Fabrication and characterization of graphene nanodevices

543 views
419 views

Published on

Presentation given at University of Salamanca in fulfilment for the degree of Doctor of Philosophy

Published in: Science, Technology
0 Comments
1 Like
Statistics
Notes
  • Be the first to comment

No Downloads
Views
Total views
543
On SlideShare
0
From Embeds
0
Number of Embeds
8
Actions
Shares
0
Downloads
34
Comments
0
Likes
1
Embeds 0
No embeds

No notes for slide

Fabrication and characterization of graphene nanodevices

  1. 1. FABRICATION  AND   CHARACTERIZATION  OF  GRAPHENE   NANODEVICES   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda  
  2. 2. Outline   •  IntroducFon   •  FabricaFon  of  graphene  devices   •  QHE  in  graphene   •  WL-­‐WAL  in  graphene   •  PPT  in  h-­‐BN/graphene/h-­‐BN   •  SuperconducFvity  in  3D  porous  graphene   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   2  
  3. 3. QHE  in  graphene:     number  of  layer  maXers   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   3  
  4. 4. Integer  Quantum  Hall  effect   •  QuanFzaFon   in   Landau   levels:  Rxy=h/νe2   •  Standard  2DEGs:  ν = ng     •  Graphene:  ν = g(n+1/2)     18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   4  
  5. 5. Quantum  phase  transiFons   •  LocalizaFon-­‐delocalizaFon  transiFons   •  CriFcality  of  the  transiFon   •  Ec:  criFcal  energy  and  ξ  localizaFon  length   •  γ:  criFcal  exponent  of  the  transiFon 18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   5   ξ ∝ E − Ec −γ
  6. 6. Experiment<-­‐>Theory   •  p:  coherence  length  dependence  on  T     •  γ  yields  informaFon  on  the  kind  of  disorder   •  Need  of  extremely  high  quality  samples   – Low  n,  high  µ  and  high  homogeneity   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   6   ∂ρxy ∂B " # $ % & ' max ∝T−κ κ = p / 2γ lφ ∝T− p/2
  7. 7. FABRICATION  OF  GRAPHENE  NANODEVICES   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   7  
  8. 8. 18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   8   Graphene  producFon   •  Mechanical  exfolia-on:  scotch-­‐tape  technique   •  CVD  grown  graphene   •  Epitaxial  graphene   •  Reduced  graphene  oxide  
  9. 9. Mechanical  cleavage   •  Ingredientes:  Natural  graphite  and  scotch  tape   •  Layer  by  layer  exfoliaFon   •  DeposiFon  onto  the  wafer   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   9  
  10. 10. Mechanical  cleavage   •  IdenFficaFon  using  the  opFcal  microscope   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   10   50  um   25  um  
  11. 11. Processing:  e-­‐beam  lithography   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   11   15  um  
  12. 12. Processing:  e-­‐beam  lithography   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   12   50  um   15  um  
  13. 13. EvaporaFon  of  contacts     18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   13   50  um   15  um  
  14. 14. Processing:  ReacFve  ion  etching   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   14   25  um   15  um  
  15. 15. 18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   15   Sample  monFng  and  bonding  
  16. 16. Our  LAB   3He  Heliox  cryostat    (2008)   0.285  K  <  T  <  300  K   3He/4He  dilu-on  cryostat   (2011)   0.01  K  <  T  <  30  K   RuO2  therm.  closer  to  the  sample   CalibraFon:    nuclear  thermometer   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   16   SC  magnet    (2008)   B  =  12  T   Bore  diameter  55  mm  
  17. 17. Sample  rod   •  Thermally  linked  to  the  cryostat   •  Sample  cooled  down  via  the  wires   •  Home  made  and  designed  holders   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   17  
