2sc1172
•
0 likes•27 views
This document provides specifications for the 2SC1172 planar silicon transistor, intended for use in color TV horizontal output applications without a damper diode. Key specifications include a high collector-base voltage rating of 1500V and high-speed switching capability. The document lists absolute maximum ratings and typical electrical characteristics, such as a collector cutoff current of 1.0mA, DC current gain of 100, and collector-emitter saturation voltage of 1.0V at 4A of collector current. It also provides contact information for the manufacturer.
Report
Share
Report
Share
Download to read offline
Recommended
Original Transistor NPN TIP35C TIP35 TO-247 25A 100V New ST
This document provides specifications for a TIP35C NPN planar silicon transistor that can be used for audio power amplification and DC to DC conversion. It lists the transistor's maximum ratings including collector-base voltage, collector-emitter voltage, and collector current. The document also provides its typical electrical characteristics such as collector-base breakdown voltage, collector-emitter breakdown voltage, DC current gain, and collector-emitter saturation voltage.
Original NPN Transistor 2SC4236 4236 6A 800V TO-247 New Shindengen
This document provides specifications for the SHINDENGEN 2SC4236 transistor, including:
1) Absolute maximum ratings such as a junction temperature of 150°C, collector current of 6A, and total transistor dissipation of 100W at 25°C.
2) Electrical characteristics at 25°C, such as a minimum DC current gain of 8 and maximum collector-emitter saturation voltage of 1V at 3A collector current.
3) Graphs showing characteristics like DC current gain, saturation voltage, and switching times over varying conditions like collector current, temperature, and voltages.
D882 npn
This document provides specifications for an NPN transistor. It lists maximum ratings such as collector-base voltage of 40V and collector current of 3A. It also gives electrical characteristics including a collector-emitter breakdown voltage of 30V, DC current gain of 60-400, and transition frequency of 50MHz. Finally, it shows the transistor packaging is a TO-126 case and classifies the DC current gain range.
Original NPN Transistor LBC817 BC817 6C SMD Code 500mA 45V SOT23
This document provides specifications for general purpose transistors. It lists maximum ratings including collector-emitter and collector-base voltages. It also gives thermal characteristics such as total device dissipation and thermal resistance. Electrical characteristics are provided including DC current gain, collector-emitter saturation voltage, and current-gain bandwidth product. Finally, the document includes device marking, ordering information, and pinout/package diagrams.
Original Transistor PNP 2SA1145 A1145 TO 92 New TOSHIBA
This document provides specifications for a PNP bipolar junction transistor. It lists maximum ratings including collector-base voltage of -150V and junction temperature of 150°C. Electrical characteristics are given like collector-emitter breakdown voltage of -150V minimum, DC current gain of 80-240, and transition frequency of 200MHz typical. The transistor has a small collector output capacitance of 2.5pF and is packaged in a TO-92MOD case.
Original NPN Transistor 2SC4237 C4237 10A 1200V TO-247 New
The document summarizes the specifications of the SavantIC Semiconductor 2SC4237 silicon NPN power transistor. It includes:
1) Key features such as a TO-247 package and use as a switching power transistor with a high breakdown voltage.
2) Pin descriptions and absolute maximum ratings for voltage, current, power dissipation and temperature.
3) Thermal characteristics and typical electrical characteristics including current gain, switching times and cutoff currents.
4) A diagram of the package outline and pin dimensions.
Original NPN Transistor ZTX651 651 TO-92 New
This document describes two NPN silicon planar medium power transistors, the ZTX650 and ZTX651. The key specifications and features include:
- Maximum voltage ratings of 60V for the ZTX650 and 80V for the ZTX651
- Continuous current rating of 2 amps for both models
- Maximum power dissipation of 1 watt at 25°C ambient temperature, derating to zero power at 100°C for both models
- Electrical characteristics such as saturation voltages, switching times, and thermal resistance are provided for each model.
Original NPN Transistor 2SC3199 C3199 3199 TO-92 New Secos
This document provides specifications for the 2SC3199 NPN plastic-encapsulated transistor. It can handle currents up to 0.15 amps and voltages up to 50 volts. The transistor has a high current capability and gain, and is packaged small. It is suitable for applications such as audio amplifiers and AM amplifiers. Electrical characteristics including breakdown voltages, current gains, saturation voltages and frequencies are provided. Physical dimension specifications and characteristic curves are also included.
Recommended
Original Transistor NPN TIP35C TIP35 TO-247 25A 100V New ST
This document provides specifications for a TIP35C NPN planar silicon transistor that can be used for audio power amplification and DC to DC conversion. It lists the transistor's maximum ratings including collector-base voltage, collector-emitter voltage, and collector current. The document also provides its typical electrical characteristics such as collector-base breakdown voltage, collector-emitter breakdown voltage, DC current gain, and collector-emitter saturation voltage.
Original NPN Transistor 2SC4236 4236 6A 800V TO-247 New Shindengen
This document provides specifications for the SHINDENGEN 2SC4236 transistor, including:
1) Absolute maximum ratings such as a junction temperature of 150°C, collector current of 6A, and total transistor dissipation of 100W at 25°C.
2) Electrical characteristics at 25°C, such as a minimum DC current gain of 8 and maximum collector-emitter saturation voltage of 1V at 3A collector current.
3) Graphs showing characteristics like DC current gain, saturation voltage, and switching times over varying conditions like collector current, temperature, and voltages.
D882 npn
This document provides specifications for an NPN transistor. It lists maximum ratings such as collector-base voltage of 40V and collector current of 3A. It also gives electrical characteristics including a collector-emitter breakdown voltage of 30V, DC current gain of 60-400, and transition frequency of 50MHz. Finally, it shows the transistor packaging is a TO-126 case and classifies the DC current gain range.
Original NPN Transistor LBC817 BC817 6C SMD Code 500mA 45V SOT23
This document provides specifications for general purpose transistors. It lists maximum ratings including collector-emitter and collector-base voltages. It also gives thermal characteristics such as total device dissipation and thermal resistance. Electrical characteristics are provided including DC current gain, collector-emitter saturation voltage, and current-gain bandwidth product. Finally, the document includes device marking, ordering information, and pinout/package diagrams.
Original Transistor PNP 2SA1145 A1145 TO 92 New TOSHIBA
This document provides specifications for a PNP bipolar junction transistor. It lists maximum ratings including collector-base voltage of -150V and junction temperature of 150°C. Electrical characteristics are given like collector-emitter breakdown voltage of -150V minimum, DC current gain of 80-240, and transition frequency of 200MHz typical. The transistor has a small collector output capacitance of 2.5pF and is packaged in a TO-92MOD case.
Original NPN Transistor 2SC4237 C4237 10A 1200V TO-247 New
The document summarizes the specifications of the SavantIC Semiconductor 2SC4237 silicon NPN power transistor. It includes:
1) Key features such as a TO-247 package and use as a switching power transistor with a high breakdown voltage.
