Application of statistical methods in analyzing the results fabrication control in semiconductor technology (in Russian)
Presentation of the report on International Conference "Information technologies at metallurgy and machine building", Dnipropetrovs'k, 2008
Описан экспериментальный макет и принципы работы импульсного терагерцового рефлектометрического спектрографа-интравизора. При помощи данного макета получены временн е формы отраженного ТГц сигнала от слоистых сред – CD-диск, дискета, зубная ткань. Продемонстрирована возможность подробного изучения структуры диэлектрических слоистых сред при помощи данного метода.
АЛГОРИТМИЧЕСКАЯ КОРРЕКЦИЯ ПОГРЕШНОСТЕЙ ПОРТАТИВНОГО СПЕКТРОФОТОМЕТРАITMO University
Приводится описание разработанной методики алгоритмической коррекции погрешностей портативных приборов на примере спектрофотометра, входящего в состав прибора „Кедр“, который предназначен для идентификации пород древисины. Предлагаемая методика позволяет повысить достоверность идентификации до 90 %
Исследование переходных процессов при заряде и разряде конденсатора через соп...Alex_Goryainov
Методические указания внедряют в учебный процесс современные приемы и аппаратуру эксперимента по данной теме и дают студентам навыки применения компьютерных технологий обработки результатов исследования.
Наиболее интересное задание на ОГЭ по физике - это задание №23 (экспериментальное задание). Только оно предполагает работу с реальным лабораторным оборудованием. Только за него можно получить сразу 4 балла. Какие бывают экспериментальные задания, как их выполнить и оформить, как их оценивают эксперты - все эти вопросы затрагиваются на вебинаре, который провел 5 октября Опаловский Владимир Александрович, кандидат технических наук, учитель высшей категории, методист по физике объединённой издательской группы «ДРОФА»-«ВЕНТАНА-ГРАФ».
Описан экспериментальный макет и принципы работы импульсного терагерцового рефлектометрического спектрографа-интравизора. При помощи данного макета получены временн е формы отраженного ТГц сигнала от слоистых сред – CD-диск, дискета, зубная ткань. Продемонстрирована возможность подробного изучения структуры диэлектрических слоистых сред при помощи данного метода.
АЛГОРИТМИЧЕСКАЯ КОРРЕКЦИЯ ПОГРЕШНОСТЕЙ ПОРТАТИВНОГО СПЕКТРОФОТОМЕТРАITMO University
Приводится описание разработанной методики алгоритмической коррекции погрешностей портативных приборов на примере спектрофотометра, входящего в состав прибора „Кедр“, который предназначен для идентификации пород древисины. Предлагаемая методика позволяет повысить достоверность идентификации до 90 %
Исследование переходных процессов при заряде и разряде конденсатора через соп...Alex_Goryainov
Методические указания внедряют в учебный процесс современные приемы и аппаратуру эксперимента по данной теме и дают студентам навыки применения компьютерных технологий обработки результатов исследования.
Наиболее интересное задание на ОГЭ по физике - это задание №23 (экспериментальное задание). Только оно предполагает работу с реальным лабораторным оборудованием. Только за него можно получить сразу 4 балла. Какие бывают экспериментальные задания, как их выполнить и оформить, как их оценивают эксперты - все эти вопросы затрагиваются на вебинаре, который провел 5 октября Опаловский Владимир Александрович, кандидат технических наук, учитель высшей категории, методист по физике объединённой издательской группы «ДРОФА»-«ВЕНТАНА-ГРАФ».