  18. 18. Quantum  Hall  effect  in  graphene   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   18  
  19. 19. QHE  in  bilayer  graphene   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   19   1 2 3 4 5 2800 3000 3200 3400 3600 3800 µ(cm 2 /Vs) n (10 12 cm -2 )
  20. 20. QHE  in  trilayer  graphene   •  ObservaFon   of   the   ν=6  plateau   •  Study  of  the  QHE  as  a   funcFon  of  T   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   20   C.  Cobaleda  et  al.  Physica  E  44  530-­‐533  (2011)   C.  Cobaleda  et  al.  Phys.  Status  Solidi  C  9  1411-­‐1414  (2012)  
  21. 21. Weak  localizaFon   weak  anFlocalizaFon   •  Electrons  counter   propagaFng  in  closed  paths   –  Phase  conserved   –  Time  reversal  symmetry   conserved   •  Broken  if  B  is  applied   •  Back  scaXering  enhanced   –  WL:  Maximum  of  ρ  at  B=0   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   21  
  22. 22. Weak  localizaFon   weak  anFlocalizaFon   •  Electrons  counter   propagaFng  in  closed  paths   –  Phase  conserved   –  Time  reversal  symmetry   conserved   •  Broken  if  B  is  applied   •  Back  scaXering  enhanced   –  WL:  Maximum  of  ρ  at  B=0   •  Carriers  in  graphene  are  chiral   –  Back  scaXering  forbidden!   •  WAL:  Minimum  of  ρ  at  B=0   –  Chirality  at  low  energies   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   22  
  23. 23. WAL-­‐WL  transiFon   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   23   -0.10 -0.08 -0.06 -0.04 -0.02 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 T=0.3K T=1.6K T=3K T=6K T=10K T=15K σ(B)-σ(0)(e 2 /h) B(T) 0.3 K 15 K -0.10 -0.08 -0.06 -0.04 -0.02 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.00 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.12 0.14 0.16 0.18 0.20 σ(B)-σ(0)(e 2 /h) B (T) T=0.3 K T=1.6 K T=2.6 K T=6 K T=10 K T=15 K0.3 K 15 K Vg  =  0  V   Vg  =  -­‐10  V   S.  Pezzini,  C.  Cobaleda  et  al.  Physical  Review  B  85  165451  (2012)    
  24. 24. h-­‐BN/bilayer  graphene/h-­‐BN   heterostructure   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   24  
  25. 25. Dirac  peak  vs  Temperature   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   25  
  26. 26. Dirac  peak  vs  Temperature   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   26   nc  nc  
  27. 27. Transport  regimes   •  n  <  nc   – T  <  10  K   •  ∂ ρxx/ ∂ T<0   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   27  
  28. 28. Transport  regimes   •  n  <  nc   – T  <  10  K   •  ∂ ρxx/ ∂ T<0   – 10  K  <  T  <  50  K   •  ∂ ρxx/ ∂ T<0   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   28  
  29. 29. Transport  regimes   •  n  <  nc   – T  <  10  K   •  ∂ ρxx/ ∂ T<0   – 10  K  <  T  <  50  K   •  ∂ ρxx/ ∂ T<0   •  n  >  nc   – T  <  10  K   •  ∂ ρxx/ ∂ T<0   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   29  
  30. 30. Transport  regimes   •  n  <  nc   –  T  <  10  K   •  ∂ ρxx/ ∂ T<0   –  10  K  <  T  <  50  K   •  ∂ ρxx/ ∂ T<0   •  n  >  nc   –  T  <  10  K   •  ∂ ρxx/ ∂ T<0   –  10  K  <  T  <  50  K   •  ∂ ρxx/ ∂ T>0   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   30  
  31. 31. All  together...   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   31   C.  Cobaleda  et  al.  Phys.  Rev  B  89  121404R  (2014)  
  32. 32. Magnetotransport  characterizaFon   •  Vd~0.5  V   •  n~1011  cm-­‐2   •  µ~40000  cm2/Vs 18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   32  
  33. 33. Quantum  phase  transiFons   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   33  
  34. 34. Measurements   •  n=10.2·∙1011cm-­‐2   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   34   ν=12 ν=16 ν=8
  35. 35. Measurements   •  n=10.2·∙1011cm-­‐2   •  12-­‐>8   •  16-­‐>12   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   35   ν=12 ν=16 ν=8
