SlideShare a Scribd company logo
1 of 9
Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor (MOSFET)

Nama:Yazid Khoirul Anwar
Nim : 111910201102
Tugas : Elektronika Daya – Bab.6
Seilas Tentang MOSFET
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor) adalah salah satu jenis transistor efek
medan
 merupakan salah satu jenis transistor yang memiliki
impedansi masukan (gate) sangat tinggi
 Poin penting dalam prinsip pengoperasian MOSFET
adalah alat pengontrol tegangan mayoritas. Sesuai
namanya, perpindahan pembawa mayoritas dalam
MOSFET yang dikontrol adalah tegangan dengan
menggunakan kontrol eletroda.

Jenis – Jnis MOSFET
MOSFET terbagi atas :
oyang pertama jenis depletion-mode dan,
oyang kedua jenis enhancement-mode
MOSFET Depletion-mode






Pada sebuah kanal
semikonduktor tipe n terdapat
semikonduktor tipe p dengan
menyisakan sedikit celah.
Dengan demikian diharapkan
elektron akan mengalir dari
source menuju drain melalui
celah sempit ini.
Gate terbuat dari metal (seperti
aluminium) dan terisolasi oleh
bahan oksida tipis SiO2 yang
tidak lain adalah kaca.
MOSFET Enhancement-mode


Gate terbuat dari metal
aluminium dan terisolasi oleh
lapisan SiO2 sama seperti
transistor MOSFET
depletion-mode. Perbedaan
struktur yang mendasar
adalah, subtrat pada transistor
MOSFET enhancementmode sekarang dibuat sampai
menyentuh gate
Kurva Karakteristik MOSFET
Wilayah Saturasi (MOSFET ON)


Pada daerah saturasi MOSFET mendapatkan
bias input (Vgs) secara maksimum sehingga
arus drain pada MOSFET juga akan maksimum
dan membuat tegangan Vds = 0V. Pada kondisi
saturasi ini MOSFET dapat dikatakan dalam
kondisi ON secara penuh (Fully-ON).
Wilayah Cut-Off (MOSFET OFF)


Pada daerah Cut-Off MOSFET tidak
mendapatkan tegangan input (Vin = 0V)
sehingga tidak ada arus drain Id yang mengalir.
Kondisi ini akan membuat tegangan Vds = Vdd.
Dengan beberapa kondisi diatas maka pada
daerah cut-off ini MOSFET dikatakan OFF
(Full-Off). Kondisi cut-off ini dapat diperoleh
dengan menghubungkan jalur input (gate) ke
ground, sehingga tidaka ada tegangan input
yang masuk ke rangkaian saklar MOSFET
SWITCHING MOSFET
MOSFET pada kondisi saturasi (ON) dan
kondisi cut-off (OFF).
 Membuat tegangan Vds = 0 v. Pada kondisi
saturasi ini MOSFET dapat dikatakan dalam
kondisi ON secara penuh (Fully-ON).
 Membuat tegangan Vds = Vdd. Dengan kondisi
diatas maka pada daerah cut-off ini MOSFET
dikatakan OFF (Full-Off).


More Related Content

What's hot

Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik TransistorRyan Aryoko
 
sharing belajar OP Am elektronika dasar
sharing belajar OP Am elektronika dasarsharing belajar OP Am elektronika dasar
sharing belajar OP Am elektronika dasarRinanda S
 
Pengertian PM dan FM
Pengertian PM dan FMPengertian PM dan FM
Pengertian PM dan FMRizki Nugroho
 
Modul 02 konsep modulasi, modulasi analog, am
Modul 02 konsep modulasi, modulasi analog, amModul 02 konsep modulasi, modulasi analog, am
Modul 02 konsep modulasi, modulasi analog, amFurwadi Rider
 
Pengertian dan Cara Kerja Phase Modulasi (PM)
Pengertian dan Cara Kerja Phase Modulasi (PM)Pengertian dan Cara Kerja Phase Modulasi (PM)
Pengertian dan Cara Kerja Phase Modulasi (PM)Reinaldo Rahadian Putra
 
