1. Welcome to
B ô M ô n V â t L ý C h â t R a n
SOLID STATEPhysics
Department
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
UNIVESITY OF SCIENCE –

2. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Staff member – Nhân sự

3. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Staff member – Nhân sự
PGS. TS. TRẦN QUANG TRUNG – Trưởng bộ môn
Ass. Prof. T R A N Q U A N G T R U N G -
H e a d
Ass. Prof. T R U O N G Q U A N G
N G H I A
PGS. TS. TRƯƠNG QUANG NGHĨA

4. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Staff member – Nhân sự
ThS. VŨ THỊ PHÁT MINH
MSc. V U T H I P H AT M I N H
Kỹ sư. ĐẶNG THÀNH CÔNG
Eng. D A N G T H A N H C O N G

5. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Staff member – Nhân sự
TS. TRẦN ViỆT CƯỜNG
PhD. T R A N V I E T C U O N G
TS. NGUYỄN HOÀNG HƯNG
PhD. N G U Y E N H O A N G
H U N G

6. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Staff member – Nhân sự
TS. LÊ THỤY THANH GIANG
PhD. L E T H U Y T H A N H
G I A N G
TS. HUỲNH TRẦN MỸ HÒA
PhD. H U Y N H T R A N M Y
H O A

7. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Staff member – Nhân sự
ThS. PHẠM HOÀI PHƯƠNG
MSc. P H A M H O A I
P H U O N G
ThS. HOÀNG THỊ THU
MSc. H O A N G T H I T H U

8. Cezch
Korean
Japan
Australia
Singapore
Canada
Italia
Germani
We also established cooporation with a number of foreign university :
1 Physics Department, University of Moncton (Canada)
2 Nanolab ‐ Czech Technology University in Prague (Czechrepublic).;
3 Department of Physics, Latrobe University (Melbourne, Australia);
4 Faculty of Physics, Tohoku University (Sendai), Osaka University (Osaka) Japan;
5 Department of Material Science, Pusan University, Ulsan University (Korean);
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Staff member – Nhân sự

9. Staff member – Nhân sự
VÕ TRỌNG NGHĨA
England
PHAN THỊ NHƯ QUỲNH
Japan
TRẦN MINH ĐẠO
Korea
NGUYỄN DUY KHÁNH
Japan
TRẦN VĨNH SƠN
Canada
TRẦN HỒNG NHÂN
Korea

10. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Training scheme – Đào tạo
Đào tạo
Cử nhân
Thạc sĩ
Tiến sĩ
4 – 5 Học viên cao học thực hiện luận
văn tốt nghiệp Thạc sĩ hàng năm

11. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Training scheme – Đào tạo
Năm 3
• Đại cương khoa học vật liệu
• Kỹ thuật nuôi tinh thể
• Tính chất cơ nhiệt vật rắn
• Vật lý bán dẫn
• Ứng dụng máy tính
• Thực tập chuyên đề 1
• Tính chất quang vật rắn
• Công nghệ linh kiện bán dẫn
•Thực tập chuyên đề 2
Hệ phún xạ Magnetron DC

12. Training scheme – Đào tạo
Hệ nhiệt bốc bay
Hệ spin Hệ phun nhiệt phân
Năm 3
• Đại cương khoa học vật liệu
• Kỹ thuật nuôi tinh thể
• Tính chất cơ nhiệt vật rắn
• Vật lý bán dẫn
• Ứng dụng máy tính
• Thực tập chuyên đề 1
• Tính chất quang vật rắn
• Công nghệ linh kiện bán dẫn
•Thực tập chuyên đề 2

13. Training scheme – Đào tạo
Năm 4
• Kỹ thuật chân không và chế tạo màng
• Kỹ thuật phân tích phòng thí nghiệm
• Kỹ thuật siêu âm
• Lý thuyết mô phỏng vật liệu bán dẫn (*)
• Vật liệu cấu trúc nano (*)
• Khóa luận tốt nghiệp
Plasma enhanced chemical vapor
deposition (PECVD) Lắng đọng hơi hóa học
trong môi trường tăng cường Plasma.
Hệ đo nhạy khí

14. Facilities – Thiết bị
Vacuum Multi-chambers system
Hệ chân không liên hoàn
Two thermal zone CVD system
Hệ CVD 2 điện cực
Air pressure – Low pressure chemical
vapor deposition (AP-LP CVD) Lắng đọng
hơi hóa học trong môi trường chân không cao.

15. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Facilities – Thiết bị

16. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Measurement Equipment – Thiết bị đo đạc
Hệ đo UV-vis
Working region: 190nm - 1100nm
 Double beam, monochromatic
unit with concave grating (1200
line/mm).
 Data step: 0.1nm
 Kind of measured material: thin
film, liquid, bulk.
 T%, R%, Abs spectra

17. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Measurement Equipment – Thiết bị đo đạc
Hệ đo FTIR
Working region: 15000cm-1- 80cm-1
 Resolution: 1cm-1
 Aperture: 0.3-10mm
 Kind of measured material: thin film, liquid, bulk.
 T%, R%, Abs spectra
 Determining compositions
.
Hệ đo quang – điện

18. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Working region:
300 nm – 1800 nm
 Thin film thickness
 Optical constants n,k
 Optical anisotropic
property
 Void on the surface or
between two materials
 Compositions of
materials
 Homogeneousness of
materials
UVISEL M200-HR460 SYSTEM
Measurement Equipment – Thiết bị đo đạc
Hệ đo Ellipsometer

19. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Training scheme – Đào tạo
Đào tạo
Cử nhân
Thạc sĩ
Tiến sĩ
4 – 5 Học viên cao học thực hiện luận
văn tốt nghiệp Thạc sĩ hàng năm

20. Research – Định hướng nghiên cứu
OLED
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Linh
kiện
Vật
liệu
Mô
phỏng

21. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
OLED – Organic Light-Emitting Diode

22. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Now1980s
1970s
1990s
1960s
Investigated organic
molecular solids : anthraceneVacuum deposition method
Langmuir – Blodgett technique
Making amorphous thin film
with high stability
PVK doped with fluorescent dye
molecular
OLED multilayer with high radiation efficiency
Better balance of charge carriers, Low operating voltage
C.L.Tang R. Friend S.Forrest
New kind of OLED : passive-matrix
OLED, active-matrix OLED, top-
emitting OLED, foldable OLED,
TOLED, white OLED, …
ITO
Mg:Al
HTL
ETL
OLED – Organic Light-Emitting Diode

23. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Spin coating Thermal
treatment
Electrode
Covering
 Dissolving into Solvent :
Concentration
Solvent : Aromatic & Non-Aromatic
 Spin coating process with different speed
 Thermal treatment : different annealed
temp. & ambients
 Metal Electrode : Thermal Evaporation
method
Investigating Optical, Electrical and
Performance Characteristics of
Monolayer & Multilayer OLED devices
OLED – Organic Light-Emitting Diode

24. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
PFO
MEHPPV
MEHPPV solution and thinfilm (left) and organic material for
opto-electronic devices under radiation of UV light
Structure, energy diagram and luminescence-voltage characteristics
of MEHPPV monolayer OLED device
PL spectra of PFO thinfilms annealed at different temperature
Energy diagram of multilayer OLED device based on MEHPPV and PFO
Luminescence-voltage characteristics of MEHPPV and PFO multilayer OLED.
OUTCOMES OF Organic Light
Emitting Diode RESEARCH
OLED – Organic Light-Emitting Diode

25. Research – Định hướng nghiên cứu
OLED
Pin mặt trời
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Linh
kiện
Vật
liệu
Mô
phỏng

26. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
SOLAR Cell – Pin mặt trời

27. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Si:H deposition – PE-CVD
Thermal
treatment
Electrode
Covering
 Intrinsic, P, B doped Si:H thin film deposited
by PE-CVD method from precursors: Silane,
Phosphine, Borant and Hydrogene:
 Thermal treatment : different annealed
temp. & ambients
 Metal Electrode : Thermal Evaporation
method
Investigating Optical, Electrical ,
Structure, Morphology and
Performance Characteristics of pin or
nip structered solar cell module
Current-Voltage measurement of solar cells p-i-n
structure based on Si:H thin films
SOLAR Cell – Pin mặt trời

28. 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0 H 0%
H 80%
H 94%
H 95%
Nang luong vung cam (eV)
(A) SEM image of Si:H films and correlative Raman spectra at
different ratio of Hydrogen, corresponding to state of amorphous,
micro-crystal and nano-crystal in film structure, respectively. (B) X-
ray differaction spectra of Si:H films with different ratio of
Hydrogen.
SI:H thinfilms with
different ratio of H
Raman spectra of Si:H thin films (on glass) of H dilution from 1 to 5. The
amorphous line is added for the ease of comparision (left) and X-ray
differaction spectra of Si:H films with different ratio of Hydrogen.
Current-Voltage
charateristic of solarcells
p-i-n structure based on
Si:H thinfilms
0 20 40 60 80 100
0
20
40
60
80
100
120
Nong do hat tai
117.8 e16(cm-3)
16.29 e16 (cm-3)
3.921 e 16 (cm-3)3.386 e 16 (cm-3)
Nongdohattai(e16cm-3)
Phan tram H2
(%)
a
Carrier Concentration
Band gap
SOLAR Cell – Pin mặt trời
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M

