フォトカプラのスパイスモデル

1. Doc no WJPHOT001 17 Mar 2004
デバイスモデル
デバイスモデル
フォトカプラ
株式会社ビー・テクノロジー
Copyright (C) 2004 Bee Technologies Inc.

2. Doc no WJPHOT001 17 Mar 2004
ご依頼の方法について
お客様に準備して頂くものは以下の 2 点です。
① データシートまたは、仕様書
半導体メーカーが公開しているデータシート、あるいはカスタム品の場合は、電気的特性が
記述されている仕様書です。
② フォトカプラのサンプルを 3 個
対象となるフォトカプラを 3 個準備して下さい。計測をする際に予備として準備して頂きます。
また、3 個準備出来ない場合はご相談下さい。
お客様より準備して頂いた後にデバイスモデリングを実施致します。当社からお客様にご
提供する納品物は以下の通りです。
① デバイスモデル(スパイスモデル)⇒フォトカプラのデバイスモデルは等価回路モデルで
ご提供致します。
② デバイスモデリング・レポート
③ 回路図シンボル
以下の 6 つの特性を評価検証し、ご報告致します。
INPUT DEVICE
Input Device Forward Current Characteristics
Input Device Junction Capacitance Characteristics
Input Device Reverse Recovery Characteristics
OUTPUT DEVICE
Transistor Saturation Characteristics
CTR(Current Transfer Ratio) Characteristics
Switching Time Characteristics
次ページ以降にシャープ株式会社の PC357NT のデバイスモデリング・レポートの一部を
掲載致します。
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3. Doc no WJPHOT001 17 Mar 2004
Input Device Forward Current Characteristics
Measurement
Simulation
Input Device Junction Capacitance Characteristics
Measurement
Simulation
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4. Doc no WJPHOT001 17 Mar 2004
Input Device Reverse Recovery Characteristics
Measurement
trj=228n(s)
trb=300n(s)
Conditions:Ifwd=Irev=0.04(A),Rl=50
Example
Relation between trj and trb
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5. Doc no WJPHOT001 17 Mar 2004
LED IV Curve Characteristics
Simulation
Transistor Saturation Characteristics
Simulation
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6. Doc no WJPHOT001 17 Mar 2004
CTR(Current Transfer Ratio) Characteristics
Simulation
Switching Time Characteristics
Simulation
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