1. อ.เสรี ขุนไชย
การประเมินผล
อาจารย์ผู้สอน
เข้าแถว+จิตพิสัย 10
เรียน+การบ้าน 20
คะแนนปฏิบัติ 20
คะแนนสอบกลางภาค 20
คะแนนสอบปลายภาค 30
ELECTRONICS I

2. ELECTRONICS I
บทที่ 1 บทนา
บทที่ 2 ฟิสิกส์ของสารกึ่งตัวนา
บทที่ 3 ไดโอด
บทที่ 4 ทรานซิสเตอร์ไบโพลาร์
----- Midterm -----
บทที่ 5 ทรานซิสเตอร์มอส
บทที่ 6 วงจรออปแอมปเชิงเส้น
บทที่ 7 วงจรออปแอมป์ ไม่เชิงเส้น
บทที่ 8 วงจรขยายกาลัง
บทที่ 9 แนะนาอิเล็กทรอนิกส์กาลัง

3. วัตถุประสงค์วิชา Electronics I, II
การพัฒนาให้นักศึกษามีความเข้าใจอุปกรณ์และวงจร
อิเล็กทรอนิกส์ทั้งวงจรอนาลอกและดิจิตอล และทั้งวงจรแบบ
ดีสครีต และวงจรรวม (IC)
เนื่องจากวิชาอิเล็กทรอนิกส์เป็นวิชาพื้นฐานร่วมของทุกภาควิชา
ดังนั้นเนื้อหาวิชาจะเป็นไปในลักษณะหลากหลายเพื่อให้เป็น
ประโยชน์กับนักศึกษาทุกภาค

4. Electronics : An Overview
วิวัฒนาการของอิเล็กทรอนิกส์
สัญญาณไฟฟ้ า
วงจรและระบบอิเล็กทรอนิกส์
อุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์

5. Electronics
นิยาม
ศาสตร์ที่ว่าด้วยการเคลื่อนที่ของ
อิเล็กตรอน
ในสูญญากาศหรือสารกึ่งตัวนา

6. Energy VS Information
Electrical Energy
Processing (generation,
distribution, etc)
Processing Information
in the form of electrical
signals
วิศวกรรมไฟฟ้ า

7. วิศวกรรมไฟฟ้ าก่อนยุคอิเล็กทรอนิกส์
ด้านการแปลงผันพลังงานไฟฟ้ ากล
(electro-mechanicalconversion)
ด้านการสื่อสาร
(communication)
 การใช้งานมอเตอร์ไฟฟ้ าตั้งแต่ปี 1837
 การพัฒนาเครื่องกาเนิดไฟฟ้ าในประเทศอิตาลี เยอรมัน
สหรัฐอเมริกาเบลเยียม และฝรั่งเศส
 การประดิษฐ์หลอดไฟโดยเอดิสันและสวอนในปี 1879
 สถานีไฟฟ้ าเพื่อการพาณิชย์สถานีแรกได้ถูกสร้างขึ้น
โดยเอดิสันในปี 1881
 การพัฒนาระบบจ่ายไฟสลับแบบสามเฟสของเวสติง
เฮาส์และเทสลาในปี 1887
 การพัฒนาระบบโทรเลขในอังกฤษโดยวีตสโตนใน
ปี 1837 และในสหรัฐอเมริกาโดยมอร์สในปี 1844
(ถือได้ว่าเป็นจุดเริ่มต้นของการสื่อสารดิจิตอล ซึ่ง
มีมาก่อนการสื่อสารแบบอนาล็อกเสียอีก !)
 การพัฒนาระบบโทรศัพท์โดย เบลในปี 1876
 การพัฒนาระบบโทรเลขไร้สายโดยมาร์โคนี
 การพัฒนาทฤษฎีสายส่ง (transmission line) โดย
เฮฟวิไซด์ในปี 1887

8. Edison VS Tesla

9. ยุคของอิเล็กทรอนิกส์
1. ยุคหลอดสูญญากาศ
2. ยุคสารกึ่งตัวนา
2.1 ยุคของทรานซิสเตอร์
2.2 ยุคของ IC

