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モンテカルロシミュレーション
       LTspice
事例:SiC SBDの等価回路モデルの内部のモデルパラメータ
   RSを対象にモンテカルロシミュレーションを行った。

解析対象:SiC SBDの順方向特性におけるRSのばらつき
対象デバイス:
Cree社:CSD20060D



           2012年8月22日
          ビー・テクノロジー
       http://www.beetech.info
モンテカルロシミュレーションで部品のバラツキの影響を知る




                               設定
モンテカルロシミュレーションで部品のバラツキの影響を知る

 *$
 * PART NUMBER: CSD20060D
 * MANUFACTURER: Cree, Inc.
 * All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
 .SUBCKT CSD20060D PIN1 PIN2 PIN3 CASE
 X_U1 PIN3 CASE CSD20060_pro
 X_U2 PIN1 CASE CSD20060_pro
 R_Rs PIN2 CASE 10u
 .ENDS
 .SUBCKT CSD20060_pro A K
 V_V_I       A N00040 0Vdc
 V_V_Ifwd        IN2 K 0Vdc
 E_E1       VREV 0 VALUE { IF(V(A,K)>0, 0,V(A,K)) }
 E_E3       I_REV0 0 VALUE { 5.8406e-32*pwr((-V(Vrev)),9.6887)}
 ・・・・・・・・・・・・・・・省略・・・・・・・・・・・・・・・
 D_D4        VREV1 0 DCSD20060                                    モンテカルロ
 R_R2       0 I_REV0 10MEG                                        シミュレーションの
 R_R3       0 I_REV 10MEG
 .MODEL DCSD20060 D                                               設定は赤字
 + IS=121.37E-18 N=1
 + RS={mc(50.670E-3,tol)}
 * + RS=50.670E-3
 + IKF=1.0000E3
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 + ISR=0 EG=3.0 TT=0
 .ENDS
 *$
モンテカルロシミュレーションで部品のバラツキの影響を知る
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