SlideShare a Scribd company logo
1 of 20
Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева
Факультет технической кибернетики и информатики
Направление 210200 «Проектирование и технология электронных средств»
Дисциплина «Информационные технологии электромагнитной совместимости ЭС»

Лекция №31 «Прогнозирование электромагнитного
излучения от электронных средств»

Автор - Чермошенцев С.Ф.

Казань 2008
Прогнозирование электромагнитного излучения от
электронных средств на основе генетического
алгоритма

1.Подход, основанный на представлении объекта исследования набором
эквивалентных излучателей.
2.Методы поиска и генетический алгоритм.
3.Основные этапы подхода к прогнозированию ЭМИ и математическая
формулировка задачи.
4.Примеры прогнозирования ЭМИ от печатной платы ЭС на основе генетического
алгоритма.
5.Выводы по применению подхода к прогнозированию ЭМИ ЭС на основе
генетического алгоритма.
1. Подход, основанный на представлении объекта
исследования набором эквивалентных
излучателей.
Как уже было сказано выше,

на сегодняшний день как в отечественной, так и

зарубежной литературе не предлагается методик прогнозирования ЭМИ, достаточно
полно

учитывающих

все

особенности

компонентов

ЭС;

а

существуют

лишь

приближенные формулы для оценки уровня ЭМИ [19]. К тому же существующие модели
прогнозирования ЭМИ от электронных средств и их компонентов опираются на то, что
известны все параметры исследуемого объекта, что зачастую на практике не
достижимо. Кроме того, при проведении экспериментальных исследований ЭМИ от ЭС,
исследователь ограничен размерами помещения (например, таких как безэховые
камеры), а зачастую необходимо знать величину электромагнитного поля на
расстоянии, превышающем данные размеры.
Среди работ, посвященных прогнозированию ЭМИ
излучателей, следует выделить работы
которых

были

предложены

и

от

различного рода

Шередько Е.Ю., Сподобаева Ю.М. и др., в

обоснованы

основные

подходы

к

расчетному

прогнозированию электромагнитной обстановки вблизи широкого класса излучателей
(таких как передающие антенны) [8].
Согласно данным работам, расчетное прогнозирование электромагнитной
обстановки вблизи мест размещения излучателей в диапазоне до 300 МГц, согласно
действующим документам, предполагает расчет напряженности электрического поля по
известной (или рассчитанной в тонкопроволочном приближении) диаграмме
направленности антенны. Пересчет напряженности электрического поля в плотность
потока энергии для технических средств СВЧ диапазона осуществляется через
волновое сопротивление свободного пространства. Однако такой подход оправдан и
дает адекватную информацию о распределении уровней электромагнитного поля лишь
в том случае, когда точка наблюдения находится в дальней зоне. Как показали
практические исследования, проведенные многими специалистами, указанная методика
дает ощутимую погрешность при перемещении точки наблюдения в ближнюю зону [8].
В [111, 128, 138] описаны различные подходы, относительно проблемы определения
дальнего поля из измерений ближнего поля. В [138] дальнее поле выведено из
измерений ближнего поля, проведенных по произвольной поверхности. Измеренные
поля должны иметь информацию о фазе и полностью описывать тангенциальные поля
по поверхности измерения. Из измерений, используя принцип эквивалентности,
находится эквивалентный ток по измеренной поверхности, откуда, используя метод
моментов, находится поле дальней зоны. В [128] информация о поле дальней зоны
рассчитывается на основании данных только об амплитуде поля ближней зоны,
используя алгоритмы коррекции фазы. Подобный подход используется в [111], где поле
дальней зоны, излучаемое печатной платой, получается из тангенциального магнитного
ближнего поля с известной амплитудой,
измеренное по сфере, охватывающей
тестируемое устройство. Распространение сферической волны используется для
вычисления поля снаружи сферы.
В данной работе предлагается подход, основанный на представлении объекта
исследования набором эквивалентных элементарных излучателей (диполей),
излучающих в ближней зоне то же поле, что и исследуемый объект (рис. 9). Делается
предположение о том, что при совпадении электромагнитного поля в ближней зоне,
«картина» излучаемого поля совпадет и в дальней зоне. В качестве объекта
исследования в общем случае может выступать ЭС целиком, а в частном – компонент
ЭС (например, печатная плата).

Элементарный
излучатель 1

Исследуемый
объект

Элементарный
излучатель 2
Элементарный
излучатель n

Рис. 5.9. Представление исследуемого объекта набором эквивалентных элементарных
излучателей

В качестве критерия нахождения параметров набора эквивалентных излучателей
предлагается использовать целевую функцию в виде разности между измеренным
значением поля и рассчитанным по эквивалентному набору [14]. Так как эта функция
сравнения является нелинейной и имеет много локальных минимумов, то для решения
задачи подходят только глобальные методы [44].
2. Методы поиска и генетический алгоритм.

Однако классические поисковые методы:
требуют дифференцируемости функционала и информацию о производных
функции качества;
позволяют на каждой итерации определять лишь единственное допустимое
решение;
имеют неэффективное продвижение к глобальному экстремуму в задачах с
большим числом локальных экстремумов и проектных параметров;
имеют проблему выбора начального приближения;
требуют

изменения

многоэкстремальных функций.

