radiation ,photon ,

1. Name
Title
Company Name

2. .1‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬
•‫نظير‬e, e+, p, α(‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫با‬keV10‫تا‬MeV10)
.2‫ي‬‫پرتو‬‫نظير‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫ر‬‫پ‬ ‫ها‬‫ن‬‫فوتو‬X‫و‬γ
.3‫ن‬‫و‬‫نوتر‬

3. •‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ة‬‫ر‬‫ذ‬‫از‬‫ر‬‫عبو‬‫ماده‬‫ات‬ ‫مثبت‬ ‫هاي‬‫هسته‬‫و‬ ‫منفي‬ ‫الكترونهاي‬‫با‬‫يا‬ ‫م‬
‫كند‬‫مي‬ ‫د‬‫ر‬‫برخو‬ ‫هدف‬‫مولكولهاي‬.
•‫حاصل‬ ‫دافعه‬‫و‬ ‫جاذبه‬‫اثر‬‫ر‬‫ب‬‫تحويل‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫ماده‬ ‫به‬
•‫نتيجه‬‫در‬‫و‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬ ‫کاهش‬‫ي‬ ‫تابش‬ ‫ه‬‫ر‬‫ذ‬

4. ‫د‬‫ر‬‫برخو‬ ‫نوع‬:
.1‫ن‬‫اسيو‬‫ز‬‫يوني‬
.2‫تحريک‬
‫ي‬‫ژ‬‫انر‬ ‫محدودة‬‫در‬(keV10‫تا‬MeV10):
‫ن‬‫اسيو‬‫ز‬‫يوني‬‫بيش‬‫از‬‫انگيختگي‬‫ر‬‫ب‬‫افتد‬‫مي‬‫اتفاق‬

5. •‫احتمال‬،‫كلي‬‫ر‬‫طو‬‫به‬‫االستيك‬‫ر‬‫غي‬ ‫د‬‫ر‬‫برخو‬‫ا‬‫ر‬‫ب‬ ‫كه‬ ‫است‬‫ياد‬‫ز‬ ‫چنان‬‫توقف‬ ‫ي‬
‫كامل‬‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬‫ضخيم‬‫بسيار‬ ‫مادة‬ ‫به‬‫احتياج‬‫د‬‫ر‬‫ندا‬ ‫وجود‬.

6. ‫فتار‬‫ر‬‫سبكتر‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬(e‫و‬e+)‫و‬‫تر‬‫سنگين‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬(‫جرم‬=‫بيشتر‬‫يا‬‫يك‬‫از‬
‫ن‬‫تو‬‫و‬‫پر‬:p‫و‬α)‫است‬‫متفاوت‬
ً
‫كامال‬.
‫سبك‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬‫هدف‬‫اتم‬ ‫الكترونهاي‬‫با‬ ‫االستيك‬‫ر‬‫غي‬ ‫د‬‫ر‬‫برخو‬‫در‬:
‫ي‬‫ژ‬‫انر‬ ‫دادن‬ ‫دست‬‫ز‬‫ا‬+‫اف‬‫ر‬‫انح‬‫سنگين‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬‫به‬ ‫نسبت‬ ‫ي‬‫گتر‬‫ر‬‫بز‬ ‫اوية‬‫ز‬ ‫با‬
‫در‬ ‫اختالف‬‫ه‬‫ر‬‫ذ‬‫دو‬ ‫برد‬
‫مسير‬‫سنگين‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬
ً
‫تقريبا‬‫مستقيم‬ ‫خط‬‫ولي‬‫سبك‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬‫شك‬ ‫خطوط‬‫سته‬
(‫اگ‬‫ز‬‫يگ‬‫ز‬)