Контрольно-измерительные приборы и испытательное оборудование для предприятий...Dmitriy Sukhinin
Компания 2TEST предлагает широкий спектр измерительного оборудования, автоматизированных систем тестирования и испытательных комплексов для ускорения и повышения качества разработки и производства радиоэлектронной аппаратуры. 2TEST - российский производитель и официальный поставщик ведущих производителей контрольно-измерительной техники, на протяжении более 20 лет является проверенным партнером предприятий оборонно-промышленного комплекса России. В портфеле 2TEST: контрольно-измерительные приборы (КИП) и программное обеспечение для радиоэлектроники: различного типа осциллографы, генераторы сигналов, анализаторы спектра и сигналов, анализаторы цепей, логические анализаторы, характериографы, источники-измерители, частотомеры, мультиметры, источники питания, измерители мощности, антенны, анализаторы антенн и фидерных линий и другое, метрологическое оборудование, безэховые камеры, экранированные камеры, реверберационные камеры, оборудование для проверки на электромагнитную совместимость и многое другое. Узнайте больше на www.2test.ru
КОМПЛЕКС ДЛЯ ЛЮМИНЕСЦЕНТНОГО АНАЛИЗА МАКРО- И МИКРООБРАЗЦОВ В БЛИЖНЕМ ИНФРАКР...ITMO University
Описаны конструктивные особенности и технические параметры комплекса для характеризации люминесцентных параметров макро- и микрообразцов в ближнем инфракрасном диапазоне спектра. Наряду со стандартной 90°-схемой возбуждения и регистрации люминесценции используется микрофлуориметрическая техника. Проведено сравнение двух типов фотодиодов на основе InGaAs, обсуждаются особенности проведения измерений на примере регистрации спектров инфракрасной люминесценции квантовых точек PbS.
Similar to ПРИМЕНЕНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ ПРИ ОБРАБОТКЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ПРОИЗВОДСТВЕННОГО КОНТРОЛЯ В МЕТАЛЛУРГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ (20)
Decision-making on assessment of higher education institutions under uncertaintyVladimir Bakhrushin
Presentation for XХXII International Conference Problems of Decision Making under Uncertainties (PDMU-2018), August 27-31, 2018, Prague, Czech Republic
DOI: 10.13140/RG.2.2.27143.44966
Порівняння розуміння, мети та принципів освіти в проектах Закону України "Про освіту", підгтовлених робочою групою Комітету Верховної Ради з питань науки та освіти і Міністерством освіти і науки. Маємо змогу побачити у чому полягають основні розбіжності.
Окремі аспекти реформування освіти України з погляду системного підходуVladimir Bakhrushin
З погляду системного підходу розглянуто окремі аспекти реформування освіти України, зокрема: відображення входів та виходів системи освіти; групи інтересів та необхідність пошуку балансу їх інтересів; багатовимірні оцінки в освіті; обмеження при прийнятті рішень.
Decision-making in education based on multi-criteria ranking of alternativesVladimir Bakhrushin
This document discusses methods of multi-criteria ranking used in decision making, including in education. It provides examples of linear convolution rankings, such as university rankings and competitive scores for Ukrainian higher education institution applicants. It also examines some uncertainty factors that can affect competitive scores, such as variations in test complexity and applicant preparedness levels across years. Analysis of Mathematics and English test data from 2011-2014 showed variations in average scores and passing thresholds from year to year can impact outcome scores by 2-10 points.
Some problems of decision-making in education (raw data, multicriteriality, uncertainty, interest groups) are considered. There are given examples of erroneous decisions, assessment of universities, the applicants selection etc. Also certain requirements for the new Law of Ukraine on education are formulated.
Останнім часом активізувалися дискусії про стан системи освіти України, її актуальні проблеми, можливі шляхи їх вирішення. У Комітеті Верховної Ради України з питань науки і освіти на весну заплановані обговорення проекту Концепції нової редакції Закону України “Про освіту” у березні та стану підготовки відповідного законопроекту у квітні. Аналіз окремих проблем, які потрібно вирішити у новому Законі, а також пропозиції до Закону містяться у багатьох публікаціях останнього часу. Зокрема, це статті О. Єльникової, І. Лікарчука, В. Огнев’юка, Ю. Шукевича та інших відомих фахівців на порталі Освітня політика. Учасники дискусій, що відбуваються, висловлюють різні, нерідко протилежні, погляди на майбутній закон. Тому на цьому етапі доцільно обговорити деякі передумови його прийняття, виходячи із загальних принципів теорії систем, теорії управління і теорії прийняття рішень.