стратегии

поиска

решения

при

оптимизации
Указанных выше недостатков лишены алгоритмы, основанные на принципах
естественной генетики – генетические алгоритмы (ГА). Они предназначены для поиска
предпочтительных решений и основаны на поиске лучших решений с помощью
наследования и усиления полезных свойств множества объектов определенного
приложения в процессе имитации их эволюции. В отличие от точных методов
математического программирования генетические алгоритмы позволяют находить
решения, близкие к оптимальным, за приемлемое время, а в отличие от известных
эвристических методов оптимизации характеризуются существенно меньшей
зависимостью от особенностей приложения (т.е. более универсальны) и в большинстве
случаев обеспечивают лучшую степень приближения к оптимальному решению.
Универсальность генетических алгоритмов определяется также применимостью к
задачам с неметризуемым пространством управляемых переменных (т.е. среди
управляемых переменных могут быть и лингвистические) [68].
В более строгой формулировке, генетические алгоритмы [44] – это методы нулевого
порядка, стратегия поиска в которых построена только на вычислении значений
критерия оптимальности и не требует дополнительной информации о производных,
константе Липшица и т.д., что характерно для градиентных и квазиньютоновских
методов. Генетические алгоритмы являются робастными методами по отношению к
виду минимизируемой функции, так как при их применении не требуется, чтобы
критерий оптимальности был непрерывным, дифференцируемым, унимодальным. Они
осуществляют поиск оптимального решения по одной и той же стратегии как для
унимодальных, так и для многоэкстремальных функций.
Место генетических алгоритмов в общей структуре всех
существующих на сегодняшний день, показано на рис. 5.10 [44].

методов

поиска,

Методы
поиска
Вычислительные

Невычислительные

Случайные

Непрямые

Чисто
случайный поиск

Прямые

Генетические
алгоритмы

Рис. 5.10. Классификация существующих методов поиска

В соответствии с этой классификацией:
1. Вычислительные методы – подразделяются на два основных класса:
непрямые методы – они находят локальные экстремумы, решая обычно
множество линейных или нелинейных уравнений. Данные методы находят
экстремум функции, анализируя ограниченное пространство точек во всех
направлениях;
прямые методы – осуществляют поиск оптимума путем градиентных алгоритмов.
Уже для двух локальных оптимумов это большая проблема – найти лучшее
решение, а для многоэкстремальных схем применение этих методов
затруднительно.
2. Невычислительные.
3. Случайные:
 чисто случайный поиск;
 генетические алгоритмы.
Согласно [44], генетические алгоритмы отличаются от других оптимизационных и
поисковых процедур следующим:
 работают в основном не с параметрами задачи, а с закодированным
множеством параметров;
 осуществляют

поиск

не

использования

сразу

нескольких

путем

улучшения

одного

альтернатив

на

решения,
заданном

а

путем

множестве

решений;
 используют целевую функцию, а не ее различные приращения для оценки
качества принятия решений;
 применяют

не

детерминированные,

оптимизационных задач.

а вероятностные

правила

анализа
Свойства

объектов

в

генетическом

алгоритме

представляются

значениями

параметров, объединяемыми в запись, называемую хромосомой. В генетическом
алгоритме
популяции.

оперируют

хромосомами,

Применительно

к

данной

относящимися
задаче

к

множеству

хромосома

объектов

представляет

—

собой

совокупность генов (ток, длина диполей). Внешний вид хромосомы для одного
излучателя представлен на рис. 5.11.
I1

d1

I2

d2

…

In

dn

Рис. 5.11. Внешний вид хромосомы:
I-ток, мА;
(X1, Y1, Z1) – координаты одного конца
излучателя;
(X2, Y2, Z2) - координаты второго конца
излучателя.
Имитация генетических принципов — вероятностный выбор родителей среди членов
популяции, скрещивание их хромосом, отбор потомков для включения в новые
поколения объектов на основе оценки целевой функции — ведет к эволюционному
улучшению значений целевой функции (функции полезности или пригодности, иногда
называемой фитнесс-функцией) от поколения к поколению.
Среди достоинств генетических алгоритмов следует выделить условия, при
выполнении которых задача поиска решается эффективно (в том числе являющихся
характерными для задачи прогнозирования ЭМИ):
большое пространство поиска, ландшафт которого является негладким (содержит
несколько экстремумов);
сложно формализуемая функция степени оценки качества решения;
многокритериальность поиска;
поиск по заданным критериям приемлемого, а не единственного оптимального
решения.
Вопросы

применения

генетических

алгоритмов

для

решения

ряда

задач

электромагнитной совместимости (например, внутриаппаратурной электромагнитной
совместимости,

оптимизации

антенн),

классификации

и

выбору

параметров

генетических алгоритмов уже достаточно освещались в трудах отечественных и
зарубежных авторов [90] и поэтому здесь не затрагиваются.
3. Основные этапы подхода к прогнозированию ЭМИ и
математическая формулировка задачи.
Подход к прогнозированию ЭМИ предлагается сформулировать в следующем
виде:
1.

Проводятся

измерения

электрической

напряженности

(значений

Е)

от

тестируемого устройства в разных k точках окружающего пространства (рис. 5.12).
2. Делается предположение о возможности моделирования заданного объекта
небольшим набором из N эквивалентных диполей.
3. Осуществляем поиск набора N эквивалентных диполей, производящих то же
электромагнитное поле в точках измерения, что и оригинальное тестируемое
устройство. Поле, создаваемое этими диполями эквивалентного набора, в измеряемой
точке находится согласно принципу суперпозиции. Для вычисления поля, создаваемого
одиночным

диполем

аналитические

из

выражения

эквивалентного
на

основе

набора,

используются

интегрального

выражения,

«стандартные»
получившего

известность как интеграл Зоммерфельда. Параметрами диполя из эквивалентного
набора,

отыскиваемыми

при

помощи

генетического

алгоритма

являются

геометрические размеры диполя, его координаты, ориентация в пространстве, ток.
Так как согласно нормативной документации, действующей на территории РФ, в
диапазоне от 30 МГц до 1800 МГц нормируется только электрическая напряженность
электромагнитного поля [50], то предлагаемый подход осуществляет прогнозирование
только этой составляющей поля.
4. На основе полученных параметров излучателей эквивалентного набора
вычисляют поле в любой другой точке пространства, например, в точке М
расстоянии большем, чем размеры помещения, в котором проводились измерения).
Z
X

