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日本材料学会・学術講演会 No.135	




  マイクロチューブの集合組織形成と	
  
       その統計的評価	
                               

Statistical and Texture Analyses for Dieless Drawing Microtubes
                               	



            成蹊大学[院] ○組沢 至	
  
            成蹊大学     酒井 孝	
  
            首都大学東京  古島 剛  
目的	

1.  研究背景	
  
     チューブの需要,ダイレス引抜きの特徴と問題点	
  
2. 研究目的	
  
     各種条件による集合組織の調査,3母数ワイブル分布	
  
3. 実験方法	
  
     供試材,試料座標系,SEM測定環境
4. 実験結果	
  
     EBSD測定各種解析,3母数ワイブル分布
5. 結言	
  

                                    1
研究背景	




 マイクロリアクター	
                         プローブピンガード材	

               無痛注射針	

  Ø  小型化・軽量化・高機能化の観点から需要が高まっている	
                                     2
研究背景	
    従来の加工	
              本研究の加工	




 ~細管化にともない~	
        ~ダイレス引抜きの特徴~	

・チューブに割れ・破断の発生	
         ・金型が不必要	
  
・引抜き機器の高精度化が要求	
         ・大断面減少率	
  
                         ・高生産性	




Ø  マイクロ化により結晶特性と材料特性が密な関係を持つ.	
  
Ø  ダイレス引抜きの熱的影響・引張影響が加わる.	
  
                                       3
研究目的	
                                                                 3母数	
  
         EBSD	
                                                ワイブル分布	
  
  ■微視的要因	
                                                     ■統計評価	
  
                                                   99.9
                                                     99
                                                                        2
                                                    90                  1




                      Cumulative probability F %
                                                    70
                                                    50
                                                                        0
                                                    30
                                                                    -1
                                                    20

                                                    10              -2
                                                     7
                                                     5
                                                     3
                                                                    -3
                                                     2
                                                                    -4
                                                     1

                                                    0.5             -5
                                                    0.2             -6
                                                      1.E-02   1.E-01       1.E+00   1.E+01   1.E+02   1.E+03   1.E+04
  20µm
                                                                                     X

                                                      F(𝑥)=1− 𝑒𝑥𝑝{−​(​ 𝑥− 𝑐/𝑏 )↑𝑎 }	
・結晶粒 ・粒界 ・結晶方位	




     Ø  各種条件のダイレス引抜き材の測定.	
  
   Ø  3母数ワイブル分布を用い信頼性の検討.	
                                                                                                                         4
 
                                                供試材	
                                                 	

■供試材	
                                                       試料座標系	

・オーステナイト系ステンレスSUS304
                                                                TD	

                                                      ND	
    	
  	
    	
  	
             130µm	
  500µm	
 

                                                                        DD	

                                                              引抜き方向	
                           ‣化学成分	
  Cr	
                    Ni	
        C	
     Fe	
18.00-2                 8.00-10.
                                                      Ø  結晶方位を決定するため,	
  
                                   ≦0.08	
   Bal.	
           試料座標系を定義.	
  
 0.00	
                    50	



                                                                               5
ダイレス引抜き	
                                                ‣ダイレス引抜き条件	
                                   Reduction	
 Temperature	
 A r g o n Atmosphere	
 
            加熱コイル	
                  (%)	
        (K)	
     atmosphere	
 
V2	
 
                           V1	
                  577	
       Ar-①	
     Atm-①	
 

                                      20	
       726	
       Ar-②	
     Atm-②	
 

                                                 926	
       Ar-③	
     Atm-③	
 

        ‣ダイレス引抜き装置	
                             577	
       Ar-④	
     Atm-④	
 

                                      30	
       726	
       Ar-⑤	
     Atm-⑤	
 

  ・断面減少率	
                                       926	
       Ar-⑥	
     Atm-⑥	
 
    𝑅=1−​ 𝑉↓2 /​ 𝑉↓1  	
                                                 577	
       Ar-⑦	
     Atm-⑦	
 