  36. 36. Measurements   •  n=10.2·∙1011cm-­‐2   •  12-­‐>8   •  16-­‐>12   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   36   ν=12 ν=16 ν=8 ∂ρxy ∂B " # $ % & ' max ∝T−κ
  37. 37. Measurements   •  n=10.2·∙1011cm-­‐2   •  12-­‐>8   •  16-­‐>12   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   37   ν=12 ν=16 ν=8 ∂ρxy ∂B " # $ % & ' max ∝T−κ κ ≈ 0.3
  38. 38. Measurements   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   38   κ ≈ 0.3
  39. 39. Universality  of  the  transiFon   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   39   n  =  14.6×1011  cm-­‐2     n  =  10.2×1011  cm-­‐2     n  =  6.07×1011  cm-­‐2    
  40. 40. Universality  of  the  transiFon   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   40   n  =  14.6×1011  cm-­‐2     n  =  10.2×1011  cm-­‐2     n  =  6.07×1011  cm-­‐2     n  =  (-­‐)4.74×1011  cm-­‐2     n  =  (-­‐)6.84×1011  cm-­‐2     n  =  (-­‐)9.03×1011  cm-­‐2  
  41. 41. n-­‐independent  κ   •  SaturaFon  for  T<5  K     18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   41   κ = 0.30 ± 0.02
  42. 42. Effect  of  disorder   •  γ = p/2κ     18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   42   Short  range  disorder   (Anderson  model)   Long  range  disorder   (Classic  percolaFon)   Our  data   κ=0.42   κ=0.75   κ=0.3   If  p=2;  γ=2.38   If  p=2;  γ=4/3   If  p=2;  γ=3.3  
  43. 43. Effect  of  disorder   •  γ = p/2κ •  What  if  p≠2?   •  Next  goal:  measure  p  and  γ independently     18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   43   Short  range  disorder   (Anderson  model)   Long  range  disorder   (Classic  percolaFon)   Our  data   κ=0.42   κ=0.75   κ=0.3   If  p=2;  γ=2.38   If  p=2;  γ=4/3   If  p=2;  γ=3.3  
  44. 44. LocalizaFon  length:  γ   •  Tails  of  the  LL:  VRH     •  CriFcal  transiFon:     18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   44   σxx ∝exp − T0 /T( ) T0 ∝ξ−1 γ νν ξ − ⎟ ⎟ ⎠ ⎞ ⎜ ⎜ ⎝ ⎛ − ∝ 4 c
  45. 45. Coherence  length:  p   •  Phase  coherence  preservaFon  depends  on  T   •  WL  as  funcFon  of  T   •  Measurement  of  lϕ  as  funcFon  of  T   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   45   lϕ ∝T− p/2
  46. 46. WL  in  bilayer  graphene   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   46   -10 0 10 0.0 0.1 0.2 0.3 15 K ∆σxx (e 2 /h) B (mT) 0.3 K 0.1 1 10 0.1 1 10 Lφ bestFIT Lφ (µm) T (K) p  =  0.9  
  47. 47. Classical  percolaFon •  Measurements  of  κ,  γ and  p  are   compaFble •  Both  methods  are  compaFble   with  a  PPT  driven  by  classical   percolaFon*   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   47   *  C.  Cobaleda  et  al.  SubmiXed  to  Phys.  Rev.  LeX   Short  range  disorder   (Anderson  model)   Long  range  disorder   (Classic  percolaFon)   Our  data   κ=0.42   κ=0.75   κ=0.3   If  p=2;  γ=2.38   If  p=2;  γ=4/3   p  =0.9;  γ=1.4±0.1   γ=1.3±0.3  
  48. 48. Classical  percolaFon •  Measurements  of  κ,  γ and  p  are   compaFble •  Both  methods  are  compaFble   with  a  PPT  driven  by  classical   percolaFon*   •  CompaFble  with  STM   observaFons   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   48   *  C.  Cobaleda  et  al.  SubmiXed  to  Phys.  Rev.  LeX   Short  range  disorder   (Anderson  model)   Long  range  disorder   (Classic  percolaFon)   Our  data   κ=0.42   κ=0.75   κ=0.3   If  p=2;  γ=2.38   If  p=2;  γ=4/3   p  =0.9;  γ=1.4±0.1   γ=1.3±0.3  
  49. 49. SuperconducFvity  in     3D  porous  graphene   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   49  
  50. 50. The  samples   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   50   3D  porous  carbon   3D  porous  carbon+Ta   3D  porous  graphene+Ta   3D  porous  graphene  