Y

Границы
помещения

Точки
измерения
(1, 2,..., k)
M

Исследуемый
объект

1
2
k
5

Рис. 5.12. Исследуемый объект в помещении, где проводятся измерения

(на
Условием выхода из алгоритма является минимум функции пригодности, который
формулируется как минимальное расхождение между измеренным значением и
значением, от набора эквивалентных диполей, для каждой заданной точки.
Математически задачу прогнозирования ЭМИ можно сформулировать
следующим образом:

Найти min
накладываемых на

k
E изм
F = ∑ ⋅ log i
пр
E экв
i =1
i

для Фi={d, I, x,y,z} при ограничениях,

величины токов и размеры излучателей эквивалентного набора, где – измеренное
значение напряженности электрического поля в точке i, – значения напряженности
излучателей эквивалентного набора в точке i.
Ограничения накладываются на следующие параметры ГА:
расстояние до точки измерения;
размеры излучателя;
величина тока элементарных излучателей.
Схема генетического алгоритма для нашей задачи состоит из следующих
этапов:
создание популяции;
скрещивание (вероятность скрещивания принимается равной 0,7-0,75);
мутация (вероятность мутации выбирается в диапазоне 0,05-0,1);
вычисление функции пригодности;
создание новой популяции;
В настоящее время создано значительное количество пакетов прикладных
программ, реализующих генетические алгоритмы. Приведем основные черты наиболее
распространенных данных комплексов, информация о которых дается в разделе 6.
Для проверки истинности предлагаемого подхода были выполнены следующие
действия:
отыскание параметров одиночного эквивалентного диполя;
отыскание

параметров

набора

из

трех

эквивалентных

диполей

при

из

пяти

эквивалентных

диполей

при

прогнозировании ЭМИ от печатной платы;
отыскание

параметров

набора

прогнозировании ЭМИ от печатной платы.
4. Примеры прогнозирования ЭМИ от печатной платы
ЭС на основе генетического алгоритма.

Результаты моделирования для ряда примеров сведены в табл.15.
На рис. 5.13 приведены графики зависимости изменения количества функции
пригодности от количества поколений для случая одиночного эквивалентного диполя
для разных начальных приближений.
Таблица 15
Зависимость изменения функции пригодности для различных примеров
Приме
р

Количество
эквивалентных
излучателей

Количество точек
измерения

Диапазон изменения
количества
поколений

Fпр

1

1

30

6-12

0.55

2

1

40

6-12

0.4

3

1

50

6-12

0.24

4

3

30

10-18

0.3

5

3

40

10-18

0.28

6

3

50

10-18

0.17

7

5

30

15-25

0.8

8

5

40

15-25

0.7

9

5

50

15-25

0.55
Функция пригодности

1,6
1,4
1,2
1
0,8
0,6
0,4
0,2
0
1

3

5

7

9

11

13

15

17

19

Количество поколений

Рис. 5.13. Зависимость функции пригодности от количества поколений.
12
10

E, В/м

8
6
4
2
0
1

2

3

4

5

6

7

8

9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Точки наблюдения

Рис. 5.14. Сравнительные результаты прогнозирования ЭМИ генетическим
алгоритмом
(эквивал. набор из 2 диполей)
80

E, В/м

60
40
20
0
1

10

19

28

37

46

55

Точки наблюдения

Рис. 5.15. Сравнительные результаты прогнозирования
ЭМИ генетическим алгоритмом
(эквивал. набор из 2 диполей)
5. Выводы по применению подхода к прогнозированию
ЭМИ ЭС на основе генетического алгоритма

.

Таким образом, основные выводы по данному подходу можно сформулировать
следующим образом:
разработанный подход позволяет осуществлять прогнозирование ЭМИ от
печатных плат ЭС на расстояниях, превышающих размеры испытательных
лабораторий, а также в случаях, когда неизвестны все параметры исследуемого
объекта [7];
данный подход может использоваться в методике для прогнозирования ЭМИ от
различных объектов в интеллектуальных зданиях;
функция пригодности в задачах моделирования электромагнитного поля дальней
зоны от межсоединений печатных плат изменяется (убывает) значительно за первые
несколько (5-8) поколений, далее ее изменение незначительно;
 при поиске параметров диполей эквивалентного набора генетическим
алгоритмом из разных начальных точек значения вектора проектных параметров
получаются практически одинаковыми (точность 0,1%);
в тех случаях, когда не удается отыскать набор эквивалентных излучателей,
необходимо увеличить количество точек измерения.
Контрольные вопросы:

1.Какое условие должно соблюдаться в ближней зоне при представлении объекта
исследования набором диполей?
2.Какая целевая функция используется при нахождении параметров набора
эквивалентных излучателей?
3.Приведите классификацию существующих методов поиска?
4.Покажите преимущества и недостатки генетических алгоритмов относительно
других методов поиска.
5.Поясните структуру хромосомы для одного излучателя?
6.Назовите основные этапы подхода прогнозирования ЭМИ с использованием
генетического алгоритма.
7.Запишите математическую формулировку задачи прогнозирования ЭМИ?
8.Охарактеризуйте примеры прогнозирования ЭМИ от печатной платы ЭС на основе
генетического алгоритма.
9.Поясните основные точностные особенности подхода к прогнозированию ЭМИ на
основе генетического алгоритма.
10.Назовите основные выводы по подходу к прогнозированию ЭМИ на основе
генетического алгоритма?