10. หลอดสูญญากาศ: ไดโอด
•ค.ศ. 1883 Edison ค้นพบปรากฏการณ์การไหลของกระแสไฟฟ้าในหลอดไฟจากไส้
หลอด (filament) ที่ถูกอุ่นให้ร้อนไปยังขั้วไฟฟ้าใกล้เคียง (plate)
•ค.ศ. 1904 Sir John Ambrose Fleming ได้พัฒนาอุปกรณ์หลอดสูญญากาศสองขั้ว
(ไดโอด) ซึ่งเป็นอุปกรณ์ที่ยอมให้กระแสเดินได้ทางเดียว อุปกรณ์ตัวนี้สามารถ
นาไปใช้เป็นตัวแปลงไฟสลับเป็นไฟตรง และเป็นตัวตรวจจับสัญญาณในระบบโทร
เลขไร้สายได้
Edison's Effect
EEET0210 Electronics I

11. 1. ใช้ขยายสัญญาณไฟฟ้า - ใช้ในระบบสื่อสาร (wireless และ wireline) และเครื่องเสียง
2. เป็นสวิทช์ปิด-เปิด ที่ถูกควบคุมได้- ใช้ในเครื่องคอมพิวเตอร์ที่ใช้ Boolean Algebra
อีกชื่อหนึ่งของหลอดสูญญากาศ (vacuum tube) คือหลอดอิเล็กตรอน (electrontube) ทาให้ต่อมามี
คนเรียกอุตสาหกรรมใหม่ที่เกี่ยวข้องกับการสร้างและใช้งานอุปกรณ์ดังกล่าวนี้ว่า ELECTRONICS
Grid
Plate
Filament
หลอดสูญญากาศ: ไตรโอด
ค.ศ. 1906 Lee De Forest ได้พัฒนาหลอด
อุปกรณ์สูญญากาศสามขั้ว (ไตรโอด) ที่มี
ขา Grid เอาไว้ควบคุมการไหลของกระแส
ระหว่าง Plate และ Filament
อุปกรณ์ตัวนี้สามารถใช้งานได้ในสอง
ลักษณะคือ
EEET0210 Electronics I

12. อุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ในยุคแรกได้ก่อให้เกิดความก้าวหน้าในอุตสาหกรรม
หลายประเภท อาทิ อุตสาหกรรมวิทยุโทรทัศน์

13. และคอมพิวเตอร์
เครื่องคอมพิวเตอร์ ENIAC ประกอบด้วยหลอดสูญญากาศ 18,000 หลอด
(average error-free period = 5.6 ชั่วโมง)

14. ถึงแม้หลอดสูญญากาศจะมีประโยชน์อย่างเอนกอนันต์ แต่มันก็มีข้อเสีย
อยู่หลายประการ กล่าวคือ ต้องใช้พลังงานสูงมากในการอุ่นไส้หลอด
ต้องใช้กับแรงดันสูงในระดับเป็นร้อยเป็นพันโวลต์ และเหนืออื่นใดคือ
มันมีความน่าเชื่อถือต่าและเสียง่ายมาก

15. ยุคสารกึ่งตัวนา (Semiconductor)
ในช่วงสงครามโลกครั้งที่สอง วิศวกรอังกฤษได้พัฒนาระบบ RADAR ที่มี
การใช้อุปกรณ์สารกึ่งตัวนา (Diode) ในวงจรเรียงสัญญาณ

16. ยุคของอิเล็กทรอนิกส์สารกึ่งตัวนาเริ่มต้นในปี ค.ศ. 1947 เมื่อทีมนักวิจัย
ด้านสารกึ่งตัวนาของ Bell Lab สามคนคือ Bardeen, Brattain และ
Shockleyได้ประดิษฐ์อุปกรณ์ทรานซิสเตอร์เป็นผลสาเร็จ

17. Discrete Transistor
B
E
C
TO-92
TO-3
B
CE
TO-126
C
B E
TO-5
TO-18
B C E
TO-220
BE
C
เราเรียกทรานซิสเตอร์ที่บรรจุอยู่ในตัวถังเดี่ยว ๆ ว่าทรานซิสเตอร์แบบดิสครีต

