Dokumen tersebut membahas tentang memori komputer seperti ROM, RAM, EPROM, dan EEPROM. ROM adalah memori hanya bisa dibaca yang isinya permanen, sedangkan RAM adalah memori bisa dibaca dan ditulisi namun isinya sementara. EPROM adalah ROM yang dapat dihapus dan diprogram ulang, sedangkan EEPROM adalah memori yang dapat dihapus dan diprogram secara elektronik.

1. 1
Mikroprosesor
Bab 5: Memori
ROM
RAM
Memori

2. Memori
• Flip-flop: memori 1-bit
• Register: memori n-bit, satu lokasi
• Memori: penyimpan data n-bit, m-lokasi
Flip-flop Register
4-bit
0 1 0 1 2
1 1 1 0
0 0 0 1
Memori m x n
1
0
MSB LSB MSB LSB
m
n
Memori 2

3. Memori 3

4. ROM (Read Only Memory)
ROM Merupakan chip (IC=integrated
circuit) yang menyediakan fungsi
penyimpanan data yang bersifat “hanya
dapat dibaca saja, tidak dapat ditulisi”, dan
sifat penyimpanannya permanen (jika
catudayanya ditiadakan, isi ROM tetap
ada). Tipe memori ini sering disebut
sebagai memori yang tidak mudah berubah
(nonvolatile memory).
Memori 4

5. PROM (Programmable ROM)
PROM merupakan ROM yang isinya
diprogram oleh pabriknya. Jenisnya: ROM
Matriks Diode/Transistor BJT/FET
Memori 5

6. Sel PROM
Pemilih
Output
Data
+Vcc
Pemilih
Output
Data
+Vcc
Diputus
Menyimpan data “1” Menyimpan data “0”
Memori 6
Transistor

7. PROM
LOKASI/
ALAMAT
DATA DALAM BINER DATA DALAM
HEKSADESIMAL
D3 D2 D1 D0
0 1 1 0 0 C
1 1 0 1 0 A
2 0 1 0 0 4
3 0 1 0 1 5
7
Misal pabrik akan membuat ROM dengan ukuran 4X4-bit,
dengan data yang tersimpan di dalamnya seperti tabel ini:
Memori

8. PROM
DEKODER
0
1
2
3
+Vcc +Vcc
+Vcc +Vcc
X3 0
1
A0
A1
+Vcc
+Vcc
X2 X1
OE TRI-STATE SWITCH
CE
+Vcc
X0
Memori 8
D3 D2 D1 D0
Organisasi ROM

9. Simbol ROM 4x4-bit
Pin Alamat
Pin Kontrol
Pin Data
ROM
4x4-bit
D0
D1
D2
D3
A0
A1
1 CS
CS 2
Pin A0,A1 digunakan untuk memilih alamat
Pin Kontrol digunakan untukM emmoerinyediakan saluran output. 9

10. Simbol ROM 4x4-bit
Pin Alamat
Pin Kontrol
Pin Data
ROM
4x4 bit
D0
D1
D2
D3
A0
A1
OE
CE
OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW
CE=Chip enable jenis ACTIMVemEo-riLOW 10

11. Simbol ROM
ROM
4X8-bit
D0
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7 =
... ...
OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW
CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW
A0
A1
OE
CE
D4
D5
D6
D7
ROM
4 byte
D0
D1
D2
D3
A0
A1
OE
CE
ROM 4 byte
ROM
128 byte
D0
D1
D2
D3
A0
A1
OE
CE
D4
D5
D6
D7
A2
A3
A4
A5
A6
ROM
256 byte
D0
D1
D2
D3
A0
A1
OE
CE
D4
D5
D6
D7
A2
A3
A4
A5
A6
A7
ROM
1KB
D0
D1
D2
D3
A0
A1
OE
CE
D4
D5
D6
D7
A2
A9
...
...
ROM
4KB
D0
D1
D2
D3
A0
A1
OE
CE
D4
D5
D6
D7
A2
A11
ROM
16KB
D0
D1
D2
D3
A0
A1
OE
CE
D4
D5
D6
D7
A2
A13
...
...
ROM
64KB
D0
D1
D2
D3
A0
A1
OE
CE
D4
D5
D6
D7
A2
A15
...
...
Kapasitas naik 2 kali,
Memori pin alamat bertam1b1 ah 1

