Dokumen tersebut membahas karakteristik statis transistor. Terdapat penjelasan tentang konfigurasi emitor ditangahkan dan basis ditangahkan serta cara mengukur besaran-besaran seperti arus masukan, arus keluaran, tegangan keluaran. Diuraikan pula hubungan antara koefisien penguatan alfa dan beta pada kedua konfigurasi tersebut.

1. BAB I
PENDAHULUAN
1.1 LatarBelakang
Bentukgrafisdarihubungan di antaraberbagaipeubah (variabel)
arusdantegangandari transistor dikenalsebagaikarakteristikstatis
transistor.Denganmenganggapsetiapduapeubahsebagaipeubahbebasdapatdigambarkanbe
rbagai family kurvakarakteristik.Namun, hanyadua set lengkungkarakteristik, yang
dikenalsebagaikarakteristikmasukandankarakteristikkeluaranuntukragamoperasi basis
umum (CB) danemitorumum (CE) sangatpentingdalampraktek.
Dalampercobaankarakteristik transistor ini,
diharapkandapatmempeajarigrafikdayalepasanmaksimumdarisuatu transistor,
membuatgrafikkarakteristik transistor, mempelajarigarisbebandarisuatupenguat
transistor dengankonfigurasiemitorditanahkandan basis
ditanahkansertamenghitungnilai dan .
1.2 Tujuan
1. Mempelajarigrafikdayalesapanmaksimumdarisuatu transistor
2. Membuatkurvakarakteristik transistor
3. Mempelajarigarisbebandarisuatuaruspenguat transistor
dengankonfigurasiemiterditanahkandan basis ditanahkan.
4. Menghitungharga α dan β.

2. BAB II
DASAR TEORI
Produsenkomponen-komponenelektronikamemproduksi transistor
dalamduajenis, yaitujenispnpdannpn. Kode yang digunakanuntukmembedakankeduajenis
transistor tersebutberbedaantarasatuprodusendengan yang lainnya.Dalambukukatalog
transistor dapatdilihatspesifikasi detail darisuatu transistor, misalnya max, max,
max, suhu maksimal yang diperbolehkan.
Sebagaicontoh, transistor jenis AC 127 adalahjenisnpn max = 12V , max =
500 mA, max = 340 mW, 100, dansuhumaksimal = 70 oC.Sedangkanjenis 2 SB
56 (Jepang) adalah transistor pnpdengan max = 30V, max =12V , max = 30V,
max = 150mA, max = 150 mW , 80 (sering disebut β), clan suhumaksimal =
75oC. Untukmenggunakanataumengoperasikan transistor,
harusdiperhatikanhargamaximal rating yang disebutkan di atas agar transistor
tidakrusak(break down).
Gambar 1Susunandansimbol transistor
Dalampenggunaan transistor, dikenaltigakonfigurasirangkaian, yaitu basis
ditanahkan, emitorditanahkandankolektorditanahkan, denganmasing-
masingkelebihandankekurangannya.Polaritassumbertegangan yang diberikanpada
transistor pnpberbedadengan transistor npn.
Misalkansuatu transistor npndengankonfigurasiemitorditanahkan. (Gambar 2a).

3.  Resistor dan membentukrangkaianpembagitegangan yang membuattegangan di
titik P mempunyaihargatertentu.
 Arus (dapat dilihat amperemeter ) akan mengalir dari emitor ke titik P, sedang
harga dipilih agar tidak melebihi maximal rating yang diperbolehkan bagi
transistor tersebut.
 Aruskolektor (dapat dilihat pada amperemeter )
akanmengalirdariemitormenujukolektordanteruske .
 HargaRcharusdiambilsehingga tidak melebihi maximal rating untuk .
Tetapi harga tidak hanya ditentukan oleh saja, jugaditentukanolehharga =
=β . Jadi untuk = 0,1 mA dan =100 , maka .
 Rumusumum yang seringdigunakanuntukmenentukantegangankeluaran adalah
: . adalahteganganantarakolektor-emitor (dapatdilihatpada
voltmeter ).
 bergantung pada , sedangkan ditentukan oleh .Sehinggaharga dapatdiubah-
ubahdenganmengubahharga (potensiometer)
Gambar2 (a) Rangkaian transistor emitorditanahkan.
(b) Lengkungciristatikkeluaran transistor emitorditanahkan.
Dari grafiklengkungciristatikkeluarandiperoleh :
 Untuknilai tertentu akan diperoleh nilai tertentu pula.
Jadinilai dan dapatdiperolehdarinilai dan .

4. Suatu transistor jikabelumdiberikansuatuisyaratmasukan, makaarus dan
adalah arus searah, dimana keadaan ini disebut keadaan q ataukeadaantenang.
Misalkannilai ditentukansebesar 12 V, sebesar 2 KΩ.
 Jikanilai = 0 maka nilai = =0
 Dari persamaan , jika = 0 maka = ,danjika = 0
maka = 12V /2 KΩ = 6 mA. Garis yang
menghubungkankeduatitiktersebutpadapadalengkungcirikeluaranstatik (Gambar 1.2b)
disebutgarisbeban.
 Agar arusdanisyaratkeluarantanpaisyaratmasukaninisimetrikdantanpacacat, makatitikq
dipilihditengah-tengahgarisbeban (Gambar 1.3), sehingga
= (q) dan = (q) .
 Harga (q)dan (q) jikadikalikanakandiperolehdayalesapanpada transistor.
Dayalesapaniniharuslebihkecildaridayalesapanmaksimum yang dapatditerimaoleh
transistor.
 ,dengan = (q).Untuk transistor 2 SB 56 ditentukan =
80dan dipilihkira-kira 25 μA, maka = (q) = = 2000 = 2mA dan
= (q) = = 12V - (2mA x 2KΩ) = 8V
Gambar3 Lengkungciristatikkeluaranbesertagaribebandantitikq.
 Padakeadaan dan dikatakan transistor dalam keadaan jenuh, sedang pada
keadaan dan dikatakan transistor dalamkeadaanterputus (cut off).
 Nisbaharuskeluaran danarusmasukan ataupenguatanarusuntukkonfigurasi transistor
emitorditanahkandisebut = β. Sedangkanuntukpenguatanaruspadakonfigurasi
transistor basis ditanahkandisebut = α.
Hubunganantarakeduabesarantersebutadalahβ = α / (1 - α).

