Successfully reported this slideshow.
We use your LinkedIn profile and activity data to personalize ads and to show you more relevant ads. You can change your ad preferences anytime.

Power MOSFETのスパイスモデル

7,723 views

Published on

Power MOSFETのスパイスモデル

Published in: Technology, Business
  • Be the first to comment

  • Be the first to like this

Power MOSFETのスパイスモデル

  1. 1. Power MOSFETのスパイスモデル 1.パワーMOSFETのスパイスモデル 1.1 スタンダードモデル(パラメータモデル) 1.2 プロフェッショナルモデル (ミラー容量を考慮した等価回路モデル) 2011年4月21日(木曜日) 株式会社ビー・テクノロジー http://www.bee-tech.com/ horigome@bee-tech.com Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 1
  2. 2. Power MOSFETのスパイスモデルの推移MOSFET LEVEL=3(共通)ミラー効果がない(スタンダードモデル)ミラー効果がある(プロフェッショナルモデル) スタンダード プロフェッショナル モデル モデル (パラーメータ (等価回路モデル) モデル)ミラー効果が影響する電気的特性は、「ゲートチャージ特性」→「スイッチング特性」 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 2
  3. 3. Power MOSFETのスパイスモデルの推移デバイスモデリング教材をご活用下さい(12種類) スタンダード プロフェッショナル モデル モデル (パラーメータ (等価回路モデル) モデル) Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 3
  4. 4. Power MOSFETのスパイスモデルの種類 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 4
  5. 5. Power MOSFETのスパイスモデル MOSFET LEVEL LEVEL=1 Shichman-Hodges Model LEVEL=2 形状に基づいた解析モデル LEVEL=3 半経験則短チャネルモデル LEVEL=4 BSIM Model LEVEL=6 BSIM3 MODEL ・・・・・・・ ・・ MOSFET LEVEL=3 半経験則短チャネルモデルの特徴 (1)2次元的な電位分布によるデバイスの長さ及び幅に対してスレッシュホルド電圧 が敏感に影響を受ける。 (2)ドレインが誘起するBarrier loweringによるドレイン電圧に対してのスレッシュ ホルド電圧の考慮。 (3)リニア領域と飽和領域との間での緩やかな変化及びホットエレクトロンの速度 飽和によって若干減少する飽和電圧、飽和電流の考慮。 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 5
  6. 6. Power MOSFETのスパイスモデルMOSFET LEVEL=3 Dra in RD Cg b Cg d Cb d RG RB RO S Idrai n Ga te Bu l k Cg s RS Cb s So urce Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 6
  7. 7. Power MOSFETのスパイスモデルの種類の相違点 20V 18V MOSFET LEVEL=3 MODEL 16V Bee Technologies MODEL(Professional) 14V 12V 10V 8V 6V 4V 2V 0V 0 8n 16n 24n 32n 40n V(W1:2) V(W201:2) Time*1ms Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 7
  8. 8. ミラー容量補正回路の考え方 ← Io Fig.1の回路図でコンデンサCoにdV/dtなる 立ち上がりを持つ電圧を印加すると流れる 電流は、(1)式になります。 Co dv/dt dV Io  Co  ・・・・・・・・・・(1) 0 図1 dt Fig.1 ここで基準容量Crefを外部電圧VINで制御出来る電圧制御可変容量は、 (2)式になります。 C(VIN )  VIN  Cref ・・・・・・・・・・(2) Cref:固定値 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 8
  9. 9. ミラー容量補正回路の考え方(2)式を満足させる等価回路図(Fig.2)は下記になります。 C(VIN) Io 2 ← I1 I2 1 ← ← R2 1E6*V(2,3)*(V(1,0)-1) VIN R1 3 dv/dt Cref ABM/I Io  I1  I 2 図2 0 Fig.2 Io  I1  I 2 ・・・・・・・・・・(3) R2をI2に影響しない微少抵抗(1E-6)とし、IoをC(VIN)に流れる電流と考慮 すると(4)式で表現出来ます。 dV V (2,3) I 2  Cref    1E 6 V (2,3) ・・・・・・・・・・(4) dt R2 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 9
  10. 10. ミラー容量補正回路の考え方(2),(3),(4)式から dV dV I1  Io  I 2  C (VIN )   Cref  dt dt dV dV  VIN  Cref   Cref  dt dt dV  (VIN  1)  Cref   (VIN  1) 1E 6 V (2,3) dt  1E 6 V (2,3)   (1,0)  1 V ・・・・・・・・・・(5) R1はABM/Iなるアナログビヘイビアモデルを使用し、(5)式を満足すれば Io  I1  I 2  1E 6 V (2,3)   (1,0)  1 Cref  dV V dtR1は高抵抗(1E6)とする ・・・・・・・・・・(6) Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 10