More Related Content

Viewers also liked

лекция №14
лекция №14лекция №14
лекция №14student_kai
 
лекция №7
лекция №7лекция №7
лекция №7student_kai
 
лекция №5и
лекция №5илекция №5и
лекция №5иstudent_kai
 
лекция №12
лекция №12лекция №12
лекция №12student_kai
 
практика 9
практика 9практика 9
практика 9student_kai
 
практика 13
практика 13практика 13
практика 13student_kai
 
презентация 9
презентация 9презентация 9
презентация 9student_kai
 
лекция №7
лекция №7лекция №7
лекция №7student_kai
 
лекция № 15
лекция № 15лекция № 15
лекция № 15student_kai
 
лекция 21 управление безопасностью-ч1
лекция 21 управление безопасностью-ч1лекция 21 управление безопасностью-ч1
лекция 21 управление безопасностью-ч1student_kai
 
практика 10
практика 10практика 10
практика 10student_kai
 
практика 4
практика 4практика 4
практика 4student_kai
 

Viewers also liked (20)

лекция №14
лекция №14лекция №14
лекция №14
 
п17
п17п17
п17
 
лекция №7
лекция №7лекция №7
лекция №7
 
лекция №5и
лекция №5илекция №5и
лекция №5и
 
лекция №12
лекция №12лекция №12
лекция №12
 
лекция 17
лекция 17лекция 17
лекция 17
 
лаб № 1
лаб № 1лаб № 1
лаб № 1
 
лек16
лек16лек16
лек16
 
л22с
л22сл22с
л22с
 
л16с
л16сл16с
л16с
 
лекция 7
лекция 7лекция 7
лекция 7
 
практика 9
практика 9практика 9
практика 9
 
практика 13
практика 13практика 13
практика 13
 
презентация 9
презентация 9презентация 9
презентация 9
 
лекция №7
лекция №7лекция №7
лекция №7
 
лекция № 15
лекция № 15лекция № 15
лекция № 15
 
лекция 21 управление безопасностью-ч1
лекция 21 управление безопасностью-ч1лекция 21 управление безопасностью-ч1
лекция 21 управление безопасностью-ч1
 
практика 10
практика 10практика 10
практика 10
 
лекция 15
лекция 15лекция 15
лекция 15
 
практика 4
практика 4практика 4
практика 4
 

Similar to лекция 31

программа синтеза и анализа интерференционных покрытий Film manager
программа синтеза и анализа интерференционных покрытий Film managerпрограмма синтеза и анализа интерференционных покрытий Film manager
программа синтеза и анализа интерференционных покрытий Film managerИван Иванов
 
ДЕТЕКТОРЫ ОСОБЕННОСТЕЙ В МЕТОДЕ ВИОЛЫ–ДЖОНСА, ПОСТРОЕННЫЕ НА ОСНОВЕ КОНЕЧНЫХ ...
ДЕТЕКТОРЫ ОСОБЕННОСТЕЙ В МЕТОДЕ ВИОЛЫ–ДЖОНСА, ПОСТРОЕННЫЕ НА ОСНОВЕ КОНЕЧНЫХ ...ДЕТЕКТОРЫ ОСОБЕННОСТЕЙ В МЕТОДЕ ВИОЛЫ–ДЖОНСА, ПОСТРОЕННЫЕ НА ОСНОВЕ КОНЕЧНЫХ ...
ДЕТЕКТОРЫ ОСОБЕННОСТЕЙ В МЕТОДЕ ВИОЛЫ–ДЖОНСА, ПОСТРОЕННЫЕ НА ОСНОВЕ КОНЕЧНЫХ ...ITMO University
 
РАЗРАБОТКА МОДЕЛИ ЭКСПЕРТНОЙ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ НЕЧЁТКОЙ ЛОГИКИ
РАЗРАБОТКА МОДЕЛИ ЭКСПЕРТНОЙ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ НЕЧЁТКОЙ ЛОГИКИРАЗРАБОТКА МОДЕЛИ ЭКСПЕРТНОЙ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ НЕЧЁТКОЙ ЛОГИКИ
РАЗРАБОТКА МОДЕЛИ ЭКСПЕРТНОЙ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ НЕЧЁТКОЙ ЛОГИКИNatalia Polkovnikova
 
NUG_prezentatsia_o_neyronnykh_setyakh_24_02.pptx
NUG_prezentatsia_o_neyronnykh_setyakh_24_02.pptxNUG_prezentatsia_o_neyronnykh_setyakh_24_02.pptx
NUG_prezentatsia_o_neyronnykh_setyakh_24_02.pptxwhiskeycat17
 
АиСД осень 2012 лекция 12
АиСД осень 2012 лекция 12АиСД осень 2012 лекция 12
АиСД осень 2012 лекция 12Technopark
 
ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ОБ ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРАХ АТМОСФЕРЫ АНА...
ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ОБ ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРАХ АТМОСФЕРЫ АНА...ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ОБ ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРАХ АТМОСФЕРЫ АНА...
ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ОБ ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРАХ АТМОСФЕРЫ АНА...ITMO University
 
Thesis abstract on "An identification of stochastic systems"
Thesis abstract on "An identification of stochastic systems"Thesis abstract on "An identification of stochastic systems"
Thesis abstract on "An identification of stochastic systems"Raman Budny
 
Экспертные системы
Экспертные системыЭкспертные системы
Экспертные системыОтшельник
 
практика 5
практика 5практика 5
практика 5student_kai
 
Распознавание лиц с помощью экстремального обучения нейронов
Распознавание лиц с помощьюэкстремального обучения нейроновРаспознавание лиц с помощьюэкстремального обучения нейронов
Распознавание лиц с помощью экстремального обучения нейроновАнастасия Вязьмина
 
практика 12
практика 12практика 12
практика 12student_kai
 
Экспертные системы
Экспертные системыЭкспертные системы
Экспертные системыОтшельник
 
щелкалин. развитие модели арпсс
щелкалин. развитие модели арпссщелкалин. развитие модели арпсс
щелкалин. развитие модели арпссVeeRoute
 

Similar to лекция 31 (20)