2) Pin descriptions and absolute maximum ratings for voltage, current, power dissipation and temperature.
3) Thermal characteristics and typical electrical characteristics including current gain, switching times and cutoff currents.
4) A diagram of the package outline and pin dimensions.
Original NPN Transistor ZTX651 651 TO-92 New
This document describes two NPN silicon planar medium power transistors, the ZTX650 and ZTX651. The key specifications and features include:
- Maximum voltage ratings of 60V for the ZTX650 and 80V for the ZTX651
- Continuous current rating of 2 amps for both models
- Maximum power dissipation of 1 watt at 25°C ambient temperature, derating to zero power at 100°C for both models
- Electrical characteristics such as saturation voltages, switching times, and thermal resistance are provided for each model.
Original NPN Transistor 2SC3199 C3199 3199 TO-92 New Secos
This document provides specifications for the 2SC3199 NPN plastic-encapsulated transistor. It can handle currents up to 0.15 amps and voltages up to 50 volts. The transistor has a high current capability and gain, and is packaged small. It is suitable for applications such as audio amplifiers and AM amplifiers. Electrical characteristics including breakdown voltages, current gains, saturation voltages and frequencies are provided. Physical dimension specifications and characteristic curves are also included.
High speed switches
The 2N2219A and 2N2222A are high-speed NPN transistors designed for switching applications up to 500mA of collector current. They feature useful current gain over a wide range of currents, low leakage, and low saturation voltage. The datasheet provides maximum ratings, electrical characteristics like gain and switching times, and mechanical specifications for the TO-39 and TO-18 packages. Sample applications and test circuits are shown to characterize switching performance.
Original Transistor PNP KTA1266-Y A1266 1266 TO-92 New
This document provides specifications for the KTA1266 PNP plastic encapsulated transistor. It includes:
- Electrical ratings such as collector-base voltage of -50V and collector current of -150mA.
- Electrical characteristics including DC current gain ranges from 70-400, collector-emitter saturation voltage below -0.3V, and transition frequency above 80MHz.
- Packaging information noting the transistor uses a TO-92 package.
Zoom t
This document discusses operational amplifiers and their ideal characteristics such as infinite bandwidth, zero output resistance, zero input offset voltage, and infinite gain. It also describes the inverting and non-inverting amplifier configurations, providing the circuit diagrams and analyzing the gain equations. Specifically, it states that the inverting configuration has a gain of -R2/R1, while the non-inverting configuration has a gain of 1 + R2/R1. These concepts are demonstrated through Multisim simulations of the inverting and non-inverting amplifiers.
Original Transistor PNP A1266 2SA1266 TO 92 New
The document summarizes the specifications and characteristics of the ST 2SA1266 PNP silicon epitaxial planar transistor. The transistor is classified into three groups - O, Y, and G - according to its DC current gain and can be manufactured in different pin configurations upon special request. Key specifications include an absolute maximum collector current of 150mA, DC current gain ranges from 70-400 depending on the group, and characteristics such as a collector-emitter saturation voltage below 0.3V and transition frequency above 80MHz. The transistor comes in a TO-92 plastic package.
Lf353
The document provides specifications for the LF153, LF253, and LF353 dual operational amplifiers. Key details include:
- They feature high slew rates, low input bias/offset currents and offset voltage temperature drift.
- The amplifiers incorporate well-matched high-voltage JFET and bipolar transistors in a monolithic integrated circuit.
- They are offered in plastic DIP-8 and SOIC-8 packages with operating temperature ranges of 0-70°C, -40-105°C, and -55-125°C depending on the part number.
- Electrical characteristics include high input impedance, low power consumption, wide common mode and differential voltage range, and output
Original Transistor NPN BD139 1.5A 80V TO-126 New
1. The document provides specifications for the BD135, BD137, and BD139 silicon NPN epitaxial transistors which are designed for medium power amplifier applications and complementary use with other transistors.
2. The maximum ratings table lists voltage, current, power, and temperature limits for the transistors, such as collector-base voltage up to 45V for the BD135.
3. Electrical characteristic graphs and tables show parameters like DC current gain, collector-emitter saturation voltage, and transition frequency, demonstrating the transistors' electrical performance.
Original Transistor NPN 2SD669AL D669ACLD669 120V 1.5A TO-126 New JIANGSU CHA...
This document provides specifications for a 2SD669AL NPN transistor. It lists maximum ratings for electrical characteristics like breakdown voltages and cut-off currents. It also provides typical values for parameters such as DC current gain, saturation voltages, and output capacitance at different operating conditions. Curves in the bottom section show characteristics like collector current and saturation voltages as functions of temperature and collector-emitter voltage.
2 sb688
This datasheet provides specifications for the 2SB688 PNP planar silicon transistor. It can handle high current and dissipate high power, making it suitable for audio power amplifiers and DC to DC converters. Its maximum ratings include a collector current of 8A, collector dissipation of 80W, and junction temperature of 150°C. Its electrical characteristics include a DC current gain of 55-160 and collector-emitter saturation voltage of less than 1.5V at -5V and -3A collector current.
Original Mosfet AP09N70I 09N70I 09N701 TO-220 New
Original Mosfet AP09N70I 09N70I 09N701 TO-220 New
https://authelectronic.com/original-mosfet-ap09n70i-09n70i-09n701-to-220-new
Original N-CHANNEL IGBT IRGS4B60KD1TRRP GS4B60KD1 600V 7.6A TO-263-3 New IR
This document provides specifications for an insulated gate bipolar transistor (IGBT) with an ultrafast soft recovery diode. Some key specifications and features include:
- The IGBT has a maximum collector-emitter voltage of 600V, continuous collector current rating of 7.6A at 100°C junction temperature, and turn-on voltage of typically 2.1V.
- It has a square reverse bias safe operating area and maximum junction temperature of 175°C.
- The ultrafast soft recovery diode has a reverse recovery time of typically 93ns and peak reverse recovery current of 6.3-7.9A.
- Electrical characteristics, switching characteristics, and safe operating area curves are provided over temperature
Original Transistor 17N80C3 17N80 SPP17N80C3 SPA17N80C3 800V 17A TO-220F New
This document provides specifications for the SPP17N80C3 CoolMOS Power Transistor. It is an 800V transistor designed for industrial applications with high DC voltages and switching applications. Key features include a new high voltage technology, high peak current capability, low gate charge, and low effective capacitances. Tables provide maximum ratings and thermal, electrical, and dynamic characteristics. Characteristic curves illustrate properties such as output, gate charge, forward diode characteristics, and capacitances over relevant conditions.
73T02GH / AP73T02GH Datasheet PDF
This document provides specifications for an Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. It has a low on-resistance of 9mΩ, simple drive requirements, and fast switching characteristics with a continuous drain current of 57A. The MOSFET is RoHS compliant, halogen-free, and has a maximum drain-source voltage of 25V. It comes in the TO-252 surface mount package.
