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UNIVERSIT À DEGLI STUDI DI CATANIA FACOLTÀ DI INGEGNERIA Corso di laurea in Ingegneria Elettronica Gaetano L’Episcopo Caratterizzazione elettrica di una matrice di rivelatori di singolo fotone Relatore: Chiar.mo Prof. Gaetano Palumbo Correlatori: Dott. Delfo Sanfilippo Dott. Paolo Finocchiaro Anno Accademico 2005 - 2006 ®
Rivelare singoli fotoni ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
SPAD: limiti ed applicazioni ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],Circuiti di quenching Applicazioni: ,[object Object],[object Object],[object Object],[object Object],[object Object]
Corrente in uscita e guadagno Al crescere della tensione aumenta il guadagno del dispositivo Al crescere della tensione il resistore di quenching non  riesce a “spegnere” la corrente
Misure di carica su singolo pixel SPAD Discriminatore Generatore di gate Linea di ritardo Charge Digital Converter (QDC) Computer Spettri di carica a b c Q media  = 2,25 pC σ  = 0,1·10 -12 G medio  = 1,4·10 7
Array di SPAD in configurazione SiPM ,[object Object],n Fotoni K nK 1   Fotone Fotoni in ingresso Uscita Silicon PhotoMultiplier
Misure di carica in configurazione SiPM Lo spettro rispecchia una gaussiana Eventi di  cross talk Eventi di  cross talk Eventi di  cross talk Picchi multipli Picchi multipli
Disuniformità di guadagno fra pixel Differente lunghezza  delle piste di metal Allargamento degli  spettri di carica Disuniformità di guadagno Differenze nelle  capacità dei pixel
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  • 7. Misure di carica in configurazione SiPM Lo spettro rispecchia una gaussiana Eventi di cross talk Eventi di cross talk Eventi di cross talk Picchi multipli Picchi multipli
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