29. Research – Định hướng nghiên cứu
OLED
Pin mặt trời
Chế tạo điện
cực trong suốt
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Linh
kiện
Vật
liệu
Mô
phỏng

30. Transparent conducting film – Màng trong suốt dẫn điện
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M

31. Transparent conducting film – Màng trong suốt dẫn điện
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Màng Ag NWS
Phun phủ nhiệt phân
Điều chỉnh nhiệt độ đế
Xử lý đế

32. Transparent conducting film – Màng trong suốt dẫn điện
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
PET
Màng AGNWS
M/A = 42 mg/m2

33. Research – Định hướng nghiên cứu
OLED
Pin mặt trời
Chế tạo điện
cực trong suốt
Cảm biến
nhạy khí
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Linh
kiện
Vật
liệu
Mô
phỏng

34. Gas sensor – Cảm biến nhạy khí
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M

35. Tạo điện cực trên màng rGO
và dán dây dẫn lên điện cực
Linh kiện nhạy khí hoàn
chỉnh sử dụng trong khảo sát
Phun dung dịch sợi nano Ag
lên màng rGO
Cách 2: Sử dụng tác nhân kết
hợp hydrazine + nhiệt
Cách 1: Chỉ sử dụng
tác nhân nhiệt
Sử dụng phương
pháp bốc bay nhiệt
Dùng keo bạc dán
dây dẫn
Sử dụng phương pháp
phun nhiệt phân (spray) Khảo sát nhạy
khí NH3
Tạo màng rGO
(spin màng GO khử
màng GO theo hai cách)

36. Gas sensor – Cảm biến nhạy khí
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
X
X
X
XKhí Ar
Buồng tạo
hơi bằng
bọt khí
Flowmeter
(lưu lượng kế)
X Van Solenoid
X : trạng thái đóng
O : trang thái mở
Đầu nối
Đồng
hồ đo
Buồng làm việc
Hệ thống được
điều khiển bằng
máy tính
Buồng làm việc
Đồng hồ đo

37. Gas sensor – Cảm biến nhạy khí
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Agelectrode
Agelectrode
Ag NWsrGO
A
V

38. Research – Định hướng nghiên cứu
OLED
Pin mặt trời
Chế tạo điện
cực trong suốt
Cảm biến
nhạy khí
Chip vi lưu
(Microfluidic)
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Linh
kiện
Vật
liệu
Mô
phỏng

39. Microfluidic chip – Chip vi lưu
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M

40. Microfluidic chip – Chip vi lưu
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M

41. Research – Định hướng nghiên cứu
OLED
Pin mặt trời
Chế tạo điện
cực trong suốt
Cảm biến
nhạy khí
Chip vi lưu
(Microfluidic)
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Linh
kiện
Vật
liệu
Mô
phỏng

42. Material – Vật liệu
Graphene Oxide
Graphene
Graphite oxide
Graphite
Graphite layers
Graphite Graphene

43. Material – Vật liệu
a) b)
c) d)
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M

44. Polystyrene layer covered on ZnO sustrate Surface before and after removing PS layer to coat ZnO seed layer
Surface image and X-ray
diffraction spectrum of ZnO
nanowrires grown on
Graphene sheet
ZnO Nanosheet (NS)
ZnO NW and ZnO NS ZnO Nanorods
ZnO Nanowire
Growth ZnO nanowires on ZnO sheet
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Material – Vật liệu

45. Research – Định hướng nghiên cứu
OLED
Pin mặt trời
Chế tạo điện
cực trong suốt
Cảm biến
nhạy khí
Chip vi lưu
(Microfluidic)
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Linh
kiện
Vật
liệu
Mô
phỏng

46. Simulation – Mô phỏng
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Xác định số lớp của màng

47. Simulation – Mô phỏng
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Xác định số lớp của màng

48. Simulation – Mô phỏng
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Lập trình chương trình đo nhạy khí
X
X
X
XKhí Ar
Buồng tạo
hơi bằng
bọt khí
Flowmeter
(lưu lượng kế)
X Van Solenoid
X : trạng thái đóng
O : trang thái mở
Đầu nối
Đồng
hồ đo
Buồng làm việc
Hệ thống được
điều khiển bằng
máy tính
Buồng làm việc
Đồng hồ đo

49. Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
 Làm việc tại các trung tâm nghiên cứu
 Học sau đại học – Du học
 Dạy phổ thông
Cezch
Korean
Japan
Australia
Singapore
Canada
Italia
Germani

50. EXTRA ACTIVITIES
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M

51. EXTRA ACTIVITIES
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M

52. your decision = ???
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M

53. your decision
Truong DAI HOC KHOA HOC TU NHIEN TPHCM
U N I V E S I T Y O F S C I E N C E – V N U H C M
Welcome to
Vật lý chất rắn