SiC SBDのモデルパラメータにおけるモンテカルロシミュレーション

1. LTspice
サブサーキット内のモデルパラメータに
おけるモンテカルロシミュレーションについて
事例：SiC SBDの等価回路モデルの内部のモデルパラメータ
RSを対象にモンテカルロシミュレーションを行った。
解析対象：SiC SBDの順方向特性におけるRSのばらつき
2012年6月1日(金曜日)
株式会社ビー・テクノロジー
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2. シミュレーション設定
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3. *$
* PART NUMBER: CSD20060D
* MANUFACTURER: Cree, Inc.
* All Rights Reserved Copyright (C) Bee Technologies Inc. 2012
.SUBCKT CSD20060D PIN1 PIN2 PIN3 CASE
X_U1 PIN3 CASE CSD20060_pro
X_U2 PIN1 CASE CSD20060_pro
R_Rs PIN2 CASE 10u
.ENDS
.SUBCKT CSD20060_pro A K
V_V_I A N00040 0Vdc
V_V_Ifwd IN2 K 0Vdc
E_E1 VREV 0 VALUE { IF(V(A,K)>0, 0,V(A,K)) }
E_E3 I_REV0 0 VALUE { 5.8406e-32*pwr((-V(Vrev)),9.6887)}
・・・・・・・・・・・・・・・省略・・・・・・・・・・・・・・・
D_D4 VREV1 0 DCSD20060 モンテカルロ
R_R2 0 I_REV0 10MEG シミュレーションの
R_R3 0 I_REV 10MEG
.MODEL DCSD20060 D 設定は赤字
+ IS=121.37E-18 N=1
+ RS={mc(50.670E-3,tol)}
* + RS=50.670E-3
+ IKF=1.0000E3
+ CJO=421.51E-12 M=.46862 VJ=4.0208
+ BV=700 IBV=100.00E-6
+ ISR=0 EG=3.0 TT=0
.ENDS
*$
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4. LTspiceシミュレーション結果
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5. LTspiceシミュレーションの様子⇒ http://youtu.be/CScpAhb_8bc
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