                                      40	
       726	
       Ar-⑧	
     Atm-⑧	
 

                                                 926	
         	
       Atm-⑨	
 
        ‣アルゴン雰囲気中	
                                                                                       6
EBSD測定条件	
SEM測定環境
 ・加速電圧:15Kv          ・照射電流:7×​10↑−9 A	
 ・Step Size :0.5	
   ・試料台傾斜:70°	




 ‣EBSD測定部位	
               ‣SEM-­‐EBSD装置	
                                             7
IPF Map~断面減少率変化~	
    20%	
          30%	
          40%	
Atm-①	
        Atm-④	
        Atm-⑦	
         DD	




20µm
   ‣2.92µm	
      ‣4.88µm	
     ‣2.40µm	

Ar-①	
         Ar-④	
         Ar-⑦	
 



                                                     111	
                                             DD	



                                            001	
     101	
  ‣1.96µm	
      ‣13.98µm	
     ‣2.31µm	

                                                         9
IPF Map~加熱温度変化~	
     577K	
         726K          926K	
                              Atm-⑥	
 
                                                DD	
Atm-④	
         Atm-⑤	
 




20µm                          40µm
   ‣4.88µm	
     ‣11.94µm	
      ‣98.01µm	

Ar-④	
          Ar-⑤	
         Ar-⑥	
 




                                                       111	
                                                DD	



                                              001	
     101	
   ‣13.98µm	
    ‣22.78µm	
      ‣64.03µm	

                                                           9
Crystal Direction Map	
     577K	
          726K       926K	
Atm-④	
          Atm-⑤	
    Atm-⑥	
         <001>ll[100]	
                                            <111>ll[100]	
                                            <101>ll[100]	




20µm



 Ar-④	
          Ar-⑤	
     Ar-⑥	
 


                                                   111	
                                          DD	




                                         001	
      101	

                                                        9
集積割合グラフ	

         60                                         60
                                   Atm-④                                 Ar-④
         50                                         50                   Ar-⑤
                                   Atm-⑤
                                   Atm-⑥                                 Ar-⑥
集積割合	




                                           集積割合	
         40                                         40

         30                                         30

         20                                         20

         10                                         10

          0                                          0
               <001>       <111>   <101>                 <001>   <111>   <101>
                       ‣集積割合(大気中)	
                       ‣集積割合(アルゴン雰囲気中)	



              Ø 伸線加工の最終安定方位<111> と<001> へ配向.	
              Ø  加熱温度上昇にともない<111>が減少し<001>へ集積する.	
                                                                                 12
3母数ワイブル分布	
                                         3-Weibull Distribution                                                            3-Weibull Distribution
                                                                                                               99.
                             99.            2                                                                             2
                                                                                                                 9
                                                                                                                99
                               9
                              99

                                            1                                                                  90         1
                             90
                                                                                                               70




                                                                                  Cumulative probability F %
                             70
Cumulative probability F %




                                            0                                                                  50         0
                             50
                                                                                                               30
                             30                                                                                           -1
                                           -1
                                                                                                               20
                             20

                                           -2                                                                  10         -2
                             10
                                                                                                                7
                              7
                                                                                                                5
                              5                                                                                           -3
                                           -3                                                                   3
                              3
                                                                                                                2
                              2
                                           -4                                                                             -4
                                                                                                                1
                              1
                                                            ◆<101>                                                                            ◆<101>
                                           -5                                                                  0.5        -5
                             0.5                            ■<111>                                                                            ■<111>
                                                            ●<001>	
                                                                          ●<001>	
                                                                                                               0.2        -6
                             0.2            -6
                               1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04                                  1.E-01    1.E+00   1.E+01    1.E+02     1.E+03
                                                    X                                                                                 X

                                                ‣大気中	
                                                                         ‣アルゴン雰囲気中	
                                                                                                                                                                  13
3母数ワイブル分布・各母数	

