huhu

1. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
unit
4:
unit
4:
Memahami struktur binaan simbol skematik ,
ciri-ciri SCR, DIAK, TRIAK, FET, MOSFET dan UJT.
Melakarkan gambarajah struktur binaan dan
simbol skematik bagi SCR, DIAK, TRIAK, FET,
MOSFET dan UJT
Menyatakan perbezaan di antara FET dan BJT.
VBRF1VBRF2
IG2>IG
1
IG1=0
VF
VR
IF
IR
Voltan Pecah Tebat
Arus Sekat Depan
Arus Penahan
Arus Sekat Songsang
SCR “OFF”
SCR”ON
”

2. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
4.0 Pengenalan
Unit-unit sebelum ini membincangkan peranti-peranti separuh pengalir yang
sangat popular dalam litar elektronik. Selain daripada diod dan transistor, terdapat
beberapa peranti-peranti separuh pengalir yang digunakan dalam litar elektronik.
Antaranya ialah SCR, DIAK, TRIAK, FET, MOSFET dan UJT.
4.0 SCR
4.1.1 Pengenalan
SCR merupakan peranti 4 lapis ( tiristor ) yang mempunyai 3 terminal iaitu anod,
katod dan get. Secara asasnya, SCR sama seperti satu diod penerus yang
mempunyai elemen kawalan.
SCR banyak digunakan sebagai peranti pensuisan di dalam aplikasi kawalan
kuasa. Struktur asas bagi SCR ialah seperti rajah 4.1 dan simbol skematik bagi
SCR ialah seperti rajah 4.2.
Anod Katod
Get
P
N
P
N
A
K
G
Rajah 4.1: Struktur Binaan SCR Rajah 4.2 : Simbol SCR

3. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
4.1.2 Lengkuk Cirian I-V bagi SCR
Rajah 4.3 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi SCR.
Lengkuk cirian SCR hampir sama dengan lengkuk cirian diod biasa kecuali
terdapatnya sebahagian kawasan di peringkat awal yang menggambarkan arus
depan yang tersekat seketika.
Semasa pincang depan (VF), ketika IG=0, tiada arus anod (IA) yang dialirkan oleh
SCR itu kecuali sedikit arus bocor. Sekalipun VF dinaikkan, IA tetap tiada
melainkan sedikit kenaikan arus bocor. Arus pada paras ini dinamakan Arus Sekat
Depan ( Forward Blocking Current ).
Dengan keadaan IG masih 0 dan VF terus dinaikkan, akan sampai pada suatu nilai
voltan di mana IA tiba-tiba mengalir dan meninggi dengan cepat. Nilai VF pada
masa itu khususnya dinamakan Voltan Pecah Tebat Depan (Forward Breakover
Voltage, VBRF1). VBRF1 ialah ketika IG = 0.
Jika ada IG ( disebabkan oleh voltan positif kepada pintu ), yang di dalam rajah itu
dilabelkan sebagai IG2, kejadian voltan pecah tebat depan akan berlaku lebih awal
lagi (VBRF2). Takat VBRF boleh direndahkan lagi dengan menambahkan nilai IG.
Begitulah seterusnya sehingga jika IG dilaras kepada suatu nilai yang cukup tinggi,
SCR akan berlagak seperti diod biasa.
Sewaktu SCR dipincang songsang (VR), SCR tidak akan mengalirkan arus kecuali
sedikit arus bocor atau arus sekat songsang. Jika VR terlalu tinggi, akan sampai ke
takat voltan pecah tebat songsang. SCR bertindak seperti diod biasa dalam
keadaan pincang songsang.
VBRF1
VBRF2
IG2
>IG1 IG1
=0
VF
VR
IF
IR
Voltan Pecah Tebat
Arus Sekat Depan
Arus Penahan
Arus Sekat Songsang
SCR “OFF”
SCR”ON
”
Rajah 4.3 : Lengkuk Cirian I-V bagi SCR

4. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
Arus Penahan ( Holding Current ) ialah paras di mana arus SCR berpindah dari
keadaan tersekat ( OFF ) kepada keadaan pengaliran ( ON ).
Semasa pincang hadapan, SCR mempunyai dua keadaan operasi iaitu keadaan
“OFF” dan “ON” ( rujuk rajah 4.3 ). Semasa keadaan “OFF” , SCR bertindak
seperti litar terbuka manakala semasa keadaan “ON” SCR bertindak seperti litar
tertutup.
Semasa pincang songsang, SCR bertindak seperti litar terbuka.
Rajah 4.4 menunjukkan keadaan SCR semasa pincang depan dan pincang
songsang.
4.1.3 Operasi SCR
Seperti diod biasa, untuk membolehkan arus mengalir melalui SCR, anod mestilah
diberikan voltan pincang depan. Namun begitu, bagi SCR, voltan pincang depan
itu masih belum boleh mengalirkan arus. Hanya setelah get diberikan voltan positif
yang seketika ( denyut ) dengan magnitud yang cukup, barulah berlaku pengaliran
arus dari anod ke katod.
R1
S1
R1
S1
R1
S1
R1
+Vcc +Vcc +Vcc - Vcc
+
Vcc
-
+
0V
-
-
Vcc
+
tanpa
isyarat
picuan
diberi
isyarat
picuan SCR
pincang
songsang
SCR pincang depan
Rajah 4.4 : Keadaan SCR semasa pincang depan dan pincang songsang

5. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
Sebaik saja SCR beroperasi, voltan denyut positif pada get tadi sudah tidak
diperlukan lagi, get telah hilang daya kawalannya. Walaupun denyut positif itu
kemudiannya dihapuskan, SCR masih boleh terus mengalirkan arus tinggi tanpa
henti.
Operasi SCR hanya boleh dihentikan dengan beberapa cara, di antaranya ialah
dengan :-
⇒ memutuskan litar laluan arus SCR, misalnya dengan meletakkan alat
pemutus litar pada mana-mana tempat laluan arus.
⇒ memintaskan anod dan katod.
⇒ mematikan bekalan voltan positif pada anod.
⇒ menukar kekutuban voltan kepada anod itu menjadi negatif.

6. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
4.2 TRIAK
4.2.1 Pengenalan
TRIAK merupakan peranti 5 lapis yang boleh mengalirkan arus dua arah. TRIAK
juga boleh dipicu pada get dengan voltan picuan positif atau negatif.
Seperti SCR, TRIAK juga merupakan peranti 3 terminal. Bezanya ialah SCR
mengalirkan arus satu arah sahaja tetapi TRIAK mengalirkan arus dua arah.
TRIAK boleh diumpamakan dua SCR yang disambung selari dan berlawanan arah
seperti rajah 4.5. Oleh kerana Anod SCR 1 disambung dengan Katod SCR 2,
maka terminal TRIAK dilabelkan MT1 (main terminal 1) dan MT2 (main terminal 2).
Terminal get masih digunakan pada TRIAK kerana terminal get SCR 1 dan SCR 2
dicantumkan.
Rajah 4.6 menunjukkan struktur binaan dan simbol skematik bagi TRIAK .
A
K
G
A
K
MT2
MT1
SCR 2SCR 1
Rajah 4.5 : Litar setara TRIAK menggunakan SCR

7. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
4.2.2 Lengkuk Cirian I-V bagi triak
Rajah 4.2.3 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi TRIAK.
Lengkuk cirian TRIAK hampir sama dengan lengkuk cirian SCR kecuali semasa
pincang songsang.
Semasa pincang songsang, lengkuknya adalah sama dengan lengkuk semasa
pincang depan tetapi berlawanan arah. Ciri-ciri lain adalah sama dengan ciri-ciri
lengkuk cirian SCR. Contohnya, voltan pecah tebat akan berkurang apabila arus
get bertambah.
MT1
MT2
G
P1
N1
P2
N4
N2
MT2
MT1
N3
G
Rajah 4.6 : Struktur Binaan dan Simbol skematik TRIAK
VMT
-VMT
IMT
-IMT
Rajah 4.7 : Lengkuk Cirian I-V bagi TRIAK
-VBR( R )1
VBR( F )1
-VBR( R )2
VBR( F )2
IH1
IH2
-IH2
-IH1

8. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
4.3 DIAK
4.3.1 Pengenalan
Untuk memudahkan perbincangan kita, DIAK adalah sama dengan TRIAK yang
tidak mempunyai terminal get. Oleh sebab itu DIAK adalah peranti 2 terminal yang
dilabelkan MT1 (main terminal 1) dan MT2 (main terminal 2) sahaja. Rajah 4.8
menunjukkan simbol skematik bagi DIAK.
DIAK juga boleh diumpamakan seperti diod yang mempunyai 4 lapisan. Rajah 4.9
menunjukkan struktur binaan bagi DIAK. Bezanya ialah diod mengalirkan arus
satu arah sahaja tetapi DIAK mengalirkan arus dua arah. Apabila MT1 positif,
laluan arus ialah melalui P2-N2-P1-N1. Sebaliknya bila MT2 positif, laluan arus ialah
melalui P1-N2-P2-N3.
MT1
MT2
Rajah 4.8 : Simbol Skematik DIAK

9. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
4.3.2 Lengkuk Cirian I-V bagi DIAK
Rajah 4.10 menunjukkan gambarajah lengkuk cirian I-V bagi DIAK.
Lengkuk cirian DIAK hampir sama dengan lengkuk cirian TRIAK kecuali ciri-ciri get
tidak ada.
Berlainan dengan SCR dan TRIAK, DIAK hanya akan beroperasi apabila voltan
merentasinya melebihi voltan pecah tebat. DIAK tidak mempunyai get yang boleh
mengurangkan voltan pecah tebat.
DIAK boleh mengalirkan arus dua arah. Oleh itu lengkuk cirian DIAK semasa arus
bertentangan arah adalah sama. ( rujuk rajah 4.10 )
P1
N2
P2
N1
N3
MT2
MT1
Rajah 4.9 : Struktur Binaan DIAK
VMT
-VMT
IMT
-IMT
Rajah 4.10 : Lengkuk Cirian I-V bagi DIAK
-VBR( R )
VBR( F )
IH1
-IH1

10. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
UJIKAN KEFAHAMAN ANDA SEBELUM MENERUSKAN INPUT
SETERUSNYA………….DAN ……….
SEMAKLAH JAWAPAN ANDA PADA MAKLUMBALAS DI HALAMAN BERIKUTNYA.
SELAMAT MENCUBA !!!!!!
1. Lakarkan struktur binaan dan simbol skematik bagi :-
i. SCR
ii. TRIAK
iii. DIAK
2. Nyatakan 2 syarat untuk mengoperasikan SCR
3. Nyatakan 2 syarat untuk mematikan SCR.
4. Namakan terminal-terminal TRIAK.
5. Bolehkah terminal get bagi TRIAK dipicu dengan voltan picuan negatif?
6. Pada julat manakah DIAK biasanya mula mengalirkan arus?

11. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
1.
2. Dua syarat untuk mengoperasikan SCR ialah :-
i) voltan pincang hadapan merentasi anod dan katod
ii) diberi voltan picuan positif pada terminal get.
Anod Katod
Get
P
N
P
N
A
K
G
Struktur Binaan SCR Simbol Skematik SCR
MT1
MT2
G
P1
N1
P2
N4
N2
MT2
MT1
N3
G
Struktur Binaan TRIAK Simbol Skematik TRIAK
MT1
MT2
Simbol Skematik DIAK
P1
N2
P2
N1
N3
MT2
MT1
Struktur Binaan DIAK

12. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
3. Dua syarat untuk mematikan SCR ialah :-
i) putuskan laluan arus ke SCR
ii) pintaskan anod dan katod
4. Terminal-terminal TRIAK ialah :-
i) Terminal utama 1 ( MT1 )
ii) Terminal utama 2 ( MT2 )
iii) Get
5. Boleh
6. Diak biasanya mula mengalirkan arus apabila voltan merentasi DIAK melebihi voltan
pecah tebat.

13. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
4.4 Transistor Kesan Medan ( FET )
4.4.1 Pengenalan
Transistor yang dipelajari sebelum ini ialah dalam kategori transistor dwipolar,
iaitu melibatkan kedua-dua pembawa arus elektron dan hol. Transistor tersebut
juga tergolong di dalam jenis komponen atau alat terkawal arus (current controlled
device).
Satu lagi kategori transistor ialah transistor “unipolar” iaitu yang hanya melibatkan
salah satu pembawa arus majoriti. Salah satu transistor “unipolar” yang sering
digunakan ialah Transistor Kesan Medan (Field Effect Transistor) atau ringkasnya
dipanggil FET. Ia merupakan komponen atau alat terkawal voltan (voltage
controlled device).
FET adalah terdiri daripada dua kategori iaitu JFET ( Junction FET ) dan MOSFET
( Metal-oxide semiconductor FET ). Dalam input 4.4 ini, kita membincangkan JFET
dan input 4.5 membincangkan MOSFET.
4.4.2 JFET
Rajah 4.11 menunjukkan struktur binaan FET. Ia terbina daripada satu bar
semikonduktor bahan jenis N yang dari dua hujungnya diterbitkan elemen atau
kaki yang satunya bernama Punca (Source) dan satu lagi bernama Parit (Drain).
Di tengah-tengah bar tersebut terdapat dua bahan jenis P yang bersetentang, dan
darinya diterbitkan satu elimen bernama Pintu (Gate). Untuk kemudahan,
kadangkala huruf-huruf S, D dan G akan digunakan sebagai singkatan bagi
punca, parit dan pintu.
Oleh kerana bar yang digunakan di antara punca dan parit ialah dari
semikonduktor bahan jenis N, maka FET ini dikenali dengan nama FET Saluran N.
Rajah 4.11 menunjukkan lukisan simbol skematik baginya. Perhatikan bahawa
anak panah pintu menunjuk ke dalam.

14. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
Satu jenis FET lagi ialah FET Saluran P. Rajah 4.12 menunjukkan struktur
binaannya, di mana bar yang digunakan ialah bahan jenis P dan ditengah-
tengahnya dua bahan jenis N yang bersetentang. Namun demikian tidak ada
perbezaan pada nama-nama elemen. Cuma sedikti perubahan pada lukisan
simbol skematiknya seperti yang ditunjuk di rajah 4.12 iaitu anak panah pintu
menunjuk ke luar.
Untuk mudah mengingati simbol skematik kedua-dua jenis ini, ingatkan saja
bahawa yang ditunjuk oleh anak panah ialah bahan jenis N. Jika anak panah
menunjuk ke dalam, maka yang ditunjuk ialah bahan jenis N untuk saluran.
Jika anak panah menunjuk ke luar, maka yang ditunjuk ialah bahan jenis N untuk
pintu.
D
S
G
N
P
D
S
G
P
Rajah 4.11 : Struktur binaan dan Simbol Skematik bagi FET saluran N
D
S
G
P
N
D
S
G
N
Rajah 4.12 : Struktur binaan dan Simbol Skematik bagi FET saluran P

15. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
Perhatikan juga pada rajah struktur binaan bahawa di antara bahan untuk saluran
dan bahan untuk pintu terdapat cantuman P-N yang tentunya mempunyai kesan-
kesan keujudan kawasan kesusutan dan voltan sawar.
4.4.3 Perbandingan di antara JFET dengan Transistor Dwipolar.
Jika dari segi bentuk fizikal, tidak banyak perbezaan yang ketara di antara kedua-
dua jenis transistor ini, malahan kedua-duanya agak sama. Tanpa merujuk kepada
nombor pengenalan dan buku manual, agak sukar untuk membezakannya. JFET,
seperti juga transistor dwipolar biasa, mempunyai tiga kaki.
Dari segi penggunaannya di dalam litar-litar elektronik, JFET juga boleh bertugas
sebagai amplifier. Cara sambungan dan pendawaiannya juga tidak banyak
bezanya. JFET, seperti juga transistor biasa, disambungkan dengan tatarajah
punca sepunya, di mana litar pintu-punca menjadi terminal masukan dan litar parit-
punca menjadi terminal keluaran.
Namun, dari segi prinsip dan ciri-cirinya, perbezaan di antara JFET dengan
transistor dwipolar biasa tetap ada, di antaranya ialah:
⇒ JFET tatarajah punca-sepunya mempunyai kerintangan masukan yang
sangat tinggi, lebih kurang 100M ohm ( kerana litar masukannya ialah di
antara pintu-punca yang dipincang songsang )
⇒ JFET ialah alat terkawal voltan, transistor biasa ialah alat terkawal arus.
⇒ JFET ialah transistor unipolar, iaitu melibatkan satu jenis pembawa arus
majoriti sahaja. Transistor biasa ialah dwipolar, kerana melibatkan
kedua-dua jenis pembawa arus.
⇒ JFET tidak terlalu sensistif kepada perubahan suhu sekitar. Pembawa
arus minoriti tidak meninggalkan kesan-kesan besar. Tiada pengaruh
Beta.
⇒ JFET mempunyai tatalaku Hukum Kuasa Dua, di mana, arus keluaran
berubah dengan kuasa dua masukan. Ciri seperti ini tidak ada pada
transistor biasa. Ada beberapa litar elektronik yang memerlukan ciri
seperti ini.
⇒ JFET mempunyai kadar bising dalaman yang rendah dari transistor
biasa. Oleh itu ia kerap digunakan dalam amplifier hi-fi dan alat terima
radio FM.

16. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
4.5MOSFET
4.5.1 Pengenalan
MOSFET adalah kategori kedua bagi FET. MOSFET (metal-oxide semiconductor
FET) mempunyai terminal-terminal seperti JFET iaitu punca, parit dan get. Yang
membezakan MOSFET dengan JFET ialah terminal get diasingkan dengan
saluran (channel) oleh satu lapisan silikon oksida (SiO2). Oleh sebab itu, arus get
menjadi semakin kecil. MOSFET juga dipanggil sebagai IGFET (insulated-get
FET).
Terdapat dua jenis MOSFET, iaitu MOSFET ragam susutan dan peningkatan
(depletion-enhancement mode) dan MOSFET ragam peningkatan sahaja
(enhancement-only mode).
4.5.2 MOSFET Ragam Susutan Dan Peningkatan ( DE MOSFET )
DE MOSFET boleh beroperasi secara ragam susutan dan ragam peningkatan
dengan hanya menukar polariti voltan antara get dan punca (VGS). Bila VGS adalah
negatif, DE MOSFET beroperasi secara ragam susutan. Sebaliknya bila VGS
adalah positif, DE MOSFET beroperasi secara ragam peningkatan.
Rajah 4.13 dan 4.14 menunjukkan struktur binaan dan simbol DE MOSFET.
Merujuk kepada struktur binaan, kita dapati saluran (channel) bersambung dari
parit ke punca. Ini menyebabkan arus parit (ID) boleh mengalir walaupun VGS=0.
N
N
P
D
S
G
G
D
S
P
P
N
D
S
G
G
D
S
Rajah 4.14 : Struktur Binaan dan Simbol Skematik DE MOSFET
Rajah 4.13 : Struktur Binaan dan Simbol Skematik DE MOSFET

17. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
4.5.3 MOSFET Ragam Peningkatan Sahaja ( E MOSFET )
E MOSFET boleh beroperasi secara ragam peningkatan sahaja. Ia beroperasi
dengan nilai VGS yang besar.
Struktur binaan E MOSFET berbeza dengan DE MOSFET. Rajah 4.15
menunjukkan struktur binaan dan simbol E MOSFET.
Merujuk kepada struktur binaan, kita dapati saluran (channel) tidak bersambung
antara parit dan punca. Ini menyebabkan arus parit (ID) tidak boleh mengalir jika
VGS=0.
N
N
P
D
S
G
G
D
S
P
P
N
D
S
G
G
D
S
Rajah 4.15 : Struktur Binaan dan Simbol Skematik E MOSFET

18. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
4.6 Transistor Ekasimpang ( UJT )
Satu lagi komponen semikonduktor yang termasuk dalam keluarga transistor ialah
Transistor Ekasimpang ( Unijunction Transistor ) atau ringkasnya dipanggil UJT.
UJT berbeza dengan diod kerana UJT mempunyai 3 terminal. UJT berbeza
dengan FET kerana UJT tidak boleh menguatkan isyarat. UJT boleh mengawal
kuasa AU yang besar dengan isyarat yang kecil.
Rajah 4.16 menunjukkan struktur binaan UJT. Ia berbina daripada satu bar
semikonduktor bahan jenis N yang diserap untuk mempunyai sedikit saja
pembawa arus majoriti, dan dari dua hujungnya diterbitkan dua terminal Tapak.
Tapak yang di atas dilabel sebagai B2 dan yang di bawah sebagai B1.
Suatu lapisan bahan jenis P ditampalkan ke bar bahan N itu dan darinya
diterbitkan terminal Pengeluar (E). Pengeluar diserap supaya mengandungi
banyak pembawa arus majoriti. Lukisan simbol skematik bagi UJT ialah seperti
rajah 4.16
UJT biasanya digunakan di dalam litar aplikasi:-
• Kawalan fasa
• Pensuisan
• Pemasa
• Penjana isyarat
B2
B1
E
NP
B2
B1
E
Rajah 4.16 : Struktur binaan dan simbol skematik bagi UJT.

19. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
UJIKAN KEFAHAMAN ANDA SEBELUM MENERUSKAN INPUT
SETERUSNYA………….DAN ……….
SEMAKLAH JAWAPAN ANDA PADA MAKLUMBALAS DI HALAMAN BERIKUTNYA.
SELAMAT MENCUBA !!!!!!
Tuliskan YA atau TIDAK pada kotak yang disediakan.
YA / TIDAK
1 FET ialah peranti unipolar.
2 FET ialah alat terkawal arus.
3 Punca dan parit merupakan satu bar separuh pengalir.
4 FET mempunyai tiga terminal iaitu Parit, Punca dan Get.
5 JFET terdiri daripada jenis saluran N sahaja.
6 Anak panah pada simbol JFET menunjukkan bahan jenis N.
7 Terminal get MOSFET diasingkan oleh lapisan SiO2
8 Saluran DE MOSFET tidak bersambung dari parit ke punca.
9 UJT ialah peranti unipolar
10 UJT mempunyai tiga terminal iaitu Pengeluar, Pemungut dan
Tapak.

20. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
1 Ya
2 Tidak
3 Ya
4 Ya
5 Tidak
6 Ya
7 Ya
8 Tidak
9 Ya
10 Tidak
PENILAIAN KENDIRIPENILAIAN KENDIRI

21. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
TAHNIAH ! ANDA TELAH MENGHAMPIRI KEJAYAAN. SILA CUBA SEMUA SOALAN
DALAM PENILAIAN KENDIRI INI DAN SEMAK JAWAPAN ANDA PADA MAKLUMBALAS
YANG DISEDIAKAN.
JIKA ADA MASALAH TIMBUL , SILA BERBINCANG DENGAN PENSYARAH ANDA.
SELAMAT MENCUBA SEMOGA BERJAYA !!!!!!
4.1 Terangkan makna istilah yang diambil dari lengkuk cirian SCR berikut:-
i) Arus Sekat Depan
ii) Arus Sekat Songsang
iii) Arus Penahan
iv) Voltan Pecah Tebat
4.2 Nyatakan dua perbezaan di antara SCR dan TRIAK.
4.3 Bagaimanakah kedudukan SCR di dalam TRIAK.
4.4 Nyatakan dua perbezaan di antara SCR dan DIAK.
4.5 Apakah yang membezakan JFET dan MOSFET.
4.6 Senaraikan perbezaan di antara JFET dan transistor biasa.
4.7 Nyatakan 2 perbezaan di antara DE MOSFET dan E MOSFET.
4.8 Senaraikan litar-litar yang menggunakan UJT.
Tugasan:
Terangkan operasi semikonduktur-semikonduktur berikut:-
i) FET
ii) MOSFET
iii) UJT
iv) SCR
v) TRIAK
vi) DIAK
( Tempoh penulisan tugasan ialah 2 minggu. )
MAKLUMBALAS
PENILAIAN KENDIRI
MAKLUMBALAS
PENILAIAN KENDIRI

22. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
4.1 Arus Sekat Depan : Arus bocor yang mengalir semasa voltan
pincang depan dan voltan merentasi SCR
tidak melebihi voltan pecah tebat.
Arus Sekat Songsang : Arus bocor yang mengalir semasa voltan
pincang songsang.
Arus Penahan : Paras di mana arus SCR berpindah dari
keadaan tersekat kepada keadaan
pengaliran.
Voltan Pecah Tebat : Nilai voltan di mana selepas voltan ini, arus
akan meningkat dengan cepat. Di dalam
SCR, terdapat dua voltan pecah tebat iaitu
voltan pecah tebat semasa pincang depan
dan voltan pecah tebat semasa pincang
belakang.
4.2 SCR TRIAK
i. Mengalirkan arus satu arah Mengalirkan arus dua arah
ii. Perlu voltan picuan positif untuk
beroperasi
Boleh menerima voltan picuan
positif dan negatif untuk
beroperasi.
4.3 Di dalam TRIAK, kedudukan SCR adalah seperti 2 SCR disambung
selari dan bertentangan arah.
4.4 SCR DIAK
i. mengalirkan arus satu arah mengalirkan arus dua arah
ii. beroperasi bila diberi voltan picuan
positif pada get
beroperasi bila voltan merentasi
diak melebihi voltan pecah tebat.
4.5Yang membezakan JFET dan MOSFET ialah terminal get. Terminal get MOSFET
diasingkan dengan satu lapisan SiO2.

23. PERANTI SEPARUH PENGALIR E1002 / UNIT
4.6Perbezaan di antara FET dan transistor biasa ialah :-
• impedan masukan tinggi.
• alat kawalan voltan.
• melibatkan satu pembawa arus majoriti sahaja.
• tidak sensitif pada haba.
4.7 DE MOSFET E MOSFET
i. boleh beroperasi secara ragam
peningkatan dan ragam susutan
hanya boleh beroperasi secara
ragam peningkatan sahaja.
ii. saluran bersambung dari parit ke
punca.
saluran tidak bersambung antara
parit dan punca.
4.8. Litar-litar yang menggunakan UJT ialah litar pemasa, kawalan fasa, pensuisan
dan litar penjana isyarat.
Tugasan
Untuk menyiapkan tugasan, anda perlu:-
a. mendapatkan buku-buku “Electronics”, “Basic Electronics” atau “Electronics
Principle”.
b. Rujuk bab atau index untuk mendapat tajuk FET, MOSFET, UJT, SCR, TRIAK
dan DIAK.
c. Dapatkan bagi setiap peranti:-
i. Simbol skematik
ii. Struktur binaan
iii. Lengkuk cirian I-V
iv. Operasi
v. Litar contoh.
d. Setelah anda dapat melaksanakan langkah a hingga c, mulakan penulisan
tugasan. Mulakan tugasan dengan tajuk pengenalan dan diakhiri dengan
kesimpulan.
e. Setelah anda berpuas hati dengan isi-isi dalam penulisan, rujuk pensyarah
anda untuk mendapat kepastian.