лекция 25
лекция 25лекция 25
лекция 25
 
лекция 16
лекция 16лекция 16
лекция 16
 
программа синтеза и анализа интерференционных покрытий Film manager
программа синтеза и анализа интерференционных покрытий Film managerпрограмма синтеза и анализа интерференционных покрытий Film manager
программа синтеза и анализа интерференционных покрытий Film manager
 
ДЕТЕКТОРЫ ОСОБЕННОСТЕЙ В МЕТОДЕ ВИОЛЫ–ДЖОНСА, ПОСТРОЕННЫЕ НА ОСНОВЕ КОНЕЧНЫХ ...
ДЕТЕКТОРЫ ОСОБЕННОСТЕЙ В МЕТОДЕ ВИОЛЫ–ДЖОНСА, ПОСТРОЕННЫЕ НА ОСНОВЕ КОНЕЧНЫХ ...ДЕТЕКТОРЫ ОСОБЕННОСТЕЙ В МЕТОДЕ ВИОЛЫ–ДЖОНСА, ПОСТРОЕННЫЕ НА ОСНОВЕ КОНЕЧНЫХ ...
ДЕТЕКТОРЫ ОСОБЕННОСТЕЙ В МЕТОДЕ ВИОЛЫ–ДЖОНСА, ПОСТРОЕННЫЕ НА ОСНОВЕ КОНЕЧНЫХ ...
 
ээг4
ээг4ээг4
ээг4
 
РАЗРАБОТКА МОДЕЛИ ЭКСПЕРТНОЙ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ НЕЧЁТКОЙ ЛОГИКИ
РАЗРАБОТКА МОДЕЛИ ЭКСПЕРТНОЙ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ НЕЧЁТКОЙ ЛОГИКИРАЗРАБОТКА МОДЕЛИ ЭКСПЕРТНОЙ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ НЕЧЁТКОЙ ЛОГИКИ
РАЗРАБОТКА МОДЕЛИ ЭКСПЕРТНОЙ СИСТЕМЫ НА ОСНОВЕ НЕЧЁТКОЙ ЛОГИКИ
 
NUG_prezentatsia_o_neyronnykh_setyakh_24_02.pptx
NUG_prezentatsia_o_neyronnykh_setyakh_24_02.pptxNUG_prezentatsia_o_neyronnykh_setyakh_24_02.pptx
NUG_prezentatsia_o_neyronnykh_setyakh_24_02.pptx
 
лекция 5
лекция 5лекция 5
лекция 5
 
лекция 33
лекция 33лекция 33
лекция 33
 
АиСД осень 2012 лекция 12
АиСД осень 2012 лекция 12АиСД осень 2012 лекция 12
АиСД осень 2012 лекция 12
 
ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ОБ ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРАХ АТМОСФЕРЫ АНА...
ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ОБ ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРАХ АТМОСФЕРЫ АНА...ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ОБ ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРАХ АТМОСФЕРЫ АНА...
ПРЕДСТАВЛЕНИЕ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ДАННЫХ ОБ ОПТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРАХ АТМОСФЕРЫ АНА...
 
Thesis abstract on "An identification of stochastic systems"
Thesis abstract on "An identification of stochastic systems"Thesis abstract on "An identification of stochastic systems"
Thesis abstract on "An identification of stochastic systems"
 
Экспертные системы
Экспертные системыЭкспертные системы
Экспертные системы
 
практика 5
практика 5практика 5
практика 5
 
Распознавание лиц с помощью экстремального обучения нейронов
Распознавание лиц с помощьюэкстремального обучения нейроновРаспознавание лиц с помощьюэкстремального обучения нейронов
Распознавание лиц с помощью экстремального обучения нейронов
 
практика 12
практика 12практика 12
практика 12
 
лекция 36
лекция 36лекция 36
лекция 36
 
Экспертные системы
Экспертные системыЭкспертные системы
Экспертные системы
 
щелкалин. развитие модели арпсс
щелкалин. развитие модели арпссщелкалин. развитие модели арпсс
щелкалин. развитие модели арпсс
 
лекция 7
лекция 7лекция 7
лекция 7
 

More from student_kai

презентация
презентацияпрезентация
презентацияstudent_kai
 
презентации продолжение банкета
презентации продолжение банкетапрезентации продолжение банкета
презентации продолжение банкетаstudent_kai
 
основы программирования на языке C
основы программирования на языке Cосновы программирования на языке C
основы программирования на языке Cstudent_kai
 
презентация курсовой работы
презентация курсовой работыпрезентация курсовой работы
презентация курсовой работыstudent_kai
 
лекция№34
лекция№34лекция№34
лекция№34student_kai
 
лекция№32
лекция№32лекция№32
лекция№32student_kai
 
лекция№33
лекция№33лекция№33
лекция№33student_kai
 
лекция№31
лекция№31лекция№31
лекция№31student_kai
 
лекция№30
лекция№30лекция№30
лекция№30student_kai
 
лекция№29
лекция№29лекция№29
лекция№29student_kai
 
лекция№28
лекция№28лекция№28
лекция№28student_kai
 
лекция№27
лекция№27лекция№27
лекция№27student_kai
 
лекция№26
лекция№26лекция№26
лекция№26student_kai
 
лекция№25
лекция№25лекция№25
лекция№25student_kai
 
лекция№25
лекция№25лекция№25
лекция№25student_kai
 
лекция№24
лекция№24лекция№24
лекция№24student_kai
 
лекция№23
лекция№23лекция№23
лекция№23student_kai
 
лекция№22
лекция№22лекция№22
лекция№22student_kai
 
лекция№21
лекция№21лекция№21
лекция№21student_kai
 
лекция№20
лекция№20лекция№20
лекция№20student_kai
 

More from student_kai (20)

презентация
презентацияпрезентация
презентация
 
презентации продолжение банкета
презентации продолжение банкетапрезентации продолжение банкета
презентации продолжение банкета
 