Laporan Praktikum Gerbang logika
Laporan Praktikum Gerbang logikaLaporan Praktikum Gerbang logika
Laporan Praktikum Gerbang logikaFebriTiaAldila
 
Pulse width modulation
Pulse width modulationPulse width modulation
Pulse width modulationSidiq Abdullah
 
Materi tugas saluran transmisi dan matching impedance
Materi tugas saluran transmisi dan matching impedanceMateri tugas saluran transmisi dan matching impedance
Materi tugas saluran transmisi dan matching impedanceEmyu Rahmawan
 
Modulasi frekuensi dan modulasi phase (Fm dan Pm)
Modulasi frekuensi dan modulasi phase (Fm dan Pm)Modulasi frekuensi dan modulasi phase (Fm dan Pm)
Modulasi frekuensi dan modulasi phase (Fm dan Pm)Ishardi Nassogi
 

What's hot (20)

Karakteristik Transistor
Karakteristik TransistorKarakteristik Transistor
Karakteristik Transistor
 
TEGANGAN TEMBUS PADAT PADA TEKNIK TEGANGAN TINGGI
TEGANGAN TEMBUS PADAT PADA TEKNIK TEGANGAN TINGGI TEGANGAN TEMBUS PADAT PADA TEKNIK TEGANGAN TINGGI
TEGANGAN TEMBUS PADAT PADA TEKNIK TEGANGAN TINGGI
 
Buck Boost Converter
Buck Boost ConverterBuck Boost Converter
Buck Boost Converter
 
Tugas modulation AM, FM, dan PM
Tugas modulation AM, FM, dan PMTugas modulation AM, FM, dan PM
Tugas modulation AM, FM, dan PM
 
Induksi Medan Magnet
Induksi Medan MagnetInduksi Medan Magnet
Induksi Medan Magnet
 
Transformator
TransformatorTransformator
Transformator
 
sharing belajar OP Am elektronika dasar
sharing belajar OP Am elektronika dasarsharing belajar OP Am elektronika dasar
sharing belajar OP Am elektronika dasar
 
Dasar sistem kontrol
Dasar sistem kontrolDasar sistem kontrol
Dasar sistem kontrol
 
IGBT
IGBTIGBT
IGBT
 
Osciloscope
OsciloscopeOsciloscope
Osciloscope
 
Mosfet
MosfetMosfet
Mosfet
 
Pengertian PM dan FM
Pengertian PM dan FMPengertian PM dan FM
Pengertian PM dan FM
 
Modul 02 konsep modulasi, modulasi analog, am
Modul 02 konsep modulasi, modulasi analog, amModul 02 konsep modulasi, modulasi analog, am
Modul 02 konsep modulasi, modulasi analog, am
 
Pengertian dan Cara Kerja Phase Modulasi (PM)
Pengertian dan Cara Kerja Phase Modulasi (PM)Pengertian dan Cara Kerja Phase Modulasi (PM)
Pengertian dan Cara Kerja Phase Modulasi (PM)
 
Laporan Praktikum Gerbang logika
Laporan Praktikum Gerbang logikaLaporan Praktikum Gerbang logika
Laporan Praktikum Gerbang logika
 
Pulse width modulation
Pulse width modulationPulse width modulation
Pulse width modulation
 
Materi tugas saluran transmisi dan matching impedance
Materi tugas saluran transmisi dan matching impedanceMateri tugas saluran transmisi dan matching impedance
Materi tugas saluran transmisi dan matching impedance
 
Pertemuan 3
Pertemuan 3Pertemuan 3
Pertemuan 3
 
Sistem Kendali.ppt
Sistem Kendali.pptSistem Kendali.ppt
Sistem Kendali.ppt
 
Modulasi frekuensi dan modulasi phase (Fm dan Pm)
Modulasi frekuensi dan modulasi phase (Fm dan Pm)Modulasi frekuensi dan modulasi phase (Fm dan Pm)
Modulasi frekuensi dan modulasi phase (Fm dan Pm)
 

Similar to Ppt modul 6

Organisasi dan-arsitektur-komputer
Organisasi dan-arsitektur-komputerOrganisasi dan-arsitektur-komputer
Organisasi dan-arsitektur-komputerMuhammad Martayuda
 