MUSES8820 Simulation Result(min max)
The document provides specifications for the MUSES8820 operational amplifier including:
- An operating supply voltage range of ±3.5V to ±16V.
- Output voltage swing, output current, input offset voltage, input bias current, and slew rate values across the supply voltage range.
- Open loop gain, common mode rejection ratio, power supply rejection ratio, input voltage range, and gain bandwidth product specifications.
7818
This document provides specifications for the L7800 series of positive voltage regulators, including:
- The regulators come in TO-220, TO-220FP, TO-3 and D2 PAK packages with fixed output voltages from 5V to 24V.
- They provide current limiting, thermal shutdown and safe area protection, and can deliver over 1A of output current with adequate heat sinking.
- Electrical characteristic data is provided for various models showing parameters like output voltage, line and load regulation, noise, etc. under different test conditions.
- Absolute maximum ratings and connection diagrams are also included.
St microelectronics l7815-cv-datasheet
The document provides specifications for the L7800 series of positive voltage regulators, including:
- Output voltages ranging from 5V to 24V with output current up to 1.5A
- Features such as thermal overload protection, short circuit protection, and output transition safe operating area protection
- Package options including TO-220, TO-220FP, TO-3, and D2PAK
- Electrical characteristics like line and load regulation, output voltage range, quiescent current, and short circuit current are provided for each fixed output voltage variant.
Electronica i prelaboratorio 3
This document contains technical specifications for 3 bipolar junction transistors:
1) The Motorola BC546 transistor has a maximum collector-emitter voltage of 65V and beta range not specified.
2) The Motorola BC547 transistor has a maximum collector-emitter voltage of 45V and beta range not specified.
3) The Motorola BC548 transistor has a maximum collector-emitter voltage of 30V and beta range not specified.
Original IGBT IRGP4068DPBF GP4068D 4068 600V 96A 330W TO-247 New Infineon
This document provides specifications for an insulated gate bipolar transistor (IGBT) with an ultra-low voltage drop diode for induction heating and soft switching applications. The IGBT has a maximum collector-emitter voltage of 600V, continuous collector current of 48A at 100°C junction temperature, and features low switching losses, high efficiency, and robust performance under transient conditions. The integrated ultra-low voltage drop diode provides tight parameter distribution and low forward voltage for increased efficiency.
Igbt 2 mbi600nt for boot
This document provides information on an IGBT module from the N series, including:
1) Its key features such as low saturation voltage, improved forward characteristics, and overcurrent limiting function.
2) Its applications in areas like motor controls and uninterruptible power supplies.
3) Its maximum ratings and electrical characteristics like collector-emitter saturation voltage and reverse recovery time.
4) A diagram of its equivalent circuit.
Original Transistor 2SC2026-Y KTC2026 C2026 3A 60V TO-220 New KEC
This document provides technical specifications for the KTC2026 epitaxial planar NPN transistor. It includes:
- Maximum ratings for voltage, current, power and temperature.
- Electrical characteristics like gain, saturation voltage, cutoff current.
- Graphs of current vs voltage and power dissipation vs temperature under different conditions.
- Safe operating area curves showing maximum pulsed and continuous collector current limits.
Original IGBT FGP20N60 20N60 FGP20N60UFD 20A 600V TO-220 New
This document provides specifications and performance characteristics for the FGP20N60UFD 600V, 20A Field Stop IGBT from Fairchild Semiconductor. The IGBT has a maximum collector-emitter voltage of 600V, continuous collector current rating of 20A, and pulsed collector current rating of 60A. Key specifications and characteristics include maximum ratings, thermal characteristics, electrical characteristics of the IGBT and diode, switching characteristics, and typical performance curves. The document also provides mechanical dimensions and packaging information for the TO-220 packaged device.
Original NPN Transistor STC403D STC403 403 TO-252 New AUK
This document provides specifications for an NPN silicon transistor called the STC403. It is intended for general purpose applications with features including low saturation voltage of 0.4V typical and high voltage rating of 60V minimum. The document provides information on ordering, pin connections, maximum ratings, electrical characteristics, and sample characteristic curves. It specifies parameters such as collector-emitter breakdown voltage, current gain, on/off voltages and times.
LEC20G604 (6).pdf
The document provides specifications and characteristics for the LEC20G604 600V 20A IGBT module from LSIS. The module contains trench field stop IGBTs, free wheeling diodes, and an NTC temperature sensor. It has applications in three phase motor drives. The document includes maximum ratings, electrical characteristics, equivalent circuits, pin descriptions, and graphs of characteristics like forward voltage, switching times and losses for the IGBTs and diodes.
More Related Content
What's hot
High speed switches
The 2N2219A and 2N2222A are high-speed NPN transistors designed for switching applications up to 500mA of collector current. They feature useful current gain over a wide range of currents, low leakage, and low saturation voltage. The datasheet provides maximum ratings, electrical characteristics like gain and switching times, and mechanical specifications for the TO-39 and TO-18 packages. Sample applications and test circuits are shown to characterize switching performance.
Original Transistor PNP KTA1266-Y A1266 1266 TO-92 New
This document provides specifications for the KTA1266 PNP plastic encapsulated transistor. It includes:
- Electrical ratings such as collector-base voltage of -50V and collector current of -150mA.
- Electrical characteristics including DC current gain ranges from 70-400, collector-emitter saturation voltage below -0.3V, and transition frequency above 80MHz.
- Packaging information noting the transistor uses a TO-92 package.
Zoom t
This document discusses operational amplifiers and their ideal characteristics such as infinite bandwidth, zero output resistance, zero input offset voltage, and infinite gain. It also describes the inverting and non-inverting amplifier configurations, providing the circuit diagrams and analyzing the gain equations. Specifically, it states that the inverting configuration has a gain of -R2/R1, while the non-inverting configuration has a gain of 1 + R2/R1. These concepts are demonstrated through Multisim simulations of the inverting and non-inverting amplifiers.
Original Transistor PNP A1266 2SA1266 TO 92 New
The document summarizes the specifications and characteristics of the ST 2SA1266 PNP silicon epitaxial planar transistor. The transistor is classified into three groups - O, Y, and G - according to its DC current gain and can be manufactured in different pin configurations upon special request. Key specifications include an absolute maximum collector current of 150mA, DC current gain ranges from 70-400 depending on the group, and characteristics such as a collector-emitter saturation voltage below 0.3V and transition frequency above 80MHz. The transistor comes in a TO-92 plastic package.
Lf353
The document provides specifications for the LF153, LF253, and LF353 dual operational amplifiers. Key details include:
- They feature high slew rates, low input bias/offset currents and offset voltage temperature drift.
- The amplifiers incorporate well-matched high-voltage JFET and bipolar transistors in a monolithic integrated circuit.
- They are offered in plastic DIP-8 and SOIC-8 packages with operating temperature ranges of 0-70°C, -40-105°C, and -55-125°C depending on the part number.