7. ‫هرگاه‬‫گ‬‫ر‬‫بز‬ ‫اوية‬‫ز‬ ‫با‬ ‫سبك‬ ‫ة‬‫ر‬‫ذ‬ ‫يك‬‫شود‬ ‫منحرف‬:
•‫انتقالي‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫نيز‬ ‫هدف‬ ‫اتم‬ ‫الكترون‬ ‫به‬‫ياد‬‫ز‬‫است‬.
‫الكترون‬=‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫جذب‬=‫ر‬‫فتا‬‫ر‬‫ة‬‫ر‬‫ذ‬‫مشابه‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫ر‬‫پ‬‫دار‬‫ر‬‫با‬
‫،توليد‬‫مسير‬ ‫طي‬‫در‬‫ثانويه‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫ر‬‫پ‬ ‫الكترونهاي‬=‫ي‬‫پرتو‬δ
‫سنگين‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬‫ديگر‬‫و‬ ‫ن‬‫تو‬‫و‬‫پر‬ ‫د‬‫ر‬‫مو‬‫در‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫انتقال‬ ‫نوع‬ ‫اين‬‫ت‬‫ر‬‫ند‬‫به‬‫اتف‬‫اق‬
‫افتد‬‫مي‬.

8. ‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ة‬‫ر‬‫ذ‬ ‫يك‬:
‫با‬‫بيشتر‬ ‫حركت‬‫داده‬ ‫دست‬‫از‬ ‫ي‬‫بيشتر‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬
‫تحريک‬‫و‬ ‫ن‬‫اسيو‬‫ز‬‫يوني‬‫مسير‬ ‫طي‬‫در‬‫بيشتر‬
‫نهايت‬‫در‬
ً
‫تقريبا‬‫و‬ ‫داده‬ ‫دست‬‫ز‬‫ا‬ ‫ا‬‫ر‬ ‫خود‬ ‫ي‬ ‫جنبش‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫تمام‬‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ة‬‫ر‬‫ذ‬،
‫ايستد‬‫مي‬.

9. ‫طولي‬ ‫متوسط‬‫كند‬ ‫طي‬‫ودي‬‫ر‬‫و‬ ‫جهت‬‫در‬‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ة‬‫ر‬‫ذ‬ ‫يك‬ ‫كه‬‫ا‬‫ر‬،‫رد‬ْ‫ب‬ ،R،‫مي‬
‫نامند‬.
‫براي‬‫فقط‬ ،‫تعريف‬ ‫اين‬‫سنگين‬‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬‫ة‬‫ر‬‫نظيرذ‬α‫است‬‫معتبر‬
ً
‫كامال‬.
‫اي‬‫ر‬‫ب‬ ‫رد‬ْ‫ب‬‫دقيق‬ ‫تعريف‬‫سبك‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬‫ذ‬ ‫رد‬ْ‫ب‬ ‫شود‬‫مي‬ ‫فرض‬‫و‬ ‫است‬ ‫مشكل‬‫ات‬‫ر‬
،‫يترون‬‫ز‬‫پو‬‫و‬ ‫الكترون‬‫ر‬‫نظي‬ ،‫سبك‬‫ضخامت‬ ‫كمترين‬‫قادر‬ ‫كه‬ ‫است‬ ‫اي‬‫ماده‬‫نفوذ‬ ‫به‬
‫نباشد‬ ‫آن‬‫از‬.

10. ‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬‫سنگين‬‫خط‬ ‫به‬ ‫وبيش‬ ‫كم‬‫مستقيم‬‫كنند‬‫مي‬ ‫حركت‬
ً
‫تقريبا‬‫شده‬ ‫طي‬‫مسير‬ ‫متوسط‬ ‫ي‬‫مساو‬‫است‬ ‫ض‬‫و‬‫مفر‬ ‫مادة‬‫در‬
‫ات‬‫ر‬‫ذ‬ ‫رد‬ْ‫ب‬‫سبكتر‬‫ن‬‫مسير‬‫شكسته‬‫و‬‫مسير‬ ‫متوسط‬‫كوتاهتراز‬
‫است‬ ‫شده‬ ‫طي‬.

11. e
P




12. ُ‫برد‬
‫نرم‬‫بافت‬‫هوا‬
‫ي‬‫ژ‬‫انر‬(keV)e‫يا‬e+
αe‫يا‬e+
α
10
100
1000
10000
4-10×2
2-10×2
1-10×4
5
5-10<
4-10×4/1
4-10×2/7
2-10×4/1
1-10×6/1
16
210×3/3
310×1/4
2-10×1
1-10×1
1-10×5
5/10
‫برد‬(cm)‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬ ‫تقريبي‬

13. ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬:
‫شود‬‫مي‬‫ياد‬‫ز‬ ،‫اوليه‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬ ‫ايش‬‫ز‬‫اف‬ ‫با‬‫ه‬‫ر‬‫ذ‬ ‫يك‬ ‫رد‬ْ‫ب‬
R = aE + b‫و‬‫ثابت‬‫مقادير‬=b,a
‫جرم‬:
(‫اگر‬‫مشابه‬ ‫بار‬ ‫و‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬=)‫سنگين‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬‫به‬ ‫نسبت‬‫سبكتر‬ ‫ات‬ّ‫ر‬‫ذ‬‫رد‬ْ‫ب‬‫ي‬‫تر‬‫طوالني‬
‫ند‬‫ر‬‫دا‬.
‫بي‬ ‫سرعت‬ ‫به‬ ‫وابستگي‬ ‫ت‬‫ر‬‫صو‬‫به‬ ‫اوقات‬ ‫گاهي‬ ‫جرم‬‫به‬ ‫رد‬ْ‫ب‬ ‫وابستگي‬‫شود‬‫مي‬ ‫ان‬.
‫يترون‬‫ز‬‫پو‬MeV1‫به‬ ‫نسبت‬ ‫ي‬‫بيشتر‬ ‫سرعت‬ ‫با‬‫ن‬‫تو‬‫و‬‫پر‬MeV1‫كند‬‫مي‬ ‫حركت‬.
‫رد‬ْ‫ب‬‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ة‬‫ر‬‫ذ‬‫سرعت‬ ‫ايش‬‫ز‬‫اف‬ ‫با‬‫ايش‬‫ز‬‫اف‬‫يابد‬ ‫مي‬.

14. ‫بار‬(Q):
‫بار‬‫مقدار‬:‫كمتر‬‫بار‬‫بيشتر‬ ‫مسافت‬(‫بيشتر‬ ‫برد‬)
‫مثال‬:
+3
1H(1،‫بار‬3‫جرم‬)‫به‬ ‫نسبت‬ ‫ي‬‫بيشتر‬ ‫رد‬ْ‫ب‬2+3
2H(2،‫بار‬3‫جرم‬)‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫با‬
‫ند‬‫ر‬‫دا‬ ‫مشابه‬.
‫دقيق‬ ‫ابطة‬‫ر‬:R1/Q2
‫بار‬ ‫عالمت‬(‫منفي‬‫يا‬ ‫مثبت‬)‫د‬‫ر‬‫ندا‬ ‫رد‬ْ‫ب‬‫در‬ ‫ي‬‫تأثير‬.

15. ‫محيط‬‫چگالي‬(D)
•‫است‬‫وابسته‬ ،‫محيط‬‫چگالي‬‫به‬‫يادي‬‫ز‬ ‫ان‬‫ز‬‫مي‬‫به‬‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ة‬‫ر‬‫ذ‬ ‫رد‬ْ‫ب‬.
•‫چگالي‬‫گردد‬‫مي‬‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ة‬‫ر‬‫ذ‬ ‫رد‬ْ‫ب‬ ‫كاهش‬ ‫سبب‬،
•‫يعني‬R،‫محيط‬‫چگالي‬ ‫عكس‬ ‫با‬d‫است‬ ‫متناسب‬،
R1/d
‫ها‬‫ز‬‫گا‬‫در‬‫دار‬‫ر‬‫با‬ ‫ات‬‫ر‬‫ذ‬ ‫برد‬‫جامدات‬‫و‬‫مايعات‬‫از‬‫بيشتر‬

16. •‫قرار‬‫گرفتن‬‫ة‬‫ر‬‫ذ‬‫دار‬‫ر‬‫با‬‫در‬‫ميدان‬‫الكتريكي‬‫هسته‬‫و‬‫افزايش‬‫يا‬‫كاهش‬‫ناگهاني‬‫شت‬‫اب‬،‫است‬
‫هاي‬‫ن‬‫فوتو‬‫ي‬‫ژ‬‫پرانر‬(‫پرتو‬X)‫توليد‬‫شود‬.
•‫برانگيزش‬‫نشر‬‫اشعه‬‫ايکس‬‫ي‬ ‫اختصاص‬
•‫احتمال‬‫اين‬‫د‬‫ر‬‫برخو‬‫در‬‫يهاي‬‫ژ‬‫انر‬‫پائين‬،‫بسيار‬‫كم‬‫است‬.
•‫مگر‬‫كه‬‫آن‬‫الكترون‬‫يا‬‫يترون‬‫ز‬‫پو‬‫با‬‫موادي‬‫با‬‫عدداتمي‬‫باال‬(،
ً
‫مثال‬‫سرب‬‫و‬‫استيل‬)‫د‬‫ر‬‫برخو‬
‫نمايد‬.