        <001>	
    <111>	
    <101>	
  a	
    0.736	
   1.650	
     1.00	

  b	
    1.580	
   0.125	
     0.146	

  c	
    0.068	
   3.520	
     0.176

  a	
    2.05	
    0.720	
     0.460

  b	
    2.21	
     0.110	
    0.127

  c	
    0.086	
    5.80	
     0.214



a:形状母数,b:尺度母数,c:位置母数	
                                         13
結言	
n  Reductionの変化は,大気中,アルゴン雰囲気中で同様の傾向を示し,
    結晶方位の変化はなかった.また断面減少率30%において,粒成長
    が確認できた.	
  

n  Temperatureの変化では,加熱温度の上昇にともない粒成長が顕著
    に表れた.また一番粗大化した926Kにおいては大角粒界の割合が
    増加したことから,再結晶が他の温度より完了していることが確認で
    きた.	
  
n  Crystal Direction Mapよりダイレス引抜きを施すことで,FCC金属の
 伸線加工の最終安定方位<001>・<111>へ配向が確認できた.加熱
 温度の上昇にともない再結晶がさらに進行することから,<001>へ配
 向がより顕著に表れた. 	
  
n  3母数ワイブル分布の結果より,ばらつきをともなう結晶方位データを
    うまく定量評価した.大気中とアルゴン雰囲気中で,尺度母数bと位
    置母数cが同程度の値を示した.	
  