http://education-ua.org/ua/draft-regulations/382-zakon-pro-osvitu-deyaki-peredumovi
Function plot() is the main tool for 2D plotting in R. It allows plotting vectors x and y of equal length to generate a graph of the relationship y(x). Additional arguments can change aspects of the plot like point characters (pch), colors (col), line types (lty), titles, axes labels, and more. Multiple plots can be combined on the same graph using par(mfrow=c(n,m)) to arrange them in a grid. plot() is highly customizable and essential for data visualization in R.
This document discusses various concepts in R including reading and writing data files, lists, data frames, conditional statements, loops, and functions. It explains how to read data from files using read.table() and write data to files using write.table(). Lists can be used to store heterogeneous data in a single object. Data frames allow storing data in a tabular form with rows and columns. Conditional statements like if/else and loops like for and while allow repeating blocks of code. Functions are objects that return a value for given arguments.
Робота з файлами даних в R, блоки виразів, цикли, функціїVladimir Bakhrushin
Приклади зчитування інформації з файлів даних та запису до файлів в R, списки, таблиці даних, блоки виразів, організація умовних переходів та циклів, створення функцій
This document discusses the k-means clustering method. It begins by defining the problem of cluster analysis as dividing data points into groups to minimize the sum of distances between points and their assigned cluster centers. It then describes the main k-means algorithms and outlines the iterative process of assigning points to the nearest cluster center and recalculating the centers. Finally, it provides an example applying k-means clustering to sample data and analyzing the results.
ПРИМЕНЕНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ ПРИ ОБРАБОТКЕ РЕЗУЛЬТАТОВ ПРОИЗВОДСТВЕННОГО КОНТРОЛЯ В МЕТАЛЛУРГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
1. Д.ф.-м.н. Бахрушин Владимир Евгеньевич,
к.ф.-м.н. Игнахина Марина Александровна
Классический приватный университет, г. Запорожье
ПРИМЕНЕНИЕ СТАТИСТИЧЕСКИХ
МЕТОДОВ ПРИ ОБРАБОТКЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
ПРОИЗВОДСТВЕННОГО КОНТРОЛЯ В
МЕТАЛЛУРГИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
2. Кремниевые эпитаксиальные композиции широко
применяются при изготовлении силовых
полупроводниковых приборов, фотоприемников,
детекторов излучений, приборов, предназначенных для
работы при сверхнизких температурах и других изделий
твердотельной электроники. Их использование позволяет
существенно улучшить многие характеристики
приборов, в том числе повысить обратные напряжения
пробоя диодов и транзисторов, чувствительность
фотоприемников, уменьшить паразитные емкости p-n
переходов и т. д.
3. Современное оборудование позволяет
воспроизводимо получать эпитаксиальные слои кремния
толщиной 1–200 мкм с удельным
электросопротивлением 0,05–200 Ом·см,
неоднородностью распределения этих параметров не
более 3 – 5 % для толщины и 5 – 7% для удельного
электросопротивления на пластинах диаметром до
200 мм.
Однородность характеристик слоя зависит от
однородности распределения кремнийсодержащего
компонента в газовой фазе, скорости газового потока,
градиентов температуры, выбора исходных веществ и
геометрии реактора, в котором проводится осаждение.
5. Основными параметрами, контролируемыми при
производстве кремниевых эпитаксиальных композиций,
являются толщина и удельное электросопротивление
эпитаксиального слоя, их неоднородность, а также
наличие и концентрации поверхностных и структурных
дефектов: бугорков и ямок роста, сыпи, следов окисления,
подплавления и растравливания, дислокаций, дефектов
упаковки и ступенек сдвига (линий скольжения).