- Electrical characteristics include high input impedance, low power consumption, wide common mode and differential voltage range, and output
Original Transistor NPN BD139 1.5A 80V TO-126 New
1. The document provides specifications for the BD135, BD137, and BD139 silicon NPN epitaxial transistors which are designed for medium power amplifier applications and complementary use with other transistors.
2. The maximum ratings table lists voltage, current, power, and temperature limits for the transistors, such as collector-base voltage up to 45V for the BD135.
3. Electrical characteristic graphs and tables show parameters like DC current gain, collector-emitter saturation voltage, and transition frequency, demonstrating the transistors' electrical performance.
Original Transistor NPN 2SD669AL D669ACLD669 120V 1.5A TO-126 New JIANGSU CHA...
This document provides specifications for a 2SD669AL NPN transistor. It lists maximum ratings for electrical characteristics like breakdown voltages and cut-off currents. It also provides typical values for parameters such as DC current gain, saturation voltages, and output capacitance at different operating conditions. Curves in the bottom section show characteristics like collector current and saturation voltages as functions of temperature and collector-emitter voltage.
2 sb688
This datasheet provides specifications for the 2SB688 PNP planar silicon transistor. It can handle high current and dissipate high power, making it suitable for audio power amplifiers and DC to DC converters. Its maximum ratings include a collector current of 8A, collector dissipation of 80W, and junction temperature of 150°C. Its electrical characteristics include a DC current gain of 55-160 and collector-emitter saturation voltage of less than 1.5V at -5V and -3A collector current.
Original Mosfet AP09N70I 09N70I 09N701 TO-220 New
Original Mosfet AP09N70I 09N70I 09N701 TO-220 New
https://authelectronic.com/original-mosfet-ap09n70i-09n70i-09n701-to-220-new
Original N-CHANNEL IGBT IRGS4B60KD1TRRP GS4B60KD1 600V 7.6A TO-263-3 New IR
This document provides specifications for an insulated gate bipolar transistor (IGBT) with an ultrafast soft recovery diode. Some key specifications and features include:
- The IGBT has a maximum collector-emitter voltage of 600V, continuous collector current rating of 7.6A at 100°C junction temperature, and turn-on voltage of typically 2.1V.
- It has a square reverse bias safe operating area and maximum junction temperature of 175°C.
- The ultrafast soft recovery diode has a reverse recovery time of typically 93ns and peak reverse recovery current of 6.3-7.9A.
- Electrical characteristics, switching characteristics, and safe operating area curves are provided over temperature
Original Transistor 17N80C3 17N80 SPP17N80C3 SPA17N80C3 800V 17A TO-220F New
This document provides specifications for the SPP17N80C3 CoolMOS Power Transistor. It is an 800V transistor designed for industrial applications with high DC voltages and switching applications. Key features include a new high voltage technology, high peak current capability, low gate charge, and low effective capacitances. Tables provide maximum ratings and thermal, electrical, and dynamic characteristics. Characteristic curves illustrate properties such as output, gate charge, forward diode characteristics, and capacitances over relevant conditions.
73T02GH / AP73T02GH Datasheet PDF
This document provides specifications for an Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. It has a low on-resistance of 9mΩ, simple drive requirements, and fast switching characteristics with a continuous drain current of 57A. The MOSFET is RoHS compliant, halogen-free, and has a maximum drain-source voltage of 25V. It comes in the TO-252 surface mount package.
MUSES8820 Simulation Result(min max)
The document provides specifications for the MUSES8820 operational amplifier including:
- An operating supply voltage range of ±3.5V to ±16V.
- Output voltage swing, output current, input offset voltage, input bias current, and slew rate values across the supply voltage range.
- Open loop gain, common mode rejection ratio, power supply rejection ratio, input voltage range, and gain bandwidth product specifications.
7818
This document provides specifications for the L7800 series of positive voltage regulators, including:
- The regulators come in TO-220, TO-220FP, TO-3 and D2 PAK packages with fixed output voltages from 5V to 24V.
- They provide current limiting, thermal shutdown and safe area protection, and can deliver over 1A of output current with adequate heat sinking.
- Electrical characteristic data is provided for various models showing parameters like output voltage, line and load regulation, noise, etc. under different test conditions.
- Absolute maximum ratings and connection diagrams are also included.
St microelectronics l7815-cv-datasheet
The document provides specifications for the L7800 series of positive voltage regulators, including:
- Output voltages ranging from 5V to 24V with output current up to 1.5A
- Features such as thermal overload protection, short circuit protection, and output transition safe operating area protection
- Package options including TO-220, TO-220FP, TO-3, and D2PAK
- Electrical characteristics like line and load regulation, output voltage range, quiescent current, and short circuit current are provided for each fixed output voltage variant.
Electronica i prelaboratorio 3
This document contains technical specifications for 3 bipolar junction transistors:
1) The Motorola BC546 transistor has a maximum collector-emitter voltage of 65V and beta range not specified.
2) The Motorola BC547 transistor has a maximum collector-emitter voltage of 45V and beta range not specified.
3) The Motorola BC548 transistor has a maximum collector-emitter voltage of 30V and beta range not specified.
Original IGBT IRGP4068DPBF GP4068D 4068 600V 96A 330W TO-247 New Infineon
This document provides specifications for an insulated gate bipolar transistor (IGBT) with an ultra-low voltage drop diode for induction heating and soft switching applications. The IGBT has a maximum collector-emitter voltage of 600V, continuous collector current of 48A at 100°C junction temperature, and features low switching losses, high efficiency, and robust performance under transient conditions. The integrated ultra-low voltage drop diode provides tight parameter distribution and low forward voltage for increased efficiency.
Igbt 2 mbi600nt for boot
This document provides information on an IGBT module from the N series, including:
1) Its key features such as low saturation voltage, improved forward characteristics, and overcurrent limiting function.
2) Its applications in areas like motor controls and uninterruptible power supplies.
3) Its maximum ratings and electrical characteristics like collector-emitter saturation voltage and reverse recovery time.
4) A diagram of its equivalent circuit.
Original Transistor 2SC2026-Y KTC2026 C2026 3A 60V TO-220 New KEC
This document provides technical specifications for the KTC2026 epitaxial planar NPN transistor. It includes:
- Maximum ratings for voltage, current, power and temperature.
- Electrical characteristics like gain, saturation voltage, cutoff current.
- Graphs of current vs voltage and power dissipation vs temperature under different conditions.
- Safe operating area curves showing maximum pulsed and continuous collector current limits.
Original IGBT FGP20N60 20N60 FGP20N60UFD 20A 600V TO-220 New
This document provides specifications and performance characteristics for the FGP20N60UFD 600V, 20A Field Stop IGBT from Fairchild Semiconductor. The IGBT has a maximum collector-emitter voltage of 600V, continuous collector current rating of 20A, and pulsed collector current rating of 60A. Key specifications and characteristics include maximum ratings, thermal characteristics, electrical characteristics of the IGBT and diode, switching characteristics, and typical performance curves. The document also provides mechanical dimensions and packaging information for the TO-220 packaged device.