17. ‫الكترون‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫از‬ ‫سهمي‬‫با‬ ‫اي‬‫ماده‬‫در‬ ‫كه‬‫اتمي‬ ‫عدد‬Z‫ي‬‫پرتو‬ ‫به‬X،‫شود‬‫مي‬ ‫تبديل‬
‫آيد‬‫مي‬ ‫دست‬‫به‬‫ير‬‫ز‬‫معادلة‬‫از‬ ‫تقريبي‬ ‫ر‬‫طو‬‫به‬:
f=(Z.E)/1400
E‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫برحسب‬ ‫الكترون‬MeV،Z‫اتمي‬ ‫عدد‬‫و‬ ‫هدف‬‫ماده‬f‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫از‬ ‫سهمي‬
‫الكترون‬‫ميشود‬ ‫تبديل‬ ‫ايكس‬ ‫اشعه‬ ‫به‬ ‫كه‬

18. 1.‫همدوس‬ ‫پراکندگي‬Coherent Scattering
2.‫الکتريک‬‫فتو‬‫اثر‬Photoelectric effect
3.‫ن‬‫کمپتو‬ ‫پراکندگي‬Compton Scattering
4.‫جفت‬ ‫توليد‬Pair Production
5.‫ن‬‫فوتو‬‫توسط‬‫تجزيه‬Photo disintegration

19. 1-‫پراکندگي‬‫كالسيك‬(‫همدوس‬):
‫ن‬‫فوتو‬‫با‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫کم‬‫به‬‫الکترونهاي‬‫يک‬‫اتم‬‫د‬‫ر‬‫برخو‬‫کرده‬‫و‬‫آنها‬‫ا‬‫ر‬‫با‬‫فرکانس‬‫معادل‬‫فرکانس‬
‫خود‬‫به‬‫نوسان‬‫در‬‫مي‬‫د‬‫ر‬‫آو‬.
←‫الکترون‬‫به‬‫نوسان‬‫آمده‬‫ر‬‫د‬=‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫يافتي‬‫ر‬‫د‬‫ا‬‫ر‬‫ت‬‫ر‬‫بصو‬‫ن‬‫فوتو‬‫نشر‬‫ميکند‬
←‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫ن‬‫فوتو‬‫ي‬‫انتشار‬،‫برابر‬‫با‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫ن‬‫فوتو‬‫ي‬ ‫تابش‬‫است‬

20. •‫پراکندگي‬‫ن‬‫بدو‬‫انتقال‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫از‬‫ن‬‫فوتو‬
•‫ن‬‫بدو‬‫تغيير‬‫در‬‫ل‬‫طو‬‫موج‬‫پرتو‬
•‫نتيجه‬=‫برانگيختگي‬‫اتم‬
•‫فقط‬‫تغيير‬‫جهت‬‫پرتو‬
•‫عدم‬‫ايجاد‬‫يونش‬‫در‬‫ماده‬
•‫مه‬‫آلودگي‬‫ي‬‫و‬‫ر‬‫فيلم‬

22. 23
A-‫الکترون‬‫با‬‫ن‬‫فوتو‬ ‫يک‬‫داخلي‬‫اليه‬(K,L)‫ي‬‫ژ‬‫انر‬ ‫با‬(Ei)‫الکترون‬‫همبستگي‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫از‬‫بيش‬‫کمي‬Eb‫مي‬ ‫د‬‫ر‬‫برخو‬
‫کند‬.
Ei = E b + E
B-‫ن‬‫فوتو‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫الکترون‬ ‫به‬‫دهد‬‫مي‬ ‫انتقال‬‫شود‬ ‫مي‬ ‫ناپديد‬‫خود‬‫و‬‫ن‬‫فوتو‬‫شدن‬ ‫ناپديد‬
C-‫الکترون‬‫در‬‫محيط‬‫اد‬‫ز‬‫آ‬‫مي‬‫شود‬‫و‬‫در‬‫نهايت‬‫توسط‬‫ماده‬‫جذب‬‫مي‬‫شود‬.
D-‫پر‬‫شدن‬‫حفره‬‫اليه‬K‫توسط‬‫اليه‬L‫از‬‫دست‬‫دادن‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫و‬‫توليد‬‫اشعه‬X‫ي‬ ‫اختصاص‬
E-‫انتقال‬‫الکترون‬‫اليه‬K←‫کل‬‫اتم‬‫يک‬‫الکترون‬‫کم‬←‫ن‬‫يونيزاسيو‬‫غير‬‫مستقيم‬=‫ن‬‫يو‬‫مثبت‬