Кроме того, в слаболегированных слоях,
осаждаемых на сильнолегированных изотипных
подложках, возможно появление вблизи границы раздела
высокоомных прослоек или прослоек с проводимостью
противоположного типа.
6. Разработка методик контроля и аттестации
эпитаксиальных композиций основана на применении
методов статистического анализа. При этом, как правило,
предполагают, что контролируемые параметры являются
нормально распределенными случайными величинами.
Для большинства дефектов законы распределения
значений по эпитаксиальной композиции, а также средних
значений по серии таких композиций неизвестны. В этих
условиях применение традиционных параметрических
методов статистического анализа неправомерно и
актуальной проблемой становится выбор адекватных
методик контроля качества, основанных на
непараметрических статистических методах.
Для этого необходимо иметь информацию о
функциях распределения контролируемых параметров.
7. Несмотря на большое число публикаций в этой
области, проблема практического применения
непараметрических статистических методов в
металлургии и материаловедении полупроводников
остается нерешенной. Это обусловлено недостаточной
эмпирической базой, большим разнообразием типов
изделий и технологий их изготовления, а также
непониманием технологами ограничений
параметрических методов и возможных последствий их
неправомерного использования. Значительная часть
предложений по усовершенствованию методик
статистического контроля не учитывает требования
производственников о том, чтобы издержки, связанные с
внедрением новых методик, были меньшими, чем эффект
от их применения.
8. Для идентификации функций распределения
использовали такую методику. На первом этапе с
использованием Р-Р диаграмм выбирали наиболее
подходящий закон распределения.
Затем подбирали параметры модели, минимизируя
сумму квадратов отклонений модели от эмпирической
функции распределения.
В случаях, когда модель представляла собой смесь
распределений, сначала подбирали модели отдельных
компонент, а затем уточняли параметры модели в целом,
используя полученные ранее данные в качестве
начального приближения.
9. Исследованы горизонтальная и вертикальная
неоднородности толщины по результатам измерений на
220 композициях, полученных в двух сериях из 26 и 29
процессов. Измерения толщины выполняли методом
спектроскопии инфракрасного отражения,
обеспечивающим воспроизводимость результатов не хуже
0,5 %. Для каждого образца выполняли замеры в 5 точках.
Одна из них совпадала с центром образца, а остальные
находились на вертикальном и горизонтальном диаметрах
на расстоянии r/2 от центра (r – радиус подложки).
Горизонтальную и вертикальную неоднородность
определяли по формуле ∆d = (dmax – dmin)/2dср, где dmax, dmin
и dср – соответственно максимальное, минимальное и
среднее значение толщины для соответствующего
горизонтального или вертикального ряда.
21. Бугорки роста, представляют собой выступы
высотой 0,1 – 20 мкм, плотность которых достигает
103
см-2
. Известны два возможных механизма их
образования. По первому механизму оно вызвано
загрязнением поверхности посторонними частицами.
Согласно второму, возникновение бугорков происходит в
результате замедления тангенциального роста ступеней
осевшими на них атомами примесей. Можно также
предположить наличие связи между бугорками роста в
“обычных” эпитаксиальных композициях и
формированием “шипов” – тонких игольчатых кристаллов
диаметром до 1 мм и длиной до 10 мм, растущих
перпендикулярно поверхности, при осаждении
эпитаксиальных или поликристаллических слоев кремния
толщиной более 100 мкм.