What's hot (20)
Original Transistor PNP KTA1266-Y A1266 1266 TO-92 New
Original Transistor PNP KTA1266-Y A1266 1266 TO-92 New
Original Transistor NPN 2SD669AL D669ACLD669 120V 1.5A TO-126 New JIANGSU CHA...
Original Transistor NPN 2SD669AL D669ACLD669 120V 1.5A TO-126 New JIANGSU CHA...
Original N-CHANNEL IGBT IRGS4B60KD1TRRP GS4B60KD1 600V 7.6A TO-263-3 New IR
Original N-CHANNEL IGBT IRGS4B60KD1TRRP GS4B60KD1 600V 7.6A TO-263-3 New IR
Original Transistor 17N80C3 17N80 SPP17N80C3 SPA17N80C3 800V 17A TO-220F New
Original Transistor 17N80C3 17N80 SPP17N80C3 SPA17N80C3 800V 17A TO-220F New
Original IGBT IRGP4068DPBF GP4068D 4068 600V 96A 330W TO-247 New Infineon
Original IGBT IRGP4068DPBF GP4068D 4068 600V 96A 330W TO-247 New Infineon
Original Transistor 2SC2026-Y KTC2026 C2026 3A 60V TO-220 New KEC
Original Transistor 2SC2026-Y KTC2026 C2026 3A 60V TO-220 New KEC
Original IGBT FGP20N60 20N60 FGP20N60UFD 20A 600V TO-220 New
Original IGBT FGP20N60 20N60 FGP20N60UFD 20A 600V TO-220 New
Similar to 2sc1172
Original NPN Transistor STC403D STC403 403 TO-252 New AUK
This document provides specifications for an NPN silicon transistor called the STC403. It is intended for general purpose applications with features including low saturation voltage of 0.4V typical and high voltage rating of 60V minimum. The document provides information on ordering, pin connections, maximum ratings, electrical characteristics, and sample characteristic curves. It specifies parameters such as collector-emitter breakdown voltage, current gain, on/off voltages and times.
LEC20G604 (6).pdf
The document provides specifications and characteristics for the LEC20G604 600V 20A IGBT module from LSIS. The module contains trench field stop IGBTs, free wheeling diodes, and an NTC temperature sensor. It has applications in three phase motor drives. The document includes maximum ratings, electrical characteristics, equivalent circuits, pin descriptions, and graphs of characteristics like forward voltage, switching times and losses for the IGBTs and diodes.
2 sa1036
This document provides specifications for the 2SA1036 PNP silicon general purpose transistor. Key details include:
- It is rated for a maximum collector current of -500 mA and collector-emitter voltage of -40V.
- Electrical characteristics are provided like typical collector-emitter saturation voltage of -0.4V and DC current gain range of 82-390.
- Package information indicates it comes in the SOT-23 package and provides physical dimensions.
- The transistor is RoHS compliant and a suffix of "-C" indicates it is halogen and lead free.
2n3773
The 2N3773 is a silicon NPN power transistor intended for use in power switching circuits such as relay or solenoid drivers. It has a TO-3 package and can withstand collector currents up to 16 amps and collector-emitter voltages up to 140 volts. Its key electrical characteristics include a forward current gain ranging from 15 to 60 at an collector current of 8 amps.
2 n2222
This document provides specifications for an NPN general purpose amplifier. It can source up to 500mA of collector current and has a maximum collector-emitter voltage rating of 40V. Electrical characteristics including gain, switching times, and leakage currents are provided over temperature ranges from -55°C to 150°C. Packaging information is included for the TO-92, SOT-23, and SOT-223 packages.
Original Opto TLP620GB TLP620 P620 620 DIP-4 New ToshibaOriginal Opto TLP620G...
This document summarizes specifications for the Toshiba TLP620, TLP620-2, and TLP620-4 photocouplers. The TLP620 consists of an infrared emitting diode optically coupled to a photo-transistor. The TLP620-2 has two isolated channels and the TLP620-4 has four channels. Key specifications include a collector-emitter voltage rating of 55V minimum, current transfer ratio of 50% minimum, and isolation voltage of 5000Vrms minimum. Electrical characteristics, isolation characteristics, switching times and derating curves are provided.
D1113 hitachi ignition
This document provides specifications for the 2SD1113(K) silicon NPN triple diffused transistor. It can be used as an igniter and is housed in a TO-220AB package. The document includes maximum ratings, electrical characteristics, typical output characteristics, and dimensions. It also provides cautions for use and contact information.
Orignal PNP Transistor 2SB861 B861 861 TO-220 New
The 2SB861 is a silicon PNP power transistor in a TO-220C package. It is intended for use as a low frequency power amplifier in color TV vertical deflection circuits. It has absolute maximum ratings of -200V for collector-base voltage, -150V for collector-emitter voltage, and -6V for emitter-base voltage. Typical characteristics include a collector-emitter saturation voltage of -3.0V at -0.5A collector current and a DC current gain of 60 to 200 at -50mA collector current.
Original IGBT IKB06N60T K06T60 06T60 06N60 6N60 TO-263 New Infineon
This document provides specifications for the IKB06N60T IGBT module. Key specifications include:
- Very low VCE(sat) of 1.5V typical
- Maximum junction temperature of 175°C
- Short circuit withstand time of 5μs
- Designed for applications such as washing machines, fans, pumps and vacuum cleaners
- Features TRENCHSTOPTM and fieldstop technology for 600V applications with tight parameters, high ruggedness and fast switching
Datasheet
This document provides information on the UC3844, UC3845, UC2844, and UC2845 high performance current mode controllers, including:
- Operating temperature ranges and packaging for the devices.
- Pin connections and ordering information for the different package types.
- Electrical characteristics like reference voltage, oscillator frequency, error amplifier performance, current sense input, output specifications, and undervoltage lockout thresholds.
- Graphs depicting properties like oscillator frequency vs timing resistor, output deadtime vs frequency, error amplifier gain and phase vs frequency, and more.
- An overview of key features like current mode operation, adjustable output deadtime, compensation, current limiting, undervoltage lockout,
Original Opto LS180 TLP180 P180 H17 SOP-4 New
This document provides specifications for the TOSHIBA mini flat coupler TLP180, a small outline photocoupler consisting of a photo transistor optically coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode. The TLP180 is suitable for surface mount assembly and can operate directly with AC input current. Key specifications include a minimum isolation voltage of 3750 Vrms, operating temperature range of -55°C to 100°C, and minimum current transfer ratio of 50% at an input forward current of 5mA. Application areas include programmable controllers, AC/DC modules, and telecommunication equipment.
Original IGBT IKA10N60T K10T60 10T60 600V 10A TO-220 New Infineon
This document summarizes the specifications of an IGBT module (IKA10N60T) with a trench gate structure and soft recovery diode. Key features include a low saturation voltage of 1.5V, short circuit withstand time of 5us, and maximum junction temperature of 175°C. Electrical characteristics are provided such as switching times and losses under various operating conditions. The module is qualified according to JEDEC standards and is suitable for applications such as washing machines, air conditioners, and inverters.