18. เช่นเดียวกับหลอดสูญญากาศ เราสามารถใช้ทรานซิสเตอร์เป็นทั้งตัวขยายสัญญาณหรือ
สวิตช์ควบคุม และเนื่องจากทรานซิสเตอร์มีคุณสมบัติเหนือกว่าหลอดสูญญากาศในหลาย
ด้าน ทาให้ได้มีการนาเอาทรานซิสเตอร์ไปใช้แทนหลอดสูญญากาศ อย่างกว้างขวาง อาทิ
•ระบบสื่อสาร: วิทยุทรานซิสเตอร์ที่เริ่มวางจาหนายในปี 1954 กลายเป็นสินค้าขายดีแห่งยุค
• คอมพิวเตอร์: Cray พัฒนาคอมพิวเตอร์ที่สร้างจากทรานซิสเตอร์สาเร็จในปี 1958
SONY TR-55
SONY TR-63

19. ยุคแห่งวงจรรวม
(Integrated Circuit: IC)
ในปี ค.ศ. 1958 พัฒนาการด้านอิเล็กทรอนิกส์ได้ก้าวไปอีกขั้นเมื่อ Jack Kilby (Texas
Instrument) และ Robert Noyce (Fairchild) ต่างพัฒนากรรมวิธีการสร้างวงจรรวมเป็น
ผลสาเร็จ
ทั้งนี้ในวงจรรวมหรือ Microchip (เรียกย่อ ๆ ว่า Chip) นั้นอาจประกอบไปด้วย
ทรานซิสเตอร์จานวนหลายตัวอยู่ร่วมกับอุปกรณ์อื่น ๆ เช่นไดโอด ตัวต้านทาน และตัว
เก็บประจุ

20. บิดาแห่งวงจรรวม
Kilby and Noyce

21. die
ขั้นตอนการผลิตวงจรรวม

22. Integrated Circuits : Level of Integration
Scale of Integration Number of devices
Zero Scale Integration (ZSI) 1
Small Scale Integration (SSI) 2-30
Medium Scale Integration (MSI) 30-103
Large Scale Integration (LSI) 103-105
Very Large Scale Integration (VLSI) 105-107
Ultra Large Scale Integration (ULSI) 107-109
Giga- Scale Integration (GSI) 109-1011
Tera- Scale Integration (TSI) 1011-1013

23. Moore’s Law
จานวนของทรานซิสเตอร์ที่ถูกบรรจุลงใน IC จะมีจานวนมากขึ้นสองเท่าทุก ๆ 18 เดือน
ไมโครโปรเซสเซอร์ ปี จานวนทรานซิสเตอร์ IntegrationLevel
4004 1971 2,250 LSI
8008 1972 3,500 LSI
8080 1974 5,000 LSI
8086 1978 29,000 LSI
286 1982 120,000 VLSI
386™ 1985 275,000 VLSI
486™ DX 1989 1,180,000 VLSI
Pentium® 1993 3,100,000 VLSI
Pentium II 1997 7,500,000 VLSI
Pentium III 1999 24,000,000 ULSI
Pentium 4 2000 42,000,000 ULSI
หมายเหตุ: การเพิ่มจานวนอุปกรณ์ใน DRAM จะสูงกว่าในไมโครโปรเซสเซอร์อีก

24. ANALOG VS DIGITAL
Continuous-Time
Analog
Discrete-Time
Analog
Digital
Sampling
Quantizing
(a)
(b)
(c)
(d)
01 10 11 10 01 00 01 01 10 10 01 00 00 01 10 11 10 01 01 10 10 10 10 01 01 01 10
2-level
(binary)Digital

25. วงจรและระบบอิเล็กทรอนิกส์
แผ่น CD
เลนส์
ตัวตรวจ
รับแสง
วงจร
ดีมอดดูเลต
วงจรแก้ไข
ความผิดพลาด
วงจรปรับ
ฐานเวลา
วงจรกรอง
ดิจิตอล
วงจรแปลงผัน
ดิจิตอล-อนาล็อก
DAC
สัญญาณดิจิตอล
ความถี่ 2 x 44.1 KHzแหล่งกาเนิด
แสงเลเซอร์
DAC
วงจรแปลงผัน
ดิจิตอล-อนาล็อก
วงจรขยายสัญญาณ
และขับกระแส
วงจรขยายสัญญาณ
และขับกระแส
ภาพตัดขวาง
ชั้นพลาสติกทึบ
ชั้นพลาสติกใส