5. BAB III
METODOLOGI
3.1 Waktudantempat
Praktikumpercobaankarakteristikdilaksanakanpada :
Hari / tanggal : Rabu, 27 April 2011
Pukul : 14.00 WITA – Selesai
Tempat : LaboratoriumElektronikadanIstrumentasiJurusanFisika FMIPA
UNTAD.
3.2 AlatdanBahan
1. Transistor tipepnp (2 SB 56) dan transistor tipenpn(AC 127)
2. Ampermeter
3. Volmeter
4. Resistor 1 K , 270 , 470 dan 680 .
5. Resistor varibel 20 K.
6. Kabelpenghubung
7. Catudaya
3.3 ProsedurKerja
3.3.1 Konfigurasi transistor emitorditanahkan
1. Membuatrangkaiansepertigambar di bawahini(Gambar4). = 20
KΩ, = 1KΩ dan 270 Ω.
2. Mengukurbesaran-besaransepertidalamtabel di bawahini.
Untukmemperoleh dengan cara memutar-mutar .
Gambar4 Konfigurasiemitorditanahkan.

6. Tabel 1.1 Data HasilPengukuranPercobaan A
= 1KΩ = 270 Ω
( ) ∆ ∆ ∆
40
50
75
100
125
150
3. Mengganti transistor denganjenisnpnAC127,mengulangiprosedur 1
dan2. 3. Memperhatikan, polaritassumberteganganharusdibalik.
3.3.2 Konfigurasi transistor basis ditanahkan
1. Membuatuatrangkaiansepertigambar di bawahini (Gambar5). = 10
KΩ, = 470Ωdan680Ω.
Gambar5Konfigurasi Basis Ditanahkan
2. Mengukurbesaran-besaransepertitabel di bawahini.

7. Tabel 1.2 Data HasilPengukuranPercobaan B
= 470 Ω = 680 Ω
( ) ∆ ∆ ∆
40
50
75
100
125
150

8. BAB IV
HASIL DAN PEMBAHASAN
4.1 HasilPengamatan
4.1.1 Transistor Emitorditanahkan
 Transistor NPN
= 1KΩ = 270 Ω
( ) ∆ ∆ ∆
0,436 0 11,66 0 8,6 42,8 0 22
0,509 0,073 11,67 0,01 9,8 42,9 0,1 23
0,603 0,094 11,67 0 11,5 42,9 0 25
0,704 0,099 11,68 0,01 13,6 42,9 0 26,6
0,804 0,1 11,68 0 16,5 42,9 0 28,7
0,907 0,105 11,68 0 17,8 42,9 0 29,5
 Transistor PNP
= 1KΩ = 270 Ω
( ) ∆ ∆ ∆
0,275 0 2,96 0 15,37 4,07 0 18,22
0,302 0,027 3,02 0,06 16,34 5,12 1,05 19,88
0,413 0,111 4,26 1,24 17,02 6,34 1,22 20,36
0,580 0,167 5,39 1,13 18,81 7,53 1,19 21,38
0,603 0,023 6,48 1,09 19,47 8,84 1,31 22,38
0,712 0,109 7,31 0,83 20,59 9,69 0,85 23,42

9. 4.1.2 Transistor Basis ditanahkan
= 470 Ω = 680 Ω
( ) ∆ (mA) ∆ ∆
11 0 21,71 0 54,2 14,96 0 74,5
15,1 4,1 21,70 -0,01 58,2 14,95 -0,01 77,6
20,1 5 21,70 0 62,3 14,95 0 80,5
25,0 4,9 21,69 -0,01 65,2 14,94 -0,01 83,1
30,2 5,2 21,69 0 67,2 14,93 -0,01 84,7
35,0 4,8 21,68 -0,01 59,2 14,92 -0,01 85,6
4.2 Analisa Data
 Emitorditanahkan
β=
Transistor NPN
RC = 1 kΩ
β1 = = 0
β2 = = 2.22
β3 = = 11.17
β4 = = 6.67
β5 = = 47.4
β6 = = 7.61
RC = 270 Ω
β1 = = 0
β2 = = 0.012
β3 = = 11
β4 = = 7.125
β5 = = 57
β6 = = 7,8

10.  Basis ditanahkan
α=
 RC = 680 Ω
α1 = =1
α2 = =1
α3 = = 0.96
α4 = =1
α5 = =1
α6 = =1
RC = 470 Ω
α1 = = 0,99
α2 = = 1,1
α3 = = 0.96
α4 = =1
α5 = =1
α6 = =1
 Hubunganantarakeduabesaran dan
β=

11. RC = 1 kΩ
β= =∞
β= =∞
β= = 24
β= =∞
β= =∞
β= =∞
RC = 264 Ω
β= = 99
β= = - 1,1
β= = 24
β= =∞
β= =∞
β= =∞
4.3 Pembahasan