12. EPROM (Erasable PROM)
EPROM Adalah ROM yang
dapat dihapus dan
diprogram isinya oleh
pengguna. UV-EPROM
adalah ROM yang isinya
dapat dihapus dengan sinar
Ultra Violet. Untuk
memrogram ROM ini
digunakan EPROM
Programmer
Memori 12

13. Contoh IC EPROM
Memori 13

14. Pinout EPROM
Memori 14

15. Kapasitas EPROM
NO. SERI ARTI KAPASITAS JML. PIN
ALAMAT
2716 16=2K X 8-bit=2Kbyte 2Kbyte 11
2732 32=4K X 8-bit=4Kbyte 4Kbyte 12
2764 64=8K X 8-bit=8Kbyte 8Kbyte 13
27128 128=16K X 8-bit=16Kbyte 16Kbyte 14
27256 256=32K X 8-bit=32Kbyte 32Kbyte 15
27512 512=64K X 8-bit=64Kbyte 64Kbyte 16
Memori 15

16. Contoh EPROM Programmer
Memori 16

17. EPROM
Cara Menghapus EPROM:
Lepaskan EPROM dari sistem
Buka penutup jendela transparan
Sinari jendela transparan dengan sinar ultra violet
beberapa menit (kurang lebih 15 menit)
Cara Memrogram EPROM:
Hapus terlebih dahulu seluruh isinya dengan sinar
ultra violet
Pasang EPROM pada EPROM Programmer
Isilah EPROM dengan data menggunakan
EPROM ProgrammerMemori 17

18. EPROM
• Penghapusan UV-EPROM dilakukan dengan
menggunakan sinar ultra violet.
EPROM
Sinar Ultra Violet
beberapa menit, maka
data akan terhapus
Jendela Transparans
Pin atau terminal IC
EPROM
ERASER
Memori 18

19. EEPROM
• EEPROM (Electrically EPROM)  flash
ROM yang isinya dapat dihapus dan diprogram
secara elektris. Contoh: CMOS Setup pada PC.
Jika ingin mengubah konfigurasi PC, maka pada
saat booting tekan tombol Del sehingga muncul
informasi konfigurasi yang akan diubah.
Pengubahan konfigurasi, pada dasarnya adalah
memrogram CMOS/EEPROM secara elektris.
Memori 19

20. EEPROM
Cara memrogram EEPROM:
 EEPROM tetap terpasang pada sistem
 Lakukan penghapusan dan pengisian data
Kelebihan EEPROM dibandingkan dengan EPROM:
 Isinya dapat diprogram bagian per bagian, sedangkan pada EPROM
untuk memrogram harus menghapus seluruh isinya terlebih dahulu
sehingga tidak memungkinkan permograman bagian per bagian.
 Pengahupusan EEPROM lebih cepat dibandingkan EPROM, karena
dilakukan secara elektris. Waktu penghapusan pada EEPROM dalam
orde mili detik (ms) sedangkan pada EPROM pada orde menit.
 Pemrograman EEPROM dapat dilakukan tanpa melepaskannya dari
sistem, sedangkan untuk EPROM harus dilepaskan dari sistem.
Memori 20

21. Cara MP Membaca ROM
Misal di dalam ROM 8 byte berisi data sebagai berikut:
Alamat Isi (Dalam
Heksadesimal)
0 02
1 A1
2 B2
3 5C
4 00
5 45
6 FF
7 Memori E6 21