23. •‫توليد‬‫اشعه‬‫ي‬ ‫اختصاص‬(‫ويژه‬)
•‫توليد‬‫ن‬‫يو‬‫منفي‬(‫هايي‬‫ر‬‫الکترون‬)
•‫ن‬‫يو‬‫مثبت‬(‫اتمي‬‫با‬‫کمبود‬‫يک‬‫الکترون‬)

24. 25
‫يک‬‫ر‬‫فتوالکت‬‫د‬‫ر‬‫برخو‬‫وقوع‬‫احتمال‬
1-‫ا‬‫ر‬‫دا‬‫بودن‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫کافي‬‫ن‬‫فوتو‬‫براي‬‫غلبه‬‫بر‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫همبستگي‬‫الکترون‬
2-‫ا‬‫ر‬‫دا‬‫بودن‬‫تشابه‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫ن‬‫فوتو‬‫با‬‫الکترون‬
‫مثال‬:‫همبستگي‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬K‫يد‬Kev 33:‫ن‬‫فوتو‬Kev 34‫بهتر‬‫از‬Kev 100‫است‬.
3-‫اثر‬‫فتو‬‫الکتريک‬‫متناسب‬3(‫عدد‬‫اتمي‬‫هدف‬)3Z
P.E ~ Z3/E3

25. ‫ي‬ ‫اختصاص‬‫ايکس‬‫اشعه‬‫توليد‬‫ايند‬‫ر‬‫ف‬‫مقايسه‬‫تيوب‬‫و‬:
•‫توليد‬‫اشعه‬X‫ي‬ ‫اختصاص‬‫در‬‫فتوالکتريک‬:
‫ن‬‫فوتو‬‫باعث‬‫جدا‬‫شدن‬‫الکترون‬
•‫توليد‬‫اشعه‬X‫ي‬ ‫اختصاص‬‫در‬‫دستگاه‬‫ي‬‫ژ‬‫اديولو‬‫ر‬:
‫الکترون‬‫ياد‬‫ز‬‫سرعت‬‫با‬
‫و‬ ‫هدف‬‫الکترون‬ ‫شدن‬‫جدا‬‫توليد‬‫ي‬ ‫اختصاص‬ ‫تشعشع‬

27. ‫ايکس‬‫اشعه‬ ‫مشخصه‬‫ل‬‫جدو‬

30. 31
‫ن‬‫کمپتو‬‫اکندگي‬‫ر‬‫پ‬
A-‫با‬ ‫ن‬‫فوتو‬‫د‬‫ر‬‫برخو‬‫باال‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫با‬‫جي‬‫ر‬‫خا‬ ‫اليه‬‫از‬ ‫اد‬‫ز‬‫آ‬‫الکترون‬‫ماده‬ ‫يک‬ ‫اتم‬
-B‫شدن‬‫خارج‬‫مدار‬‫از‬‫الکترون‬
- C‫ن‬‫فوتو‬‫انحراف‬‫در‬‫حرکت‬‫و‬‫جديد‬‫جهت‬(‫جديد‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫و‬‫فرکانس‬)
- D‫ن‬‫يو‬‫جفت‬ ‫توليد‬‫غيرمستقيم‬‫ن‬‫يونيزاسيو‬(‫بنام‬‫الکترون‬‫يک‬‫و‬ ‫مثبت‬‫بار‬ ‫اتم‬‫الک‬‫برگشتي‬‫ترون‬)