Materi pertemuan 2 Penerapan Rangkaian Elektronika
Materi pertemuan 2 Penerapan Rangkaian ElektronikaMateri pertemuan 2 Penerapan Rangkaian Elektronika
Materi pertemuan 2 Penerapan Rangkaian ElektronikaAhmad Nawawi, S.Kom
 
Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistorTeori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistordzikri nur husna husna
 
Elektronika dan rl
Elektronika dan rlElektronika dan rl
Elektronika dan rlBayuadi82
 
Pemicu transistor dan thyristor
Pemicu transistor dan thyristorPemicu transistor dan thyristor
Pemicu transistor dan thyristorUmi Azizah
 
Adi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiAdi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiadiprayogaa
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistorC4hyonugroho
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistorFaiz Amali
 
Revisi karakteristik transistor muhammad f_ridwan_tma
Revisi karakteristik transistor muhammad f_ridwan_tmaRevisi karakteristik transistor muhammad f_ridwan_tma
Revisi karakteristik transistor muhammad f_ridwan_tmaMuhammad F Ridwan
 

Similar to Ppt modul 6 (20)

Mosfet
MosfetMosfet
Mosfet
 
MOSFET
MOSFETMOSFET
MOSFET
 
Organisasi dan-arsitektur-komputer
Organisasi dan-arsitektur-komputerOrganisasi dan-arsitektur-komputer
Organisasi dan-arsitektur-komputer
 
Penerapan Rangkaian Elektronika
Penerapan Rangkaian ElektronikaPenerapan Rangkaian Elektronika
Penerapan Rangkaian Elektronika
 
Materi pertemuan 2 Penerapan Rangkaian Elektronika
Materi pertemuan 2 Penerapan Rangkaian ElektronikaMateri pertemuan 2 Penerapan Rangkaian Elektronika
Materi pertemuan 2 Penerapan Rangkaian Elektronika
 
Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistorTeori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
Teori dasar-mosfet-metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistor Karakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Transistor
TransistorTransistor
Transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Penguat
PenguatPenguat
Penguat
 
Mosfet
MosfetMosfet
Mosfet
 
Elektronika dan rl
Elektronika dan rlElektronika dan rl
Elektronika dan rl
 
Pemicu transistor dan thyristor
Pemicu transistor dan thyristorPemicu transistor dan thyristor
Pemicu transistor dan thyristor
 
Adi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasiAdi prayoga presetasi
Adi prayoga presetasi
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Karakteristik transistor
Karakteristik transistorKarakteristik transistor
Karakteristik transistor
 
Transistor
TransistorTransistor
Transistor
 
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
KARAKTERISTIK TRANSISTORKARAKTERISTIK TRANSISTOR
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
 
Revisi karakteristik transistor muhammad f_ridwan_tma
Revisi karakteristik transistor muhammad f_ridwan_tmaRevisi karakteristik transistor muhammad f_ridwan_tma
Revisi karakteristik transistor muhammad f_ridwan_tma
 

More from Agustin Puspita Sari (20)

Ppt tugas teknik digital 1
Ppt tugas teknik digital 1Ppt tugas teknik digital 1
Ppt tugas teknik digital 1
 
Ppt tugas teknik digital 2
Ppt tugas teknik digital 2Ppt tugas teknik digital 2
Ppt tugas teknik digital 2
 
Ppt tugas teknik digital 3
Ppt tugas teknik digital 3Ppt tugas teknik digital 3
Ppt tugas teknik digital 3
 