22. Sistem Interkoneksi Bus
Pada Mikrokomputer
MP ROM RAM
BUS ALAMAT
BUS DATA
BUS KONTROL
I/O Interface
Bus: Kumpulan konduktor, yang
membawa sinyal-sinyal: alamat, data, dan
kontrol.
Memori 22

23. Cara MP Membaca ROM
Mikroprosesor membaca alamat 5 dari ROM 8 byte:
ROM
8 byte
D0
D1
D2
D3
A0
A1
OE
CE
D4
D5
D6
D7
A2
1
01
0
0
Tahap I
Tahap II
1
0 0 0 1 0
1
0
Tahap III
1. Mikroprosesor mengirim sinyal
alamat 5 yakni A2A1A0=101
lewat bus alamat ke pin alamat
ROM (tahap I)
2. Mikroprosesor mengirim sinyal
CE = 0, dan OE = 0
kontrol
untuk mengaktifkan ROM
(Tahap II)
3. Data akan ditempatkan pada bus
data sehingga pada bus data
terdapat data 45 (tahap 3)
Memori 23

24. RAM (Random Access Memory)
RAM Merupakan chip yang
menyediakan fungsi penyimpanan data
yang bersifat “dapat dibaca dan
ditulisi”, dan sifat penyimpanannya
sementara (jika catudayanya
ditiadakan, isi RAM hilang)
Memori 24

25. Static RAM (SRAM)
Merupakan RAM yang sel-selnya
menggunakan flip-flop sehingga: (1)
datanya relatif stabil/statis sehingga tidak
diperlukan adanya rangkaian “refresh”, (2)
lebih cepat, (3) kepadatan komponen
rendah/kapasitas kecil, (4) mahal
Memori 25

26. Sel SRAM
SELECT
S
Q
R
INPUT
OUTPUT
RWS
READ/WRITE SELECT
SELECT
MC
INPUT
RWS
OUTPUT
MC: memory cell
SELECT (CS) RWS MODE
1 0 Write
1 1 Read
0 X INACTIVE
Memori 26

27. MC MC MC MC
MC MC MC MC
MC MC MC MC
MC MC MC MC
DEKODER
0
1
2
3
A 1
A 0
1
0
IO 3 IO 2 IO 1 IO 0
RWS
CS
Organisasi SRAM: Bentuk 1
27

28. Simbol RAM 4x4-bit: Bentuk 1
Pin Alamat
Pin Kontrol
Pin Data
RAM
4x4-bit
I/O 0
I/O 1
A0
A1
RWS
CS
I/O 2
I/O 3
RWS=Read/Write Select
CS=Chip Select, ACTIVE-HIGH 28

29. MC MC MC MC
MC MC MC MC
MC MC MC MC
MC MC MC MC
DEKODER
0
1
2
3
A 1
A 0
1
0
IO 3 IO 2 IO 1 IO 0
WE
OE
CE
Organisasi SRAM: Bentuk 2
29

30. Simbol RAM 4x4-bit: Bentuk 2
Pin Alamat
Pin Kontrol
Pin Data
RAM
4x4-bit
A0
A1
WE
OE
CE
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
WE=Write Enable
OE=Output enable jenis ACTIVE-LOW
CE=Chip enable jenis ACTIVE-LOW 30

31. Cara MP Membaca dan Menulisi RAM
Misal di dalam RAM 8 byte berisi data sebagai berikut:
Alamat Isi (Dalam
Heksadesimal)
0 13
1 FF
2 C4
3 6D
4 FF
5 57
6 FF
7 Memori FF 31

32. Cara MP Membaca RAM
Mikroprosesor membaca alamat 3 dari RAM 8 byte:
1. Mikroprosesor mengirim sinyal
alamat 3 yakni A2A1A0=011
lewat bus alamat ke pin alamat
RAM (tahap I)
2. Mikroprosesor mengirim sinyal
CE = 0, OE = 0, dan WE =1
kontrol
untuk mengaktifkan mode baca
RAM (Tahap II)
3. Data akan ditempatkan pada bus
data sehingga pada bus data
terdapat data 6D (tahap 3)
RAM
8 byte
D0
D1
D2
D3
A0
A1
OE
CE
D4
D5
D6
D7
A2
1
10
0
0
Tahap I
Tahap II
1
1 0 1 1 0
1
0
Tahap III
WE
1
Memori 32