Original Opto TLP350 P350 350 DIP-8 New Toshiba
The TLP350 is an optocoupler consisting of a GaAlAs LED and photodetector in an 8-lead DIP package. It is suitable for gate driving IGBTs or power MOSFETs with a peak output current of ±2.5A. It has a guaranteed operating temperature range of -40 to 100°C, supply current of 2mA max, and supply voltage range of 15-30V. The TLP350 provides electrical isolation of 3750Vrms between the input and output.
Original transistor NPN 2SC2705 C2705 TO 92 New TOSHIBA
This document provides specifications for the TOSHIBA Transistor 2SC2705. It is an NPN epitaxial transistor intended for audio frequency amplifier applications. Key specifications include a small collector output capacitance of 1.8 pF typical, a high transition frequency of 200 MHz typical, and compatibility with the complementary transistor 2SA1145. The document provides maximum ratings, electrical characteristics, characteristic curves, and packaging information for the 2SC2705 transistor.
HA17741 General Purpose Operational Amplifier
This document provides information on the HA17741/PS general purpose operational amplifier. It includes:
1) A description of the HA17741/PS as an internal phase compensation, high performance op-amp for test and control applications.
2) Key features including high voltage gain, wide output amplitude, shorted output protection, and adjustable offset voltage.
3) Electrical characteristics, absolute maximum ratings, and typical applications like multivibrators, oscillators, and waveform generators.
4) Diagrams of internal structure and pin configuration as well as characteristic curves showing specifications over operating conditions.
Original IGBT RJH60D3DPP -M0 RJH60D3 600V 17A TO-220 New
This document provides preliminary datasheet information for an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) device. The IGBT has a 600V blocking voltage, can handle up to 17A of current, and features a built-in fast recovery diode. It uses trench gate and thin wafer technologies for high speed switching. Absolute maximum ratings, electrical characteristics, switching characteristics and package details are provided. Testing information is also included to characterize parameters such as switching times, reverse recovery time and thermal performance.
000695
The AN7135 is a dual channel power amplifier IC capable of 7.5W output per channel. It has a small static circuit current which makes it suitable for battery-powered devices like radio cassette recorders. It requires few external components and has features such as low distortion, noise, and shock at power on/off. The IC incorporates two amplifiers, input/output pins, and protective circuits on a single chip package.
Original NPN Transistor 2SD718 D718 8A 120V TO-3P New KEC
The SavantIC Semiconductor Product Specification document provides information about the 2SD718 silicon NPN power transistor. The transistor is in a TO-3P(I) package and is recommended for 45-50W audio frequency amplifier output stage applications. It has absolute maximum ratings of 120V for collector-base voltage and collector-emitter voltage. Typical characteristics include a current gain of 55-160 at 1A collector current and 5V collector-emitter voltage.
Original Opto PC123 P123 123 DIP-4 New
1) The document provides specifications for SHARP's PC123/PC123F photocouplers, including their absolute maximum ratings, electrical characteristics, and optical-electro characteristics.
2) It describes the devices' features such as long creepage distance, conforming to European safety standards, and being approved by various certification bodies.
3) Graphs are presented showing characteristics like forward current and saturation voltage in relation to ambient temperature, forward voltage, and other variables.
Original Opto TLP185GB TLP185G TLP185 P185 185 SOP-4 New
The TLP185 is a small outline photocoupler consisting of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a photo transistor. It is suitable for high-density surface mount applications due to its smaller size compared to DIP packages. It has a minimum current transfer ratio of 50% and isolation voltage of 3750Vrms. The document provides detailed electrical and thermal characteristics, diagrams, and recommendations for soldering and storage of the TLP185 photocoupler.
Similar to 2sc1172 (20)
Original NPN Transistor STC403D STC403 403 TO-252 New AUK
Original NPN Transistor STC403D STC403 403 TO-252 New AUK
Original Opto TLP620GB TLP620 P620 620 DIP-4 New ToshibaOriginal Opto TLP620G...
Original Opto TLP620GB TLP620 P620 620 DIP-4 New ToshibaOriginal Opto TLP620G...
Original IGBT IKB06N60T K06T60 06T60 06N60 6N60 TO-263 New Infineon
Original IGBT IKB06N60T K06T60 06T60 06N60 6N60 TO-263 New Infineon
Original IGBT IKA10N60T K10T60 10T60 600V 10A TO-220 New Infineon
Original IGBT IKA10N60T K10T60 10T60 600V 10A TO-220 New Infineon
Original transistor NPN 2SC2705 C2705 TO 92 New TOSHIBA
Original transistor NPN 2SC2705 C2705 TO 92 New TOSHIBA
Original IGBT RJH60D3DPP -M0 RJH60D3 600V 17A TO-220 New
Original IGBT RJH60D3DPP -M0 RJH60D3 600V 17A TO-220 New
Original NPN Transistor 2SD718 D718 8A 120V TO-3P New KEC
Original NPN Transistor 2SD718 D718 8A 120V TO-3P New KEC
Original Opto TLP185GB TLP185G TLP185 P185 185 SOP-4 New
Original Opto TLP185GB TLP185G TLP185 P185 185 SOP-4 New
Recently uploaded
一比一原版（Teesside毕业证）英国提赛德大学毕业证如何办理
原件一模一样【微信：WP101A】【（Teesside毕业证）英国提赛德大学毕业证学位证成绩单】【微信：WP101A】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：WP101A】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：WP101A】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：WP101A】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理（Teesside毕业证）英国提赛德大学毕业证学位证【微信：WP101A 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理（Teesside毕业证）英国提赛德大学毕业证学位证【微信：WP101A 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理（Teesside毕业证）英国提赛德大学毕业证学位证【微信：WP101A 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理（Teesside毕业证）英国提赛德大学毕业证学位证【微信：WP101A 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
一比一原版（Hull毕业证）英国哈珀亚当斯大学毕业证如何办理