  51. 51. 3D  graphene  vs  3D  carbon   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   51   H2c = φ0 2πξ(0)2 1− T T0 " # $ % & '
  52. 52. SuperconducFng  properFes  of  Ta   3D  graphene   •  Bc  =  2  T   •  Tc    =  1.2  K   •  ξ(0)  =  14  nm •  vF  =  1.2·∙104  m/s     3D  carbon   •  Bc  =  2.3  T   •  Tc    =  0.96  K   •  ξ(0)  =  11  nm   •  vF  =  0.8·∙104  m/s     18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   52   C.  Cobaleda  et  al.  SubmiXed  to  App.  Phys.  LeX  
  53. 53. SuperconducFng  properFes  of  Ta   3D  graphene  (sp2  bonds)   •  Bc  =  2  T   •  Tc    =  1.2  K   •  ξ(0)  =  14  nm •  vF  =  1.2·∙104  m/s     3D  carbon    (sp3  bonds)   •  Bc  =  2.3  T   •  Tc    =  0.96  K   •  ξ(0)  =  11  nm   •  vF  =  0.8·∙104  m/s     18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   53   Stronger  hybridizaFon  between  e-­‐  in  Ta  and  3DG  than  between  Ta  and  3DC                               C.  Cobaleda  et  al.  SubmiXed  to  App.  Phys.  LeX  
  54. 54. Conclusions   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   54  
  55. 55. Conclusions   •  FabricaFon  of  graphene  devices   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   55  
  56. 56. Conclusions   •  FabricaFon  of  graphene  devices   •  QHE  in  inhomogeneous  graphene   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   56  
  57. 57. Conclusions   •  FabricaFon  of  graphene  devices   •  QHE  in  inhomogeneous  graphene   •  WL-­‐WAL  transiFon  in  monolayer  graphene   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   57  
  58. 58. Conclusions   •  FabricaFon  of  graphene  devices   •  QHE  in  inhomogeneous  graphene   •  WL-­‐WAL  transiFon  in  monolayer  graphene   •  Transport  regimes  in  hBN/graphene/hBN   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   58  
  59. 59. Conclusions   •  FabricaFon  of  graphene  devices   •  QHE  in  inhomogeneous  graphene   •  WL-­‐WAL  transiFon  in  monolayer  graphene   •  Transport  regimes  in  hBN/graphene/hBN   •  First   observaFon   of   a   QPT   fully   driven   by   a   classical  percolaFon  regime in  graphene   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   59  
  60. 60. Conclusions   •  FabricaFon  of  graphene  devices   •  QHE  in  inhomogeneous  graphene   •  WL-­‐WAL  transiFon  in  monolayer  graphene   •  Transport  regimes  in  hBN/graphene/hBN   •  First   observaFon   of   a   QPT   fully   driven   by   a   classical  percolaFon  regime in  graphene   •  Study   of   charge   transfer   effects   between   tantalum  and  3D  graphene  and  carbon   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   60  
  61. 61. Agradecimientos   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   61   Dr.  Enrique  Diez   Dr.  Yahya  Meziani   Dr.  ViXorio  Bellani   Dr.  Francesco  Rossella   Sergio  Pezzini   David  López-­‐Romero   Maika  Sabido   Alicia  Fraile   Dr.  Wei  Pan   Dr.  Duncan  Maude   Dr.  Walter  Escoffier   Dr.  Benjamin  Piot   Fabrice  Iacovella  
  62. 62. Electronic  instrumentaFon   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   62   V~1V   f~15  Hz   100  MΩ   ~10  nA   SR  Lock-­‐in  amplifier  830  and  Keithley  Sourcemeter  2601  A   Vg  
  63. 63. Future  perspecFves   •  Novel  routes  towards  effecFve  ambipolar  FETs   – Non  perpendicular  top  gates   – MoS2,  InSb,  etc   – van  der  Waals  structures   •  QHE  in  4  layered  graphene   •  Study  the  QPT  in  suspended  graphene   •  CharacterisaFon  of  QPT  in  TLG  and  4LG   18/06/14   FabricaFon  and  characterizaFon  of   graphene  nanodevices                                                                                                   Cayetano  Sánchez-­‐Fabrés  Cobaleda   63  

×