Junction FET PSpice Model

1. Id
Cgd
Gate
Drain
Cgd
Source
RS
RD
Junction FET
等価回路図

2. モデル・パラメータ 説明 単位 デフォルト値
VTO しきい値電圧 volt -2.0
BETA トランスコンダクタンス係数 amp/volt2 1E-4
LAMBDA チャネル長変調 volt-1 0
IS ゲートp-n飽和係数 amp 1E-4
N ゲートp-n放射係数 1
ISR ゲートp-n再結合電流パラメータ amp 0
NR ISR放射係数 2
ALPHA イオン化係数 volt-1 0
VK イオン化「knee」電圧 volt 0

3. モデル・パラメータ 説明 単位 デフォルト値
RD ドレイン・オーム性抵抗 ohm 0
RS ソース・オーム性抵抗 ohm 0
CGD G-D間ゼロバイアスp-n容量 farad 0
CGS G-S間ゼロバイアスp-n容量 farad 0
M ゲートp-n傾斜係数 amp 0.5
PB ゲートp-n電位 volt 1.0
FC 順方向バイアス時の空乏層容量係数 0.5
VTOTC VTO温度係数 volt /◦C 0
BETATCE BETA温度指数係数 %/◦C 0

4. モデル・パラメータ 説明 単位 デフォルト値
XTI IS温度係数 amp 3
KF フリッカ雑音係数 volt 0
AF
フリッカ雑音係数
ohm 1
T_MEASURED 測定温度 ◦C
T_ABS 絶対温度 ◦C
T_REL_GLOBAL 現在の温度に対する相対値 ◦C
T_REL_LOCAL AKOモデル温度に対する相対値 ◦C