原件一模一样【微信：WP101A】【（Hull毕业证）英国哈珀亚当斯大学毕业证学位证成绩单】【微信：WP101A】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：WP101A】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：WP101A】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：WP101A】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理（Hull毕业证）英国哈珀亚当斯大学毕业证学位证【微信：WP101A 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理（Hull毕业证）英国哈珀亚当斯大学毕业证学位证【微信：WP101A 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理（Hull毕业证）英国哈珀亚当斯大学毕业证学位证【微信：WP101A 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理（Hull毕业证）英国哈珀亚当斯大学毕业证学位证【微信：WP101A 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
一比一原版(UW毕业证书)华盛顿大学毕业证如何办理
原件一模一样【微信：WP101A】【(UW毕业证书)华盛顿大学毕业证学位证成绩单】【微信：WP101A】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：WP101A】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：WP101A】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：WP101A】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理(UW毕业证书)华盛顿大学毕业证学位证【微信：WP101A 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理(UW毕业证书)华盛顿大学毕业证学位证【微信：WP101A 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理(UW毕业证书)华盛顿大学毕业证学位证【微信：WP101A 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理(UW毕业证书)华盛顿大学毕业证学位证【微信：WP101A 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
一比一原版美国哥伦比亚大学毕业证Columbia成绩单一模一样
原件一模一样【微信：6496090】【美国哥伦比亚大学毕业证Columbia学位证成绩单】【微信：6496090】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：6496090】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：6496090】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：6496090】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理美国哥伦比亚大学毕业证Columbia学位证【微信：6496090 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理美国哥伦比亚大学毕业证Columbia学位证【微信：6496090 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理美国哥伦比亚大学毕业证Columbia学位证【微信：6496090 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理美国哥伦比亚大学毕业证Columbia学位证【微信：6496090 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
一比一原版（CSUEB毕业证）美国加州州立大学东湾分校毕业证如何办理
原件一模一样【微信：WP101A】【（CSUEB毕业证）美国加州州立大学东湾分校毕业证学位证成绩单】【微信：WP101A】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：WP101A】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：WP101A】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：WP101A】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理（CSUEB毕业证）美国加州州立大学东湾分校毕业证学位证【微信：WP101A 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理（CSUEB毕业证）美国加州州立大学东湾分校毕业证学位证【微信：WP101A 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理（CSUEB毕业证）美国加州州立大学东湾分校毕业证学位证【微信：WP101A 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理（CSUEB毕业证）美国加州州立大学东湾分校毕业证学位证【微信：WP101A 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
一比一原版（UCB毕业证）英国伯明翰大学学院毕业证如何办理
原件一模一样【微信：WP101A】【（UCB毕业证）英国伯明翰大学学院毕业证学位证成绩单】【微信：WP101A】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：WP101A】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：WP101A】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：WP101A】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理（UCB毕业证）英国伯明翰大学学院毕业证学位证【微信：WP101A 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理（UCB毕业证）英国伯明翰大学学院毕业证学位证【微信：WP101A 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理（UCB毕业证）英国伯明翰大学学院毕业证学位证【微信：WP101A 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理（UCB毕业证）英国伯明翰大学学院毕业证学位证【微信：WP101A 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
一比一原版(UWE毕业证书)西英格兰大学毕业证如何办理
原件一模一样【微信：WP101A】【(UWE毕业证书)西英格兰大学毕业证学位证成绩单】【微信：WP101A】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：WP101A】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：WP101A】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：WP101A】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理(UWE毕业证书)西英格兰大学毕业证学位证【微信：WP101A 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理(UWE毕业证书)西英格兰大学毕业证学位证【微信：WP101A 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理(UWE毕业证书)西英格兰大学毕业证学位证【微信：WP101A 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理(UWE毕业证书)西英格兰大学毕业证学位证【微信：WP101A 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
一比一原版马里兰大学毕业证(UMD毕业证书)如何办理
学校原件一模一样【微信：6496090】【马里兰大学毕业证(UMD毕业证书)成绩单学位证】【微信：6496090】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：6496090】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：6496090】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：6496090】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理马里兰大学毕业证(UMD毕业证书)【微信：6496090 】外观非常简单，由纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理马里兰大学毕业证(UMD毕业证书)【微信：6496090 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理马里兰大学毕业证(UMD毕业证书)【微信：6496090 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理马里兰大学毕业证(UMD毕业证书)【微信：6496090 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
Best Digital Marketing Strategy Build Your Online Presence 2024.pptx
This presentation provides a comprehensive guide to the best digital marketing strategies for 2024, focusing on enhancing your online presence. Key topics include understanding and targeting your audience, building a user-friendly and mobile-responsive website, leveraging the power of social media platforms, optimizing content for search engines, and using email marketing to foster direct engagement. By adopting these strategies, you can increase brand visibility, drive traffic, generate leads, and ultimately boost sales, ensuring your business thrives in the competitive digital landscape.
一比一原版(LSE毕业证书)伦敦政治经济学院毕业证如何办理
原件一模一样【微信：WP101A】【(LSE毕业证书)伦敦政治经济学院毕业证学位证成绩单】【微信：WP101A】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：WP101A】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：WP101A】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：WP101A】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理(LSE毕业证书)伦敦政治经济学院毕业证学位证【微信：WP101A 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理(LSE毕业证书)伦敦政治经济学院毕业证学位证【微信：WP101A 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理(LSE毕业证书)伦敦政治经济学院毕业证学位证【微信：WP101A 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理(LSE毕业证书)伦敦政治经济学院毕业证学位证【微信：WP101A 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
一比一原版（Rice毕业证）美国莱斯大学毕业证如何办理
原件一模一样【微信：WP101A】【（Rice毕业证）美国莱斯大学毕业证学位证成绩单】【微信：WP101A】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：WP101A】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：WP101A】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：WP101A】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理（Rice毕业证）美国莱斯大学毕业证学位证【微信：WP101A 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理（Rice毕业证）美国莱斯大学毕业证学位证【微信：WP101A 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理（Rice毕业证）美国莱斯大学毕业证学位证【微信：WP101A 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理（Rice毕业证）美国莱斯大学毕业证学位证【微信：WP101A 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
