5. Power MOSFETのスパイスモデル
MOSFET LEVEL
LEVEL=1 Shichman-Hodges Model
LEVEL=2 形状に基づいた解析モデル
LEVEL=3 半経験則短チャネルモデル
LEVEL=4 BSIM Model
LEVEL=6 BSIM3 MODEL
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MOSFET LEVEL=3 半経験則短チャネルモデルの特徴
(1)2次元的な電位分布によるデバイスの長さ及び幅に対してスレッシュホルド電圧
が敏感に影響を受ける。
(2)ドレインが誘起するBarrier loweringによるドレイン電圧に対してのスレッシュ
ホルド電圧の考慮。
(3)リニア領域と飽和領域との間での緩やかな変化及びホットエレクトロンの速度
飽和によって若干減少する飽和電圧、飽和電流の考慮。
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6. Power MOSFETのスパイスモデル
MOSFET LEVEL=3 Dra in
RD
Cg b
Cg d Cb d
RG RB
RO S Idrai n
Ga te Bu l k
Cg s RS Cb s
So urce
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