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Tunnel in quantum wells




                              Barriera doppia
Barriera singola


Compaiono risonanze con livelli di sottobanda
Resonant Tunneling Diode (RTD)
Curve caratteristiche I-V




Il massimo nella curva I-V si ha quando gli elettroni incidenti hanno la stessa energia della
sottobanda: tunneling risonante fra source e drain


RTD utile per operazioni veloci (fino a 100 GHz) e consumo limitato
Tipiche strutture RTD
Resonant Tunneling Diode (RTD)



                           High speed
                           Negative differential
                           resistance
                           Bi/multistabile
                           Temperature insensitive
                           Radiation tolerant
Resonant Tunneling Diode – curve i-v teoriche

Unbiased:                          Under bias:




 Curve i-v ideali per questa struttura, EF e E < E1:
Resonant Tunneling Diode – curve i-v teoriche
Resonant tunneling diodes - esempio
InGaAs/AlAs/InAs su InP:

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