  11. 11. ミラー容量補正回路の考え方C(VIN)は(2)式のように外部電圧VINによって制御出来ます。 C(VIN)>Cref の時、(5)式に従いI1は増加します C(VIN)=Cref の時、I1=0 C(VIN)<Cref の時、 (5)式に従いI1はマイナスになります V1 0Vdc N13732 V(N13732,N13744)*(V(N13807,0)-1)*1E6 R4 N13807 ABM/I 1u V2 V1 = 0 V2 = 100v N13744 TD = 0 VIN TR = 1us 10v R3 TF = 1us Cref PW = 5us 1MEG 1u PER = 10us 図3 0 Run to time: 1us Fig.3 Maximum step size: 10ns Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 11
  12. 12. ミラー容量補正回路の考え方電圧制御可変容量の等価回路を応用し、ミラー容量に適応させます。MOSFETのVdg-Cdg特性はFig.4のような特性を示します。 Co Co*(1+Vdg/Vj)^(-M) 図4 -Vdg 0 +Vdg Fig.4 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 12
  13. 13. ミラー容量補正回路の考え方Vdgが0からVdssの区間ではFig.4に示される式にVdg-C(Vdg)特性は依存し、Vdgがマイナスの区間では容量はCoで一定になります。 D Fig.5のように制御システムを考慮 すると、Vdgを検出するとETABLE 制御電圧 Vdgリミッタ 発生回路 容量可変回路 により、Vdgに0~Vdssのリミッタを かけます → → ETABLE EVALUE ABM/I Q1 G 図5 Fig.5 S Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 13
  14. 14. ミラー容量補正回路の考え方 M  Vdg  C (Vdg )  Co  1    ・・・・・・・・・・(7)  Vj   (7)式はVdgが0以下ではCoが一定となります。EVALUEにより、 (7)式によるC(Vdg)を、 M  Vdg  E (Vdg )  Co  1    Vj  ・・・・・・・・・・(8)   と考え、制御電圧発生回路の出力と考えます。この電圧により、容量可変回 路を制御すればABM/Iの電流はVdgにより、(8)式に従って変化するのでミ ラー容量を補正する事が可能になります。 Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 14
  15. 15. ミラー容量補正回路の考え方 D S - - + + R3 S2 10MEG DGD R1 CGD 10M S1 + + - - S M1 G M1:MOSFET LEVEL=3 MODEL S ミラー容量が表現出来るパワーMOSFETモデルの等価回路図 (Bee Technologies Model) プロフェッショナルモデル Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 15
  16. 16. Power MOSFETのスパイスモデル *$ *PART NUMBER: SPW11N60CFD *MANUFACTURER: Infineon Technologies *VDSS=650V, ID=11A *All Rights Reserved Copyright (c) Bee Technologies Inc. 2010 .SUBCKT SPW11N60CFD_Dsp 1 2 3 X_U1 1 2 3 M11N60CFD_P X_U2 3 1 D11N60CFD_sp .ENDS *$ .SUBCKT M11N60CFD_P D G S CGD 1 G 3300p R1 1 G 10MEG S1 1 D G D SMOD1 D1 2 D DGD R2 D 2 10MEG S2 2 G D G SMOD1 M1 D G S S M11N60CFD .MODEL SMOD1 VSWITCH( VON=0V VOFF=-10mV RON=1m ROFF=1E12) .MODEL DGD D( CJO=1.317E-9 M=5.777 VJ=0.3905 ) .MODEL M11N60CFD NMOS + LEVEL=3 + L=2.8900E-6 W=.82 KP=20.624E-6 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ ・・・・・・・・・(省略)・・・・・・・・・・ ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ + CBD=1.0000E-9 MJ=1.8680 + PB=.42 RG=0.1 RB=1.0000E-3 + GAMMA=0 KAPPA=0 + IS=1.0000E-15 N=5 RB=1 .ENDS *$ Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 16
  17. 17. 回路解析シミュレーション及びデバイスモデリングの情報提供デバイスモデリング研究所(http://beetech-icyk.blogspot.com/) Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 17
  18. 18. Bee Technologies Group 【本社】 本ドキュメントは予告なき変更をする場合がございます。 ご了承下さい。また、本文中に登場する製品及びサービス 株式会社ビー・テクノロジー の名称は全て関係各社または個人の各国における商標 〒105-0012 東京都港区芝大門二丁目2番7号 7セントラルビル4階 または登録商標です。本原稿に関するお問い合わせは、 代表電話: 03-5401-3851 当社にご連絡下さい。 設立日:2002年9月10日 資本金:8,830万円 【子会社】 お問合わせ先) Bee Technologies Corporation (アメリカ) Siam Bee Technologies Co.,Ltd. (タイランド) info@bee-tech.com Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2011 18

×