основы программирования на языке C
основы программирования на языке Cосновы программирования на языке C
основы программирования на языке C
 
презентация курсовой работы
презентация курсовой работыпрезентация курсовой работы
презентация курсовой работы
 
лекция№34
лекция№34лекция№34
лекция№34
 
лекция№32
лекция№32лекция№32
лекция№32
 
лекция№33
лекция№33лекция№33
лекция№33
 
лекция№31
лекция№31лекция№31
лекция№31
 
лекция№30
лекция№30лекция№30
лекция№30
 
лекция№29
лекция№29лекция№29
лекция№29
 
лекция№28
лекция№28лекция№28
лекция№28
 
лекция№27
лекция№27лекция№27
лекция№27
 
лекция№26
лекция№26лекция№26
лекция№26
 
лекция№25
лекция№25лекция№25
лекция№25
 
лекция№25
лекция№25лекция№25
лекция№25
 
лекция№24
лекция№24лекция№24
лекция№24
 
лекция№23
лекция№23лекция№23
лекция№23
 
лекция№22
лекция№22лекция№22
лекция№22
 
лекция№21
лекция№21лекция№21
лекция№21
 
лекция№20
лекция№20лекция№20
лекция№20
 

лекция 31

  • 1. Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева Факультет технической кибернетики и информатики Направление 210200 «Проектирование и технология электронных средств» Дисциплина «Информационные технологии электромагнитной совместимости ЭС» Лекция №31 «Прогнозирование электромагнитного излучения от электронных средств» Автор - Чермошенцев С.Ф. Казань 2008
  • 2. Прогнозирование электромагнитного излучения от электронных средств на основе генетического алгоритма 1.Подход, основанный на представлении объекта исследования набором эквивалентных излучателей. 2.Методы поиска и генетический алгоритм. 3.Основные этапы подхода к прогнозированию ЭМИ и математическая формулировка задачи. 4.Примеры прогнозирования ЭМИ от печатной платы ЭС на основе генетического алгоритма. 5.Выводы по применению подхода к прогнозированию ЭМИ ЭС на основе генетического алгоритма.
  • 3. 1. Подход, основанный на представлении объекта исследования набором эквивалентных излучателей. Как уже было сказано выше, на сегодняшний день как в отечественной, так и зарубежной литературе не предлагается методик прогнозирования ЭМИ, достаточно полно учитывающих все особенности компонентов ЭС; а существуют лишь приближенные формулы для оценки уровня ЭМИ [19]. К тому же существующие модели прогнозирования ЭМИ от электронных средств и их компонентов опираются на то, что известны все параметры исследуемого объекта, что зачастую на практике не достижимо. Кроме того, при проведении экспериментальных исследований ЭМИ от ЭС, исследователь ограничен размерами помещения (например, таких как безэховые камеры), а зачастую необходимо знать величину электромагнитного поля на расстоянии, превышающем данные размеры. Среди работ, посвященных прогнозированию ЭМИ излучателей, следует выделить работы которых были предложены и от различного рода Шередько Е.Ю., Сподобаева Ю.М. и др., в обоснованы основные подходы к расчетному прогнозированию электромагнитной обстановки вблизи широкого класса излучателей (таких как передающие антенны) [8].
  • 4. Согласно данным работам, расчетное прогнозирование электромагнитной обстановки вблизи мест размещения излучателей в диапазоне до 300 МГц, согласно действующим документам, предполагает расчет напряженности электрического поля по известной (или рассчитанной в тонкопроволочном приближении) диаграмме направленности антенны. Пересчет напряженности электрического поля в плотность потока энергии для технических средств СВЧ диапазона осуществляется через волновое сопротивление свободного пространства. Однако такой подход оправдан и дает адекватную информацию о распределении уровней электромагнитного поля лишь в том случае, когда точка наблюдения находится в дальней зоне. Как показали практические исследования, проведенные многими специалистами, указанная методика дает ощутимую погрешность при перемещении точки наблюдения в ближнюю зону [8]. В [111, 128, 138] описаны различные подходы, относительно проблемы определения дальнего поля из измерений ближнего поля. В [138] дальнее поле выведено из измерений ближнего поля, проведенных по произвольной поверхности. Измеренные поля должны иметь информацию о фазе и полностью описывать тангенциальные поля по поверхности измерения. Из измерений, используя принцип эквивалентности, находится эквивалентный ток по измеренной поверхности, откуда, используя метод моментов, находится поле дальней зоны. В [128] информация о поле дальней зоны рассчитывается на основании данных только об амплитуде поля ближней зоны, используя алгоритмы коррекции фазы. Подобный подход используется в [111], где поле дальней зоны, излучаемое печатной платой, получается из тангенциального магнитного ближнего поля с известной амплитудой, измеренное по сфере, охватывающей тестируемое устройство. Распространение сферической волны используется для вычисления поля снаружи сферы.
  • 5. В данной работе предлагается подход, основанный на представлении объекта исследования набором эквивалентных элементарных излучателей (диполей), излучающих в ближней зоне то же поле, что и исследуемый объект (рис. 9). Делается предположение о том, что при совпадении электромагнитного поля в ближней зоне, «картина» излучаемого поля совпадет и в дальней зоне. В качестве объекта исследования в общем случае может выступать ЭС целиком, а в частном – компонент ЭС (например, печатная плата). Элементарный излучатель 1 Исследуемый объект Элементарный излучатель 2 Элементарный излучатель n Рис. 5.9. Представление исследуемого объекта набором эквивалентных элементарных излучателей В качестве критерия нахождения параметров набора эквивалентных излучателей предлагается использовать целевую функцию в виде разности между измеренным значением поля и рассчитанным по эквивалентному набору [14]. Так как эта функция сравнения является нелинейной и имеет много локальных минимумов, то для решения задачи подходят только глобальные методы [44].
