Transistor adalah alat semikonduktor yang digunakan untuk penguatan sinyal, penyambungan sirkuit, stabilisasi tegangan, dan modulasi sinyal. Terdapat dua jenis transistor dan karakteristiknya ditunjukkan oleh kurva hubungan antara arus dan tegangan. Kurva tersebut membagi daerah operasi transistor menjadi tiga yaitu daerah jenuh, aktif, dan putus.

1. Disusun oleh :
Nama Mahasiswa : Yafi Akhmad Farid
Nim/Prodi : 1410502052/Teknik Mesin
UNIVERSITAS TIDAR
2015:
Dosen : R. Suryoto Edi Raharjo, S.T.,M.Eng
KARAKTERISTIK TRANSISTOR

2. Halaman Sampul ...................................... 1
Daftar isi ...................................... 2
Pengertian Transistor ...................................... 3
Karakteristik Transistor ...................................... 4
Penutup ...................................... 5
DAFTAR ISI

3. Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai penguat, sebagai
sirkuit pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi
sinyal atau sebagai fungsi lainnya
Pengertian Transistor
Ada 2 type transistor :

4. Karakteristik transistor disajikan dengan kurva
karakteristik yang menggambarkan kerja transistor. Satu
cara untuk melihat sebanyak mungkin detail adalah dengan
grafik yang menggambarkan hubungan arus dan tegangan.
Karakteristik Transistor

5. Data kurva kolektor CE diperoleh dengan cara membangun rangkaian
seperti gambar 1 atau dengan menggunakan transistor curve tracer
(alat yang dapat menggambarkan kurva transistor). Ide dari kedua cara
tersebut adalah dengan mengubah catu tegangan VBB dan VCC agar
diperoleh tegangan dan arus transistor yang berbeda – beda.
Prosedurnya yaitu biasanya dengan men set harga IB dan menjaganya
tetap dan VCC diubah – ubah. Dengan mengukur IC dan VCE dapat
agar dapat memperoleh data untuk membuat grafik IC vs VCE.
Misalnya, anggap dalam gambar 1 IB = 10µA. Kemudian VCC diubah
dan ukur IC dan VCE. Selanjutnya kita akan dapat gambar 2. Pada
kurva IB = 10µA dibuat tetap selama semua pengukuran.
Kurva Kolektor
Ganbar 1

6. Pada gambar 2, jika VCE nol, dioda kolektor tidak terbias reverse, oleh
sebab itu arus kolektor sangatlah kecil. Untuk VCE antara 0 dan 1 V, arus
kolektor bertambah dengan cepat dan kemudian menjadi hampir konstan.
Ini sesuai dengan memberikan bias reverse dioda kolektor. Kira – kira
diperlukan 0,7 V untuk membias reverse dioda kolektor. Setelah level ini,
kolektor mengumpulkan semua elektron yang mencapai lapisan
pengosongan.
Di atas knee, harga yang eksak dari VCE tidaklah begitu penting karena
dengan membuat bukit kolektor lebih curam tidaklah dapat menambah
arus kolektor yang berarti. Sedikit pertambahan pada arus kolektor dengan
bertambahnya VCE disebabkan oleh lapisan pengosongan kolektor
menjadi lebih lebar dan menangkap beberapa elektron basis sebelum
mereka jatuh ke dalam hole.
Gambar 2

7. Dengan mengulangi pengukuran IC dan VCE untuk IB =
20µA, sehingga diperoleh gambar 3. Kurvanya hampir
sama, kecuali di atas knee, arus kolektor kira – kira sama
dengan 2 mA. Juga kenaikan VCE menghasilkan
pertambahan arus kolektor sedikit karena pelebaran lapisan
pengosongan menangkap tambahan elektron basis sedikit.
Gambar 3

8. kurva karakteristik basis merelasikan antara arus basis IB
dan tegangan basis-emiter VBE dengan tegangan kolektor-
emiter sebagai parameter seperti terlihat pada kurva
berikut.
Kurva base

9. Gambar Karakteristik Transistor
Kurva karakteristik kolektor merelasikan IC dan VCE dengan IB sebagai
parameter. Parameter-parameter transistor tidaklah konstan, meskipun
tipe sama namun parameter dapat berbeda. Kurva kolektor terbagi
menjadi tiga daerah yaitu jenuh, aktif dan cut- off.

10. Daerah jenuh (saturasi) adalah daerah dengan VCE kurang dari
tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi bila sambungan
emiter dan sambungan basis berprasikap maju. Pada daerah
jenuh arus kolektor tidak bergantung pada nilai IB. Tegangan
jenuh kolektor – emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah
0,2 volt sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 volt.
Daerah Jenuh

11. Daerah Aktif
Daerah aktif adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (break
down) VBR serta di atas IBICO. Daerah aktif terjadi bila sambungan
emiter diberi prasikap maju dan sambungan kolektor diberi prasikap
balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus balik.
Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada saat
aktif.

12. Daerah cut-off (putus) terletak dibawah IB = ICO.
Sambungan emiter dan sambungan kolektor berprasikap
balik. Pada daerah ini IE = 0 ; IC = ICO = IB.
Daerah cut-off (putus)

13. TERIMAKASIH