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A Feedback Wideband LNA for UWB Applications
                     R. Pulido, H. García, J. del Pino, S. L. Khemchandani, A. Hernández
                                                                                       	

         Dto. de Ingeniería Electrónica y Automática (DIEA) & Instituto Universitario de Microelectrónica Aplicada (IUMA). Universidad de Las Palmas de Gran Canaria (Spain)



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                         XXII Design of Integrated Circuits and Systems
                                   Conference (Internacional),
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                                                                                Abstract
A fully-integrated feedback wide band amplifier is implemented in a standard SiGe low cost 0.35 µm process. The
circuit provides a gain from 13 to 7 dB in the band between 3.1 to 10.6 GHz. In the same band the noise figure varies
from 3.6 to 4.7 dB in band. Design guidelines for optimizing amplifier gain and noise figure are presented. Chip
dimensions are 0.580 × 0.636 mm and power dissipation is 19 mW, drawn from a 3.3V supply.



                          LNA Design                                                                      Measurements & Simulations




                       Schematic of a receiver for UWB.                                         a) S21 with different consumption. And b ) Feedback amplifier post-layout S21 and S12.




                                      0



                                                                                               a) Feedback amplifier post-layout Phase S21.b) Feedback amplifier post-layout S21 and S12.
                   Basic Distributed Amplifier schematic.




                                                                                                                    Post-layout, 1 dB compression point at 6 GHz.




                                                                                                                              Conclusions
                                                                                                In this paper we have reported the fundamental design aspects of
                                                                                                wideband low-noise feedback amplifiers with SiGe transistors and
                                                                                                on chip inductors. A description of the LNA configuration was
                                                                                                explained emphasizing the influence of the design parameters in
                                                                                                the circuit performance. The circuit was implemented in a standard
                                                                                                low cost 0.35 µm process and provides a worst case gain from 13
                                                                                                to 7 dB in the band between 3.1 to 10.6 GHz. The noise figure
                                                                                                ranges from 3.6 to 4.7 dB in the same band. The circuit only
     Wide band amplifier layout including pads for on chip measurements.                        requires 5.75 mA from a 3.3-V supply.


                                          INSTITUTO UNIVERSITARIO DE MICROELECTRÓNICA APLICADA (IUMA)
                                               UNIVERSIDAD DE LAS PALMAS DE GRAN CANARIA (ULPGC)

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  • 1. A Feedback Wideband LNA for UWB Applications R. Pulido, H. García, J. del Pino, S. L. Khemchandani, A. Hernández Dto. de Ingeniería Electrónica y Automática (DIEA) & Instituto Universitario de Microelectrónica Aplicada (IUMA). Universidad de Las Palmas de Gran Canaria (Spain) Publicated in XXII Design of Integrated Circuits and Systems Conference (Internacional), Sevilla, España, 2007 Abstract A fully-integrated feedback wide band amplifier is implemented in a standard SiGe low cost 0.35 µm process. The circuit provides a gain from 13 to 7 dB in the band between 3.1 to 10.6 GHz. In the same band the noise figure varies from 3.6 to 4.7 dB in band. Design guidelines for optimizing amplifier gain and noise figure are presented. Chip dimensions are 0.580 × 0.636 mm and power dissipation is 19 mW, drawn from a 3.3V supply. LNA Design Measurements & Simulations Schematic of a receiver for UWB. a) S21 with different consumption. And b ) Feedback amplifier post-layout S21 and S12. 0 a) Feedback amplifier post-layout Phase S21.b) Feedback amplifier post-layout S21 and S12. Basic Distributed Amplifier schematic. Post-layout, 1 dB compression point at 6 GHz. Conclusions In this paper we have reported the fundamental design aspects of wideband low-noise feedback amplifiers with SiGe transistors and on chip inductors. A description of the LNA configuration was explained emphasizing the influence of the design parameters in the circuit performance. The circuit was implemented in a standard low cost 0.35 µm process and provides a worst case gain from 13 to 7 dB in the band between 3.1 to 10.6 GHz. The noise figure ranges from 3.6 to 4.7 dB in the same band. The circuit only Wide band amplifier layout including pads for on chip measurements. requires 5.75 mA from a 3.3-V supply. INSTITUTO UNIVERSITARIO DE MICROELECTRÓNICA APLICADA (IUMA) UNIVERSIDAD DE LAS PALMAS DE GRAN CANARIA (ULPGC)