi ini menunjukkan termperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya Pdmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar.
  • 19. 7. Daerah cut off Titik sumbat (cut off) adalah titik dimana garis beban memotong kurva IB = 0, pada titik ini arus basis adalah nol dan arus kolektor kecil sehingga dapat diabaikan (hanya arus bocoran ICEO yang ada). Pada titik sumbat, dioda emiter kehilangan forward bias, dan keerja transistor yang normal terhenti. VCE(CUT OFF) = VCC. Daerah saturasi (jenuh) adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan knee (VK ). Kondisi jenuh adalah kondisi dimana pembawa mayoritas dari emiter, rekombinasi pembawa minoritas ke arus basis. Perpotongan dari garis beban dan kurva IB = IB (SAT) disebut penjenuhan (saturation). Pada titik ini arus basis sama dengan IB (SAT) dan arus kolektor adalah maksismum. Pada penjenuhan, dioda kolektor kehilangan reverse bias dan kerja transistor yang normal terhenti. IC = VCE/RC Dan arus basis yang tepat menimbulkan penjenuhan adalah IB (SAT) = IC (SAT)/βdc
  • 20. FUNGSI Fungsi Transistor sangat berpengaruh besar di dalam kinerja rangkaian elektronika. Karena di dalam sirkuit elektronik, komponen transistor berfungsi sebagai jangkar rangkaian. Transistor adalah komponen semi konduktor yang memiliki 3 kaki elektroda, yaitu Basis (B), Colector (C) dan Emitor (E). Dengan adanya 3 kaki elektroda tersebut, tegangan atau arus yang mengalir pada satu kaki akan mengatur arus yang lebih besar untuk melalui 2 terminal lainnya. Fungsi Transistor Lainnya : • Sebagai penguat amplifier. • Sebagai pemutus dan penyambung (switching). • Sebagai pengatur stabilitas tegangan. • Sebagai peratas arus. • Dapat menahan sebagian arus yang mengalir. • Menguatkan arus dalam rangkaian. • Sebagai pembangkit frekuensi rendah ataupun tinggi.