22. Gamma P-P Plot of VAR00001
Observed Cum Prob
1,0,8,5,30,0
ExpectedCumProb 1,0
,8
,5
,3
0,0
Logistic P-P Plot of VAR00001
Observed Cum Prob
1,0,8,5,30,0
ExpectedCumProb
1,0
,8
,5
,3
0,0
Lognormal P-P Plot of VAR00001
Observed Cum Prob
1,0,8,5,30,0
ExpectedCumProb
1,0
,8
,5
,3
0,0
Normal P-P Plot of VAR00001
Observed Cum Prob
1,0,8,5,30,0
ExpectedCumProb
1,0
,8
,5
,3
0,0
Weibull P-P Plot of VAR00001
Observed Cum Prob
1,0,8,5,30,0
ExpectedCumProb
1,0
,8
,5
,3
0,0
Half-Normal P-P Plot of VAR00001
Observed Cum Prob
1,0,8,5,30,0
ExpectedCumProb
1,0
,8
,5
,3
0,0
24. ( )0,1 0,9L 2,289;0,601+
Функция распределения вероятности брака по бугоркам роста
(здесь и дальше вероятность оценивается для слоев, осажденных в
одном процессе)
25. Сыпь представляет собой множество мелких
пирамидальных ямок на поверхности эпитаксиального
слоя. Ее образование обусловлено, как правило, тем, что
подводимые к подложке атомы кремния не успевают
встраиваться в кристаллическую решетку. Это может
быть вызвано недостаточно высокой температурой
процесса или слишком большой концентрацией
хлорсодержащего компонента.
Существенное значение в данном случае имеет
качество подготовки подложки. В зависимости от него
минимальная температура, при которой начинается рост
бездефектного эпитаксиального слоя, может повышаться
или понижаться на 50 – 100 К.
26. ( )0,574 0,426L 2,126;0,760+
Функция распределения вероятности брака по сыпи
27. ( )F 0,758 0,242L 2,027;0,805= +
Функция распределения вероятности брака по окислению
поверхности
28. ( )0,562 0,438L 2,193;0,709+
Функция распределения вероятности брака по растравливанию
поверхности
33. Функция распределения выхода готовой продукции с
повышенным структурным совершенством
( )F 0,105 0,895W 22,72;1,70= +
34. Выводы
1. Предположение о нормальном распределении
параметров, контролируемых при производстве кремниевых
эпитаксиальных композиций, часто не выполняется. Наряду с
нормальным законом распределение параметров во многих
случаях описывается также логнормальным законом или
распределением Вейбулла.
Наиболее часто распределение неоднородно и может быть
представлено в виде смеси распределений.
2. Отклонения от нормального закона распределения
ведут к неправомерности применения параметрических
статистических методов для разработки методик контроля и
аттестации продукции. Более того, в отдельных случаях
возникает необходимость отказа от традиционных показателей
центра распределения значений и их разброса относительно
центра.
35. 3. В частности, вертикальная неоднородность толщины
эпитаксиального слоя подчиняется логнормальному
распределению и характеризуется эксцессом, равным 6,5 – 15,5.
Для таких распределений среднее арифметическое значение не
является эффективной оценкой центра распределения, и вместо
него следует использовать медиану. Кроме того, для таких
распределений имеется большая погрешность в определении
среднеквадратичного отклонения, и для получения приемлемой
точности результата (5 %) объем выборки должен превышать
1000 – 1500 измерений.
То же относится к распределению брака по наличию
бугорков (эксцесс распределения равен 8,0).
4. Для смесей распределений ситуация является более
сложной и требует дополнительного анализа с учетом факторов,
определяющих неоднородность исследуемых показателей.
36. Некоторые публикации авторов по теме доклада:
1. Бахрушин В.Е.
Получение и физические свойства слаболегированных слоев мно
2. Бахрушин В.Є. Аналіз даних: конспект лекцій. – Запоріжжя:
ГУ "ЗІДМУ", 2006. – 128 с.
3. Бахрушин В.Є., Ігнахіна
М.О. Статистичний аналіз неоднорідності товщини
епітаксійних шарів кремнієвих композицій //
Складні системи і процеси. – 2008. – № 1. – С. 3 – 8.
4. Бахрушин В.Е., Игнахина М.А.
Применение статистических методов при обработке результатов
Системні технології. – 2008. – № 3(56), Т. 1. – С. 3 – 7.