                                                  14

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  • 1. 日本材料学会・学術講演会 No.135 マイクロチューブの集合組織形成と   その統計的評価 
 Statistical and Texture Analyses for Dieless Drawing Microtubes 成蹊大学[院] ○組沢 至   成蹊大学     酒井 孝   首都大学東京  古島 剛  
  • 2. 目的 1.  研究背景        チューブの需要,ダイレス引抜きの特徴と問題点   2. 研究目的        各種条件による集合組織の調査,3母数ワイブル分布   3. 実験方法        供試材,試料座標系,SEM測定環境 4. 実験結果        EBSD測定各種解析,3母数ワイブル分布 5. 結言   1
  • 3. 研究背景  マイクロリアクター プローブピンガード材 無痛注射針 Ø  小型化・軽量化・高機能化の観点から需要が高まっている 2
  • 4. 研究背景 従来の加工 本研究の加工 ~細管化にともない~ ~ダイレス引抜きの特徴~ ・チューブに割れ・破断の発生   ・金型が不必要   ・引抜き機器の高精度化が要求   ・大断面減少率   ・高生産性 Ø  マイクロ化により結晶特性と材料特性が密な関係を持つ.   Ø  ダイレス引抜きの熱的影響・引張影響が加わる.   3
  • 5. 研究目的 3母数   EBSD ワイブル分布   ■微視的要因   ■統計評価   99.9 99 2 90 1 Cumulative probability F % 70 50 0 30 -1 20 10 -2 7 5 3 -3 2 -4 1 0.5 -5 0.2 -6 1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 20µm X F(𝑥)=1− 𝑒𝑥𝑝{−​(​ 𝑥− 𝑐/𝑏 )↑𝑎 } ・結晶粒 ・粒界 ・結晶方位 Ø  各種条件のダイレス引抜き材の測定.   Ø  3母数ワイブル分布を用い信頼性の検討. 4
  • 6.   供試材 ■供試材 試料座標系 ・オーステナイト系ステンレスSUS304 TD ND     130µm 500µm DD 引抜き方向 ‣化学成分 Cr Ni C Fe 18.00-2 8.00-10. Ø  結晶方位を決定するため,   ≦0.08 Bal.         試料座標系を定義.   0.00 50 5
  • 7. ダイレス引抜き ‣ダイレス引抜き条件 Reduction Temperature A r g o n Atmosphere 加熱コイル (%) (K) atmosphere V2 V1 577 Ar-① Atm-① 20 726 Ar-② Atm-② 926 Ar-③ Atm-③ ‣ダイレス引抜き装置 577 Ar-④ Atm-④ 30 726 Ar-⑤ Atm-⑤ ・断面減少率 926 Ar-⑥ Atm-⑥ 𝑅=1−​ 𝑉↓2 /​ 𝑉↓1   577 Ar-⑦ Atm-⑦ 40 726 Ar-⑧ Atm-⑧ 926 Atm-⑨ ‣アルゴン雰囲気中 6
  • 8. EBSD測定条件 SEM測定環境 ・加速電圧:15Kv ・照射電流:7×​10↑−9 A ・Step Size :0.5 ・試料台傾斜:70° ‣EBSD測定部位 ‣SEM-­‐EBSD装置 7
  • 9. IPF Map~断面減少率変化~ 20% 30% 40% Atm-① Atm-④ Atm-⑦ DD 20µm ‣2.92µm ‣4.88µm ‣2.40µm Ar-① Ar-④ Ar-⑦ 111 DD 001 101 ‣1.96µm ‣13.98µm ‣2.31µm 9
  • 10. IPF Map~加熱温度変化~ 577K 726K 926K Atm-⑥ DD Atm-④ Atm-⑤ 20µm 40µm ‣4.88µm ‣11.94µm ‣98.01µm Ar-④ Ar-⑤ Ar-⑥ 111 DD 001 101 ‣13.98µm ‣22.78µm ‣64.03µm 9
  • 11. Crystal Direction Map 577K 726K 926K Atm-④ Atm-⑤ Atm-⑥ <001>ll[100] <111>ll[100] <101>ll[100] 20µm Ar-④ Ar-⑤ Ar-⑥ 111 DD 001 101 9
  • 12. 集積割合グラフ 60 60 Atm-④ Ar-④ 50 50 Ar-⑤ Atm-⑤ Atm-⑥ Ar-⑥ 集積割合 集積割合 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0 <001> <111> <101> <001> <111> <101> ‣集積割合(大気中) ‣集積割合(アルゴン雰囲気中) Ø 伸線加工の最終安定方位<111> と<001> へ配向. Ø  加熱温度上昇にともない<111>が減少し<001>へ集積する. 12
  • 13. 3母数ワイブル分布 3-Weibull Distribution 3-Weibull Distribution 99. 99. 2 2 9 99 9 99 1 90 1 90 70 Cumulative probability F % 70 Cumulative probability F % 0 50 0 50 30 30 -1 -1 20 20 -2 10 -2 10 7 7 5 5 -3 -3 3 3 2 2 -4 -4 1 1 ◆<101> ◆<101> -5 0.5 -5 0.5 ■<111> ■<111> ●<001> ●<001> 0.2 -6 0.2 -6 1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 1.E+03 X X ‣大気中 ‣アルゴン雰囲気中 13
  • 14. 3母数ワイブル分布・各母数 <001> <111> <101> a 0.736 1.650 1.00 b 1.580 0.125 0.146 c 0.068 3.520 0.176 a 2.05 0.720 0.460 b 2.21 0.110 0.127 c 0.086 5.80 0.214 a:形状母数,b:尺度母数,c:位置母数 13
  • 15. 結言 n  Reductionの変化は,大気中,アルゴン雰囲気中で同様の傾向を示し, 結晶方位の変化はなかった.また断面減少率30%において,粒成長 が確認できた.   n  Temperatureの変化では,加熱温度の上昇にともない粒成長が顕著 に表れた.また一番粗大化した926Kにおいては大角粒界の割合が 増加したことから,再結晶が他の温度より完了していることが確認で きた.   n  Crystal Direction Mapよりダイレス引抜きを施すことで,FCC金属の  伸線加工の最終安定方位<001>・<111>へ配向が確認できた.加熱  温度の上昇にともない再結晶がさらに進行することから,<001>へ配  向がより顕著に表れた.    n  3母数ワイブル分布の結果より,ばらつきをともなう結晶方位データを うまく定量評価した.大気中とアルゴン雰囲気中で,尺度母数bと位 置母数cが同程度の値を示した.   14