33. ‫يادي‬‫ز‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫الکترون‬‫شدن‬ ‫جدا‬‫صرف‬‫گردد‬‫نمي‬(‫جي‬‫ر‬‫خا‬‫مدار‬‫در‬ ‫اد‬‫ز‬‫آ‬‫الکترون‬)
‫ن‬‫فوتو‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬ ‫تمام‬‫هرگز‬‫دهد‬‫نمي‬‫دست‬‫از‬ ‫ا‬‫ر‬.
‫باقيمانده‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫ميزان‬:‫ن‬‫فوتو‬‫اوليه‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬
‫اويه‬‫ز‬‫پراکندگي‬
‫ن‬‫فوتو‬‫با‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫کم‬:‫بيشتر‬‫فوتونها‬‫با‬‫اويه‬‫ز‬180‫به‬‫عقب‬‫بازگشت‬

34. 36
‫فوتون‬ ‫موج‬ ‫طول‬ ‫در‬ ‫تغيير‬‫محاسبه‬:
(1- cosӨ)0/024)=(1- cosӨ)((h/mc=λ∆
‫موج‬ ‫ل‬‫طو‬‫در‬‫تغيير‬:λ∆
‫انحراف‬ ‫اويه‬‫ز‬Ө
12.4/KVp=λ
Ei = Ec + (Eb + Eke )
‫دي‬‫ر‬‫برخو‬ ‫ن‬‫فوتو‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬Ei
‫بخش‬ ‫ن‬‫فوتو‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬Ec
‫همبستگي‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬Eb
‫الکترون‬‫ي‬ ‫جنبش‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬Eke

35. ‫مشکالت‬:‫اسکتر‬‫پرتوهاي‬(‫آلودگي‬ ‫مه‬)←‫فيلم‬ ‫ي‬‫و‬‫ر‬ ‫آلودگي‬ ‫مه‬,‫کم‬ ‫كنتراست‬
‫مشکل‬ ‫حذف‬,‫کرد‬‫استفاده‬‫فيلتر‬‫از‬ ‫توان‬‫نمي‬(‫اسکتر‬‫پرتو‬ ‫ياد‬‫ز‬)‫طريق‬‫از‬ ‫تابش‬‫بيمار‬
(‫وسکوپي‬‫ر‬‫فلو‬)‫وسکوپي‬‫ر‬‫فلو‬ ‫متصدي‬ ‫به‬
‫احتمال‬‫وقوع‬:
‫بستگي‬‫به‬:‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫پرتو‬‫و‬‫دانسيته‬‫ماده‬‫جاذب‬‫و‬‫الکترونهاي‬‫اد‬‫ز‬‫آ‬‫جسم‬‫جاذب‬(‫الکترون‬‫هاي‬‫اليه‬
‫جي‬‫ر‬‫خا‬)‫و‬‫عدم‬‫بستگي‬‫به‬‫عدد‬‫اتمي‬‫ماده‬‫جاذب‬

36. 38
‫جفت‬‫توليد‬:
‫در‬‫محدوده‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫اشعه‬X‫ي‬ ‫تشخيص‬‫رخ‬‫نمي‬‫دهد‬.
A-‫ن‬‫فوتو‬‫تحت‬‫تاثير‬‫نيروي‬‫هسته‬‫اتم‬←‫تبديل‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫به‬‫ماده‬
B-‫ن‬‫فوتو‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫از‬‫بيشتر‬1. 02 Me v‫بپيوند‬ ‫بوقوع‬ ‫تا‬.
‫د‬‫ر‬‫برخو‬‫اشعه‬X‫با‬‫ابر‬‫الکتريکي‬,‫تحت‬‫تاثير‬‫ميدان‬‫نيروي‬‫هسته‬
←‫اثر‬‫متقابل‬‫بين‬‫ن‬‫فوتو‬‫و‬‫نيروي‬‫هسته‬,‫ناپديد‬‫شدن‬‫ن‬‫فوتو‬
‫تجزيه‬‫ن‬‫فوتو‬‫به‬‫الکترون‬‫و‬‫يترون‬‫ز‬‫پو‬