26. การเชื่อมต่ออุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ลงบนแผ่นพิมพ์วงจร
(Printed Circuit Board :PCB)

27. อิเล็กทรอนิกส์
หลอดสูญ-
ญากาศ
สารกึ่งตัวนา
ทรานซิสเตอร์ไดโอด
Bipolar
•Si-BJT
•GaAs-HBT
•SiGe-HBT
FET
•Si-CMOS,JFET
•GaAs-MESFET
•SiGe-MOSFET
วงจร
อนาลอก
• วงจรขยาย
• วงจรบวก/ลบสัญญาณ
• วงจรกรอง
• วงจรกาเนิดสัญญาณ
• วงมอดูเลต/ดีมอดดูเลต
• วงจรแปลง A-D,D-A
• วงจรขับกระแส
• ฯลฯ
ดิจิตอล
• วงจรตรรกะดิจิตอลพื้นฐาน
(CMOS,TTL, ECL…)
• Combinationallogic
• ฟลิปฟลอป
• หน่วยความจา
• Adder
• DSP
• ฯลฯ
ระบบ
• สื่อสาร
• คอมพิวเตอร์
• ควบคุม
• เครื่องมือวัด
• Power Management
• เครื่องใช้อิเล็กฯ
• Hobby elec.
• IT-related
• ฯลฯ
อุปกรณ์
Optoelec
Thyristor
Sensors

28. บทที่ 2 ทฤษฎีสารกึ่งตัวนา
2.1 สารกึ่งตัวนาบริสุทธิ์
2.2 การเคลื่อนที่ของประจุบวก : โฮล
2.3 กระแสไฟฟ้าในสารกึ่งตัวนา
2.4 สารกึ่งตัวนาไม่บริสุทธิ์
2.5 รอยต่อ PN
2.6 รอยต่อ PN เมื่อถูกไบอัสไปข้างหน้า

29. สารกึ่งตัวนาบริสุทธิ์ (Intrinsic Semiconductor)
+14q -q
-q-q
-q
-q
-q
-q
-q
-q
-q
-q
-q-q-q
-q-q
+4q
-q
-q
-q
-q
โครงสร้างของอะตอมซิลิกอน (q = 1.6e-19 คูลอมบ์)

30. โครงสร้างผลึกของซิลิกอน

31. +4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
อิเล็กตรอนอิสระ
ion+
(a) (b)
ช่องว่าง
(a) เมื่อไม่ได้รับพลังงานจากภายนอกเลย (b) เมื่อได้รับพลังงานจากภายนอกและ
เกิดการอิออไนซ์
โครงสร้างของผลึกซิลิกอนบริสุทธิ์

32. •การเคลื่อนที่ของ free electronไปในทิศทางเดียวกันทาให้เกิดการไหลของกระแส
•ความนา (และความต้านทาน)ไฟฟ้า ของสารใด ๆ จะขึ้นอยู่กับความหนาแน่น
(concentration) ของ free electron ในสารนั้น
• ที่อุณหภูมิห้อง(~ 300K) โลหะมีความหนาแน่นของ free electron ~1023 ตัว/cm3.ทาให้
มีสภาพความต้านทาน (resistivity) ของโลหะจะอยู่ราว ๆ 10-5W cm.
• ฉนวนเช่น Quartz (SiO2) ในอุณหภูมิห้องนั้นแทบจะไม่มี free electron อยู่เลย ทาให้
resistivity ของ ควอร์ทซ์ > 1016 Wcm.
• ความหนาแน่นของ free electron ในสารกึ่งตัวนาเช่น Si นั้นมีค่า ~1.5x1010 cm-3 (ที่
อุณหภูมิห้องจะมีอะตอมของซิลิกอนถูก ionize อยู่ 3 ต่อ 1013 อะตอมเท่านั้น!) ทาให้
สภาพความต้านทานของซิลิกอนผลึกมีค่าประมาณ 2x105W cm.