Ppt modul 24
Ppt modul 24Ppt modul 24
Ppt modul 24
 
Ppt modul 23
Ppt modul 23Ppt modul 23
Ppt modul 23
 
Ppt modul 22
Ppt modul 22Ppt modul 22
Ppt modul 22
 
Ppt modul 32
Ppt modul 32Ppt modul 32
Ppt modul 32
 
Ppt modul 25
Ppt modul 25Ppt modul 25
Ppt modul 25
 
Ppt modul 26
Ppt modul 26Ppt modul 26
Ppt modul 26
 
Ppt modul 27
Ppt modul 27Ppt modul 27
Ppt modul 27
 
Ppt modul 28
Ppt modul 28Ppt modul 28
Ppt modul 28
 
Ppt modul 29
Ppt modul 29Ppt modul 29
Ppt modul 29
 
Ppt modul 30
Ppt modul 30Ppt modul 30
Ppt modul 30
 
Ppt modul 1
Ppt modul 1Ppt modul 1
Ppt modul 1
 
Ppt modul 15
Ppt modul 15Ppt modul 15
Ppt modul 15
 
Ppt tugas teknik digital 3
Ppt tugas teknik digital 3Ppt tugas teknik digital 3
Ppt tugas teknik digital 3
 
Ppt tugas teknik digital 2
Ppt tugas teknik digital 2Ppt tugas teknik digital 2
Ppt tugas teknik digital 2
 
Ppt tugas teknik digital 1
Ppt tugas teknik digital 1Ppt tugas teknik digital 1
Ppt tugas teknik digital 1
 
Ppt modul 24
Ppt modul 24Ppt modul 24
Ppt modul 24
 
Ppt modul 23
Ppt modul 23Ppt modul 23
Ppt modul 23
 

Ppt modul 6

  • 1. Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) Nama:Yazid Khoirul Anwar Nim : 111910201102 Tugas : Elektronika Daya – Bab.6
  • 2. Seilas Tentang MOSFET MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah salah satu jenis transistor efek medan  merupakan salah satu jenis transistor yang memiliki impedansi masukan (gate) sangat tinggi  Poin penting dalam prinsip pengoperasian MOSFET adalah alat pengontrol tegangan mayoritas. Sesuai namanya, perpindahan pembawa mayoritas dalam MOSFET yang dikontrol adalah tegangan dengan menggunakan kontrol eletroda. 
  • 3. Jenis – Jnis MOSFET MOSFET terbagi atas : oyang pertama jenis depletion-mode dan, oyang kedua jenis enhancement-mode
  • 4. MOSFET Depletion-mode    Pada sebuah kanal semikonduktor tipe n terdapat semikonduktor tipe p dengan menyisakan sedikit celah. Dengan demikian diharapkan elektron akan mengalir dari source menuju drain melalui celah sempit ini. Gate terbuat dari metal (seperti aluminium) dan terisolasi oleh bahan oksida tipis SiO2 yang tidak lain adalah kaca.
  • 5. MOSFET Enhancement-mode  Gate terbuat dari metal aluminium dan terisolasi oleh lapisan SiO2 sama seperti transistor MOSFET depletion-mode. Perbedaan struktur yang mendasar adalah, subtrat pada transistor MOSFET enhancementmode sekarang dibuat sampai menyentuh gate
  • 7. Wilayah Saturasi (MOSFET ON)  Pada daerah saturasi MOSFET mendapatkan bias input (Vgs) secara maksimum sehingga arus drain pada MOSFET juga akan maksimum dan membuat tegangan Vds = 0V. Pada kondisi saturasi ini MOSFET dapat dikatakan dalam kondisi ON secara penuh (Fully-ON).
  • 8. Wilayah Cut-Off (MOSFET OFF)  Pada daerah Cut-Off MOSFET tidak mendapatkan tegangan input (Vin = 0V) sehingga tidak ada arus drain Id yang mengalir. Kondisi ini akan membuat tegangan Vds = Vdd. Dengan beberapa kondisi diatas maka pada daerah cut-off ini MOSFET dikatakan OFF (Full-Off). Kondisi cut-off ini dapat diperoleh dengan menghubungkan jalur input (gate) ke ground, sehingga tidaka ada tegangan input yang masuk ke rangkaian saklar MOSFET
  • 9. SWITCHING MOSFET MOSFET pada kondisi saturasi (ON) dan kondisi cut-off (OFF).  Membuat tegangan Vds = 0 v. Pada kondisi saturasi ini MOSFET dapat dikatakan dalam kondisi ON secara penuh (Fully-ON).  Membuat tegangan Vds = Vdd. Dengan kondisi diatas maka pada daerah cut-off ini MOSFET dikatakan OFF (Full-Off). 