  • 6. 2. Методы поиска и генетический алгоритм. Однако классические поисковые методы: требуют дифференцируемости функционала и информацию о производных функции качества; позволяют на каждой итерации определять лишь единственное допустимое решение; имеют неэффективное продвижение к глобальному экстремуму в задачах с большим числом локальных экстремумов и проектных параметров; имеют проблему выбора начального приближения; требуют изменения многоэкстремальных функций. стратегии поиска решения при оптимизации
  • 7. Указанных выше недостатков лишены алгоритмы, основанные на принципах естественной генетики – генетические алгоритмы (ГА). Они предназначены для поиска предпочтительных решений и основаны на поиске лучших решений с помощью наследования и усиления полезных свойств множества объектов определенного приложения в процессе имитации их эволюции. В отличие от точных методов математического программирования генетические алгоритмы позволяют находить решения, близкие к оптимальным, за приемлемое время, а в отличие от известных эвристических методов оптимизации характеризуются существенно меньшей зависимостью от особенностей приложения (т.е. более универсальны) и в большинстве случаев обеспечивают лучшую степень приближения к оптимальному решению. Универсальность генетических алгоритмов определяется также применимостью к задачам с неметризуемым пространством управляемых переменных (т.е. среди управляемых переменных могут быть и лингвистические) [68]. В более строгой формулировке, генетические алгоритмы [44] – это методы нулевого порядка, стратегия поиска в которых построена только на вычислении значений критерия оптимальности и не требует дополнительной информации о производных, константе Липшица и т.д., что характерно для градиентных и квазиньютоновских методов. Генетические алгоритмы являются робастными методами по отношению к виду минимизируемой функции, так как при их применении не требуется, чтобы критерий оптимальности был непрерывным, дифференцируемым, унимодальным. Они осуществляют поиск оптимального решения по одной и той же стратегии как для унимодальных, так и для многоэкстремальных функций.
  • 8. Место генетических алгоритмов в общей структуре всех существующих на сегодняшний день, показано на рис. 5.10 [44]. методов поиска, Методы поиска Вычислительные Невычислительные Случайные Непрямые Чисто случайный поиск Прямые Генетические алгоритмы Рис. 5.10. Классификация существующих методов поиска В соответствии с этой классификацией: 1. Вычислительные методы – подразделяются на два основных класса: непрямые методы – они находят локальные экстремумы, решая обычно множество линейных или нелинейных уравнений. Данные методы находят экстремум функции, анализируя ограниченное пространство точек во всех направлениях; прямые методы – осуществляют поиск оптимума путем градиентных алгоритмов. Уже для двух локальных оптимумов это большая проблема – найти лучшее решение, а для многоэкстремальных схем применение этих методов затруднительно.
  • 9. 2. Невычислительные. 3. Случайные:  чисто случайный поиск;  генетические алгоритмы. Согласно [44], генетические алгоритмы отличаются от других оптимизационных и поисковых процедур следующим:  работают в основном не с параметрами задачи, а с закодированным множеством параметров;  осуществляют поиск не использования сразу нескольких путем улучшения одного альтернатив на решения, заданном а путем множестве решений;  используют целевую функцию, а не ее различные приращения для оценки качества принятия решений;  применяют не детерминированные, оптимизационных задач. а вероятностные правила анализа
  • 10. Свойства объектов в генетическом алгоритме представляются значениями параметров, объединяемыми в запись, называемую хромосомой. В генетическом алгоритме популяции. оперируют хромосомами, Применительно к данной относящимися задаче к множеству хромосома объектов представляет — собой совокупность генов (ток, длина диполей). Внешний вид хромосомы для одного излучателя представлен на рис. 5.11. I1 d1 I2 d2 … In dn Рис. 5.11. Внешний вид хромосомы: I-ток, мА; (X1, Y1, Z1) – координаты одного конца излучателя; (X2, Y2, Z2) - координаты второго конца излучателя. Имитация генетических принципов — вероятностный выбор родителей среди членов популяции, скрещивание их хромосом, отбор потомков для включения в новые поколения объектов на основе оценки целевой функции — ведет к эволюционному улучшению значений целевой функции (функции полезности или пригодности, иногда называемой фитнесс-функцией) от поколения к поколению.
  • 11. Среди достоинств генетических алгоритмов следует выделить условия, при выполнении которых задача поиска решается эффективно (в том числе являющихся характерными для задачи прогнозирования ЭМИ): большое пространство поиска, ландшафт которого является негладким (содержит несколько экстремумов); сложно формализуемая функция степени оценки качества решения; многокритериальность поиска; поиск по заданным критериям приемлемого, а не единственного оптимального решения. Вопросы применения генетических алгоритмов для решения ряда задач электромагнитной совместимости (например, внутриаппаратурной электромагнитной совместимости, оптимизации антенн), классификации и выбору параметров генетических алгоритмов уже достаточно освещались в трудах отечественных и зарубежных авторов [90] и поэтому здесь не затрагиваются.
  • 12. 3. Основные этапы подхода к прогнозированию ЭМИ и математическая формулировка задачи. Подход к прогнозированию ЭМИ предлагается сформулировать в следующем виде: 1. Проводятся измерения электрической напряженности (значений Е) от тестируемого устройства в разных k точках окружающего пространства (рис. 5.12). 2. Делается предположение о возможности моделирования заданного объекта небольшим набором из N эквивалентных диполей. 3. Осуществляем поиск набора N эквивалентных диполей, производящих то же электромагнитное поле в точках измерения, что и оригинальное тестируемое устройство. Поле, создаваемое этими диполями эквивалентного набора, в измеряемой точке находится согласно принципу суперпозиции. Для вычисления поля, создаваемого одиночным диполем аналитические из выражения эквивалентного на основе набора, используются интегрального выражения, «стандартные» получившего известность как интеграл Зоммерфельда. Параметрами диполя из эквивалентного набора, отыскиваемыми при помощи генетического алгоритма являются геометрические размеры диполя, его координаты, ориентация в пространстве, ток.