33. +4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
อะตอม A
(อิออน+)
อะตอม Bอะตอม C อะตอม A
(อิออน+)
อะตอม Bอะตอม C อะตอม A
(อิออน+)
อะตอม Bอะตอม C
เราสามารถแบ่งการเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนในสารกึ่งตัวนาได้เป็นสองลักษณะดังนี้
1.การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนอิสระไปรอบ ๆ ผลึก --> การเคลื่อนที่ของประจุลบใน
ทิศทางนั้น
2.การเคลื่อนที่ของอิเล็กตรอนข้ามพันธะ --> การเคลื่อนที่ของประจุบวกในทิศทาง
ตรงกันข้าม

34. +4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
hole hole hole
Introducing “Holes”
เพื่อความสะดวกเรามองการเคลื่อนที่ของประจุบวกดังกล่าวให้เป็นการ
เคลื่อนที่ของอนุภาคอิสระที่มีประจุเป็นบวก ผ่านโครงสร้างผลึกที่สมบูรณ์
โดยเราจะเรียกอนุภาคดังกล่าวนี้ว่า hole

35. +4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
อิเล็กตรอนอิสระ
ion+
ช่องว่าง
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
อิเล็กตรอนอิสระ
โฮล
ดังนั้นเราจะนิยามโฮลว่าคืออนุภาคอิสระที่มี
ประจุเท่ากับ +q และเป็นเสมือนคู่ของ
อิเล็กตรอนอิสระ
คู่ประจุอิสระโฮล-อิเล็กตรอนอิสระนี้จะถูก
สร้างขึ้นพร้อมกันจากการอิออไนซ์ทาง
ความร้อน (thermal ionization)

36.  เราเรียกอนุภาคอิสระอย่าง free electron และ hole ว่าพาหะ (carrier)
เนื่องจากอนุภาคอิสระทั้งสองตัวนี้เปรียบเสมือนพาหะที่นาพาประจุไฟฟ้า
เคลื่อนที่ไปมาได้
 ในบางครั้ง free electron และ hole อาจจะเคลื่อนที่มาเจอกันทาให้ทั้งคู่
นั้นหายไป เราเรียกปรากฏการณ์นี้ว่าขบวนการรวมตัว (recombination)
 ในสภาวะ thermal equilibrium อัตราการเกิดและการรวมตัวของคู่ free
electron และ hole จะเท่ากันพอดี
 ถ้าให้ n คือ free electron concentration และ p คือ hole concentration ใน
สภาวะสมดุลทางความร้อน n = p = ni โดย ni คือ intrinsic carrier
concentration ซึ่งมีค่าขึ้นอยู่กับอุณหภูมิและชนิดของสาร
 ในกรณีของผลึกซิลิกอนบริสุทธิ์ที่อยู่ในอุณหภูมิห้อง ni = 1.5 x1010 cm-3

37. • กระแสเกิดจากการเคลื่อนที่ของประจุ ดังนั้นกระแสในผลึกซิลิกอน
บริสุทธิ์อาจเกิดได้ทั้งจากการเคลื่อนที่ของอนุภาคอิสระทั้งสองชนิดคือ
free electron หรือ hole
 electron เป็นอนุภาคที่มีประจุเป็นลบ การเคลื่อนที่ของ
electron จะทาให้เกิดกระแสไหลในทิศทางตรงกันข้าม
 hole เป็นอนุภาคสมมุติที่มีประจุเป็นบวก ดังนั้นทิศทางการ
เคลื่อนที่ของโฮลจะเป็นไปในทิศทางเดียวกันกับกระแส
กระแสในสารกึ่งตัวนา
การเคลื่อนที่ของพาหะในผลึกซิลิกอนสามารถเกิดขึ้นได้สองวิธีคือ
 เกิดจากการแพร่ (diffusion)
 เกิดจากการเลื่อน (drift)