33. Cara MP Menulisi RAM
Mikroprosesor menulisi alamat 4 dari RAM 8 byte dengan data A2:
1. Mikroprosesor mengirim sinyal
alamat 4 yakni A2A1A0=100
lewat bus alamat ke pin alamat
RAM (tahap I)
2. Mikroprosesor menempatkan
data A2 pada bus data (tahap II)
3. ikroprosesor mengirim sinyal
kontrol
untuk mengaktifkan mode tulis
RAM (Tahap III)
CE = 0, OE =1, dan WE = 0
RAM
8 byte
D0
D1
D2
D3
A0
A1
OE
CE
D4
D5
D6
D7
A2
0
01
1
0
Tahap I
Tahap III
0
1 0 0 0 1
0
1
Tahap II
WE
0
Memori 33

34. Contoh IC Static RAM Seri 6116
PIN NAMES
A0-A10 Address Inputs
I/O0-I/O7 Data Inputs/Outputs
/CE Active LOW Chip Enable
/OE Active LOW Output Enable
/WE Active LOW Write Enable
34
SRAM 2Kbyte

35. Dynamic RAM (DRAM)
Merupakan RAM yang sel-selnya
menggunakan kapasitor sehingga: (1)
datanya tidak stabil/dinamis sehingga
diperlukan rangkaian “refresh”, (2) lebih
lambat, (3) kepadatan komponen
tinggi/kapasitas besar, (4) lebih murah
Memori 35

36. Sel DRAM
Memori 36

37. Sel DRAM
C E L L A R R A Y
4 x 4
Memori 37

38. Organisasi DRAM
Column address
decoder Row address
Row address latch R/W
CELL ARRAY
4 x 4
Din
Memori 38
decoder
Column address
latch
A 2 A 3
A 0
A 1
CAS
RAS
A 0 /A 2
A 1 /A 3
CS
Dout
Input
buffer
Output
buffer

39. Operasi Read DRAM
• Alamat baris (A1A0) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat
• Pin RAS diaktifkan agar sinyal-sinyal alamat baris menempati input
dekoder alamat baris.
• Dekoder alamat baris memilih baris data yang diinginkan yang akan
dikirim ke buffer out
• Pin CS dan R/W diaktifkan pada mode read
• Alaman kolom (A3A2) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat
• Pin CAS diaktifkan untuk menempatkan sinyal alamat pada input
dekoder kolom. Pin ini selalu memberikan Output Enable, setiap
sinyal CAS diberikan
• Data akan ditempatkan pada .Dout
• RAS dan CAS dinonaktifkan untuk melaksanakan operasi berikutnya
Memori 39

40. Operasi Read DRAM
Memori 40

41. Operasi Write DRAM
• Data yang akan disimpan ditempatkan pada Din
• Alamat baris (A1A0) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat
• Pin RAS diaktifkan agar sinyal-sinyal alamat baris menempati input
dekoder alamat baris.
• Dekoder alamat baris memilih lokasi baris yang akan ditempati data
dari buffer in
• Pin CS dan R/W diaktifkan pada mode write
• Alaman kolom (A3A2) ditempatkan pada pin alamat lewat bus alamat
• Pin CAS diaktifkan untuk menempatkan sinyal alamat pada input
dekoder kolom.
• Data akan ditempatkan pada alamat pada array sesuai yang diinginkan
• RAS dan CAS dinonaktifkan untuk melaksanakan operasi berikutnya
Memori 41

42. Memori 42 DRAM 1M X 1

43. DRAM 64K X 1-bit
Memori 43

44. DRAM 64K X 8-bit
Memori 44

45. KONEKSI DRAM DATA n-bit
Memori 45