39. ‫ن‬‫فوتو‬‫توسط‬‫يه‬‫ز‬‫تج‬:
*‫د‬‫ر‬‫برخو‬‫ن‬‫فوتو‬‫مستقيما‬‫با‬‫هسته‬‫و‬‫جذب‬‫هسته‬‫در‬‫نتيجه‬‫هسته‬‫بر‬‫انگيخته‬
*‫تجزيه‬‫اتم‬ ‫هسته‬
*‫ن‬‫فوتو‬‫ي‬‫ژ‬‫انر‬ ‫حداقل‬Mev 7
*‫به‬ ‫هسته‬‫تجزيه‬‫ن‬‫و‬‫نوتر‬,‫ه‬‫ر‬‫ذ‬، ‫ن‬‫تو‬‫و‬‫پر‬α
*‫ن‬‫بدو‬‫اهميت‬‫در‬‫ي‬‫ژ‬‫اديولو‬‫ر‬‫ي‬ ‫تشخيص‬(‫ي‬‫ژ‬‫انر‬150 keV=MAX)

40. ‫تعداد‬‫نسبي‬‫وقوع‬‫دهاي‬‫ر‬‫برخو‬‫ي‬ ‫اساس‬:
-1‫اکندگي‬‫ر‬‫پ‬‫همدوس‬:5 %
-2‫اکندگي‬‫ر‬‫پ‬‫ن‬‫کمپتو‬:20 %
-3‫فتو‬‫الکتريک‬:75 %
3‫و‬2‫در‬‫ي‬‫ژ‬‫اديولو‬‫ر‬‫ي‬ ‫تشخيص‬‫با‬‫اهميت‬

41. Photoelectric Pair Production
COMPTON
Z
10
100
Energy (MeV)
0.01 0.1 1.0 10 100

42. 44
‫ی‬‫تصويربردار‬‫در‬‫فتوالکتريک‬‫اثر‬ ‫اهميت‬:
•‫به‬ ‫وابسته‬Z3‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫و‬1/E3
•‫استخوان‬‫در‬‫فتوالکتريک‬‫د‬‫ر‬‫برخو‬‫احتمال‬
[13.8 / 7.4] 3 = 6.49
‫بيشتر‬ ‫ن‬‫کمپتو‬‫برخود‬‫نرم‬ ‫بافت‬‫در‬

44. 46
‫شکست‬‫ضريب‬(‫کاهش‬ ‫پاياي‬μ)
‫خطي‬ ‫کاهش‬‫پاياي‬μ‫ها‬ ‫پديده‬ ‫همه‬‫جمع‬ ‫با‬‫برابر‬
π+σ+τ+Σ=μ
‫كالسيك‬ ‫اکندگي‬‫ر‬‫پ‬(‫همدوس‬)Σ :‫فتوالکتريک‬:τ‫ن‬‫کمپتو‬:σ‫جفت‬ ‫توليد‬:π
‫کنش‬ ‫برهم‬‫هر‬‫احتمال‬
1-‫پايين‬‫يهاي‬‫ژ‬‫انر‬‫در‬:‫اهميت‬ ‫با‬‫فتوالکتريک‬ ‫جذب‬
‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫افزايش‬◄‫بيشتر‬ ‫اهميت‬ ‫ن‬‫کمپتو‬‫و‬‫کم‬‫فتوالکتريک‬
2-‫باال‬‫يهاي‬ِ‫ژ‬‫انر‬‫در‬(1.02 Mev)‫اهميت‬ ‫با‬‫جفت‬ ‫توليد‬
‫يهاي‬‫ژ‬‫انر‬‫در‬50 kev‫تا‬60 kev‫ياد‬‫ز‬‫بيمار‬ ‫جذبي‬‫ز‬‫دو‬ ‫ي‬‫ژ‬‫انر‬‫متاسفانه‬ ‫اما‬‫خوب‬‫تصوير‬

47. ‫بر‬ ‫تابشها‬2‫اند‬ ‫دسته‬:
•‫نمايند‬ ‫ي‬‫يونساز‬ ‫مستقيم‬ ‫ر‬‫بطو‬ ‫که‬ ‫تابشهايي‬=‫يونساز‬ ‫هاي‬‫پرتو‬
•‫نمايند‬ ‫ي‬‫يونساز‬ ‫مستقيم‬ ‫ر‬‫بطو‬ ‫که‬ ‫تابشهايي‬=‫هاي‬‫پرتو‬‫غير‬‫يونسا‬‫ز‬