38. การแพร่ การเลื่อน
การแพร่คือการที่สสารเคลื่อนที่
จากบริเวณที่มีความหนาแน่นสูงไป
ยังบริเวณที่มีความหนาแน่นต่า
สามารถเกิดขึ้นได้ถ้าความ
หนาแน่นของ อนุภาคอิสระมีไม่
เท่ากันตลอดทั่วทั้งชิ้นผลึก
การแพร่จะหยุดลงเมื่อความ
หนาแน่นของอนุภาคอิสระมีเท่ากัน
ตลอดทั้งชิ้นผลึก
จะเกิดขึ้นเมื่อมีการป้อน electric field ผ่าน
ชิ้นผลึก ส่งผลให้ free electron และ hole มี
การเคลื่อนที่ไปตามสนามไฟฟ้าทาให้เกิดการ
ไหลของกระแส (Ohm’s Law)
เราเรียกกระแสที่เกิดจากการ drift นี้ว่า
กระแสเลื่อน (drift current)

39. สารกึ่งตัวนาที่ไม่บริสุทธิ์ (doped/extrinsic semiconductor)
เราสามารถเพิ่มสภาพการนาไฟฟ้าของสารกึ่งตัวนาได้โดยการแพร่
(dope) สารเจือลงไปในสารกึ่งตัวนาบริสุทธิ์ โดยจะเรียกสารกึ่งตัวนาประเภทนี้
ว่าสารกึ่งตัวนาไม่บริสุทธิ์
 สามารถแบ่งสารกึ่งตัวนาไม่บริสุทธิ์ได้เป็นสองประเภทคือ
สารกึ่งตัวนาชนิด n ที่มีสารเจือเป็นธาตุหมู่ V (เช่น Phosphorous, Arsenic)
สารกึ่งตัวนาชนิด p ที่มีสารเจือเป็นธาตุหมู่ III (เช่น Boron, Gallium, Indium)

40. +5q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+
+
(a) (b)
 ผลึกของสารกึ่งตัวนาบริสุทธิ์ถูกแพร่ด้วยสารเจือหมู่ V ทาให้เกิด free electron ดังนั้น
ถ้าไม่นับ free electron ที่เกิดจาก thermal ionization แล้ว จานวน free electron ภายใน
สารกึ่งตัวนาชนิด n จะเท่ากับจานวนอะตอมของสารเจือที่แพร่ลงไป
 เราเรียก free electronในสารกึ่งตัวนาชนิด n นี้ว่าพาหะส่วนใหญ่ (majority carrier)
และอะตอมของสารเจือหมู่ V ว่าอะตอมผู้ให้ (donor atom)
n-type semiconductor

41. p-type semiconductor
+3q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
+3q +4q+4q
+4q +4q+4q
+4q +4q+4q
อิออน+
(ชั่วคราว)
อิออน-
อิออน-
โฮล
(c)
• ถ้าไม่นับ hole ที่เกิดจาก thermal ionization จานวน
hole ภายในสารกึ่งตัวนาชนิด p จะเท่ากับจานวน
อะตอมของสารเจือที่แพร่ลงไป
• hole คือ majority carrier ของ P-type semi
•เราเรียกอะตอมของสารเจือหมู่ III ว่าอะตอมผู้รับ
(acceptoratom)

42. ประจุรวม (net charge) ของทั้งสารกึ่งตัวนาชนิด P และชนิด N มีค่าเท่ากับศูนย์
ใน p-type semi ประจุของ hole จะถูกหักล้างด้วยประจุของ ion- ของ donor atom
ใน n-type semi ประจุของ free electron จะถูกหักล้างด้วยประจุของ ion+ ของ
acceptor atom
ชนิดของสารกึ่งตัวนา ชนิด p ชนิด n
พาหะส่วนมาก(majority carrier) โฮล อิเล็กตรอนอิสระ
พาหะส่วนน้อย(minority carrier) อิเล็กตรอนอิสระ โฮล
ประจุไฟฟ้ าสถิตย์ (bound charge) ประจุลบของสารเจือผู้รับ ประจุบวกของสารเจือผู้ให้
 เราเรียก ion+ และ ion- ของอะตอมสารเจือในสารกึ่งตัวนา
ว่าประจุไฟฟ้าสถิตย์ (bound charge หรือ fixed charge)

43. + -
สารกึ่งตัวนาชนิด Pสารกึ่งตัวนาชนิด N

44. การบ้านครั้งที่ 1
แบบฝึกหัดที่ 1 ข้อ 1 ถึง 6
แบบฝึกหัดที่ 2 ข้อ 1 ถึง 10