  • 13. Так как согласно нормативной документации, действующей на территории РФ, в диапазоне от 30 МГц до 1800 МГц нормируется только электрическая напряженность электромагнитного поля [50], то предлагаемый подход осуществляет прогнозирование только этой составляющей поля. 4. На основе полученных параметров излучателей эквивалентного набора вычисляют поле в любой другой точке пространства, например, в точке М расстоянии большем, чем размеры помещения, в котором проводились измерения). Z X Y Границы помещения Точки измерения (1, 2,..., k) M Исследуемый объект 1 2 k 5 Рис. 5.12. Исследуемый объект в помещении, где проводятся измерения (на
  • 14. Условием выхода из алгоритма является минимум функции пригодности, который формулируется как минимальное расхождение между измеренным значением и значением, от набора эквивалентных диполей, для каждой заданной точки. Математически задачу прогнозирования ЭМИ можно сформулировать следующим образом: Найти min накладываемых на k E изм F = ∑ ⋅ log i пр E экв i =1 i для Фi={d, I, x,y,z} при ограничениях, величины токов и размеры излучателей эквивалентного набора, где – измеренное значение напряженности электрического поля в точке i, – значения напряженности излучателей эквивалентного набора в точке i. Ограничения накладываются на следующие параметры ГА: расстояние до точки измерения; размеры излучателя; величина тока элементарных излучателей. Схема генетического алгоритма для нашей задачи состоит из следующих этапов: создание популяции; скрещивание (вероятность скрещивания принимается равной 0,7-0,75); мутация (вероятность мутации выбирается в диапазоне 0,05-0,1); вычисление функции пригодности; создание новой популяции;
  • 15. В настоящее время создано значительное количество пакетов прикладных программ, реализующих генетические алгоритмы. Приведем основные черты наиболее распространенных данных комплексов, информация о которых дается в разделе 6. Для проверки истинности предлагаемого подхода были выполнены следующие действия: отыскание параметров одиночного эквивалентного диполя; отыскание параметров набора из трех эквивалентных диполей при из пяти эквивалентных диполей при прогнозировании ЭМИ от печатной платы; отыскание параметров набора прогнозировании ЭМИ от печатной платы.
  • 16. 4. Примеры прогнозирования ЭМИ от печатной платы ЭС на основе генетического алгоритма. Результаты моделирования для ряда примеров сведены в табл.15. На рис. 5.13 приведены графики зависимости изменения количества функции пригодности от количества поколений для случая одиночного эквивалентного диполя для разных начальных приближений. Таблица 15 Зависимость изменения функции пригодности для различных примеров Приме р Количество эквивалентных излучателей Количество точек измерения Диапазон изменения количества поколений Fпр 1 1 30 6-12 0.55 2 1 40 6-12 0.4 3 1 50 6-12 0.24 4 3 30 10-18 0.3 5 3 40 10-18 0.28 6 3 50 10-18 0.17 7 5 30 15-25 0.8 8 5 40 15-25 0.7 9 5 50 15-25 0.55
  • 17. Функция пригодности 1,6 1,4 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0,2 0 1 3 5 7 9 11 13 15 17 19 Количество поколений Рис. 5.13. Зависимость функции пригодности от количества поколений. 12 10 E, В/м 8 6 4 2 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 Точки наблюдения Рис. 5.14. Сравнительные результаты прогнозирования ЭМИ генетическим алгоритмом (эквивал. набор из 2 диполей)
  • 18. 80 E, В/м 60 40 20 0 1 10 19 28 37 46 55 Точки наблюдения Рис. 5.15. Сравнительные результаты прогнозирования ЭМИ генетическим алгоритмом (эквивал. набор из 2 диполей)
  • 19. 5. Выводы по применению подхода к прогнозированию ЭМИ ЭС на основе генетического алгоритма . Таким образом, основные выводы по данному подходу можно сформулировать следующим образом: разработанный подход позволяет осуществлять прогнозирование ЭМИ от печатных плат ЭС на расстояниях, превышающих размеры испытательных лабораторий, а также в случаях, когда неизвестны все параметры исследуемого объекта [7]; данный подход может использоваться в методике для прогнозирования ЭМИ от различных объектов в интеллектуальных зданиях; функция пригодности в задачах моделирования электромагнитного поля дальней зоны от межсоединений печатных плат изменяется (убывает) значительно за первые несколько (5-8) поколений, далее ее изменение незначительно;  при поиске параметров диполей эквивалентного набора генетическим алгоритмом из разных начальных точек значения вектора проектных параметров получаются практически одинаковыми (точность 0,1%); в тех случаях, когда не удается отыскать набор эквивалентных излучателей, необходимо увеличить количество точек измерения.
  • 20. Контрольные вопросы: 1.Какое условие должно соблюдаться в ближней зоне при представлении объекта исследования набором диполей? 2.Какая целевая функция используется при нахождении параметров набора эквивалентных излучателей? 3.Приведите классификацию существующих методов поиска? 4.Покажите преимущества и недостатки генетических алгоритмов относительно других методов поиска. 5.Поясните структуру хромосомы для одного излучателя? 6.Назовите основные этапы подхода прогнозирования ЭМИ с использованием генетического алгоритма. 7.Запишите математическую формулировку задачи прогнозирования ЭМИ? 8.Охарактеризуйте примеры прогнозирования ЭМИ от печатной платы ЭС на основе генетического алгоритма. 9.Поясните основные точностные особенности подхода к прогнозированию ЭМИ на основе генетического алгоритма. 10.Назовите основные выводы по подходу к прогнозированию ЭМИ на основе генетического алгоритма?