一比一原版马来西亚世纪大学毕业证成绩单一模一样
原件一模一样【微信：6496090】【马来西亚世纪大学毕业证学位证成绩单】【微信：6496090】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：6496090】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：6496090】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：6496090】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理马来西亚世纪大学毕业证学位证【微信：6496090 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理马来西亚世纪大学毕业证学位证【微信：6496090 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理马来西亚世纪大学毕业证学位证【微信：6496090 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理马来西亚世纪大学毕业证学位证【微信：6496090 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
NHL Stenden University of Applied Sciences Diploma Degree Transcript
办NHL Stenden毕业证书制作荷兰斯坦德应用科技大學假文凭定制Q微168899991办NHL Stenden留信网教留服认证海牙认证改NHL Stenden成绩单GPA办NHL Stenden高仿学位证毕业证电子版ID驾照如何申请斯坦德应用科技NHL Stenden University of Applied Sciences Diploma Degree Transcript
一比一原版(UC毕业证书)堪培拉大学毕业证如何办理
原件一模一样【微信：WP101A】【(UC毕业证书)堪培拉大学毕业证学位证成绩单】【微信：WP101A】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：WP101A】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：WP101A】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：WP101A】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理(UC毕业证书)堪培拉大学毕业证学位证【微信：WP101A 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理(UC毕业证书)堪培拉大学毕业证学位证【微信：WP101A 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理(UC毕业证书)堪培拉大学毕业证学位证【微信：WP101A 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理(UC毕业证书)堪培拉大学毕业证学位证【微信：WP101A 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
一比一原版（McGill毕业证）加拿大麦吉尔大学毕业证如何办理
原件一模一样【微信：WP101A】【（McGill毕业证）加拿大麦吉尔大学毕业证学位证成绩单】【微信：WP101A】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：WP101A】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：WP101A】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：WP101A】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理（McGill毕业证）加拿大麦吉尔大学毕业证学位证【微信：WP101A 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理（McGill毕业证）加拿大麦吉尔大学毕业证学位证【微信：WP101A 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理（McGill毕业证）加拿大麦吉尔大学毕业证学位证【微信：WP101A 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理（McGill毕业证）加拿大麦吉尔大学毕业证学位证【微信：WP101A 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
一比一原版(UoN毕业证书)纽卡斯尔大学毕业证如何办理
原件一模一样【微信：WP101A】【(UoN毕业证书)纽卡斯尔大学毕业证学位证成绩单】【微信：WP101A】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：WP101A】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：WP101A】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：WP101A】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理(UoN毕业证书)纽卡斯尔大学毕业证学位证【微信：WP101A 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理(UoN毕业证书)纽卡斯尔大学毕业证学位证【微信：WP101A 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理(UoN毕业证书)纽卡斯尔大学毕业证学位证【微信：WP101A 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理(UoN毕业证书)纽卡斯尔大学毕业证学位证【微信：WP101A 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
Getting Data Ready for Culture Hack by Neontribe
Sometime in the 2010s, this is how explained how to make data "hackday ready"
一比一原版(USQ毕业证书)南昆士兰大学毕业证如何办理
原件一模一样【微信：WP101A】【(USQ毕业证书)南昆士兰大学毕业证学位证成绩单】【微信：WP101A】（留信学历认证永久存档查询）采用学校原版纸张、特殊工艺完全按照原版一比一制作（包括：隐形水印，阴影底纹，钢印LOGO烫金烫银，LOGO烫金烫银复合重叠，文字图案浮雕，激光镭射，紫外荧光，温感，复印防伪）行业标杆！精益求精，诚心合作，真诚制作！多年品质 ,按需精细制作，24小时接单,全套进口原装设备，十五年致力于帮助留学生解决难题，业务范围有加拿大、英国、澳洲、韩国、美国、新加坡，新西兰等学历材料，包您满意。
【业务选择办理准则】
一、工作未确定，回国需先给父母、亲戚朋友看下文凭的情况，办理一份就读学校的毕业证【微信：WP101A】文凭即可
二、回国进私企、外企、自己做生意的情况，这些单位是不查询毕业证真伪的，而且国内没有渠道去查询国外文凭的真假，也不需要提供真实教育部认证。鉴于此，办理一份毕业证【微信：WP101A】即可
三、进国企，银行，事业单位，考公务员等等，这些单位是必需要提供真实教育部认证的，办理教育部认证所需资料众多且烦琐，所有材料您都必须提供原件，我们凭借丰富的经验，快捷的绿色通道帮您快速整合材料，让您少走弯路。
留信网认证的作用:
1:该专业认证可证明留学生真实身份【微信：WP101A】
2:同时对留学生所学专业登记给予评定
3:国家专业人才认证中心颁发入库证书
4:这个认证书并且可以归档倒地方
5:凡事获得留信网入网的信息将会逐步更新到个人身份内，将在公安局网内查询个人身份证信息后，同步读取人才网入库信息
6:个人职称评审加20分
7:个人信誉贷款加10分
8:在国家人才网主办的国家网络招聘大会中纳入资料，供国家高端企业选择人才
→ 【关于价格问题（保证一手价格）
我们所定的价格是非常合理的，而且我们现在做得单子大多数都是代理和回头客户介绍的所以一般现在有新的单子 我给客户的都是第一手的代理价格，因为我想坦诚对待大家 不想跟大家在价格方面浪费时间
对于老客户或者被老客户介绍过来的朋友，我们都会适当给一些优惠。
选择实体注册公司办理，更放心，更安全！我们的承诺：可来公司面谈，可签订合同，会陪同客户一起到教育部认证窗口递交认证材料，客户在教育部官方认证查询网站查询到认证通过结果后付款，不成功不收费！
办理(USQ毕业证书)南昆士兰大学毕业证学位证【微信：WP101A 】外观非常精致，由特殊纸质材料制成，上面印有校徽、校名、毕业生姓名、专业等信息。
办理(USQ毕业证书)南昆士兰大学毕业证学位证【微信：WP101A 】格式相对统一，各专业都有相应的模板。通常包括以下部分：
校徽：象征着学校的荣誉和传承。
校名:学校英文全称
授予学位：本部分将注明获得的具体学位名称。
毕业生姓名：这是最重要的信息之一，标志着该证书是由特定人员获得的。
颁发日期：这是毕业正式生效的时间，也代表着毕业生学业的结束。
其他信息：根据不同的专业和学位，可能会有一些特定的信息或章节。
办理(USQ毕业证书)南昆士兰大学毕业证学位证【微信：WP101A 】价值很高，需要妥善保管。一般来说，应放置在安全、干燥、防潮的地方，避免长时间暴露在阳光下。如需使用，最好使用复印件而不是原件，以免丢失。
综上所述，办理(USQ毕业证书)南昆士兰大学毕业证学位证【微信：WP101A 】是证明身份和学历的高价值文件。外观简单庄重，格式统一，包括重要的个人信息和发布日期。对持有人来说，妥善保管是非常重要的。
Recently uploaded (20)
Introduction to User experience design for beginner
Introduction to User experience design for beginner
Best Digital Marketing Strategy Build Your Online Presence 2024.pptx
Best Digital Marketing Strategy Build Your Online Presence 2024.pptx
NHL Stenden University of Applied Sciences Diploma Degree Transcript
NHL Stenden University of Applied Sciences Diploma Degree Transcript
2sc1172
- 1. NPN TRIPLE DIFFUSED 2SC1172 PLANAR SILICON TRANSISTOR COLOR TV HORIZONTAL OUTPUT APPLICATIONS (No Damper Diode) TO-3 ! High Collector-Base Voltage(VCBO=1500V) ! High Speed Switching ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA=25℃℃℃℃) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base voltage Collector Current (DC) Collector Dissipation (Tc=25℃) Junction Temperature Storage Temperature VCBO VCEO VEBO IC PC Tj Tstg 1500 800 6 5 50 150 -50~150 V V V A W ℃℃℃℃ ℃℃℃℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25℃℃℃℃) Characteristic Symbol Test Condition Min Typ Max Unit Collector- Emitter Cutoff Current(VBE=0) Collector Cutoff Current Emitter Cutoff Current DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage ICES ICBO IEBO hFE VCE(sat) VCE= 600 V , RBE=0 VCB= 800 V , IE=0 VEB= 4V , IC=0 VCE= 5V , IC=1A IC= 4A , IB=1A 8 1.0 10 1.0 5.0 mA µA mA V Wing Shing Computer Components Co., (H.K.)Ltd. Tel:(852)2341 9276 Fax:(852)2797 8153 Homepage: http://www.wingshing.com E-mail: wsccltd@hkstar.com