Pemicu transistor dan thyristor

1. Pemicu Transistor dan Thyristor
1. Ainur Rohmah (151910201004)
2. Umi Azizah (151910201011)
3. Violla (151910201067)

2. Mosfet
• Pada MOSFET terdapat tiga daerah operasi
yaitu daerah cut-off, linear dan saturasi. Pada
daerah cut-off, tegangan gerbang lebih kecil
dari tegangan ambang, sehingga tidak
terbentuk saluran, dan arus tidak dapat
mengalir (ID= 0)

6. IGBT (Insulated Gate Bipolar
Transistor )
• Insulated Gate Bipolar
Transistor atau IGBT ,
adalah sesuatu dari
persilangan antara
konvensional Bipolar
Junction Transistor , (BJT)
dan Field Effect Transistor
, (MOSFET) sehingga ideal
sebagai perangkat
semikonduktor switching.

7. Rangkaian Transistor IGBT

8. • Sebuah IGBT hanya memutar "ON" atau "OFF"
dengan mengaktifkan dan menonaktifkan
terminal Gerbangnya. Menerapkan sinyal
tegangan input positif di Gerbang dan Emitor
akan menjaga perangkat dalam keadaan "ON"
-nya, sementara membuat sinyal gerbang
input nol atau sedikit negatif akan
menyebabkannya mengubah "OFF" dengan
cara yang sama seperti transistor bipolar. atau
eMOSFET.

9. Karakteristik IGBT

10. GTO

13. GCT
• GCT (Gate Commutated Thyristor).
GCT atau IGCT (Integrated Gate Commutated Thyristor)
adalah pengembangan langsung dari GTO, yaitu
thyristor yang cara kerjanya sama saja dengan GTO,
namun mempunyai “delay-time” untuk on-condition
dan off-condition yang lebih lebar ketika gate-nya
mendapatkan impuls positif atau impuls negatif.
Dalam banyak penerapan, konon GCT lebih
meminimalisir kerugian “switching”.
GCT pun tidak satu model, pembuatannya disesuaikan
dengan keperluan dalam penerapannya. Telah ada tiga
GCT yang dibuat sesuai keperluan penggunaannya :
Symmetrical GCT, Asymmetrical GCT, dan Reverse
Conducting GCT.